JPS61107811A - 状態監視回路 - Google Patents

状態監視回路

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Publication number
JPS61107811A
JPS61107811A JP59229312A JP22931284A JPS61107811A JP S61107811 A JPS61107811 A JP S61107811A JP 59229312 A JP59229312 A JP 59229312A JP 22931284 A JP22931284 A JP 22931284A JP S61107811 A JPS61107811 A JP S61107811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
level
output
noise
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59229312A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Ichiki
徹 市木
Toru Taniguchi
徹 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59229312A priority Critical patent/JPS61107811A/ja
Publication of JPS61107811A publication Critical patent/JPS61107811A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/125Discriminating pulses
    • H03K5/1252Suppression or limitation of noise or interference

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Dc Digital Transmission (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポーリングによって例えば警報が発生してい
るかどうか等の被監視対象となる状態を監視する状態監
視回路の改良に関する。
上記状態監視回路では、被監視対象の状態に雑音による
状態変化があっても誤検出を防げるものが要望されてい
る。
〔従来の技術〕
第5図は状態及びポーリング間隔の例を示すタイムチャ
ートで(A)(C)はルベル0レベルで状態を示し、(
B)(D)はポーリング間隔を示し、(A)は通常はθ
レベルでルベルに変化する場合で、イはルベルであるべ
き所が雑音により0レベルになっていることを示し、口
は雑音によりルベルが発生していることを示している。
(C)は通常はルベルで0レベルに変化する場合で、二
はθレベルであるべき所が雑音によりルベルになってい
ることを示し、ホは雑音によりθレベルが発生している
ことを示している。
従来第5図(A)(C)に示す状態をポーリングによっ
て監視する場合、ソフトウェアにて、第5図(B)(D
)に示す等間隔の時間にポーリングを行い監視する方法
がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来の方法では、ポーリング時間に、第
5図(A)(C)のイ22ロ、二、ホ所の如く雑音によ
り状態変化が発生していると、そのまま検出することに
なり状態を誤検出する問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、被監視対象となる状態及び監視するタイ
ミングを与えるクロックをシフトレジスタに入力し、該
シフトレジスタの出力端子よりの出力を、ナンド回路及
びオア回路に入力さすが、少なくとも一方には複数の出
力端子より人力、せしめ、該ナンド回路及びオア回路の
出力をフリップフロップに入力し該フリップフロップの
出力を状態監視信号とする本発明の状態監視回路により
解決される。
〔作用〕
本発明によれば、シフトレジスタの出力端子よりの出力
をナンド回路及びオア回路に入力さす場合、各々に入力
さす出力端子の数をM、Nとし、(但しMAN)通常は
Oレベルでルベルに変化する場合を例にとれば、ルベル
がM監視クロッり時間以上続けばフリップフロップより
ルベルを出力して状態を1と認識し、その後(N−1)
監視クロック時間0レベルが続いてもフリップフロップ
の出力レベルは変わらず、次ぎにN監視クロック時間取
上Oレベルが続けば、フリップフロップより0レベルを
出力し状態を0と認識するようになっているので、雑音
によりルベルを発生している時間が(M−1)監視クロ
ック以下なら誤検出することはなく、又ルベルが連続中
に(N−1)監視クロック時間以下のOレベルが雑音に
より生じてもフリップフロップよりOレベルを出力する
ことはなく、非常に誤検出を少な(出来る。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例の状態監視回路のブロック図、
第2図は第1図の各部の波形のタイムチートで、(A)
〜(H)は第1図のa −h点に対応している。
図中1はシフトレジスタ、2はナンド回路、3はオア回
路、4はフリップフロップを示゛す。
ここでは第2図(A)に示す如く、第5図(A)の場合
と同じ状態を監視する場合で、第1図に示す如く、シフ
トレジスタ1の口^、 Q m +QCの3つの出力端
子の信号をナンド回路2及びオア回路3に入力した場合
に就き説明する。
第2図(A)に示すルベル0レベルの状態及び第2図(
B)に示すポーリング用の監視クロックはシフトレジス
タ1に入力しており、この出力は出力端子Q A+QI
Q cより出力し、ナンド回路2及びオア回路3に人力
し、このナンド回路2の出力はフリップフロップ4のセ
ット端子に入力し、オア回路3の出力はリセット端子に
入力している。
従って、第2図(A)に示すルベル0レベルの状態が入
力すると、出力端子Q A+QIl +QCよりは第2
図(C)(D)(E)に示す信号が出力され、ナンド回
路2及びオア回路3に入力するが、最初はルベルが4監
視クロック時間(以下ビットと称す)続いているので、
3ビツト目よりナンド回路2の出力よりは第2図(F)
に示す如く0レベルのパルス2ビツト分を出力し、次ぎ
にイに示す雑音による2ビツトの0レベル及び1ビツト
のルベルがあっても、ナンド回路2及びオア回路3の出
力は変化せず、次ぎにOレベルが4ビ・ノド続いている
ので、3ビツト目よりオア回路3の出力よりは第2図(
G)に示す如くOレベルのパルスを2ビツト分出力し、
夫々フリップフロ・/ブ4のセット リセット端子に入
力し、フリップフロップ4よりは第2図(H)に示す如
き、第2図(A)の雑音41口があっても影響されない
状態監視パルスが出力される。
即ちルベルが3ビット以上続けば状態を1と認識し、そ
の後2ビツトOレベルが続いても認識は変わらず、次に
3ビツト以上0レヘルが続けば状態をOと認識するので
、雑音によりルベルを発生している時間が2ピント迄な
ら誤検出することはなく、又ルベルが連続中に雑音によ
り2ビツト迄の0レベルが生じても認識には変化が生ぜ
ず、誤検出が非常に少なくなる。
第3図は本発明の他の実施例の状態監視回路のブロック
図、第4図は第3図の各部の波形のタイムチートで、(
A)〜(H)は第3図のa % h点に対応している。
尚全図を通じ同一符号は同一機能のものを示している。
第3図では状態が、第4図(A)に示す如く、第5図(
C)と同じく、通常は0レベルでルベルに変化する場合
の回路を示し、第1図と異なる点は、第1図のナンド回
路2の代わりにオア回路3を用い、オア回路3の代わり
にナンド回路2を用い、フリップフロップ4のQより出
力を取り出すようにした点で、動作は第1図の場合と同
様で、各部の波形は第4図に示す通りとなり、第4図(
A)の二、ホに示す雑音があっても、第1図の場合と同
様にこの雑音に影響されない第4図(H)に示す状態監
視パルスが出力される。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明せる如く本発明によれば、被監視対象と
なる状態に雑音による状態変化があっても、誤検出を非
常に小さく出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の状態監視回路のブロック図、 第2図は第1図の各部の波形のタイムチート、第3図は
本発明の他の実施例の状態監視回路のブロック図、 第4図は第3図の各部の波形のタイムチート、第5図は
ルベル及びOレベルで示す状態及びポーリング時間を示
す図である。 図において、 1はシフトレジスタ、 2はナンド回路、 3はオア回路、 4はフリップフロップを示す。 夷 1− 稟 2 口 。+(J FFSよ、  。 茶 、3 目 年4 口 CF)ゲ〉F9妬 (5)7yri’m*力 (H)FFes出す

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被監視対象となる状態及び監視するタイミングを与える
    クロックをシフトレジスタに入力し、該シフトレジスタ
    の出力端子よりの出力を、ナンド回路及びオア回路に入
    力さすが、少なくとも一方には複数の出力端子より入力
    せしめ、該ナンド回路及びオア回路の出力をフリップフ
    ロップに入力し該フリップフロップの出力を状態監視信
    号とすることを特徴とする状態監視回路。
JP59229312A 1984-10-31 1984-10-31 状態監視回路 Pending JPS61107811A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59229312A JPS61107811A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 状態監視回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59229312A JPS61107811A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 状態監視回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61107811A true JPS61107811A (ja) 1986-05-26

Family

ID=16890164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59229312A Pending JPS61107811A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 状態監視回路

Country Status (1)

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JP (1) JPS61107811A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393676A (en) * 1993-09-22 1995-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating semiconductor gate electrode with fluorine migration barrier
US6163164A (en) * 1999-01-18 2000-12-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Noise detection circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393676A (en) * 1993-09-22 1995-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating semiconductor gate electrode with fluorine migration barrier
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