JPS61107774A - 圧力感知装置及びその製作方法 - Google Patents

圧力感知装置及びその製作方法

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JPS61107774A
JPS61107774A JP60159289A JP15928985A JPS61107774A JP S61107774 A JPS61107774 A JP S61107774A JP 60159289 A JP60159289 A JP 60159289A JP 15928985 A JP15928985 A JP 15928985A JP S61107774 A JPS61107774 A JP S61107774A
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    • G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
    • G01L9/065—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices with temperature compensating means

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般に圧力感知装置に関し、更に詳細には、
単結晶上に形成された受動集積回路素子を有する圧力感
知装置に関する。
従来の技術、発明が解決しようとする問題点この技術分
野においては、集積回路型式の抵抗素子が変形すると抵
抗値の変化が生じ得ることが知られており、これは一般
に圧電抵抗効果と呼ばれている。一般に、抵抗素子を成
る材料の変形可能領域上に形成し、そして、その抵抗値
の変化を用いて、上記材料に加えられた力を測定できる
。
従来からあるかかる装置には、その有用性を制限するい
くつかの欠点がある。特に、圧電抵抗素子は、変形可能
な材料上に形成されるが、付属の素子は、一般に個別的
素子であり、別個の回路領！　　　　城に配置されてい
る。感度及び精度を高めるために、圧電抵抗素子は、一
般にプリフジ回路の構成素子となっておシ、いくつかの
付属の回路素子を必要とする。個別的素子を使用するこ
とは、空間の効果的な使用とならない。また、上記抵抗
素子は温度依存性であシ、正確な圧力測定のためには、
温度補償が必要となる。
そのために、圧１１．抵抗素子だけではなく付属の回路
素子をも含む構成部材が要望されている。また、この構
成部材に対しては、受動回路素子の使用、及び該構成部
材内に温度補償を包含するということが要望されている
。
従って、本発明の目的は、改良された圧力感知装置を栖
供することにある。
本発明の他の目的は、精密モノリシック形圧力感知装置
を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、受動素子を具備するモノリシ
ック形圧力感知装置を提供する仁とにある。
本発明の更に他の目的は、単結晶材料で製作した薄いダ
イヤフラム式の圧力変換装置を提供する１′ ことにある。
本発明の更に他の目的は、薄いダイヤフラム式圧力変換
装置上に温度補償をなすようにイオン注入された圧電抵
抗素子を提供することにある。
本発明の町に他の目的は、圧力感知素子としてＦＥ圧電
抵抗素子具備する薄いダイヤフラム式の圧力変換装置を
提供することにある。
本発明の更に他の目゛的は、圧力変換装置上に作られた
温度補償素子を含む薄いダイヤフラム式の圧力変換＠置
を提供することにある。
問題点を解決するための手段、作用 本発明の上記及び他の目的を達成するために、本発明に
かかる薄いダイヤフラム式の圧力変換装置においては、
諸構成素子がシリコンの単結晶内に形成され、圧電抵抗
素子、抵抗素子及び温度補償素子となっている。上記シ
リコンの単結晶上の素子の回路網は、ブリッジ回路であ
り、そして、この回路の素子は全て受動素子であり、交
流信号または直流信号のいずれをも適用することができ
る。この装置を用いて流体の圧力を測定することができ
、特に、この装置を静脈管内に配置して患者の血圧を監
視することができる。
本発明の上記及び他の特徴は、以下に図面を参照して行
なう本発明の実施例についての詳細な説明から明らかに
なるであろう。
実施例 本発明にかかる圧力変換器１０ｔｍ／ａ図に示す。この
圧力変換器は、フレーム領域１１及び薄いダイヤフラム
領域１ｚを有するシリコンの単結偶から成っている。一
般に、上記フレーム領域とダイヤフラム領域との交差部
には、上記単結晶シ　　。
リコンの適当な材料の拡散で作られた圧電抵抗素子があ
る。
圧力感知変換器１０のほぼ中央部の縦断面を第１ｂ図に
示す。ダイヤフラム領域１２及び圧電抵抗効果を示すド
ーピング領域１８を図示しである。
上記圧力感知変換器の電気回路構造を第２図に示す。λ
つの入力端子ｖＩｎ及びＶ’、、ｄｆ設けられている。
端子ｖＩｎは、抵抗Ｒ２の第７の端子及び抵抗Ｒ１の第
１の端子に接続されている。端子”ｉｎは、抵抗Ｒ１の
第２の端子及び抵抗Ｒ３の第１の端子に接続されている
。抵抗Ｒ２の第コの端子は、抵抗Ｒ４の第１の端子及び
抵抗Ｒ１１の第１の端子に接続されており、抵抗Ｒ３の
第一端子は、抵抗Ｒ７の第１の端子及び抵抗Ｒ１４の第
１の端子に接敏されている。抵抗Ｒ４の第２の端子は、
抵抗Ｒ５の第７の端子に接続されており、抵抗Ｒ１１の
第２の端子は、抵抗Ｒ１２の第１の端子に接続されてお
り、抵抗Ｒ７の第２の端子は、抵抗Ｒ６の第１の端子に
接続されており、抵抗Ｒ１４の第２の端子は、抵抗Ｒ４
３の第１の端子に接続されている。ｖｏｕ　を端子は、
抵抗Ｒの第２の端子、抵抗Ｒ６の第コの端子、抵抗Ｒ８
の第１の端子、及び抵抗Ｒ９の第１の端子に接続されて
いる。ｖ′ｏｕｔ　　端子は、抵抗Ｒの第２の端子、及
び抵抗Ｒ＋　ｓの第２の端子に接続され、かつ、抵抗Ｒ
を介して抵抗Ｒ８の第２の端子及び抵抗Ｒ９の第一の端
子に接続されている。破線で示すように、抵抗Ｒ？５は
、抵抗Ｒ２の第一端子と抵抗Ｒ３の第一の端子との間に
接続されている。
彦 次に第３図について説明すると、流体４０を内蔵する管
４１が示されている。接縁機１ｆｓ４２は、上記流体内
蔵の管４１の壁に、及び圧力感知器１０に接続されてい
る。流体４０は、圧力感知変換器ｌＯと接触している。
端子ｖＩｎ　、ｖ′Ｉｎ　”ｏｕｔ及び■ｏｕｔ　　に
接続しており、図に信号伝導体と表示しである７本のリ
ード線は、圧力感知素子に直接接続しているように示さ
れている。この図は略図であり、圧力感知変換器ｌＯと
上記信号伝導体とを電気的に接続するために、接続素子
が必要になり得ることは明らかであろう。
次に、作用について説明する。
再びｍｌａ図及び第１ｂについて説明すると、薄いダイ
ヤフラム領域１２及びフレーム領域１１は、シリコンの
単結晶で作られている。ダイヤフラム領域１２とフレー
ム領域１１との交差領域において、選定された材料によ
る拡散が上官ｅシリコン内に行なわれ、その結果、上記
ダイヤスラム領域とフレーム領域との各交差部に抵抗体
が作られる。これら抵抗体即ちドーピング領域１８は、
ホ　　　１．。
イードストンブリッジの素子を形成し、圧力が上記ダイ
ヤフラム領域に加えられると、上記ドーピング領域の抵
抗体のひずみは、測定可能な圧電抵抗効果を生ずる。
次に第一図について説明すると、抵抗Ｒｓ　＝　Ｒ，ｓ
−Ｒ及びＲ４３＃−ｉ、圧力感知装置即ち変換器１０に
対してｑつの拡散領域１８によって構成されたホイート
ストンブリッジの抵抗を表わすものである。
他の抵抗Ｒ、Ｒ、Ｒ、Ｒ及びＲ４゜並びに導電路は、全
て、上記シリコン単結晶上に適切な材料を沈着させるこ
とによって、該シリコン結晶上に　。
形成される。抵抗Ｒ９は、上記シリコン単結晶の７つの
領域にドーピングを行なうことによって形成される。抵
抗Ｒ，Ｒ，Ｒ及びＲ７は、各分岐路の抵抗値を調節可能
とするために、回路内に形成されたものである。従って
、これらの抵抗体は、調整可能型の抵抗体であシ、例え
ば、レーザを用いて抵抗素子の一部を焼除することによ
ってその抵抗値を変化させることができる。これらの抵
抗体は、°■　　端子と”Ｏｕｔ端子との間がゼロ電ｕ
ｔ 圧となるように調節される。抵抗Ｒ８及びＲ１゜も調整
可能抵抗体であり、この回路網の出力抵抗を設定するの
に用いられる。抵抗Ｒ２及びＲ３は、この回路の感度を
設定するようにその値を選定することのできる調整可能
抵抗体である。抵抗Ｒ１は、この回路の入力抵抗を設定
するようにその値を選定することのできる調整可能抵抗
体である。
この装置に対する特に重要な抵抗は、抵抗Ｒ９である。
温度が高くなると、抵抗Ｒ５、Ｒ，ｓ　、　Ｒ１２゜及
びＲ１，Ｓの圧電抵抗効果が低下する。抵抗Ｒ９を正の
温度係数を持つように選定し、温度に伴う圧電抵抗効果
の低下を補償するようにする。抵抗Ｒ９の温度係数は、
ドーピング剤の１度（ｌｅｖｅｌ）によって制御するこ
とができる。多くのドーピング原子に対するシリコンの
抵抗の温度係数は、文献においてよく知られている。同
様に、抵抗１５は、正の温度係数を有しているドーピン
グされた領域の抵抗体であってもよく、補１Ｘｆロセス
の際に抵抗Ｒ９に置き換わるか、または抵抗Ｒ９の補助
となる。
このブリッジ構造の圧力偏りがゼロとなることは、上記
の諸ブリッジ抵抗体の抵抗の温度係数の整合に依任する
。上記諸抵抗体の抵抗の２＝係数の整合は、上記ブリッ
ジ抵抗体相互間のドーピング剤昂度を如何によく均等化
させるかに依存する。
抵抗の湯度係数の低い薄膜抵抗体とともにイオン注入法
を用いて抵抗値を枦整することにより、瀉度釦伴うゼロ
の圧力偏シに対して依存性を少なくすることができる。
上記のブリッジ回路、及び補償回路に受動素子を用いる
ことにより、入力端子に交流（圧または直流重圧のどち
らをも加えることができる。
再びｌｊ、　３図を参照して、本発明の一つの適用例を
示す。圧力感知変換器ｉｏを、流体４０と接触するよう
に取付ける。信号伝導体によシ、上記変換器に入力重圧
■Ｉｎ及び”ｉｎを加え、そして、上記変換器から出力
電圧Ｖ　　及びｖｏｕｔを受取る。
ｕｔ 上記流体の柱を静脈装置と調達させると、血圧を監視す
ることができる。
以上において本発明の実施例を図示及び説明したが、こ
の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。本発
明の範囲は、特許請求の範囲に記載の如くである。以上
の説明から、当業者は、本発明の精神及び範囲内で種々
の変形を行なうことができるのは明らかである。
【図面の簡単な説明】
竿ｌａ図は、圧電抵抗素子の一般的配置を示す薄膜ダイ
ヤフラム形装置の平面図、 第１ｂ図は、第１ａ図の薄膜ダイヤフラム形装置の縦断
面図、 第一図は、薄膜ダイヤフラム形４０置に形成された本発
明にかかる諸素子の回路図、 第３図は、流体充濃答器内の圧力を感知する際の本発明
装置の使用例を示す縦断面図である。 １１・・・・・・フレーム領域、 １２−・・・・・ダイヤフラム領域、 １Ｂ・・・・・・圧電抵抗素子、 Ｒ１ｅ　　　Ｒ２ｅ　　　Ｒ５ｓ　　　Ｒ４ｅ　　　Ｒ
７＃　　　ＲＢ　　＊　　　Ｒｇ　　　＊　　　Ｒ１０
ａ”１１　ｔ　Ｒ１４・・−抵抗素子、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）関連するモノリシック素子を有する圧力感知装置
    において、ダイヤフラム領域及びフレーム領域を有する
    シリコンの単結晶と、上記ダイヤフラム領域と上記フレ
    ーム領域との境界付近に配置された圧電抵抗素子と、上
    記圧電抵抗素子を接続してブリッジ回路となす伝導素子
    と、を備えたことを特徴とする圧力感知装置。
  2. （２）圧力感知変換装置を製作する方法において、シリ
    コンの単結晶の変形可能領域の境界上に圧電抵抗素子を
    形成する工程と、上記シリコン結晶上に伝導路を形成す
    る工程と、を有し、上記伝導路は、上記圧電抵抗素子を
    ブリッジ回路に形成しており、上記シリコン結晶上に上
    記ブリッジ回路の出力端子を横切る抵抗素子を形成する
    工程を有し、上記抵抗素子は、上記ブリッジ回路の温度
    係数を補償する温度係数を有することを特徴とする圧力
    感知変換装置の製作方法。
JP60159289A 1984-10-30 1985-07-18 圧力感知装置及びその製作方法 Granted JPS61107774A (ja)

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US666372 1984-10-30
US06/666,372 US4672853A (en) 1984-10-30 1984-10-30 Apparatus and method for a pressure-sensitive device

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JPS61107774A true JPS61107774A (ja) 1986-05-26
JPH0350424B2 JPH0350424B2 (ja) 1991-08-01

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GB (1) GB2166287B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007116957A1 (ja) * 2006-04-07 2007-10-18 Hitachi Medical Corporation 超音波探触子及び超音波診断装置
JP2011220935A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Yamatake Corp 圧力センサ

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809536A (en) * 1986-11-06 1989-03-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor
US4756193A (en) * 1987-09-11 1988-07-12 Delco Electronics Corporation Pressure sensor
DE3810456C2 (de) * 1988-03-26 1994-09-01 Hottinger Messtechnik Baldwin Verfahren zur Verringerung eines Fehlers eines Meßumformers und Einrichtung hierzu
US4945762A (en) * 1989-01-24 1990-08-07 Sensym, Inc. Silicon sensor with trimmable wheatstone bridge
DE3919059A1 (de) * 1989-06-10 1991-01-03 Bosch Gmbh Robert Drucksensor zum erfassen von druckschwankungen einer druckquelle
US5178016A (en) * 1989-11-15 1993-01-12 Sensym, Incorporated Silicon pressure sensor chip with a shear element on a sculptured diaphragm
CN102282866B (zh) * 2009-01-14 2015-12-09 惠普开发有限公司 声压换能器
US8764678B2 (en) * 2010-02-01 2014-07-01 University Of Limerick Pressure sensor with an interferometric sensor and an in-fiber bragg grating reference sensor
US9419971B2 (en) * 2014-07-08 2016-08-16 International Business Machines Corporation Securely unlocking a device using a combination of hold placement and gesture
US10337942B2 (en) * 2016-08-08 2019-07-02 Honeywell International Inc. Pressure sensor temperature coefficient offset adjustment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5245377A (en) * 1975-10-08 1977-04-09 Hitachi Ltd Silicon mechanical-electrical converter
JPS5451489A (en) * 1977-09-30 1979-04-23 Toshiba Corp Semiconductor pressure converter

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1178130A (en) * 1967-12-08 1970-01-21 Ferranti Ltd Improvements relating to Semiconductor Strain Transducers
GB1278210A (en) * 1970-03-14 1972-06-21 Ferranti Ltd Improvements relating to semiconductir strain transducers
BE793922A (fr) * 1972-01-12 1973-07-11 Philips Nv Dispositif de mesure de la pression de liquides ou de gaz
GB1362616A (en) * 1973-03-21 1974-08-07 Welwyn Electric Ltd Semiconductor strain measuring device
GB1472294A (en) * 1974-12-18 1977-05-04 Welwyn Electric Ltd Strain measuring device
DD133714A1 (de) * 1977-12-29 1979-01-17 Frank Loeffler Silizium-biegeplatte mit integrierten piezoresistiven halbleiter-dehnmesselementen
US4300395A (en) * 1978-11-08 1981-11-17 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor pressure detection device
US4320664A (en) * 1980-02-25 1982-03-23 Texas Instruments Incorporated Thermally compensated silicon pressure sensor
US4333349A (en) * 1980-10-06 1982-06-08 Kulite Semiconductor Products, Inc. Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures
DE3118306A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur kompensation der temperaturdrift eines piezoresistiven halbleiter-drucksensors
GB2107876B (en) * 1981-10-01 1985-08-14 Itt Ind Ltd Temperature compensation of strain gauges
JPS5887880A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Hitachi Ltd 半導体ダイアフラム形センサ
JPS5896202U (ja) * 1981-12-23 1983-06-30 株式会社石田衡器製作所 歪みゲ−ジの温度補償回路
CA1186163A (en) * 1982-01-04 1985-04-30 James B. Starr Semiconductor pressure transducer
JPS58140604A (ja) * 1982-02-17 1983-08-20 Hitachi Ltd 温度補償回路付き集積化センサ
US4462018A (en) * 1982-11-05 1984-07-24 Gulton Industries, Inc. Semiconductor strain gauge with integral compensation resistors
JPS59117271A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Ltd 圧力感知素子を有する半導体装置とその製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5245377A (en) * 1975-10-08 1977-04-09 Hitachi Ltd Silicon mechanical-electrical converter
JPS5451489A (en) * 1977-09-30 1979-04-23 Toshiba Corp Semiconductor pressure converter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007116957A1 (ja) * 2006-04-07 2007-10-18 Hitachi Medical Corporation 超音波探触子及び超音波診断装置
JP5188959B2 (ja) * 2006-04-07 2013-04-24 株式会社日立メディコ 超音波探触子及び超音波診断装置
JP2011220935A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Yamatake Corp 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
FR2572525A1 (fr) 1986-05-02
GB8519612D0 (en) 1985-09-11
JPH0350424B2 (ja) 1991-08-01
GB2166287B (en) 1989-04-05
DE3538453A1 (de) 1986-05-07
GB2166287A (en) 1986-04-30
US4672853A (en) 1987-06-16

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