JPS61111993A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents
分子線エピタキシ装置Info
- Publication number
- JPS61111993A JPS61111993A JP23313184A JP23313184A JPS61111993A JP S61111993 A JPS61111993 A JP S61111993A JP 23313184 A JP23313184 A JP 23313184A JP 23313184 A JP23313184 A JP 23313184A JP S61111993 A JPS61111993 A JP S61111993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- epitaxial film
- space
- refrigerant
- cooling means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、分子線エピタキシ装置く以下、ＭＢＥ装置と
略）に関するものである。
略）に関するものである。
ＭＢＥ装置としては、例えば、高橋 清、′新しいエピ
タキシャル成長法で、電気学会雑誌、■ｏ１．．９５、
／ｌ６２（昭和５０年２月）のＰＰ、 ９〜１０に記載
されているような、成長室内に分子線源と、該分子線源
に材応して配置される試料ホルダと、分子線源を囲み配
置される液体窒素シュラウド（以下、ＬＮ２シュラウド
と略）とを有し、真空雰囲気下で、分子線源より分子線
を放射し、試料ホルダに添装された試料に放射された分
子線によりエピタキシャル膜を形成させる装置が知られ
ている。
タキシャル成長法で、電気学会雑誌、■ｏ１．．９５、
／ｌ６２（昭和５０年２月）のＰＰ、 ９〜１０に記載
されているような、成長室内に分子線源と、該分子線源
に材応して配置される試料ホルダと、分子線源を囲み配
置される液体窒素シュラウド（以下、ＬＮ２シュラウド
と略）とを有し、真空雰囲気下で、分子線源より分子線
を放射し、試料ホルダに添装された試料に放射された分
子線によりエピタキシャル膜を形成させる装置が知られ
ている。
このようなＭＢＥ装置では、高品質のエピタキシャル膜
を試料に形成させるための重要な因子の一つである試料
のエピタキシャル膜形成面に対応する空間の圧力制御を
直接行うことができず、成長室全体の圧力制御を行うこ
とで試料のエピクキ１寸 シャル膜形成面に対応する空間の圧力制御Ｗ間接的に行
われている。
を試料に形成させるための重要な因子の一つである試料
のエピタキシャル膜形成面に対応する空間の圧力制御を
直接行うことができず、成長室全体の圧力制御を行うこ
とで試料のエピクキ１寸 シャル膜形成面に対応する空間の圧力制御Ｗ間接的に行
われている。
本発明の目的は、試料のエピタキシャル膜形成面に対応
する空間の圧力制御を直接行うことで、より高品質のエ
ピタキシャル膜を形成できるＭＢＥ装置を提供すること
にある。
する空間の圧力制御を直接行うことで、より高品質のエ
ピタキシャル膜を形成できるＭＢＥ装置を提供すること
にある。
本発明は、分子線源と試料のエピタキシャル膜形成面と
の間の分子線の放射空間に対応して冷却手段を設けたこ
とを特徴とするもので、冷却手段により試料のエピタキ
シャル膜形成面に対応する空間の圧力制御を直接行える
ようにしたものである。
の間の分子線の放射空間に対応して冷却手段を設けたこ
とを特徴とするもので、冷却手段により試料のエピタキ
シャル膜形成面に対応する空間の圧力制御を直接行える
ようにしたものである。
本発明の一実施例を第１図、第２図により説明する。
第１図で、例えば、円筒形状の成長室１０内には、試料
ホルダ（９）が設けられている。この場合、試料ホルダ
加の軸心は、成長室１０の長手方向軸心と略一致させら
れ、また、試料ホルダ加の試料添装面は、略垂直面とな
っている。試料ホルダ田の試料源 添装面と相対する成長室１０の側壁には、分子−戸が分
子線放射口を試料ホルダＩの試料添装面蔭こ対応させら
れ設けられている。成長室１０内には、試料ホルダ■の
周囲で第１のＬＮ！シュラウド荀が設けられ、分子線源
間の周囲で１！！２のＬＮ、シュラウド４１が設けられ
ている。成長室１０内には、分子線源父と試料のエピタ
キシャル膜形成面つまり試料ホルダ加の試料添装面との
間の分子線放射空間（資）に対応して冷却手段ωが設け
られている。冷却手段ωは、この場合、パイプを螺旋状
に巻き重ねたものであり、冷媒供給用のバイブロ１の一
端と冷媒排出用のバイブロ２の一端とが連結されている
。また、冷却手段ωには、分子線放射空間父側と反対側
で加熱体、例えば、電気ヒータ８が設けられている。冷
媒供給用のバイブロ１の他端は、例えば、成長室１０外
へ取１ノ出されて冷媒供給源（図示省略）に連結されて
いる。冷媒排出用のバイブロ２の他端も成長室１０外へ
取り出され、例えば、大気開放させられている。また、
電気ヒータ田は、成長室１０外に設置された電ＩＫ（図
示省略）に接続されている。なお、成長室１０には、真
空排気袋Ｗ（図示省略）が連結されている。
ホルダ（９）が設けられている。この場合、試料ホルダ
加の軸心は、成長室１０の長手方向軸心と略一致させら
れ、また、試料ホルダ加の試料添装面は、略垂直面とな
っている。試料ホルダ田の試料源 添装面と相対する成長室１０の側壁には、分子−戸が分
子線放射口を試料ホルダＩの試料添装面蔭こ対応させら
れ設けられている。成長室１０内には、試料ホルダ■の
周囲で第１のＬＮ！シュラウド荀が設けられ、分子線源
間の周囲で１！！２のＬＮ、シュラウド４１が設けられ
ている。成長室１０内には、分子線源父と試料のエピタ
キシャル膜形成面つまり試料ホルダ加の試料添装面との
間の分子線放射空間（資）に対応して冷却手段ωが設け
られている。冷却手段ωは、この場合、パイプを螺旋状
に巻き重ねたものであり、冷媒供給用のバイブロ１の一
端と冷媒排出用のバイブロ２の一端とが連結されている
。また、冷却手段ωには、分子線放射空間父側と反対側
で加熱体、例えば、電気ヒータ８が設けられている。冷
媒供給用のバイブロ１の他端は、例えば、成長室１０外
へ取１ノ出されて冷媒供給源（図示省略）に連結されて
いる。冷媒排出用のバイブロ２の他端も成長室１０外へ
取り出され、例えば、大気開放させられている。また、
電気ヒータ田は、成長室１０外に設置された電ＩＫ（図
示省略）に接続されている。なお、成長室１０には、真
空排気袋Ｗ（図示省略）が連結されている。
１のＬＮ、シュラウド揃と第２のＬＮ、シュラウド４１
との機能により成長室１０内全体は、超高真空−二保持
される。このような真空雰囲気下で、成長室１０内には
、試料７０が搬入され、搬入された試料７０は。
との機能により成長室１０内全体は、超高真空−二保持
される。このような真空雰囲気下で、成長室１０内には
、試料７０が搬入され、搬入された試料７０は。
エピタキシャル膜形成面を分子線放射空間（資）に対応
して試料ホルダＩの試料添装面に添装される。
して試料ホルダＩの試料添装面に添装される。
この状態で試料７０はエピタキシャル膜形成に備えて所
定温度に昇温させられる。一方、分子線源刃は加熱され
１分子線源おからは、分子線放射空間間に向って分子線
の放射が始まり、該放射された分子線により試料７０の
エピタキシャル膜形成面には、エピタキシャル膜が形成
され始める。このような分子線１ｌｉｉｉ３０からの分
子線の放射が始まると試料７０のエピタキシャル膜形成
面に対応した空間、つまり、分子線放射空間間の圧力が
高くなり始める。そこで、例えば、試料７０のエピタキ
シャル膜形成面へのエピタキシャル膜形成途上において
、冷媒を冷媒供給源から冷媒供給用のバイブロ１を介し
て冷却手段ωに供給する。冷却手段ωに供給される冷媒
としては、第１のＬＮ、シュラウド菊、第２のＬＮ、シ
ュラウド４１に供給されるＬＮ、と同等の温度並びに該
温度以下の温度の冷媒、例えばＬＮ。
定温度に昇温させられる。一方、分子線源刃は加熱され
１分子線源おからは、分子線放射空間間に向って分子線
の放射が始まり、該放射された分子線により試料７０の
エピタキシャル膜形成面には、エピタキシャル膜が形成
され始める。このような分子線１ｌｉｉｉ３０からの分
子線の放射が始まると試料７０のエピタキシャル膜形成
面に対応した空間、つまり、分子線放射空間間の圧力が
高くなり始める。そこで、例えば、試料７０のエピタキ
シャル膜形成面へのエピタキシャル膜形成途上において
、冷媒を冷媒供給源から冷媒供給用のバイブロ１を介し
て冷却手段ωに供給する。冷却手段ωに供給される冷媒
としては、第１のＬＮ、シュラウド菊、第２のＬＮ、シ
ュラウド４１に供給されるＬＮ、と同等の温度並びに該
温度以下の温度の冷媒、例えばＬＮ。
やＬＨ，やＬＨｅ等が選択される。Ｍ２図で、冷媒の温
度が低ければ低いほど排気効果は高まり、冷却手段印に
供給される冷媒を上記のようＧこ選択し、その供給量を
制御することで、分子線放射空間間の圧力制御を直接行
うことができる。なお、このような使用により、冷却手
段ωに分子線等の堆積物が付着した場合は、電気ヒータ
団により冷却手段ωを加熱昇温させ排気効果を再生する
ようにする。
度が低ければ低いほど排気効果は高まり、冷却手段印に
供給される冷媒を上記のようＧこ選択し、その供給量を
制御することで、分子線放射空間間の圧力制御を直接行
うことができる。なお、このような使用により、冷却手
段ωに分子線等の堆積物が付着した場合は、電気ヒータ
団により冷却手段ωを加熱昇温させ排気効果を再生する
ようにする。
本実施例では１次のような効果を得ることができる。
（１）冷却手段の排気効果により分子線放射空間の圧力
制御を直接行うことができるため、より高品質のエピタ
キシャル膜を形成できる。
制御を直接行うことができるため、より高品質のエピタ
キシャル膜を形成できる。
（２）冷却手段の排気効果を電気ヒータにより再生でき
る。
る。
（３）冷却手段に供給される冷媒の温度、流量により分
子線放射空間の圧力を微妙に制御できる。
子線放射空間の圧力を微妙に制御できる。
本発明は、以上説明したように、試料のエピタキシャル
膜形成面に対応する空間の圧力制御な直接行うことがで
きるので、より高品質のエピタキシャル膜を形成できる
という効果がある。
膜形成面に対応する空間の圧力制御な直接行うことがで
きるので、より高品質のエピタキシャル膜を形成できる
という効果がある。
第１図は、本発明によるＭＢＥ装置の一実施例を示す成
長室の要部縦断面図、第２図は、気体の蒸気圧曲線であ
る。
長室の要部縦断面図、第２図は、気体の蒸気圧曲線であ
る。
Claims (1)
- １、真空雰囲気下で、分子線源より放射された分子線に
より試料にエピタキシャル膜を形成させる装置において
、前記分子線源と前記試料のエピタキシャル膜形成面と
の間の前記分子線の放射空間に対応して冷却手段を設け
たことを特徴とする分子線エピタキシ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23313184A JPS61111993A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 分子線エピタキシ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23313184A JPS61111993A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 分子線エピタキシ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111993A true JPS61111993A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16950227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23313184A Pending JPS61111993A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 分子線エピタキシ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111993A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9732454B2 (en) | 2009-02-06 | 2017-08-15 | Nike, Inc. | Textured elements incorporating non-woven textile materials and methods for manufacturing the textured elements |
| US10138582B2 (en) | 2009-02-06 | 2018-11-27 | Nike, Inc. | Thermoplastic non-woven textile elements |
| US10625472B2 (en) | 2009-02-06 | 2020-04-21 | Nike, Inc. | Methods of joining textiles and other elements incorporating a thermoplastic polymer material |
| US11779071B2 (en) | 2012-04-03 | 2023-10-10 | Nike, Inc. | Apparel and other products incorporating a thermoplastic polymer material |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP23313184A patent/JPS61111993A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9732454B2 (en) | 2009-02-06 | 2017-08-15 | Nike, Inc. | Textured elements incorporating non-woven textile materials and methods for manufacturing the textured elements |
| US10138582B2 (en) | 2009-02-06 | 2018-11-27 | Nike, Inc. | Thermoplastic non-woven textile elements |
| US10174447B2 (en) | 2009-02-06 | 2019-01-08 | Nike, Inc. | Thermoplastic non-woven textile elements |
| US10625472B2 (en) | 2009-02-06 | 2020-04-21 | Nike, Inc. | Methods of joining textiles and other elements incorporating a thermoplastic polymer material |
| US10982364B2 (en) | 2009-02-06 | 2021-04-20 | Nike, Inc. | Thermoplastic non-woven textile elements |
| US10982363B2 (en) | 2009-02-06 | 2021-04-20 | Nike, Inc. | Thermoplastic non-woven textile elements |
| US11779071B2 (en) | 2012-04-03 | 2023-10-10 | Nike, Inc. | Apparel and other products incorporating a thermoplastic polymer material |
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