JPS61108594A - 光記録用素子 - Google Patents
光記録用素子Info
- Publication number
- JPS61108594A JPS61108594A JP59230291A JP23029184A JPS61108594A JP S61108594 A JPS61108594 A JP S61108594A JP 59230291 A JP59230291 A JP 59230291A JP 23029184 A JP23029184 A JP 23029184A JP S61108594 A JPS61108594 A JP S61108594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive polymer
- light
- photosensitive
- irradiation
- molecule
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性高分子を用いる光記録用素子に関する。
さらに詳しくは、導電性高分子に光感応性物質を混入あ
るいは付加した材料に光照射して、ドーピングが生ずる
ことにより光吸収２反射スペクトルが変化することを利
用する光記録用素子に関するものである。
るいは付加した材料に光照射して、ドーピングが生ずる
ことにより光吸収２反射スペクトルが変化することを利
用する光記録用素子に関するものである。
近年、大量の情報を高速に処理、伝達、変換。
記録２表示する極めてすぐれた方法として光を利用する
光情報処理技術が笛視されている。その中で、ビディオ
ディスクを始めとする高密度の各種光記録、更に人間に
直接情報を伝える最良の手段としての光画像表示等は重
要な位置を占めている。
光情報処理技術が笛視されている。その中で、ビディオ
ディスクを始めとする高密度の各種光記録、更に人間に
直接情報を伝える最良の手段としての光画像表示等は重
要な位置を占めている。
これらの方法としてこれまで各種のものが開発されてい
るが、感度、密度、安定性、取り扱い易さ。
るが、感度、密度、安定性、取り扱い易さ。
価格のすべての条件を満足するものは未だ開発されてい
ないのが実情である。例えば、ビディオディスクの一方
式として金属反射板に穿孔する等の方式がとられる場合
があるが、その方法は複雑で、高価である等の問題を残
している。また光記録の一方式として、レーザープリン
ターが開発され始めているが、速度、安定性、感度１価
格等の面から見てまだ材料の面で満足のいくものとは言
い難い。これ等の問題を解決する為に、光感応性で書き
込み、消去のできるすぐれた特性を有する新材料、新方
式の出現が待たれている。
ないのが実情である。例えば、ビディオディスクの一方
式として金属反射板に穿孔する等の方式がとられる場合
があるが、その方法は複雑で、高価である等の問題を残
している。また光記録の一方式として、レーザープリン
ターが開発され始めているが、速度、安定性、感度１価
格等の面から見てまだ材料の面で満足のいくものとは言
い難い。これ等の問題を解決する為に、光感応性で書き
込み、消去のできるすぐれた特性を有する新材料、新方
式の出現が待たれている。
一方、導電性高分子は、最近その電気抵抗が金属に匹敵
する様な高い値を持つものが得られ、しかもその値がド
ーパントと呼ばれる分子、イオン等を導電性高分子にド
ーピングすることに依り任意に制御出来、更には適当な
ドーパントを選ぶと導電率が子桁以上も変化し、絶縁体
が金属へ転移する事が知られている。
する様な高い値を持つものが得られ、しかもその値がド
ーパントと呼ばれる分子、イオン等を導電性高分子にド
ーピングすることに依り任意に制御出来、更には適当な
ドーパントを選ぶと導電率が子桁以上も変化し、絶縁体
が金属へ転移する事が知られている。
更に、この様にドーピングによる絶縁体の金属転位によ
って導電率は大幅に変化し、これに伴って光学的性質、
磁気的性質も劇的に変化することが知られている。この
現象を利用し、例えば電気化学的にドーパントをドーピ
ングして、その色が太き（変化することを利用する変色
スイッチも提案されている〔に、Ｙｏｓｈｉｎｏ＄
Ｊｐｎ、Ｊ、＾ｐｐ１．Ｐｈｙｓ。
って導電率は大幅に変化し、これに伴って光学的性質、
磁気的性質も劇的に変化することが知られている。この
現象を利用し、例えば電気化学的にドーパントをドーピ
ングして、その色が太き（変化することを利用する変色
スイッチも提案されている〔に、Ｙｏｓｈｉｎｏ＄
Ｊｐｎ、Ｊ、＾ｐｐ１．Ｐｈｙｓ。
Ｐａｒｔ ２． Ｖｏｌ、２２． Ｌ１５７
（１９８３年） 〕 。
（１９８３年） 〕 。
現在ドーパントは化学的又は電気化学的にドーピングさ
れているが、もし光でドーピングすることが出来れば、
光に誘起された色変化が起こる可能性があることになる
。
れているが、もし光でドーピングすることが出来れば、
光に誘起された色変化が起こる可能性があることになる
。
・１ 本発明は叙上０観点９立−てなされ
たも０で・光照射により導電性高分子へのドーピングが
開始。
たも０で・光照射により導電性高分子へのドーピングが
開始。
推進される様な材料を用い光書き込み記録を行なう事が
可能な全く新しい光記録用素子を提供することにある。
可能な全く新しい光記録用素子を提供することにある。
本発明者等は前記目的を達成する為１こ鋭意検討した結
果、導電性高分子に光照射によりドーピングが生じ光吸
収スペクトル及び／又は反射スペクトルが変化する光感
応性物質を混入又は付加した光記録用素子が光に誘起さ
れた色変化を起し、光書き込み記録を行うことが出来る
光記録用素子である事を見出し、本発明を完成した。
果、導電性高分子に光照射によりドーピングが生じ光吸
収スペクトル及び／又は反射スペクトルが変化する光感
応性物質を混入又は付加した光記録用素子が光に誘起さ
れた色変化を起し、光書き込み記録を行うことが出来る
光記録用素子である事を見出し、本発明を完成した。
本発明において使用する導電性高分子としては、ポリア
セチレン、ポリチアジル、ポリピロール。
セチレン、ポリチアジル、ポリピロール。
ポリチオフェン、ポリフラン、ポリパラフェニレン、各
種ポリアセチレン誘導体等の導電性高分子があげられる
。これら高分子の導電性の例については、「化学増刊釘
合成金属（白州、山辺編化学同人出版） （１９８
０年）ｊ等に記載されている。
種ポリアセチレン誘導体等の導電性高分子があげられる
。これら高分子の導電性の例については、「化学増刊釘
合成金属（白州、山辺編化学同人出版） （１９８
０年）ｊ等に記載されている。
また本発明においてはこれら高分子のみならず、そのオ
リゴマーももちろん使用することができる。
リゴマーももちろん使用することができる。
光感応性分子としてはジアリルヨードニウム塩。
トリアリルスルホニウム塩、ジアゾニウム塩などの光照
射によりドーパントとなりうる物質があげられる。
射によりドーパントとなりうる物質があげられる。
導電性高分子にこれらの光感応性分子を混入する方法と
しては、光感応性分子を熔解した液中に導電性高分子を
浸漬しみ込ませる方法、溶融した導電性高分子中に光感
応性分子を混合したのち成形する方法、導電性高分子と
光感応性分子を乳鉢などで混合し、圧縮成形する等の方
法又は高分子の側鎖にペンダントとして付加するなどの
方法があり、要するに光照射によってドτピングが誘起
されるように混合すれば良い。
しては、光感応性分子を熔解した液中に導電性高分子を
浸漬しみ込ませる方法、溶融した導電性高分子中に光感
応性分子を混合したのち成形する方法、導電性高分子と
光感応性分子を乳鉢などで混合し、圧縮成形する等の方
法又は高分子の側鎖にペンダントとして付加するなどの
方法があり、要するに光照射によってドτピングが誘起
されるように混合すれば良い。
本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例−１
導電性高分子として、塩化第二鉄を触媒として合成した
ポリチオフェン膜（厚さ０．５μｍ）を用い、これを光
感応性物質であるジフェニルヨードニウムテトラフルオ
ロボレートを塩化メチレンに溶解した溶液中に５分間含
浸したのち取り出して乾燥した。比較のために光感応性
分子を含まないポリチオフェン膜を用意した。それぞれ
の吸収スペクトルを測定したが全く変化はなかった。こ
の膜を水銀ランプ（５００Ｗ）を用いて光源から３０
ｃｍの距離から光照射を行なったところ、膜の色が赤か
ら青灰色に変化した。
ポリチオフェン膜（厚さ０．５μｍ）を用い、これを光
感応性物質であるジフェニルヨードニウムテトラフルオ
ロボレートを塩化メチレンに溶解した溶液中に５分間含
浸したのち取り出して乾燥した。比較のために光感応性
分子を含まないポリチオフェン膜を用意した。それぞれ
の吸収スペクトルを測定したが全く変化はなかった。こ
の膜を水銀ランプ（５００Ｗ）を用いて光源から３０
ｃｍの距離から光照射を行なったところ、膜の色が赤か
ら青灰色に変化した。
照射時間Ｏ分、３分、１０分の膜のスペクトルを第１図
に示す。
に示す。
このスペクトルの変化から明らかなように光照射により
ドーピングが進行したことが判る。
ドーピングが進行したことが判る。
実施例−２
導電性高分子として電解重合法により形成したポリチオ
フェン膜（厚さ０．２μｍ）を用いた以外は、実施例−
１と全く同様にして行なった。第２図のようにスペクト
ルが変化し、ドーピングが進行したことが判る。
フェン膜（厚さ０．２μｍ）を用いた以外は、実施例−
１と全く同様にして行なった。第２図のようにスペクト
ルが変化し、ドーピングが進行したことが判る。
実施例−３
実施例−１と同様にして、光感応性分子を混入したポリ
チオフェン膜の中央に径１ ｍｍのビーム状のアルゴン
レーザー光を照射することにより同一径１ｍｍのスポッ
ト状領域で赤から青への色の変化が観察された。またビ
ームをスキャンニングすることにより直線１曲線、その
他任意の形状が書き込まれる事を確認した。
チオフェン膜の中央に径１ ｍｍのビーム状のアルゴン
レーザー光を照射することにより同一径１ｍｍのスポッ
ト状領域で赤から青への色の変化が観察された。またビ
ームをスキャンニングすることにより直線１曲線、その
他任意の形状が書き込まれる事を確認した。
実施例−４
導電性高分子として塩化第二鉄を触媒として合成したポ
リフラン膜を用いた他は実施例−１と同様にした。光照
射によって茶色から青色に変化しノこ。
リフラン膜を用いた他は実施例−１と同様にした。光照
射によって茶色から青色に変化しノこ。
実施例−５
導電性高分子として塩化第二鉄を触媒として合。
成したポリピロール膜を用いた他は実施例−１と同様に
した。光照射によって黄色から青色に変化した。
した。光照射によって黄色から青色に変化した。
本発明を実施することにより、全く新しい方式％式％
第１図は実施例−１で光感応性分子を混入したポリチオ
フェン膜の光照射時間とスペクトルの変化を示した図で
ある。 第２図は実施例−２の光照射前後のスペクトルを比較し
た図である。
フェン膜の光照射時間とスペクトルの変化を示した図で
ある。 第２図は実施例−２の光照射前後のスペクトルを比較し
た図である。
Claims (1)
- 導電性高分子に光照射によりドーピングが生じ光吸収ス
ペクトル及び／又は反射スペクトルが変化する光感応性
物質を混入又は付加した光記録用素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230291A JPS61108594A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光記録用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230291A JPS61108594A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光記録用素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108594A true JPS61108594A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH0349418B2 JPH0349418B2 (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=16905511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230291A Granted JPS61108594A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光記録用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108594A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234090A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 松下電器産業株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
| JPS6315557U (ja) * | 1986-07-15 | 1988-02-01 | ||
| JPH01243034A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Katsumi Yoshino | 光機能性素子 |
| WO2002093579A1 (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | Swinburne University Of Technology | 'non-erasable optical data storage' |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164549A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-17 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 輻射−感光性エレメント |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59230291A patent/JPS61108594A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164549A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-17 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | 輻射−感光性エレメント |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234090A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 松下電器産業株式会社 | パタ−ン形成方法 |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
| JPS6315557U (ja) * | 1986-07-15 | 1988-02-01 | ||
| JPH0514453Y2 (ja) * | 1986-07-15 | 1993-04-16 | ||
| JPH01243034A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Katsumi Yoshino | 光機能性素子 |
| WO2002093579A1 (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | Swinburne University Of Technology | 'non-erasable optical data storage' |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349418B2 (ja) | 1991-07-29 |
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