JPH0313537B2 - - Google Patents
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- JPH0313537B2 JPH0313537B2 JP55083493A JP8349380A JPH0313537B2 JP H0313537 B2 JPH0313537 B2 JP H0313537B2 JP 55083493 A JP55083493 A JP 55083493A JP 8349380 A JP8349380 A JP 8349380A JP H0313537 B2 JPH0313537 B2 JP H0313537B2
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- semiconductor
- bridge circuit
- amplifier
- diaphragm
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
- G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ストレーンゲージで圧力を検
知する圧力検知装置に関するものである。
知する圧力検知装置に関するものである。
従来、この種の装置として第１図に示ものがあ
つた。同図において、ダイヤフラム１に加えられ
た圧力を検出するためのブリツジ回路２は、ダイ
ヤフラム１に貼りつけられたワイヤストレーンゲ
ージ３，４と、固定抵抗体５，６と、可変抵抗体
７とから構成され、上記ストレーンゲージ３には
零点温度補償用の固定抵抗体８が直列接続され、
この直列回路に並列に同様の零点温度補償用の固
定抵抗体９が接続されている。また、上記ストレ
ーンゲージ３，４の接続点ａと可変抵抗体７の摺
動子１０とから出力信号を取り出して、これらを
増幅器１１に入力し、この増幅器１１の出力側に
圧力検出信号を出力する出力端子１２を設けると
ともに、増幅器１１の出力の一部を正特性サーミ
スタ１３とこのサーミスタ１３の温度抵抗曲線を
直線化するための抵抗体１４との並列回路および
固定抵抗体１５を介して、増幅器１１の入力側へ
帰還させている。
つた。同図において、ダイヤフラム１に加えられ
た圧力を検出するためのブリツジ回路２は、ダイ
ヤフラム１に貼りつけられたワイヤストレーンゲ
ージ３，４と、固定抵抗体５，６と、可変抵抗体
７とから構成され、上記ストレーンゲージ３には
零点温度補償用の固定抵抗体８が直列接続され、
この直列回路に並列に同様の零点温度補償用の固
定抵抗体９が接続されている。また、上記ストレ
ーンゲージ３，４の接続点ａと可変抵抗体７の摺
動子１０とから出力信号を取り出して、これらを
増幅器１１に入力し、この増幅器１１の出力側に
圧力検出信号を出力する出力端子１２を設けると
ともに、増幅器１１の出力の一部を正特性サーミ
スタ１３とこのサーミスタ１３の温度抵抗曲線を
直線化するための抵抗体１４との並列回路および
固定抵抗体１５を介して、増幅器１１の入力側へ
帰還させている。
上記構成において、ダイヤフラム１に圧力が印
加されないとき、ブリツジ回路２は可変抵抗体７
の摺動子１０を移動することにより平衡させられ
ている。ダイヤフラム１に圧力が印加されると、
圧力はダイヤフラム１の変形に変換され、この変
形分に応じてストレーンゲージ３，４に抵抗変化
が生じ、ブリツジ回路の平衡がくずれ、出力が現
われる。この出力電圧は、増幅器１１に加えられ
て増幅され、数Ｖないし十数Ｖの出力電圧となつ
て端子１２から取り出される。一方、増幅器１１
からの出力の一部は正特性のサーミスタ１３を介
して増幅器１１の入力側へ帰還されているので、
雰囲気の温度変化に応じてストレーンゲージ３，
４に感度の変化が生じると、ストレーンゲージ
３，４と同一の雰囲気中に置かれている正特性サ
ーミスタ１３の抵抗値も温度変化に応じて変化
し、温度変化によるストレーンゲージ３，４の感
度の変動分のみを補償する。
加されないとき、ブリツジ回路２は可変抵抗体７
の摺動子１０を移動することにより平衡させられ
ている。ダイヤフラム１に圧力が印加されると、
圧力はダイヤフラム１の変形に変換され、この変
形分に応じてストレーンゲージ３，４に抵抗変化
が生じ、ブリツジ回路の平衡がくずれ、出力が現
われる。この出力電圧は、増幅器１１に加えられ
て増幅され、数Ｖないし十数Ｖの出力電圧となつ
て端子１２から取り出される。一方、増幅器１１
からの出力の一部は正特性のサーミスタ１３を介
して増幅器１１の入力側へ帰還されているので、
雰囲気の温度変化に応じてストレーンゲージ３，
４に感度の変化が生じると、ストレーンゲージ
３，４と同一の雰囲気中に置かれている正特性サ
ーミスタ１３の抵抗値も温度変化に応じて変化
し、温度変化によるストレーンゲージ３，４の感
度の変動分のみを補償する。
ところが、上記ストレーンゲージ３，４は、第
２図に示すように、ダイヤフラム１の膜面上に接
着されているので、この接着方法が適切でないと
特性が劣化するおそれがあつた。また、ブリツジ
回路２が２つのストレーンゲージ３，４と２つの
固定抵抗体５，６とから構成されているので、ブ
リツジ回路２が４つのストレーンゲージで構成さ
れている場合に比較して出力が小さいという欠点
があつた。さらに、ストレーンゲージ３，４をダ
イヤフラム１に接着により貼りつけるため、量産
性が悪いという欠点もある。
２図に示すように、ダイヤフラム１の膜面上に接
着されているので、この接着方法が適切でないと
特性が劣化するおそれがあつた。また、ブリツジ
回路２が２つのストレーンゲージ３，４と２つの
固定抵抗体５，６とから構成されているので、ブ
リツジ回路２が４つのストレーンゲージで構成さ
れている場合に比較して出力が小さいという欠点
があつた。さらに、ストレーンゲージ３，４をダ
イヤフラム１に接着により貼りつけるため、量産
性が悪いという欠点もある。
そこで、半導体ダイヤフラム１に４つの半導体
ストレーンゲージを一体形成し、これら４つの半
導体ストレーンゲージを用いてブリツジ回路を構
成すると、上記の出力および量産性についての欠
点はすべて解決されるが、半導体ストレーンゲー
ジは半導体ダイヤフラムに一体形成されるので、
抵抗値を自由に選択することができない。したが
つて、４つの半導体ストレーンゲージを用いたブ
リツジ回路とした場合には、このブリツジ回路の
２つの出力端子から得られる出力に対して温度補
償を行うにあたつて、複雑な回路構成となり、ま
た、圧力が印加されていないときのブリツジ回路
を平衡させるにあたつても複雑な回路構成とな
る。さらに、上記平衡を計る調整と温度補償とが
複雑に関係し合うため、互いの調整が困難にな
る。ダイヤフラムに圧力が作用しないときにブリ
ツジ回路を平衡させられないと、従来の感度温度
補償方法は使用できない。
ストレーンゲージを一体形成し、これら４つの半
導体ストレーンゲージを用いてブリツジ回路を構
成すると、上記の出力および量産性についての欠
点はすべて解決されるが、半導体ストレーンゲー
ジは半導体ダイヤフラムに一体形成されるので、
抵抗値を自由に選択することができない。したが
つて、４つの半導体ストレーンゲージを用いたブ
リツジ回路とした場合には、このブリツジ回路の
２つの出力端子から得られる出力に対して温度補
償を行うにあたつて、複雑な回路構成となり、ま
た、圧力が印加されていないときのブリツジ回路
を平衡させるにあたつても複雑な回路構成とな
る。さらに、上記平衡を計る調整と温度補償とが
複雑に関係し合うため、互いの調整が困難にな
る。ダイヤフラムに圧力が作用しないときにブリ
ツジ回路を平衡させられないと、従来の感度温度
補償方法は使用できない。
この発明は上記従来の欠点を除去するためにな
されたもので、半導体ダイヤフラムに一体形成さ
れた半導体ストレーンゲージによりブリツジ回路
を構成するとともに、調節回路の演算増巾器によ
りブリツジ回路の差動出力を単一出力に変換し、
調節回路の分圧抵抗体により上記ブリツジ回路の
零点補償を行ない、さらに、上記増幅器の出力に
対して従来と同様に、感熱抵抗体による温度補償
を行なつて、特性の優れた圧力検知装置を提供す
ることを目的とする。
されたもので、半導体ダイヤフラムに一体形成さ
れた半導体ストレーンゲージによりブリツジ回路
を構成するとともに、調節回路の演算増巾器によ
りブリツジ回路の差動出力を単一出力に変換し、
調節回路の分圧抵抗体により上記ブリツジ回路の
零点補償を行ない、さらに、上記増幅器の出力に
対して従来と同様に、感熱抵抗体による温度補償
を行なつて、特性の優れた圧力検知装置を提供す
ることを目的とする。
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。第３図において、１６は外部から圧力を受け
て変形する半導体ダイヤフラムで、この半導体ダ
イヤフラム１の上面に、拡散により４つの半導体
ストレーンゲージ１７，１８，１９，２０が同心
状に一体形成されている。第４図において、ブリ
ツジ回路２は上記半導体ストレーンゲージ１７，
１８，１９，２０をブリツジ接続してなり、相対
する１対の端子２１，２２を入力端子とし、他の
一対の端子２３，２４を出力端子とするもので、
出力端子２３，２４には、零点オフセツト電圧の
温度ドリフトを補償する、すなわち零点出力の温
度補償を行なう補償抵抗体２５，２６が接続され
るとともに、調節回路２７を介して出力段の差動
増幅器２８に接続されている。上記調節回路２７
は、ブリツジ回路２の２つの出力端子２３，２４
からの差動出力を単一出力、すなわ、出力差に応
じた電圧に変換するための抵抗体３０〜３３およ
び演算増幅器３５と、上記増幅器２８に所定のバ
イアス電圧を印加するための分圧抵抗体３６，３
７とからなる。
る。第３図において、１６は外部から圧力を受け
て変形する半導体ダイヤフラムで、この半導体ダ
イヤフラム１の上面に、拡散により４つの半導体
ストレーンゲージ１７，１８，１９，２０が同心
状に一体形成されている。第４図において、ブリ
ツジ回路２は上記半導体ストレーンゲージ１７，
１８，１９，２０をブリツジ接続してなり、相対
する１対の端子２１，２２を入力端子とし、他の
一対の端子２３，２４を出力端子とするもので、
出力端子２３，２４には、零点オフセツト電圧の
温度ドリフトを補償する、すなわち零点出力の温
度補償を行なう補償抵抗体２５，２６が接続され
るとともに、調節回路２７を介して出力段の差動
増幅器２８に接続されている。上記調節回路２７
は、ブリツジ回路２の２つの出力端子２３，２４
からの差動出力を単一出力、すなわ、出力差に応
じた電圧に変換するための抵抗体３０〜３３およ
び演算増幅器３５と、上記増幅器２８に所定のバ
イアス電圧を印加するための分圧抵抗体３６，３
７とからなる。
上記調節回路２７の増幅器３５の出力は抵抗体
３８を介して増幅器２８の一方の入力端子に入力
され、この増幅器２８の他方の入力端子には、分
圧抵抗体３６，３７によつて分圧された電圧が入
力されている。増幅器２８のフイードバツク回路
には正温度係数を有する感熱抵抗体３９が接続さ
れており、これにより、後述するように増幅器３
５からの出力信号の温度補償を行なつている。
３８を介して増幅器２８の一方の入力端子に入力
され、この増幅器２８の他方の入力端子には、分
圧抵抗体３６，３７によつて分圧された電圧が入
力されている。増幅器２８のフイードバツク回路
には正温度係数を有する感熱抵抗体３９が接続さ
れており、これにより、後述するように増幅器３
５からの出力信号の温度補償を行なつている。
つぎに、上記第４図の構成の動作について説明
する。半導体ダイヤフラム１６に圧力が作用しな
いときのブリツジ回路２の出力、すなわ零点オフ
セツト電圧をV0、圧力に比例する電圧をV8とす
る。また、抵抗体３０〜３３，３８，３９の抵抗
値をそれぞれR30〜R39とし、電源４１，４２の
電圧をそれぞれVA，VBとすると、調節回路２７
の端子４３の電圧V43は、V43＝（V0＋V8）R33／R30、 ただしR32／R31＝R33／R30 増幅器２８の出力端子４４の電圧V44は、 V44＝R39／R38｛R37／R36＋R37（VA＋VB）−（V0
＋V8）R33／R30｝＋R37／R36＋R37（VA＋VB） となり、 V0R33／R30＝R37／R36＋R37（VA＋VB） となるようにR36，R37を選択すれば、つまり零
点オフセツト電圧V0に対応した電圧V0R33／R30
が増幅器２８の他方の入力端子（プラス側）に入
力されるようにすれば、 V44＝−R39／R38・R33／R30．V8 ＋R37／R36＋R37（VA＋VB） となる。つまり、R36，R37を含む調節回路２７
により増幅器２８への入力信号が調節され、この
増幅器２８の出力V44に零点オフセツト電圧V0が
重畳されなくなる。
する。半導体ダイヤフラム１６に圧力が作用しな
いときのブリツジ回路２の出力、すなわ零点オフ
セツト電圧をV0、圧力に比例する電圧をV8とす
る。また、抵抗体３０〜３３，３８，３９の抵抗
値をそれぞれR30〜R39とし、電源４１，４２の
電圧をそれぞれVA，VBとすると、調節回路２７
の端子４３の電圧V43は、V43＝（V0＋V8）R33／R30、 ただしR32／R31＝R33／R30 増幅器２８の出力端子４４の電圧V44は、 V44＝R39／R38｛R37／R36＋R37（VA＋VB）−（V0
＋V8）R33／R30｝＋R37／R36＋R37（VA＋VB） となり、 V0R33／R30＝R37／R36＋R37（VA＋VB） となるようにR36，R37を選択すれば、つまり零
点オフセツト電圧V0に対応した電圧V0R33／R30
が増幅器２８の他方の入力端子（プラス側）に入
力されるようにすれば、 V44＝−R39／R38・R33／R30．V8 ＋R37／R36＋R37（VA＋VB） となる。つまり、R36，R37を含む調節回路２７
により増幅器２８への入力信号が調節され、この
増幅器２８の出力V44に零点オフセツト電圧V0が
重畳されなくなる。
いま、抵抗体３９は正温度係数抵抗体であるか
ら、抵抗値R39／R38は温度とともに増加し、圧力に 比例する電圧V8の温度上昇に伴う減少を補償す
ることができる。
ら、抵抗値R39／R38は温度とともに増加し、圧力に 比例する電圧V8の温度上昇に伴う減少を補償す
ることができる。
この発明は上記第３図および第４図のように構
成され、半導体ストレーンゲージ１７〜２０が半
導体ダイヤフラム１６に一体形成されているか
ら、ストレーンゲージの接着不良という問題がな
く、特性が良好になり、しかも量産性にも優れ
る。また、ブリツジ回路２は４つのストレーンゲ
ージで構成されているから、出力が大きくなり、
それだけ検知精度が向上する。このようなブリツ
ジ回路２からの出力は、その零点オフセツト電圧
が大きいが、上記出力の補償抵抗体２５，２６に
よる零点温度補償と、調節回路２７による零点補
償と、感熱抵抗体３９による感度温度補償とが行
なわれて、温度変化による誤差の少ない安定した
出力信号が出力端子１２から得られる。
成され、半導体ストレーンゲージ１７〜２０が半
導体ダイヤフラム１６に一体形成されているか
ら、ストレーンゲージの接着不良という問題がな
く、特性が良好になり、しかも量産性にも優れ
る。また、ブリツジ回路２は４つのストレーンゲ
ージで構成されているから、出力が大きくなり、
それだけ検知精度が向上する。このようなブリツ
ジ回路２からの出力は、その零点オフセツト電圧
が大きいが、上記出力の補償抵抗体２５，２６に
よる零点温度補償と、調節回路２７による零点補
償と、感熱抵抗体３９による感度温度補償とが行
なわれて、温度変化による誤差の少ない安定した
出力信号が出力端子１２から得られる。
第５図はこの発明の第２の実施例を示すもの
で、第１の実施例と異なる点は、電源４２がなく
なり、電源４１に新たに分圧抵抗体５１，５２を
並列接続し、抵抗体３２に電圧R52／R51＋R52VAが印 加されていることである。
で、第１の実施例と異なる点は、電源４２がなく
なり、電源４１に新たに分圧抵抗体５１，５２を
並列接続し、抵抗体３２に電圧R52／R51＋R52VAが印 加されていることである。
動作を第１の実施例と異なる点だけ説明する
と、端子４４の電圧44は、 V44＝R39／R38｛R37／R36＋R37VA−（V0＋V8）・R33
／R30−R52／R51＋R52VA｝＋R37／R36＋R37VA となり、 R37／R36＋R37VA＝R33／R30 V0＋R52／R51＋R52VA となるようにR36，R37を選択すれば、 V44＝R39／R38・R33／R30・（−V8） ＋R37／R36＋R37VA となる。
と、端子４４の電圧44は、 V44＝R39／R38｛R37／R36＋R37VA−（V0＋V8）・R33
／R30−R52／R51＋R52VA｝＋R37／R36＋R37VA となり、 R37／R36＋R37VA＝R33／R30 V0＋R52／R51＋R52VA となるようにR36，R37を選択すれば、 V44＝R39／R38・R33／R30・（−V8） ＋R37／R36＋R37VA となる。
第４図に示した第１の実施例では、
R37／R36＋R37（VA＋VB）＝V0R33／R30で示されるよ
う に、V0＝R33／R30によりR37／R36＋R37（VA＋VB）の値 がきまつていたが、第５図に示した第２の実施例
では、 R37／R36＋R37VA＝R33／R30V0＋R52／R51＋R52VAで示
され るように、R37／R36＋R37VAの値はR52／R51＋R52の値を 変化させることにより任意に選ぶことができる。
したがつて、零点オフセツト電圧が半導体ストレ
ーンゲージにより異なる場合でも、R37／R36＋R37VA の値を一定に保つことができ、調整が容易とな
る。
う に、V0＝R33／R30によりR37／R36＋R37（VA＋VB）の値 がきまつていたが、第５図に示した第２の実施例
では、 R37／R36＋R37VA＝R33／R30V0＋R52／R51＋R52VAで示
され るように、R37／R36＋R37VAの値はR52／R51＋R52の値を 変化させることにより任意に選ぶことができる。
したがつて、零点オフセツト電圧が半導体ストレ
ーンゲージにより異なる場合でも、R37／R36＋R37VA の値を一定に保つことができ、調整が容易とな
る。
第６図は第３の実施例を示すもので、上記第２
の実施例と異なる点についてのみ説明する。調節
回路２７には演算増幅器５３が追加されており、
入力インピーダンスが高くなつているため、使用
する半導体ストレーンゲージに対する汎用性が高
まる。
の実施例と異なる点についてのみ説明する。調節
回路２７には演算増幅器５３が追加されており、
入力インピーダンスが高くなつているため、使用
する半導体ストレーンゲージに対する汎用性が高
まる。
以上のように、この発明によれば、半導体ダイ
ヤフラムに一体形成された半導体ストレーンゲー
ジからなる特性の優れたブリツジ回路からの出力
に、有効な零点補償および温度補償がなされるの
で、圧力に正確に比例した信号を出力する圧力検
知装置が得られる。また、ブリツジ回路からの差
動出力の単一出力への変換を演算増幅器で、ブリ
ツジ回路の零点出力の温度補償を補償抵抗体で、
零点補償を調節回路の分圧抵抗体で、感度の温度
補償を感熱抵抗体でそれぞれ別個に行なつている
ので、上記演算増幅器および各抵抗体を個別に調
節することにより圧力検出精度を上げるように装
置を容易に調整できる。
ヤフラムに一体形成された半導体ストレーンゲー
ジからなる特性の優れたブリツジ回路からの出力
に、有効な零点補償および温度補償がなされるの
で、圧力に正確に比例した信号を出力する圧力検
知装置が得られる。また、ブリツジ回路からの差
動出力の単一出力への変換を演算増幅器で、ブリ
ツジ回路の零点出力の温度補償を補償抵抗体で、
零点補償を調節回路の分圧抵抗体で、感度の温度
補償を感熱抵抗体でそれぞれ別個に行なつている
ので、上記演算増幅器および各抵抗体を個別に調
節することにより圧力検出精度を上げるように装
置を容易に調整できる。
第１図は従来例を示す回路図、第２図は第１図
のダイヤフラムの断面図、第３図はこの発明に係
る半導体ダイヤフラムの一部切欠した斜視図、第
４図はこの発明の第１の実施例を示す回路図、第
５図は第２の実施例を示す回路図、第６図は第３
の実施例を示す回路図である。 ２……ブリツジ回路、１６……半導体ダイヤフ
ラム、１７〜２０……半導体ストレーンゲージ、
２３，２４……出力端子、２５，２６……補償抵
抗体、２７……調節回路、２８……差動増幅器、
３５……演算増幅器、３６，３７……分圧抵抗
体、３９……感熱抵抗体。なお、図中、同一符号
は同一または相当部分を示す。
のダイヤフラムの断面図、第３図はこの発明に係
る半導体ダイヤフラムの一部切欠した斜視図、第
４図はこの発明の第１の実施例を示す回路図、第
５図は第２の実施例を示す回路図、第６図は第３
の実施例を示す回路図である。 ２……ブリツジ回路、１６……半導体ダイヤフ
ラム、１７〜２０……半導体ストレーンゲージ、
２３，２４……出力端子、２５，２６……補償抵
抗体、２７……調節回路、２８……差動増幅器、
３５……演算増幅器、３６，３７……分圧抵抗
体、３９……感熱抵抗体。なお、図中、同一符号
は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 外部からの圧力を受けて変形する半導体ダイ
ヤフラム、この半導体ダイヤフラムに一体形成さ
れた半導体ストレーンゲージ、この半導体ストレ
ーンゲージをブリツジ接続して構成された複数の
出力端子を有するブリツジ回路、上記ブリツジ回
路の複数の出力端子から信号を受け、これらの出
力端子からのそれぞれの信号を単一出力に変換す
ると共に、上記半導体ダイヤフラムに圧力が作用
しないときの上記ブリツジ回路の出力に相当する
バイアス電圧を出力する調節回路、上記調節回路
の出力を差動増幅すると共に上記ストレーンゲー
ジの温度による感度変動分の温度補償を施す温度
補償手段を含む増幅手段を備えたことを特徴とす
る圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8349380A JPS578425A (en) | 1980-06-18 | 1980-06-18 | Pressure detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8349380A JPS578425A (en) | 1980-06-18 | 1980-06-18 | Pressure detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS578425A JPS578425A (en) | 1982-01-16 |
| JPH0313537B2 true JPH0313537B2 (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=13803999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8349380A Granted JPS578425A (en) | 1980-06-18 | 1980-06-18 | Pressure detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS578425A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4444056A (en) * | 1982-05-05 | 1984-04-24 | Itt Corporation | Temperature compensated circuit |
| US4581940A (en) * | 1984-11-06 | 1986-04-15 | Hewlett-Packard Company | Dome and transducer with compensating temperature coefficient |
| JPS61259134A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体圧力センサ |
| IT206726Z2 (it) * | 1985-09-17 | 1987-10-01 | Marelli Autronica | Dispositivo misuratore di pressione |
| JPS62185138A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-13 | Omron Tateisi Electronics Co | 圧力センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145327A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Fuji Electric Co Ltd | Pressure transducer |
-
1980
- 1980-06-18 JP JP8349380A patent/JPS578425A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145327A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Fuji Electric Co Ltd | Pressure transducer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS578425A (en) | 1982-01-16 |
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