JPS61110101A - ハ−フミラ−の製造方法 - Google Patents
ハ−フミラ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS61110101A JPS61110101A JP23288884A JP23288884A JPS61110101A JP S61110101 A JPS61110101 A JP S61110101A JP 23288884 A JP23288884 A JP 23288884A JP 23288884 A JP23288884 A JP 23288884A JP S61110101 A JPS61110101 A JP S61110101A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- half mirror
- hard coat
- film
- thin film
- forming
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、透明合成樹脂からなる基板上に半透過性の
反射膜が形成されてなるハーフミラ−(半透明鏡)の製
造方法に関する。この発明の方法で製造されるハーフミ
ラ−は、メータカバー、光分割器(カメラ、分光計)、
光干渉膜厚計等に適用できる。
反射膜が形成されてなるハーフミラ−(半透明鏡)の製
造方法に関する。この発明の方法で製造されるハーフミ
ラ−は、メータカバー、光分割器(カメラ、分光計)、
光干渉膜厚計等に適用できる。
〈従来の技術〉
従来のハーフミラ−は、第2図に示すよう゛に、ポリメ
タクリル酸メチル(メタクリル酸樹脂)等からなる基板
1上に、プライマ層(通常アクリル系又はウレタン系塗
料を用いる)2を介してSUS、Cr、Ag、A1等の
金属薄膜3を光学的膜厚に形成し、その上に酸化防止の
為の保if膜(通常アクリル系又はウレタン系塗料を用
いる)4及び耐摩耗性を付与するための硬化膜(通常ア
クリル系塗料を用いる)5をコーティングして製造して
いた。しかし、この方法で製造したハーフミラ−は、金
属薄膜の光の吸収が大(通常10〜40%)であるため
1反射率30%とすると透過率60〜30%と低下して
しまう、そこで、上記金属薄膜に代って光の吸収のない
TiO2等の高屈折率の誘電体薄膜をコートしたものが
出回っている〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、この誘電体薄膜の形成は一般に真空蒸着であり
一暦では十分なバルクと同一の高屈折率の薄膜を得るこ
とは困難であり、また、干渉を利用する関係から、反射
及び透過ともに50%に近い値を得るには多層膜とする
必要があった。このため、製造工数・コストが嵩むとと
もに、反射・透過率のバラツキの小さなハーフミラ−を
得ることが困難であるという問題点があった。さらには
、蒸着膜の場合、経時的に屈折率が変化し、即ち反射・
透過率も経時的に変化し、苛酷な使用条件下では実用に
耐えないという問題点があった。
タクリル酸メチル(メタクリル酸樹脂)等からなる基板
1上に、プライマ層(通常アクリル系又はウレタン系塗
料を用いる)2を介してSUS、Cr、Ag、A1等の
金属薄膜3を光学的膜厚に形成し、その上に酸化防止の
為の保if膜(通常アクリル系又はウレタン系塗料を用
いる)4及び耐摩耗性を付与するための硬化膜(通常ア
クリル系塗料を用いる)5をコーティングして製造して
いた。しかし、この方法で製造したハーフミラ−は、金
属薄膜の光の吸収が大(通常10〜40%)であるため
1反射率30%とすると透過率60〜30%と低下して
しまう、そこで、上記金属薄膜に代って光の吸収のない
TiO2等の高屈折率の誘電体薄膜をコートしたものが
出回っている〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、この誘電体薄膜の形成は一般に真空蒸着であり
一暦では十分なバルクと同一の高屈折率の薄膜を得るこ
とは困難であり、また、干渉を利用する関係から、反射
及び透過ともに50%に近い値を得るには多層膜とする
必要があった。このため、製造工数・コストが嵩むとと
もに、反射・透過率のバラツキの小さなハーフミラ−を
得ることが困難であるという問題点があった。さらには
、蒸着膜の場合、経時的に屈折率が変化し、即ち反射・
透過率も経時的に変化し、苛酷な使用条件下では実用に
耐えないという問題点があった。
く問題点を解決するための手段〉
そこで、本発明者らは、上記問題点を解決するために、
スパッタで誘電体薄膜を形成することを思い付き、鋭意
研究した結果、反応性スパッタで誘電体薄膜を形成した
場合、上記問題点を解決できることを見い出し、本発明
を完成した。即ち、本発明の方法は、第1図に示すよう
に、透明合成樹脂からなる、基板1上に、プライマ兼ハ
ードコート層7を形成後、該プライマ兼ハードコート暦
7上に反応性スパッタ(マグネトロンスパッタ)により
基板より高屈折率の誘電体薄膜8を光学的膜厚に形成す
る方法にある。
スパッタで誘電体薄膜を形成することを思い付き、鋭意
研究した結果、反応性スパッタで誘電体薄膜を形成した
場合、上記問題点を解決できることを見い出し、本発明
を完成した。即ち、本発明の方法は、第1図に示すよう
に、透明合成樹脂からなる、基板1上に、プライマ兼ハ
ードコート層7を形成後、該プライマ兼ハードコート暦
7上に反応性スパッタ(マグネトロンスパッタ)により
基板より高屈折率の誘電体薄膜8を光学的膜厚に形成す
る方法にある。
以上、上記手段の各構成について、より詳細に説明する
。
。
(a)上記透明合成樹脂としては、光透過率の高いメタ
クリル酸樹脂、ポリカーボネート等を挙げることができ
る。
クリル酸樹脂、ポリカーボネート等を挙げることができ
る。
(b)プライマ兼ハードコート層を形成する塗料として
は、シリコーン系、アミノ系及びアクリル系のものを挙
げることができるが、誘電体薄膜との密着性からシリコ
ーン系゛のものが望ましい。
は、シリコーン系、アミノ系及びアクリル系のものを挙
げることができるが、誘電体薄膜との密着性からシリコ
ーン系゛のものが望ましい。
(C) M電体薄膜を形成するものとしては、基板の屈
折率(メタクリル樹脂の場合n = 1.49)“より
も大きな屈折率nを有する* T r 02 (n
s 2 、7)、Fedイ (n=2.75) 、C
eO(n=2.4 )等を挙げることができる。但し、
()内圧折率はバルクのものである。スパッタ条件は、
TiO2膜を形成しようとする場合、スパッタガス圧:
4X10’ 〜6X10’Torr、ガス組成;Ar
: 02〜80 : 20〜90 : 10とする。ガ
ス圧が上記より低いと、放電しなくなり、高いとTiO
2以外の組成及び膜質の粗いTiO2が誘電体膜中に含
まれ望ましくない、また、Ar比率が上記より高いとT
iO2が得られず、Ar比率が上記より低いと着膜速度
が遅く生産性の見地から望ましくない、ここで、光学的
膜厚とは、nd=入ハ(但し、n:屈折率、入坤波長)
とした場合のdを示す。
折率(メタクリル樹脂の場合n = 1.49)“より
も大きな屈折率nを有する* T r 02 (n
s 2 、7)、Fedイ (n=2.75) 、C
eO(n=2.4 )等を挙げることができる。但し、
()内圧折率はバルクのものである。スパッタ条件は、
TiO2膜を形成しようとする場合、スパッタガス圧:
4X10’ 〜6X10’Torr、ガス組成;Ar
: 02〜80 : 20〜90 : 10とする。ガ
ス圧が上記より低いと、放電しなくなり、高いとTiO
2以外の組成及び膜質の粗いTiO2が誘電体膜中に含
まれ望ましくない、また、Ar比率が上記より高いとT
iO2が得られず、Ar比率が上記より低いと着膜速度
が遅く生産性の見地から望ましくない、ここで、光学的
膜厚とは、nd=入ハ(但し、n:屈折率、入坤波長)
とした場合のdを示す。
〈実施例〉
メタクリル酸樹脂製基板(100mmOX2mmt)上
にシリコーン系塗料(トスガード二東芝シリコーン(株
))でプライマ兼ハードコート膜(膜厚5pg/m2)
を形成した。当該ハードコート膜上に下記条件で反応ス
パッタを行ないTiO2からなる誘電体薄M (If!
厚400A)を形成した条件)スパッタガス圧:5XI
O″’Torrガス組成:Ar2 :02=85:15
電流:3A 電圧:350V 時間=9分 ターゲット:Ti金属 基板温度:40℃ こうして得た、ハーフミラ−について、反射率及び透過
率を分光光度計(日本分光(株)製″UVIDEC50
5″)により測定したところそれぞれ第3図に示ように
、略50%−50%(波長400〜500 ms)であ
った、但し、この測定結果は、At反射膜(反射率90
%)をブランクとした相対値であり、実質反射率は45
%となる。
にシリコーン系塗料(トスガード二東芝シリコーン(株
))でプライマ兼ハードコート膜(膜厚5pg/m2)
を形成した。当該ハードコート膜上に下記条件で反応ス
パッタを行ないTiO2からなる誘電体薄M (If!
厚400A)を形成した条件)スパッタガス圧:5XI
O″’Torrガス組成:Ar2 :02=85:15
電流:3A 電圧:350V 時間=9分 ターゲット:Ti金属 基板温度:40℃ こうして得た、ハーフミラ−について、反射率及び透過
率を分光光度計(日本分光(株)製″UVIDEC50
5″)により測定したところそれぞれ第3図に示ように
、略50%−50%(波長400〜500 ms)であ
った、但し、この測定結果は、At反射膜(反射率90
%)をブランクとした相対値であり、実質反射率は45
%となる。
尚、この反射率(R=45%)の測定結果から誘電体薄
膜の屈折率(n)を求めると、n=2゜75となり、確
かに高屈折率のT i Oz膜が得られていることがわ
かる。但し、ng=1.411とする。
膜の屈折率(n)を求めると、n=2゜75となり、確
かに高屈折率のT i Oz膜が得られていることがわ
かる。但し、ng=1.411とする。
計算式は下記0式から導入した下記0式に基づまた、蒸
着Xit体膜の場合の反射率30%を0式に導入して屈
折率(n)を求めると、n = 2.28となり、蒸T
I誘電体薄膜の屈折率は低いことがわかる。
着Xit体膜の場合の反射率30%を0式に導入して屈
折率(n)を求めると、n = 2.28となり、蒸T
I誘電体薄膜の屈折率は低いことがわかる。
〈発明の効果〉
この発明のハーフミラ−の製造方法は、上記のような構
成なので、下記のような効果を奏する。
成なので、下記のような効果を奏する。
(a)従来のように、誘電体薄膜を多層(通常4〜5層
以上)にしなくても、単層で反射・透過率がそれぞれ5
0%近いハーフミラ−を製造することができる。従って
、製造工数・コストの低減が可能となるとともに1反射
・透過率のバラツキが小さい製品を容易に得ることがで
きる。また、反応性スパッタで形成した誘電体薄膜は屈
折率の経時変化がなく、反射・透過率も長期間安定して
おり自動車内のような苛酷な使用条件下でも実用に耐え
得る。
以上)にしなくても、単層で反射・透過率がそれぞれ5
0%近いハーフミラ−を製造することができる。従って
、製造工数・コストの低減が可能となるとともに1反射
・透過率のバラツキが小さい製品を容易に得ることがで
きる。また、反応性スパッタで形成した誘電体薄膜は屈
折率の経時変化がなく、反射・透過率も長期間安定して
おり自動車内のような苛酷な使用条件下でも実用に耐え
得る。
尚、通常の高周波スパッタで誘電体薄膜を形成した場合
、膜の析出速度が遅く生産上問題がある上、T f O
2をターゲットとして用いるためコスト的にも問題があ
る。
、膜の析出速度が遅く生産上問題がある上、T f O
2をターゲットとして用いるためコスト的にも問題があ
る。
第1図はこの発明の方法で製造したハーフミラ−の断面
図、第2図は従来のハーフミラ−の断面図、第3図は実
施例におけるハーフミラ−の反射・透過率測定チャート
図である。 1・・・基板、7・・・プライマ兼ハードコート層、8
・・・誘電体膜。 特 許 出 願 人
図、第2図は従来のハーフミラ−の断面図、第3図は実
施例におけるハーフミラ−の反射・透過率測定チャート
図である。 1・・・基板、7・・・プライマ兼ハードコート層、8
・・・誘電体膜。 特 許 出 願 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明合成樹脂からなる基板上に、プライマ兼ハード
コート層を形成後、該プライマ兼ハードコート層上に反
応性スパッタにより基板より高屈折率の誘電体薄膜を光
学的膜厚に形成することを特徴とするハーフミラーの製
造方法。 2、前記透明合成樹脂がメタクリル酸樹脂又はポリカー
ボネートであり、前記誘電体薄膜が二酸化チタンで形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のハーフミラーの製造方法。 3、前記誘電体薄膜を、チタン金属をアルゴン雰囲気中
で酸素と反応させてスパッタにより形成させるに際して
、アルゴン雰囲気を組成Ar:O_2=80:20〜9
0:10、ガス圧4×10^−^4〜6×10^−^3
Torrとすることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載のハーフミラーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23288884A JPS61110101A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | ハ−フミラ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23288884A JPS61110101A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | ハ−フミラ−の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61110101A true JPS61110101A (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=16946410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23288884A Pending JPS61110101A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | ハ−フミラ−の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61110101A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3818341A1 (de) * | 1987-06-04 | 1988-12-22 | Olympus Optical Co | Kunststoff-halbspiegel |
WO1994000782A1 (en) * | 1992-06-19 | 1994-01-06 | Fujitsu Limited | Photocoupler |
EP0741298A1 (en) * | 1995-05-01 | 1996-11-06 | Hydro-Aire Division Of Crane Company | Fiberoptic velocity transducer |
US5623375A (en) * | 1991-10-15 | 1997-04-22 | Commissariat A L'energie Atomique | International dielectric mirror and production process for such a mirror |
JP2009139885A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Sony Corp | ペリクルミラー及び撮像装置 |
US8021560B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-09-20 | Fraunhofer-Gesellshaft zur Foerderung der Angewandten Forschung E. V. | Method for producing a radiation-absorbing optical element and corresponding radiation absorbing optical element |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23288884A patent/JPS61110101A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3818341A1 (de) * | 1987-06-04 | 1988-12-22 | Olympus Optical Co | Kunststoff-halbspiegel |
US5623375A (en) * | 1991-10-15 | 1997-04-22 | Commissariat A L'energie Atomique | International dielectric mirror and production process for such a mirror |
WO1994000782A1 (en) * | 1992-06-19 | 1994-01-06 | Fujitsu Limited | Photocoupler |
US5699187A (en) * | 1992-06-19 | 1997-12-16 | Fujitsu Limited | Optical coupler |
EP0741298A1 (en) * | 1995-05-01 | 1996-11-06 | Hydro-Aire Division Of Crane Company | Fiberoptic velocity transducer |
US8021560B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-09-20 | Fraunhofer-Gesellshaft zur Foerderung der Angewandten Forschung E. V. | Method for producing a radiation-absorbing optical element and corresponding radiation absorbing optical element |
JP2009139885A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-25 | Sony Corp | ペリクルミラー及び撮像装置 |
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