JPS6122223A - 歪センサ - Google Patents
歪センサInfo
- Publication number
- JPS6122223A JPS6122223A JP14384384A JP14384384A JPS6122223A JP S6122223 A JPS6122223 A JP S6122223A JP 14384384 A JP14384384 A JP 14384384A JP 14384384 A JP14384384 A JP 14384384A JP S6122223 A JPS6122223 A JP S6122223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- strain
- bridge
- diaphragm
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
- G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は液体などの圧力をダイヤフラムで受はダイヤ
フラム上に設定された感歪抵抗体により歪を電気信号に
変換して取り出す形式の歪センサに関する。
フラム上に設定された感歪抵抗体により歪を電気信号に
変換して取り出す形式の歪センサに関する。
先行技術の説明
従来より液体などの圧力を測定する圧力センサｈとして
ダイヤフラムで圧力を受け、ダイヤフラム上に形成した
感歪抵抗体により歪を電気抵抗の変化として取り出す圧
力センサが広く使用されている。感歪抵抗体には金属ゲ
ージや半導体ゲージの他、シリコン半導体をダイヤフラ
ムとし、ダイヤフラム上に拡散抵抗層を形成せしめたも
のなどが今 ある。感歪抵抗体がシリコン質どの半導体の場合には特
に抵抗やゲージ率が使用温度の影響を強く受けるので温
度に対する補償をより厳密にすることが必要であるが、
金属ゲージ式に較ベゲージ率が１０倍以上と感度が優れ
るという利点がある。
ダイヤフラムで圧力を受け、ダイヤフラム上に形成した
感歪抵抗体により歪を電気抵抗の変化として取り出す圧
力センサが広く使用されている。感歪抵抗体には金属ゲ
ージや半導体ゲージの他、シリコン半導体をダイヤフラ
ムとし、ダイヤフラム上に拡散抵抗層を形成せしめたも
のなどが今 ある。感歪抵抗体がシリコン質どの半導体の場合には特
に抵抗やゲージ率が使用温度の影響を強く受けるので温
度に対する補償をより厳密にすることが必要であるが、
金属ゲージ式に較ベゲージ率が１０倍以上と感度が優れ
るという利点がある。
第１１図は従来の圧力上ンサーの１例を示したもので、
半導体ゲージをダイヤフラム上に粘着した要部の断面図
である。感歪抵抗体３，５はダイヤろ フラム上に形成されている。４．＠は感歪抵抗体、両端
の電極部をそれぞれ示している。
半導体ゲージをダイヤフラム上に粘着した要部の断面図
である。感歪抵抗体３，５はダイヤろ フラム上に形成されている。４．＠は感歪抵抗体、両端
の電極部をそれぞれ示している。
感歪抵抗体は温度補償をとるため、通常第１２図の如く
ブリッジ回路接続して使用される。第１２図において１
１．１２は感歪抵抗、１８．１４は金属抵抗、２０は定
電圧電源部を示している。電〉２０はブリッジ端ａ、Ｃ
に接続され、ブリッジ゛電圧出力はす、ｄより得られる
。
ブリッジ回路接続して使用される。第１２図において１
１．１２は感歪抵抗、１８．１４は金属抵抗、２０は定
電圧電源部を示している。電〉２０はブリッジ端ａ、Ｃ
に接続され、ブリッジ゛電圧出力はす、ｄより得られる
。
訊、感歪抵抗の抵抗温度特性に差がある場合には矛、／
′ 例えば第１３図の如くブリッジ構成する抵抗体部１１．
１４に金属抵抗１５．１６を並列接続する方法などによ
り、ブリッジ出力電圧す、ｄ間の電圧零点の温度による
変動を補償するとか知られている。−力出力感度は感歪
抵抗のゲージ率に比例するが、ゲージ率が周囲温度の影
響を受けるので使用温度に対する補償が必要であり、例
えば第１４図の如く、サーミスター素子１５に金属抵抗
１６゜１７を直・並列に接続したものをブリッジに直列
に外付けして加え、これを定電圧電源２０に接続述の方
法では外付けするサーミスター素子の抵抗温度特性が目
標とする感歪抵抗体の抵抗温度特性と相違するため、例
えば−４０°Ｃ〜＋１２０℃などの如く、巾広い使用温
度域ではサーミスター素子ののが得られず、七ンサ全体
の形状が大きくなるなどの欠点を有していた。
′ 例えば第１３図の如くブリッジ構成する抵抗体部１１．
１４に金属抵抗１５．１６を並列接続する方法などによ
り、ブリッジ出力電圧す、ｄ間の電圧零点の温度による
変動を補償するとか知られている。−力出力感度は感歪
抵抗のゲージ率に比例するが、ゲージ率が周囲温度の影
響を受けるので使用温度に対する補償が必要であり、例
えば第１４図の如く、サーミスター素子１５に金属抵抗
１６゜１７を直・並列に接続したものをブリッジに直列
に外付けして加え、これを定電圧電源２０に接続述の方
法では外付けするサーミスター素子の抵抗温度特性が目
標とする感歪抵抗体の抵抗温度特性と相違するため、例
えば−４０°Ｃ〜＋１２０℃などの如く、巾広い使用温
度域ではサーミスター素子ののが得られず、七ンサ全体
の形状が大きくなるなどの欠点を有していた。
発明の目的
それゆえ、本発明の目的は上述の内容に鑑み、感歪半導
体抵抗体で構成されるブリッジ出力電圧の零点変動を最
小限に保ったま＼で、出力感度の温度補償を容易とする
小型の歪センサを提供することである。
体抵抗体で構成されるブリッジ出力電圧の零点変動を最
小限に保ったま＼で、出力感度の温度補償を容易とする
小型の歪センサを提供することである。
発明の構成
本発明は感歪半導体抵抗がダイヤフラム上にブリッジ回
路接続され、ブリッジ出力電圧零点が温度補償された歪
センサにおいて、ダイヤフラム上の歪を受ける部分に感
歪抵抗体と同一材料からなる抵抗を形成し、これをブリ
ッジ出力感度の温度補償抵抗体として、ブリッジ入力両
端部と直列に接続せしめ、該ブリッジ回路がＶ４ブリッ
ジ又はハ）に並列もしくは直列に微調整用の金属抵抗を
接続し、該ブリッジ回路がフルブリッジ回路の場合には
、ブリッジ入力両端に金属抵抗を接続し、かつ、ブリッ
ジ入力両端に並列に、又はブリッジ出力感度の温度補償
抵抗体に並列もしくは直列に微調整用の金属抵抗体を接
続してなることを特徴とするものでブリッジ出力電圧の
零点変動を最小限に保ったま−で出力感度の温度補償を
容易とする小型の歪センサを提供する。
路接続され、ブリッジ出力電圧零点が温度補償された歪
センサにおいて、ダイヤフラム上の歪を受ける部分に感
歪抵抗体と同一材料からなる抵抗を形成し、これをブリ
ッジ出力感度の温度補償抵抗体として、ブリッジ入力両
端部と直列に接続せしめ、該ブリッジ回路がＶ４ブリッ
ジ又はハ）に並列もしくは直列に微調整用の金属抵抗を
接続し、該ブリッジ回路がフルブリッジ回路の場合には
、ブリッジ入力両端に金属抵抗を接続し、かつ、ブリッ
ジ入力両端に並列に、又はブリッジ出力感度の温度補償
抵抗体に並列もしくは直列に微調整用の金属抵抗体を接
続してなることを特徴とするものでブリッジ出力電圧の
零点変動を最小限に保ったま−で出力感度の温度補償を
容易とする小型の歪センサを提供する。
＝５−
実施例
第１図は本発明の歪センサの実施例で要部の断面図を示
している。第１図において１はステンレスなどの金属ダ
イヤフラム、２は樹脂や七ラミック、ガラスなどからな
る電気絶縁層、８，５．７は該絶縁層上に形成されたシ
リコン、ゲルマニウムなどの薄膜感歪半導体抵抗体を示
す。感歪抵抗体３．５はダイヤフラム１に生ずる歪を受
ける歪センサ部で、歪による電気抵抗変化友抵抗体３．
５の両端電極４，６より取り出す。抵抗体７はダイヤフ
ラム１の歪を受けない部分に形成されたブリ゛ツジ出力
感度補償抵抗体部を示す。
している。第１図において１はステンレスなどの金属ダ
イヤフラム、２は樹脂や七ラミック、ガラスなどからな
る電気絶縁層、８，５．７は該絶縁層上に形成されたシ
リコン、ゲルマニウムなどの薄膜感歪半導体抵抗体を示
す。感歪抵抗体３．５はダイヤフラム１に生ずる歪を受
ける歪センサ部で、歪による電気抵抗変化友抵抗体３．
５の両端電極４，６より取り出す。抵抗体７はダイヤフ
ラム１の歪を受けない部分に形成されたブリ゛ツジ出力
感度補償抵抗体部を示す。
抵抗体８．５．７は同一ダイヤフラム上に同一半導□体
材料で薄膜状に形成されており、小型化が容易であると
共に感歪抵抗体と、出力感度補償抵抗体 ゛の抵抗
温度特性を極めて容易に接近せしめることが可能である
。
材料で薄膜状に形成されており、小型化が容易であると
共に感歪抵抗体と、出力感度補償抵抗体 ゛の抵抗
温度特性を極めて容易に接近せしめることが可能である
。
第２図〜第５図は第１図におけるハーフブリッジ６一
回路の具体的接続例を示したもので、２１．２２は感歪
半導体抵抗７２３，２４，２６，２７．２８は金属抵抗
、２５は該感歪半導体抵抗と同−材料からなる出力感度
補償抵抗、２０は定電圧電源部をそれぞれ示している。
半導体抵抗７２３，２４，２６，２７．２８は金属抵抗
、２５は該感歪半導体抵抗と同−材料からなる出力感度
補償抵抗、２０は定電圧電源部をそれぞれ示している。
同第２図〜第５図において、ブリッジ電圧出力零点の温
度補償用の金属抵抗接続部分は図より省略しているが、
ｂ、ｄ間のブリッジ出力電圧の零点温度補償は充分とれ
ているもの）ブリ・ジ出力零点補正後の感歪半導体抵抗
両端部（ａｂ及びｂｅ）の抵抗温度係数をα、出力感度
補償抵抗の抵抗温度係数をα′としたときα−α′の場
合には第２図を使用する。今入力圧力をＰ１周囲温度を
＋ｒ、室温をＴｏ、ｙ−Ｔ−Ｔｏとし、第２図において
２１，２２．２Ｂ、２４．２５の抵抗をそれぞれＲ１（
１−σｙ）（１−β（１−γｙ ） ｐ ）、Ｒ２（１
−αｙ）（１＋〆１−γｙ）ｐ）。
度補償用の金属抵抗接続部分は図より省略しているが、
ｂ、ｄ間のブリッジ出力電圧の零点温度補償は充分とれ
ているもの）ブリ・ジ出力零点補正後の感歪半導体抵抗
両端部（ａｂ及びｂｅ）の抵抗温度係数をα、出力感度
補償抵抗の抵抗温度係数をα′としたときα−α′の場
合には第２図を使用する。今入力圧力をＰ１周囲温度を
＋ｒ、室温をＴｏ、ｙ−Ｔ−Ｔｏとし、第２図において
２１，２２．２Ｂ、２４．２５の抵抗をそれぞれＲ１（
１−σｙ）（１−β（１−γｙ ） ｐ ）、Ｒ２（１
−αｙ）（１＋〆１−γｙ）ｐ）。
Ｒ２、Ｒ１，Ｒ８（］ −αｙ ） （β、γは定数）
定電圧電源２゜の電圧をＥ、ａｃ間の電圧をＥ’、 ｂ
ｄ間の電圧をＶとすればＶは近似的に次式で示される。
定電圧電源２゜の電圧をＥ、ａｃ間の電圧をＥ’、 ｂ
ｄ間の電圧をＶとすればＶは近似的に次式で示される。
度に無関係にすることが出来る。
′″接続例を示す。
性を出力感度補償抵抗の抵抗温度特性と同一にするため
に付加せしめた微調整用の金属抵抗でこれによりブリッ
ジ出力零点変動を最小限に抑制する。
に付加せしめた微調整用の金属抵抗でこれによりブリッ
ジ出力零点変動を最小限に抑制する。
α′〉αの場合には、第３図又は第４図を使用する。
この場合、抵抗体２６．２７の抵抗をＲ２６，Ｒ２７と
すると、Ｒ２６＞Ｒ８、Ｒ２７＜ Ｒｓに設定すること
が必要である。又α′〈αの場合には第５図を使用する
。この場合、抵抗体２８の抵抗をＲ２Ｂブリッジ入力端
間の合成抵抗をＲ２とするとＲ２８）Ｒ２に設定するこ
とが必要である。上記はいずれもハーフブリッジの例を
示したが’／４ブリッジの場合についても同様の考え方
で行うことができる。かくして感歪半導体抵抗体で構成
されるブリッジ出力電圧の零点変動を最小限に保ったま
−で出力感度の温度補償を容易にとることができる。第
６図は本発明の歪抗体を示す。感歪抵抗体３．５．７．
９ はダイヤフロ、８．１０より取り出す。抵抗体１１
はダイヤフラムｌの歪を受けない部分に形成されたブリ
ッジ出力感度補償抵抗体部を示す。抵抗体３ 、５．７
゜９．１１は同一ダイヤグラム上に同一半導体材料で薄
膜状に形成されており、小型化が容易であると共に感歪
抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度特性を極めて容
易に接近せしめることが可能である。又感歪抵抗体と出
方感度補償抵抗体の抵抗温９一 度特性の僅かの相違は簡便な方法により補正される。
すると、Ｒ２６＞Ｒ８、Ｒ２７＜ Ｒｓに設定すること
が必要である。又α′〈αの場合には第５図を使用する
。この場合、抵抗体２８の抵抗をＲ２Ｂブリッジ入力端
間の合成抵抗をＲ２とするとＲ２８）Ｒ２に設定するこ
とが必要である。上記はいずれもハーフブリッジの例を
示したが’／４ブリッジの場合についても同様の考え方
で行うことができる。かくして感歪半導体抵抗体で構成
されるブリッジ出力電圧の零点変動を最小限に保ったま
−で出力感度の温度補償を容易にとることができる。第
６図は本発明の歪抗体を示す。感歪抵抗体３．５．７．
９ はダイヤフロ、８．１０より取り出す。抵抗体１１
はダイヤフラムｌの歪を受けない部分に形成されたブリ
ッジ出力感度補償抵抗体部を示す。抵抗体３ 、５．７
゜９．１１は同一ダイヤグラム上に同一半導体材料で薄
膜状に形成されており、小型化が容易であると共に感歪
抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度特性を極めて容
易に接近せしめることが可能である。又感歪抵抗体と出
方感度補償抵抗体の抵抗温９一 度特性の僅かの相違は簡便な方法により補正される。
第７図〜第１０図は第６図におけるフルブリッジ回路の
接続例を示したもので、８１．８２．３３゜３４は感歪
半導体抵抗、２５は該感歪半導体抵抗と同一材料からな
る出力感歪補償抵抗、Ｗは定電圧電源部を示している。
接続例を示したもので、８１．８２．３３゜３４は感歪
半導体抵抗、２５は該感歪半導体抵抗と同一材料からな
る出力感歪補償抵抗、Ｗは定電圧電源部を示している。
又、３５．３６．８７．３８は金属抵抗を示している。
第７図〜第１０図において、ブリッジ電圧出力零点の温
度補償用の金属抵抗接続部分は図より省略しているが、
ｂ、 ｄ 量体化され、同一周囲温度で使用される部
分を示している。抵抗３５はブリッジ入山両端部ａＣ間
の合成抵抗の抵抗温度係数を低減せしめブリッジ出力零
点補正後の回路が出力感度補償抵抗２５により感度補正
度とする上で必要なものである。
度補償用の金属抵抗接続部分は図より省略しているが、
ｂ、 ｄ 量体化され、同一周囲温度で使用される部
分を示している。抵抗３５はブリッジ入山両端部ａＣ間
の合成抵抗の抵抗温度係数を低減せしめブリッジ出力零
点補正後の回路が出力感度補償抵抗２５により感度補正
度とする上で必要なものである。
今ブリッジ出力零点補正後の感歪半導体抵抗両端部（ａ
ｂ、ｂｃ、ｃｄ、ｄａ）の抵抗温度係数をα７出力感度
補償抵抗の抵抗温度係数をα′としたときα−α′の場
合には第７図を使用する。
ｂ、ｂｃ、ｃｄ、ｄａ）の抵抗温度係数をα７出力感度
補償抵抗の抵抗温度係数をα′としたときα−α′の場
合には第７図を使用する。
第８図〜第１０図はαＮα′の場合のブリッジ回路の接
続例を示す。抵抗３６，８７．３８はブリッジ出力零点
補償後の感歪半導体抵抗両端部（ａｂ、 ｂｅ。
続例を示す。抵抗３６，８７．３８はブリッジ出力零点
補償後の感歪半導体抵抗両端部（ａｂ、 ｂｅ。
ｃｄ、 ｄａ ）の抵抗温度特性を出力感度補償抵抗の
とＲ３６＞ Ｒ８，Ｒ３７＜ Ｒ８に設定することが必
要であ／ρ る。又α′くαの場合には第を図を使用する。この場合
、抵抗体３８の抵抗をＲ３８、ブリッジ入力端間の合成
抵抗をＲ２，Ｒ２とＲ３５の並列合成抵抗をＲ２Ｉとす
れば、Ｒ３Ｂ ＞Ｒ２’に設定することが必要である。
とＲ３６＞ Ｒ８，Ｒ３７＜ Ｒ８に設定することが必
要であ／ρ る。又α′くαの場合には第を図を使用する。この場合
、抵抗体３８の抵抗をＲ３８、ブリッジ入力端間の合成
抵抗をＲ２，Ｒ２とＲ３５の並列合成抵抗をＲ２Ｉとす
れば、Ｒ３Ｂ ＞Ｒ２’に設定することが必要である。
かくして第７図〜第１０図の場合も第１図の場合と同様
感歪半導体抵抗体で構成されるブリッジ出力電圧の零点
変動を最小限に保ったま＼で出力感度の温度補償を容易
にとることができる。
感歪半導体抵抗体で構成されるブリッジ出力電圧の零点
変動を最小限に保ったま＼で出力感度の温度補償を容易
にとることができる。
伺、本実施例ではダイヤフラムが金属体で構成され、又
感歪抵抗及び出力感度補償抵抗が薄膜半導体抵抗の例を
示したが、ダイヤフラムにシリコン単結晶など半導体を
用い感歪抵抗及び出力感度補償抵抗に半導体拡散抵抗を
使用する場合にも同様に優れた効果が得られる。
感歪抵抗及び出力感度補償抵抗が薄膜半導体抵抗の例を
示したが、ダイヤフラムにシリコン単結晶など半導体を
用い感歪抵抗及び出力感度補償抵抗に半導体拡散抵抗を
使用する場合にも同様に優れた効果が得られる。
導体抵抗体で構成されるブリッジ出力電圧の零点変動を
最小限に保ったま−で出力感度の温度補償を容易とする
と共に小型化を容易とする優れた歪七ンサを提供する。
最小限に保ったま−で出力感度の温度補償を容易とする
と共に小型化を容易とする優れた歪七ンサを提供する。
）′−
第１図は本発明の歪士ンサの実施例で要部の断面図を示
す。 第２図〜第５図は第１図におけるブリッジ回路の接続実
施例をそれぞれ示す。第６図は本発明の歪七ンサーの他
の実施例で、要部の断面図を示す。 第７図〜第１（ｌは第６図におけるブリッジ回路の接続
実施例をそれぞれ示す。 第１１図は従来の圧カ士ンサの１例を示したもので要部
の断面図を示す。第１２図〜第１４図は従来の圧力上ン
サのブリッジ回路接続例を示す。 第１５図は、第１４図に使用されるサーミスタ素子の抵
抗一温度特性の１例を示す。 ８、５．１１．１２．２１．２２．３１．８２・・・・
・・・・・感歪抵抗体、２０・・・・・・・定電圧電源
。 第４図 牙５図 第１１０ 第１３図 せ１４図 ｑ せ１５図 遥庚
す。 第２図〜第５図は第１図におけるブリッジ回路の接続実
施例をそれぞれ示す。第６図は本発明の歪七ンサーの他
の実施例で、要部の断面図を示す。 第７図〜第１（ｌは第６図におけるブリッジ回路の接続
実施例をそれぞれ示す。 第１１図は従来の圧カ士ンサの１例を示したもので要部
の断面図を示す。第１２図〜第１４図は従来の圧力上ン
サのブリッジ回路接続例を示す。 第１５図は、第１４図に使用されるサーミスタ素子の抵
抗一温度特性の１例を示す。 ８、５．１１．１２．２１．２２．３１．８２・・・・
・・・・・感歪抵抗体、２０・・・・・・・定電圧電源
。 第４図 牙５図 第１１０ 第１３図 せ１４図 ｑ せ１５図 遥庚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感歪半導体抵抗がダイヤフラム上にブリッジ回路接
続され、ブリッジ出力電圧零点が温度補償された、歪セ
ンサにおいて、ダイヤフラム上に歪を受ける部分に感歪
抵抗体と同一材料からなる抵抗を形成して、ブリッジ出
力感度の温度補償抵抗体とし、これをブリッジ入力両端
部と直列に接続せしめたことを特徴とする歪センサ。 ２、ブリッジ回路か１／４ブリッジ又はハーフブリッジ
であり、ブリッジ入力両端に並列又はブリッジ出力感度
の温度補償抵抗体に並列もしくは直列に微調整用の金属
抵抗体を接続してなる、特許請求の範囲第１項記載の歪
センサ。 ３、ブリッジ回路がフルブリッジであり、かつブリッジ
入力両端に金属抵抗が接続されてなり、かつブリッジ入
力両端に並列又はブリッジ出力感度の温度補償抵抗体に
並列もしくは直列に微調整用の金属抵抗体を接続してな
る特許請求の範囲第１項記載の歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14384384A JPS6122223A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14384384A JPS6122223A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122223A true JPS6122223A (ja) | 1986-01-30 |
| JPH0542613B2 JPH0542613B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=15348238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14384384A Granted JPS6122223A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122223A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63272081A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Kayaba Ind Co Ltd | 半導体ブリツジ回路 |
| JPH02201135A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Kayaba Ind Co Ltd | 圧力センサ |
| JPH02201136A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Kayaba Ind Co Ltd | 圧力センサ |
| JP2004505239A (ja) * | 2000-07-26 | 2004-02-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 薄膜構成素子、例えば、薄膜高圧センサの製造方法、及び薄膜構成素子 |
| JP2008039760A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2009197436A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 荷重負荷機械 |
| JP2020085490A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | Tdk株式会社 | 歪検出素子および力学量センサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011220686A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体加速度センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182529A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換装置 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14384384A patent/JPS6122223A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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| JPS63272081A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Kayaba Ind Co Ltd | 半導体ブリツジ回路 |
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|---|---|
| JPH0542613B2 (ja) | 1993-06-29 |
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