JPS61104305A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、Ｆ、−８ｉ−Ａｌ材（センダスト材）やＮ１
−Ｆ、−Ｍ、材（パーマロイ材）などの多結晶金属磁性
材料を用いた磁気ヘッドの製造方法に関する。

〔発明の背景〕

近年、高性能オーディオやＶＴＲ等の磁気ヘッドの磁性
材料には、ノイズに有利であるという点を考慮してセン
ダスト材やパーマロイ材などの多結晶金属磁性材料がフ
ェライトに代って使用されている。

従来より、かかる多結晶金属磁性材料を用いた磁気ヘッ
ドの製造方法の一例として、以下に説明する方法が知ら
れている。まず、多結晶金属磁性材料の１つであるＦ、
−８ｉ−Ａ、材料（センダスト材）を切断して所望形状
の一対のブロックを得、該ブロックにトラック幅規制用
切欠き溝を所定間隔おいて多数形成した後、低融点ガラ
スを充填し、これら両ブロックの互いの対向面を研摩す
る。次に、その研摩面にギャップ形成用の例えばＳｉｎ
、をスパッタして絶縁膜を形成し、加熱により前記低融
点ガラスを溶融させて両ブロックを接合した後、この両
ブロックの接合体を前記トラック幅規制用の切欠き溝部
分で所定幅に順次切断して、ヘッドチップを得る。この
ようにして得られたヘッドチップは、その後の工程でテ
ープ摺動面がアール形状にラッピングされ、さらにコイ
ルが巻回されて磁気ヘッドの完成品となる。

しかしながら、上記製造方法によって得られた磁気ヘッ
ドは、切断加工や研摩加工によって前記ブロックの内部
に加工歪が発生し易く、そのため、磁気特性が著しく劣
化するという欠点かあ、つた。

また、多結晶の金属磁性材料からなる前記ブロックは結
晶粒間に多量のガスを含んでいるため、ガラス融着時の
熱によってブロック内部のガスがガラス内部に気泡とし
て残留してしまい、その結果、該気泡内に磁気テープの
磁性粉が入り込んで正確な記録再生ができなくなるとい
う欠点があった。

そこで、上記の製造工程に加え、ガラス充填前の前記ブ
ロックにアニール処理を施す他の方法が提案されている
。かかる製造方法では、付加したアニール工程によって
、ブロックの加工歪の除去とブロック内部のガス抜きと
を行うことができるものの、ブロックが多結晶の金属磁
性材料であるため、アニール時の最高温度を再結晶温度
以下に設定する必要があり、そのため、ブロック内部の
ガスを完全に抜き取ることができず、特に、金属磁性材
料の結晶粒界に有機不純物が残留してしまうという不具
合がある。従りて、その後の工程で、ガラス溶融温度を
アニール温度以下に設定したとしても、先の有機不純物
からの有機ガスが溶融状態のガラスに入り込み、ガラス
内部の気泡を完全に抑えることは不可能であった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、磁気特性
に優れ、正確な記録再生が可能な磁気ヘッドの製造方法
を提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、多結晶金属磁性
材料からなる一対のブロックにトラック幅規制用のガラ
スを充填する前に、両ブロックのトラック幅規制用切欠
き溝内にＰｂ０膜を形成するとともに、両ブロックにア
ニール処理を施した点に特徴がある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図は本発明に係る方法によって製造された磁気ヘッ
ドの一実施例を示す斜視図であって、１は磁気コア、２
はスライダー、３はコイル、Ｇはギャップである。

第１図において、Ｆｇ−８ｉ−Ａｌ材（センダスト材）
やＮ番−Ｆ、−Ｍ、材（パーマロイ材）などの多結晶金
属磁性材料からなる磁気コア１には所定のトラック幅の
ギャップＧが形成され、該ギャップＧの両側には円弧状
の切欠き４が形成されている。これらギャップＧおよび
切欠き４内には低融点鉛ガラスが充填されている。

前記磁気コア１０両側には、セラミックスや非磁性フェ
ライト材などからなる保護用のスライダー２が接着され
ており、これら磁気コア１とスライダー２の端面はテー
プ摺動面をなすようアール形状に研摩され、また、磁気
コア１とスライダー２とに開設された窓５にはコイル３
が巻回されている。

かかる磁気ヘッドは、前記テープ摺動面がメタルテープ
などの磁気テープ上を摺動するが、磁気コア１のテープ
ランニング摩耗は、磁気コア１をサンドウィッチ状に挾
んだ両スライダー２により防止されている。

第２図は、上記磁気ヘッドの製造工程の概略を示す斜視
図である。

この＠２図において、まず、多結晶金属磁性材料として
例えばＦ、−８ｉ−ＡＩ材（センダスト材）を準備し、
これを切断して２本の棒状のブロック６．６を得、その
うちの一方に凹溝７を形成するとともに、両ブロック６
．６の陵部に所定の間隔ｔをおいて多数の半円錐状の切
欠き溝８．８を形成する（第２図（イ）参照）。

次に、両ブロック６．６の互いのギャップ対向面６α、
６αを研摩する。両ブロック６．６は、これまでの切断
加工および研摩加工より内部に加工歪を発生するため、
その後、焼鈍炉に入れられて所定の温度でアニール処理
される。このアニール処３１によって、両ブロック６．
６の加工歪が除去されるとともに、両ブロック６．６内
部のガス抜きが行われるが、かかるアニール処理の最高
温度はセンダストの再結晶温度以下に設定しなくてはな
らないため、両ブロック６．６内部のガスを完全に抜き
出すことはできない。特に、センダスト材は多結晶であ
りて、結晶粒内は単一α相であるのに対し、結晶粒界は
有機不純物を含む複雑な組成となっているため、後述す
るガラス融着時の熱によりこの有機不純物から有機ガス
が発生してしまう。

そこで、第２図（ロ）に示すように、両ブロック６゜６
の切欠き溝８．８内にＰｈＯ膜９，９をそれぞれ形成し
、これを不動態皮膜としてセンダスト結晶粒界の有機不
純物をとじこめる。

次に、前記切欠ぎ溝８．８内に溶融状態の低融点鉛ガラ
ス１０を充填してギャップ対向面６．６を研摩し、ギヤ
ツブ形成用Ｓ−〇２膜をスパッタし、両ブロック６．６
を接合し、第２図（／→に示す如き接合体１１を得る。

この時、センダストの結晶粒界は先のＰｂＯ９の不動態
膜によって不動態化させられているため、両ブロック６
．６の切欠き溝８．８内からの有機ガスの発生は抑えら
れ、低融点鉛ガラス１０内に気泡が入り込むことはない
。

次に、かかる接合体１１を各切欠き溝８の略中心部にて
順次切断し、第２図に）に示すように、ギャップＧの両
側に円弧状の切欠き４．４を有し、中央に窓５を有する
ヘッドチップ１２を得る。そして、このヘッドチン１１
２０両側面を所定幅まで研摩した後、ヘッドチン１１２
０両側面に窓５を開設したスライダー２．２を接着し、
最後Ｋ。

ヘッドチップ１２と両スライダー２．２のギヤツブＧ側
端面をアール形状にラップ研摩し、前記窓５にコイル３
を巻回することによって、第１図に示した磁気ヘッドを
得る。

このようｋして製造された磁気ヘッドは、アニール工程
によって磁気コア１の加工歪が除去されているため、磁
気特性に優れており、また、ギャップＧを形成する低融
点ガラス１０内に気泡がないため、ギャップＧの幅や長
さを正確に出すことができる。

また、上記実施例では、トラック幅規制用のガラスとし
て鉛を含む低融点鉛ガラス１０を用いてなるため、低融
点鉛ガラス１０とＰ、６０９との馴染みが良く、Ｐｂ０
９　Ｋよる悪影響はほとんどない。

次に、上述した製造方法におけるｐ、５ｏ　９の形成工
程とアニール工程とについて、その具体例をいくつか説
明する。なお、Ｐｈ０９の形成工程とアニール工程以外
の各工程については、上記実施例ですでに説明しである
ため、以下の各具体例ではその説明を省略する。

具体例１ 第２図（（３に示す形状に加工された両ブロック６．６
と鉛ガラスとを同一の焼鈍炉内に入れ、両プロツク６．
６の研摩されたギャップ対向面６α、６αを所定距離保
った状態で鉛ガラスの上方に対向させる。次に、焼鈍炉
を低酸素雰囲気中で所定温度まで昇温し、両ブロック６
．６にアニール処理を施す。この時、アニール温度によ
って鉛ガラスが溶融状態となるため、該鉛ガラス中のＰ
ｂＯが蒸気となって両ブロック６．６の切欠き溝８．８
内近くの結晶粒界に入り込み、これが厚い拡散障壁皮膜
（Ｐ、６ＯＮ１９．９）となって不動態となる。なお、
焼鈍炉を低酸素雰囲気とした理由は、両ブロック６．６
の材料であるセンダスト中のＦ−成分が酸化するのを防
止するためである。

具体例２ 第２図（イ）に示す形状に加工された両ブロック６．６
を焼鈍炉内に入れ、これを低酸素雰囲気中でアニールし
た後、両ブロック６．６の切欠き溝８．８内に金属鉛Ｐ
ｈをスパッタリングする。次に、両ブロック６．６を再
度加熱して前記金属鉛Ｐ、６を酸化させ１両ブロック６
．６の切欠き溝８．８内にＰｈＯ膜９．９を形成する。

この時の加熱温度は先のアニール温度よりも低（て良く
、また、かかる再加熱はＰＡの酸化を促進させるために
高酸素雰囲気中で行うと良い。

具体例３ 第２図（イ）に示す形状に加工された両ブロック６．６
の切欠き溝８．８内に低融点高鉛ガラスを微少膜厚スパ
ッタリングし、その後、このブロック６．６を焼鈍炉内
に入れ、これを低酸素雰囲気中でアニールする。この時
、低融点高鉛ガラス中の一部のＰｈＯは両ブロック６．
６の結晶粒間の気孔中に入り込んで該気孔を塞ぐ。

なお、かかる低融点高鉛ガラスは、後工程のトラック幅
規制用の低融点鉛ガラス１０に比べて鉛含有量が多い方
が良く、また、その膜厚は低融点鉛ガラス１０に比べて
十分に小さくする必要があるが、アニール工程で低融点
高鉛中のガラスが溶融し、該ガラスが切欠き溝内の金属
磁性材料の結晶粒界に浸透するに必要な量が必要である
。

具体例４ 上記具体例３で説明したスパッタリング法に代えグラス
ライニング法にて、溶融状態の低融点高鉛ガラスを両ブ
ロック６．６の切欠き溝８．８内上に微少ｊ漠厚形成し
、その後、同様にして両ブロック６．６にアニール処理
を施す。

〔発明の効果〕

以上説明したようＫ、本発明によれば、Ｆ、−３ｉ　−
Ａ　、材などの多結晶金属材料からなる一対のブロック
をガラス融着して接合する際に、そのガラス内部にブロ
ックからの気泡が発生するのを防止でき、しかも、ブロ
ックの接合体から切り出された磁気コアの加工歪を除去
できるため、正確な記鋒再生が可能で磁気特性に優れた
磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る製造方法によって製造された磁気
ヘッドの斜視図、第２図（（）、（ロ）、（ハ）、に）
は本発明による磁気ヘッドの製造方法の概略を示す斜視
図である。 １・・・・・・磁気コア、２・・・・・・スライダー、
３・・・・・・コイル、５・・・・・・窓、６・・・・
・・ブロック、７・・・・・・凹溝。 ８・・・・・・切欠き、９・・・・・・Ｉ）　ｈＯ膜、
１ｏ・・・・・・低融点鉛ガラス、１１・・・・・・接
合体、１２・・・・・・ヘッドチップ。 第２図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）一対の多結晶金属磁性材料からなるブロックのそ
   れぞれにトラック幅規制用切欠き溝を形成し、その切欠
   き溝内にトラック幅規制用のガラスを充填した後、互い
   の対向面を研磨し、この対向面にギャップ形成用ガラス
   をスパッタして前記両ブロックをガラス融着により接合
   し、しかる後、その接合体を所定厚さに順次切り出して
   ヘッドチップを製造する方法において、前記両ブロック
   のトラック幅規制用ガラスを充填する前に、両ブロック
   の切欠き溝内にＰｂＯ膜を形成するとともに、両ブロッ
   クにアニール処理を施したことを特徴とする磁気ヘッド
   の製造方法。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項において、低酸素雰囲
   気中の焼鈍炉内に前記ブロックと鉛ガラスとを離反状態
   で配置し、かかる状態で前記ブロックに前記アニール処
   理を施すとともに、該アニール時に前記鉛ガラスより発
   生する蒸気により前記ＰｂＯ膜を形成したことを特徴と
   する磁気ヘッドの製造方法。
3. （３）特許請求の範囲第（１）項において、前記両ブロ
   ックに前記アニール処理を施した後、該ブロックの切欠
   き溝内に金属鉛をスパッタリングし、しかる後、加熱に
   より該金属鉛を酸化させて前記ＰｂＯ膜を形成したこと
   を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
4. （４）特許請求の範囲第（１）項において、前記ブロッ
   クの切欠き溝内に鉛ガラスをスパッタリングした後、前
   記アニール処理を施すとともに、該アニール時に前記鉛
   ガラスを溶融させ、切欠き溝内に均一に膜を分布させ、
   金属磁性材料の結晶粒界に鉛ガラスを浸透させたことを
   特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
5. （５）特許請求の範囲第（１）項において、本前記アニ
   ール処理を施すとともに前記ブロックの切欠き溝内にグ
   ラスライニング法により低融点高鉛ガラスの膜を形成さ
   せ、金属磁性材料の結晶粒界に鉛ガラスを浸透させたこ
   とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。