JPH0542613B2 - - Google Patents
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- JPH0542613B2 JPH0542613B2 JP59143843A JP14384384A JPH0542613B2 JP H0542613 B2 JPH0542613 B2 JP H0542613B2 JP 59143843 A JP59143843 A JP 59143843A JP 14384384 A JP14384384 A JP 14384384A JP H0542613 B2 JPH0542613 B2 JP H0542613B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
- G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は液体などの圧力をダイヤフラムで受
けダイヤフラム上に設定された感歪抵抗体により
歪を電気信号に変換して取り出す形式の歪センサ
に関する。
けダイヤフラム上に設定された感歪抵抗体により
歪を電気信号に変換して取り出す形式の歪センサ
に関する。
先行技術の説明
従来より液体などの圧力を測定する圧力センサ
としてダイヤフラムで圧力を受け、ダイヤフラム
上に形成した感歪抵抗体により歪を電気抵抗の変
化として取り出す圧力センサが広く使用されてい
る。感歪抵抗体には金属ゲージや半導体ゲージの
他、シリコン半導体をダイヤフラムとし、ダイヤ
フラム上に拡散抵抗層を形成せしめたものなどが
ある。感歪抵抗体がシリコン質などの半導体の場
合には特に抵抗やゲージ率が使用温度の影響を強
く受けるので温度に対する補償をより厳密にする
ことが必要であるが、金属ゲージ式に較べゲージ
率が10、培以上と感度が優れるという利点があ
る。
としてダイヤフラムで圧力を受け、ダイヤフラム
上に形成した感歪抵抗体により歪を電気抵抗の変
化として取り出す圧力センサが広く使用されてい
る。感歪抵抗体には金属ゲージや半導体ゲージの
他、シリコン半導体をダイヤフラムとし、ダイヤ
フラム上に拡散抵抗層を形成せしめたものなどが
ある。感歪抵抗体がシリコン質などの半導体の場
合には特に抵抗やゲージ率が使用温度の影響を強
く受けるので温度に対する補償をより厳密にする
ことが必要であるが、金属ゲージ式に較べゲージ
率が10、培以上と感度が優れるという利点があ
る。
又、特開昭58−182529号には、ダイヤフラム上
の半導体素子の製造時に不純物の拡散をコントロ
ールして、温度係数を調整する手段が開示されて
いる。第１１図は従来の圧力センサーの１例を示
したもので、半導体ゲージをダイヤフラム上に粘
着した要部の断面図である。感歪抵抗体３，５は
ダイヤフラム上に形成されている。４，６は感歪
抵抗体両端の電極部をそれぞれ示している。感歪
抵抗体は温度補償をとるため、通常第１２図の如
くブリツジ回路接続して使用される。第１２図に
おいて１１，１２は感歪抵抗、１３，１４は金属
抵抗、２０は定電圧電源部を示している。電源２
０はブリツジ端ａ，ｃに接続され、ブリツジ電圧
出力はｂ，ｄより得られる。
の半導体素子の製造時に不純物の拡散をコントロ
ールして、温度係数を調整する手段が開示されて
いる。第１１図は従来の圧力センサーの１例を示
したもので、半導体ゲージをダイヤフラム上に粘
着した要部の断面図である。感歪抵抗体３，５は
ダイヤフラム上に形成されている。４，６は感歪
抵抗体両端の電極部をそれぞれ示している。感歪
抵抗体は温度補償をとるため、通常第１２図の如
くブリツジ回路接続して使用される。第１２図に
おいて１１，１２は感歪抵抗、１３，１４は金属
抵抗、２０は定電圧電源部を示している。電源２
０はブリツジ端ａ，ｃに接続され、ブリツジ電圧
出力はｂ，ｄより得られる。
又、感歪抵抗の抵抗温度特性に差がある場合に
は例えば第１３図の如くブリツジ構成する抵抗体
部１１，１４に金属抵抗１５，１６を並列接続す
る方法などにより、ブリツジ出力電圧ｂ，ｄ間の
電圧零点の温度による変動を補償するとが知られ
ている。一方出力感度は感歪抵抗のゲージ率に比
例するが、ゲージ率が周囲温度の影響を受けるの
で使用温度に対する補償が必要であり、例えば第
１４図の如く、サーミスター素子１７に金属抵抗
１８，１９を直・並列に接続したものをブリツジ
に直列に外付けして加え、これを定電圧電源２０
に接続する方法が知られている。サーミスター素
子１７の抵抗温度特性を第１５図に示す。しかし
ながら上述の方法では外付けするサーミスター素
子の抵抗温度特性が目標とする感歪抵抗体の抵抗
温度特性と相違するため、例えば−40℃〜＋120
℃などの如く、巾広い使用温度域ではサーミスタ
ー素子の抵抗温度特性を感歪抵抗体の抵抗温度特
性に見合つて正確に調整し、充分な感度補償を得
ることに困難な場合が多い。
は例えば第１３図の如くブリツジ構成する抵抗体
部１１，１４に金属抵抗１５，１６を並列接続す
る方法などにより、ブリツジ出力電圧ｂ，ｄ間の
電圧零点の温度による変動を補償するとが知られ
ている。一方出力感度は感歪抵抗のゲージ率に比
例するが、ゲージ率が周囲温度の影響を受けるの
で使用温度に対する補償が必要であり、例えば第
１４図の如く、サーミスター素子１７に金属抵抗
１８，１９を直・並列に接続したものをブリツジ
に直列に外付けして加え、これを定電圧電源２０
に接続する方法が知られている。サーミスター素
子１７の抵抗温度特性を第１５図に示す。しかし
ながら上述の方法では外付けするサーミスター素
子の抵抗温度特性が目標とする感歪抵抗体の抵抗
温度特性と相違するため、例えば−40℃〜＋120
℃などの如く、巾広い使用温度域ではサーミスタ
ー素子の抵抗温度特性を感歪抵抗体の抵抗温度特
性に見合つて正確に調整し、充分な感度補償を得
ることに困難な場合が多い。
又所望のサーミスター素子に必ずしも小型のも
のが得られず、センサ全体の形状が大きくなるな
どの欠点を有していた。
のが得られず、センサ全体の形状が大きくなるな
どの欠点を有していた。
発明の目的
それゆえ、本発明の目的は上述の内容に鑑み、
感歪半導抵抗体で構成されるブリツジ出力電圧の
零点変動を最小限に保つたまゝで、出力感度の温
度補償を容易とする小型の歪センサを提供するこ
とである。
感歪半導抵抗体で構成されるブリツジ出力電圧の
零点変動を最小限に保つたまゝで、出力感度の温
度補償を容易とする小型の歪センサを提供するこ
とである。
発明の構成
本発明は感歪半導抵抗体が金属ダイヤフラム上
にブリツジ回路接続され、ブリツジ出力電圧零点
が温度補償された歪センサにおいて、ダイヤフラ
ム上の歪を受けない部分に感歪抵抗体と同一材料
からなる抵抗を形成し、これをブリツジ出力感度
の温度補償抵抗体として、ブリツジ入力一端部と
直列に接続せしめ、該ブリツジ回路中の感歪抵抗
体の１ケ又は２ケ、又は全てが感歪半導抵抗体で
構成される場合、ダイヤフラム上の歪を受けない
部分の温度補償抵抗体と並列もしくは直列に微調
整用の金属抵抗体を接続したり、更らに、ブリツ
ジ入力両端部に微調整用の金属抵抗体を並列に接
続してなることを特徴とするものでブリツジ出力
電圧の零点変動を最小限に保つたまゝで出力感度
の温度補償を容易とする小型の歪センサを提供す
る。
にブリツジ回路接続され、ブリツジ出力電圧零点
が温度補償された歪センサにおいて、ダイヤフラ
ム上の歪を受けない部分に感歪抵抗体と同一材料
からなる抵抗を形成し、これをブリツジ出力感度
の温度補償抵抗体として、ブリツジ入力一端部と
直列に接続せしめ、該ブリツジ回路中の感歪抵抗
体の１ケ又は２ケ、又は全てが感歪半導抵抗体で
構成される場合、ダイヤフラム上の歪を受けない
部分の温度補償抵抗体と並列もしくは直列に微調
整用の金属抵抗体を接続したり、更らに、ブリツ
ジ入力両端部に微調整用の金属抵抗体を並列に接
続してなることを特徴とするものでブリツジ出力
電圧の零点変動を最小限に保つたまゝで出力感度
の温度補償を容易とする小型の歪センサを提供す
る。
実施例
第１図は本発明の歪センサの実施例で要部の断
面図を示している。第１図において１はステンレ
スなどの金属ダイヤフラム、２は樹脂やセラミツ
ク、ガラスなどからなる電気絶縁層、３，５，７
は該絶縁層上に形成されたシリコン、ゲルマニウ
ムなどの薄膜感歪半導抵抗体を示す。感歪抵抗体
３，５はダイヤフラム１に生ずる歪を受ける歪セ
ンサ部で、歪による電気抵抗変化を抵抗体３，５
の両端電極４，６より取り出す。抵抗体７はダイ
ヤフラム１の歪を受けない部分に形成されたブリ
ツジ出力感度補償抵抗部を示す。
面図を示している。第１図において１はステンレ
スなどの金属ダイヤフラム、２は樹脂やセラミツ
ク、ガラスなどからなる電気絶縁層、３，５，７
は該絶縁層上に形成されたシリコン、ゲルマニウ
ムなどの薄膜感歪半導抵抗体を示す。感歪抵抗体
３，５はダイヤフラム１に生ずる歪を受ける歪セ
ンサ部で、歪による電気抵抗変化を抵抗体３，５
の両端電極４，６より取り出す。抵抗体７はダイ
ヤフラム１の歪を受けない部分に形成されたブリ
ツジ出力感度補償抵抗部を示す。
抵抗体３，５，７は同一ダイヤフラム上に同一
半導体材料で薄膜状に形成されており、小型化が
容易であると共に感歪抵抗体と、出力感度補償抵
抗体の抵抗温度特性を極めて容易に接近せしめる
ことが可能である。
半導体材料で薄膜状に形成されており、小型化が
容易であると共に感歪抵抗体と、出力感度補償抵
抗体の抵抗温度特性を極めて容易に接近せしめる
ことが可能である。
又感歪抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度
特性の僅かの相違は簡便な方法により補正され
る。第２図〜第５図は第１図におけるハーフブリ
ツジ回路の具体的接続例を示したもので、２１，
２２は３，５に相当する感歪半導抵抗体、２３，
２４，２６，２７，２８は金属抵抗体、２５は該
感歪半導抵抗体と同一材料からなる第１図の７に
相当する出力感度補償抵抗であり、２０は定電圧
電源部をそれぞれ示している。尚第２図〜第５図
において、ブリツジ電圧出力零点の温度補償用の
金属抵抗接続部分は図より省略しているが、ｂ，
ｄ間のブリツジ出力電圧の零点温度補償は充分と
れているものとする。又点線部は歪センサーとし
て一体化され、同一周囲温度で使用される部分を
示している。今、ブリツジ出力零点補正後の感歪
半導抵抗体両端部（ab及びbc）の抵抗温度係数
をα、出力感度補償抵抗の抵抗温度係数をα′とし
たとき、感歪半導抵抗体２１，２２，２５の製造
品質が同等でα＝α′の場合の実施例を第２図に示
す。
特性の僅かの相違は簡便な方法により補正され
る。第２図〜第５図は第１図におけるハーフブリ
ツジ回路の具体的接続例を示したもので、２１，
２２は３，５に相当する感歪半導抵抗体、２３，
２４，２６，２７，２８は金属抵抗体、２５は該
感歪半導抵抗体と同一材料からなる第１図の７に
相当する出力感度補償抵抗であり、２０は定電圧
電源部をそれぞれ示している。尚第２図〜第５図
において、ブリツジ電圧出力零点の温度補償用の
金属抵抗接続部分は図より省略しているが、ｂ，
ｄ間のブリツジ出力電圧の零点温度補償は充分と
れているものとする。又点線部は歪センサーとし
て一体化され、同一周囲温度で使用される部分を
示している。今、ブリツジ出力零点補正後の感歪
半導抵抗体両端部（ab及びbc）の抵抗温度係数
をα、出力感度補償抵抗の抵抗温度係数をα′とし
たとき、感歪半導抵抗体２１，２２，２５の製造
品質が同等でα＝α′の場合の実施例を第２図に示
す。
今入力圧力をＰ、周囲温度をＴ、室温をT0、
ｙ＝Ｔ−T0抵抗温度係数をα、（（β、γ）は定
数とし、第２図において２１，２２，２３，２
４，２５の抵抗をそれぞれR1（１−αy）｛１−β
（１−γy）ｐ｝，R2（１−αy）｛１＋β（１−γy）
ｐ｝，R2，R1，R5（１−αy）、定電圧電源２０の
電圧をＥ，ac間の電圧をE′，bd間の電圧をＶと
すればＶは近似的に次式で示される。
ｙ＝Ｔ−T0抵抗温度係数をα、（（β、γ）は定
数とし、第２図において２１，２２，２３，２
４，２５の抵抗をそれぞれR1（１−αy）｛１−β
（１−γy）ｐ｝，R2（１−αy）｛１＋β（１−γy）
ｐ｝，R2，R1，R5（１−αy）、定電圧電源２０の
電圧をＥ，ac間の電圧をE′，bd間の電圧をＶと
すればＶは近似的に次式で示される。
Ｖ≒R1R2／（R1＋R2）β（１−γy）E′p
≒R1R2β／（R1＋R2＋2RS）
｛１−（γ−R3α／R1＋R2＋2RS）ｙ｝Ep
通常α＞2γに設定できるので出力感度補償抵
抗２５の抵抗値RSをRS＝γ（R1＋R2）／α−2γとすれ
ば bd間の電圧Ｖは近似的に Ｖ＝R1R2βE／（R1＋R2＋2RS）ｐとなり周囲温度に無
関 係にすることが出来る。
抗２５の抵抗値RSをRS＝γ（R1＋R2）／α−2γとすれ
ば bd間の電圧Ｖは近似的に Ｖ＝R1R2βE／（R1＋R2＋2RS）ｐとなり周囲温度に無
関 係にすることが出来る。
感歪半導抵抗体２１，２２，２５の製造品質に
バラツキがあり、抵抗温度係数がα≠α′の場合の
ブリツジ回路の接続例を第３図〜第５図に示す。
バラツキがあり、抵抗温度係数がα≠α′の場合の
ブリツジ回路の接続例を第３図〜第５図に示す。
抵抗２６，２７，２８はブリツジ出力零点補償
後の感歪半導抵抗両端部（ab及びびbc）の抵抗
温度特性を出力感度補償抵抗の抵抗温度特性と同
一にするために付加せしめた微調整用の金属抵抗
でこれによりブリツジ出力零点変動を最小限に抑
制する。α′＞αの場合には、第３図又は第４図の
実施例が適当である。この場合、抵抗体２６，２
７の抵抗をR26，R27とすると、R26≫RS，R27≪
RSに設定することが必要である。又α′＜αの場合
には第５図の実施例が適当である。この場合、抵
抗体２８の抵抗をR28ブリツジ入力端間の合成抵
抗をRZとするとR28≫RZに設定することが必要で
ある。上記はいずれもハーフブリツジの例を示し
たが1/4ブリツジの場合についても同様の考え方
で行うことができる。かくして感歪半導抵抗体で
構成されるブリツジ出力電圧の零点変動を最小限
に保つたまゝで出力感度の温度補償を容易にとる
ことができる。第６図は本発明に於けるフルブリ
ツジ回路を適用した歪センサの他の実施例で要部
の断面図を示している。第６図は第１図と同様１
は金属ダイヤフラム、２は電気絶縁層、３，５，
７，９，１１は感歪半導抵抗体を示す。感歪抵抗
体３，５，７，９はダイヤフラム１に生ずる歪を
受ける歪センサ部で、歪による電気抵抗変化を抵
抗体３，５，７，９の両端電極４，６，８，１０
より取り出す。抵抗体１１はダイヤフラム１の歪
を受けない部分に形成されたブリツジ出力感度補
償抵抗体部を示す。抵抗体３，５，７，９，１１
は同一ダイヤフラム上に同一半導体材料で薄膜状
に形成されており、小型化が容易であると共に感
歪抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度特性を
極めて容易に接近せしめることが可能である。又
感歪抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度特性
の僅かの相違は簡便な方法により補正される。
後の感歪半導抵抗両端部（ab及びびbc）の抵抗
温度特性を出力感度補償抵抗の抵抗温度特性と同
一にするために付加せしめた微調整用の金属抵抗
でこれによりブリツジ出力零点変動を最小限に抑
制する。α′＞αの場合には、第３図又は第４図の
実施例が適当である。この場合、抵抗体２６，２
７の抵抗をR26，R27とすると、R26≫RS，R27≪
RSに設定することが必要である。又α′＜αの場合
には第５図の実施例が適当である。この場合、抵
抗体２８の抵抗をR28ブリツジ入力端間の合成抵
抗をRZとするとR28≫RZに設定することが必要で
ある。上記はいずれもハーフブリツジの例を示し
たが1/4ブリツジの場合についても同様の考え方
で行うことができる。かくして感歪半導抵抗体で
構成されるブリツジ出力電圧の零点変動を最小限
に保つたまゝで出力感度の温度補償を容易にとる
ことができる。第６図は本発明に於けるフルブリ
ツジ回路を適用した歪センサの他の実施例で要部
の断面図を示している。第６図は第１図と同様１
は金属ダイヤフラム、２は電気絶縁層、３，５，
７，９，１１は感歪半導抵抗体を示す。感歪抵抗
体３，５，７，９はダイヤフラム１に生ずる歪を
受ける歪センサ部で、歪による電気抵抗変化を抵
抗体３，５，７，９の両端電極４，６，８，１０
より取り出す。抵抗体１１はダイヤフラム１の歪
を受けない部分に形成されたブリツジ出力感度補
償抵抗体部を示す。抵抗体３，５，７，９，１１
は同一ダイヤフラム上に同一半導体材料で薄膜状
に形成されており、小型化が容易であると共に感
歪抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度特性を
極めて容易に接近せしめることが可能である。又
感歪抵抗体と出力感度補償抵抗体の抵抗温度特性
の僅かの相違は簡便な方法により補正される。
第７図〜第１０図は第６図におけるフルブリツ
ジ回路の接続例を示したもので、３１，３２，３
３，３４は感歪半導抵抗体、２５は該感歪半導抵
抗体と同一材料からなる感歪補償抵抗であり第６
図の１１に相当する。２０は定電圧電源部を示し
ている。又、３５，３６，３７，３８は金属抵抗
を示している。第７図〜第１０図において、ブリ
ツジ電圧出力零点の温度補償用の金属抵抗接続部
分は図より省略しているが、ｂ，ｄ間のブリツジ
出力電圧の零点温度補償は充分とれているものと
する。又点線部は歪センサーとして一体化され、
同一周囲温度で使用される部分を示している。抵
抗３５はブリツジ入力両端部ac間の合成抵抗の
抵抗温度係数を低減せしめブリツジ出力零点補正
後の回路が出力感度補償抵抗２５により感度補正
可とする上で必要なものである。
ジ回路の接続例を示したもので、３１，３２，３
３，３４は感歪半導抵抗体、２５は該感歪半導抵
抗体と同一材料からなる感歪補償抵抗であり第６
図の１１に相当する。２０は定電圧電源部を示し
ている。又、３５，３６，３７，３８は金属抵抗
を示している。第７図〜第１０図において、ブリ
ツジ電圧出力零点の温度補償用の金属抵抗接続部
分は図より省略しているが、ｂ，ｄ間のブリツジ
出力電圧の零点温度補償は充分とれているものと
する。又点線部は歪センサーとして一体化され、
同一周囲温度で使用される部分を示している。抵
抗３５はブリツジ入力両端部ac間の合成抵抗の
抵抗温度係数を低減せしめブリツジ出力零点補正
後の回路が出力感度補償抵抗２５により感度補正
可とする上で必要なものである。
今ブリツジ出力零点補正後の感歪半導抵抗体両
端部（ab，bc，cd，da）の抵抗温度係数をα、
出力感度補償抵抗の抵抗温度係数α′としたとき感
歪半導抵抗体２５，３１，３２，３３，３４の製
造品質が同等でα＝α′の場合の実施例を第７図に
示す。感歪半導抵抗体２５，３１，３２，３３，
３４の製造品質にバラツキがあり、抵抗温度係数
がα≠α′の場合のブリツジ回路の接続例を第８図
〜第１０図に示す。抵抗３６，３７，３８はブリ
ツジ出力零点補償後の感歪半導抵抗体両端部
（ab，bc，cd，da）の抵抗温度特性を出力感度補
償抵抗の抵抗温度特性と同一にするために付加せ
しめた微調整用の金属抵抗で、これによりブリツ
ジ出力零点変動を最小限に抑制する。
端部（ab，bc，cd，da）の抵抗温度係数をα、
出力感度補償抵抗の抵抗温度係数α′としたとき感
歪半導抵抗体２５，３１，３２，３３，３４の製
造品質が同等でα＝α′の場合の実施例を第７図に
示す。感歪半導抵抗体２５，３１，３２，３３，
３４の製造品質にバラツキがあり、抵抗温度係数
がα≠α′の場合のブリツジ回路の接続例を第８図
〜第１０図に示す。抵抗３６，３７，３８はブリ
ツジ出力零点補償後の感歪半導抵抗体両端部
（ab，bc，cd，da）の抵抗温度特性を出力感度補
償抵抗の抵抗温度特性と同一にするために付加せ
しめた微調整用の金属抵抗で、これによりブリツ
ジ出力零点変動を最小限に抑制する。
α′＞αの場合には第８図又は第９図の実施例が
適当である。この場合抵抗体３６，３７の抵抗を
R36，R37とするとR36≫RS，R37≪RSに設定する
ことが必要である。又α′＜αの場合には第１０図
の実施例が適当である。この場合、抵抗体３８の
抵抗をR38、ブリツジ入力端間の合成抵抗をRZ，
RZとR35の並列合成抵抗をRZ′とすれば、R38≫
RZ′に設定することが必要である。かくして第７
図〜第１０図の場合も第１図の場合と同様感歪半
導抵抗体で構成されるブリツジ出力電圧の零点変
動を最小限に保つたまゝで出力感度の温度補償を
容易にとることができる。
適当である。この場合抵抗体３６，３７の抵抗を
R36，R37とするとR36≫RS，R37≪RSに設定する
ことが必要である。又α′＜αの場合には第１０図
の実施例が適当である。この場合、抵抗体３８の
抵抗をR38、ブリツジ入力端間の合成抵抗をRZ，
RZとR35の並列合成抵抗をRZ′とすれば、R38≫
RZ′に設定することが必要である。かくして第７
図〜第１０図の場合も第１図の場合と同様感歪半
導抵抗体で構成されるブリツジ出力電圧の零点変
動を最小限に保つたまゝで出力感度の温度補償を
容易にとることができる。
尚、本実施例ではダイヤフラムが金属体で構成
され、又感歪抵抗及び出力感度補償抵抗が薄膜半
導体抵抗の例を示したが、ダイヤフラムにシリコ
ン単結晶など半導体を用い感歪抵抗及び出力感度
補償抵抗に半導体拡散抵抗を使用する場合にも同
様に優れた効果が得られる。
され、又感歪抵抗及び出力感度補償抵抗が薄膜半
導体抵抗の例を示したが、ダイヤフラムにシリコ
ン単結晶など半導体を用い感歪抵抗及び出力感度
補償抵抗に半導体拡散抵抗を使用する場合にも同
様に優れた効果が得られる。
発明の効果
上述の如く、本発明による歪センサは、感歪半
導抵抗体で構成されるブリツジ出力電圧の零点変
動を最小限に保つたまゝで出力感度の温度補償を
容易にすると共に小型化を容易とする優れた歪セ
ンサを提供する。
導抵抗体で構成されるブリツジ出力電圧の零点変
動を最小限に保つたまゝで出力感度の温度補償を
容易にすると共に小型化を容易とする優れた歪セ
ンサを提供する。
第１図は本発明の歪センサの実施例で要部の断
面図を示す。第２図〜第５図は第１図におけるブ
リツジ回路の接続実施例をそれぞれ示す。第６図
は本発明の歪センサーの他の実施例で、要部の断
面図を示す。第７図〜第１０図は第６図における
ブリツジ回路の接続実施例をそれぞれ示す。第１
１図は従来の歪センサの１例を示したもので要部
の断面図を示す。第１２図〜第１４図は従来の歪
センサのブリツジ回路接続例を示す。第１５図
は、第１４図に使用されるサーミスタ素子の抵抗
−温度特性の１例を示す。 図面記載番号の説明、３，５，７，９，１１，
１２，２１，２２，２５，３１，３２，３３，３
４……感歪半導抵抗体、１３，１４，１５，１
６，１８，１９……従来例の金属抵抗体、２０…
…定電圧電源、２３，２４，２６，２７，２８，
３５，３６，３７，３８……本願の金属抵抗体。
面図を示す。第２図〜第５図は第１図におけるブ
リツジ回路の接続実施例をそれぞれ示す。第６図
は本発明の歪センサーの他の実施例で、要部の断
面図を示す。第７図〜第１０図は第６図における
ブリツジ回路の接続実施例をそれぞれ示す。第１
１図は従来の歪センサの１例を示したもので要部
の断面図を示す。第１２図〜第１４図は従来の歪
センサのブリツジ回路接続例を示す。第１５図
は、第１４図に使用されるサーミスタ素子の抵抗
−温度特性の１例を示す。 図面記載番号の説明、３，５，７，９，１１，
１２，２１，２２，２５，３１，３２，３３，３
４……感歪半導抵抗体、１３，１４，１５，１
６，１８，１９……従来例の金属抵抗体、２０…
…定電圧電源、２３，２４，２６，２７，２８，
３５，３６，３７，３８……本願の金属抵抗体。
Claims (1)
- １ 金属ダイヤフラム上に薄膜の電気絶縁層を設
けその表面上に形成されるブリツジ回路中の感歪
抵抗体の１ケ又は２ケ、又は全てが感歪半導抵抗
体で構成され、且つ、定電圧電源にて駆動されて
ブリツジ出力電圧零点が温度補償された、歪セン
サにおいて、ダイヤフラム上に歪を受けない部分
に感歪抵抗体と同一材料からなる抵抗をブリツジ
出力感度の温度補償抵抗体としてこれをブリツジ
入力一端部と直列２５に接続せしめ加えて、該抵
抗体に並列２６，３６もしくは直列２７，３７に
微調整用の金属抵抗体を接続したり、更に、ブリ
ツジ入力両端部に微調整用の金属抵抗体を並列２
８，３５に、もしくは更に並列３８に接続したこ
とを特徴とする歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14384384A JPS6122223A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14384384A JPS6122223A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122223A JPS6122223A (ja) | 1986-01-30 |
| JPH0542613B2 true JPH0542613B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=15348238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14384384A Granted JPS6122223A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011220686A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体加速度センサ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63272081A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Kayaba Ind Co Ltd | 半導体ブリツジ回路 |
| JP3041829B2 (ja) * | 1989-01-30 | 2000-05-15 | カヤバ工業株式会社 | 圧力センサ |
| JPH02201136A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Kayaba Ind Co Ltd | 圧力センサ |
| JP2004505239A (ja) * | 2000-07-26 | 2004-02-19 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 薄膜構成素子、例えば、薄膜高圧センサの製造方法、及び薄膜構成素子 |
| JP2008039760A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP4997138B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2012-08-08 | 日立建機株式会社 | 荷重負荷機械 |
| JP7268333B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2023-05-08 | Tdk株式会社 | 歪検出素子および力学量センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182529A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換装置 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14384384A patent/JPS6122223A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182529A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011220686A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体加速度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122223A (ja) | 1986-01-30 |
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