JPS61102243A - 誘電体基板 - Google Patents
誘電体基板Info
- Publication number
- JPS61102243A JPS61102243A JP22526884A JP22526884A JPS61102243A JP S61102243 A JPS61102243 A JP S61102243A JP 22526884 A JP22526884 A JP 22526884A JP 22526884 A JP22526884 A JP 22526884A JP S61102243 A JPS61102243 A JP S61102243A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- base material
- sheet
- copper foil
- loss tangent
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- Pending
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- Laminated Bodies (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波受信用アンテナのコンバーター用基
板の作製に好適な誘電体基板に関する。
板の作製に好適な誘電体基板に関する。
（従来の技術）
マイクロ波受信用アンテナは通信衛星、放磁衛星、レー
ダー通信等に用いられている０このアンテナにはダウン
コンバーターとし、ての機能を有する誘電体のプリント
回路基板が要求されることがある０而してダウンコンバ
ーターの場合には、小型化できること訃よび伝送エネル
ギー損失減少のため、誘電率が比較的高く且つ誘電正接
が低いのが好ましいものである。
ダー通信等に用いられている０このアンテナにはダウン
コンバーターとし、ての機能を有する誘電体のプリント
回路基板が要求されることがある０而してダウンコンバ
ーターの場合には、小型化できること訃よび伝送エネル
ギー損失減少のため、誘電率が比較的高く且つ誘電正接
が低いのが好ましいものである。
ところで、従来、マイクロ波受信用アンテナのコンバー
ター用基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂粉末
を散布塗工し、次いでこの散布塗工を施したガラスクロ
ス同志全積層したシート状基材の両面に銅箔を接合して
得られる誘電体基板を用い、この基板の表面の銅箔をエ
ツチングしてパターン状のストリップ導体を形成し、裏
面の銅箔をそのまま地導体とした構造のものが知られて
いる。
ター用基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂粉末
を散布塗工し、次いでこの散布塗工を施したガラスクロ
ス同志全積層したシート状基材の両面に銅箔を接合して
得られる誘電体基板を用い、この基板の表面の銅箔をエ
ツチングしてパターン状のストリップ導体を形成し、裏
面の銅箔をそのまま地導体とした構造のものが知られて
いる。
また、ガラスクロスにフッ累樹脂ディスパージョンを浸
漬塗工して乾燥し、次いでこの浸漬塗工を施したガラス
クロス同志ｔ−積層したシート状基材の両面に、上記と
同様にしてパターン状のストリップ導体および地導体を
設けたものも知られている。
漬塗工して乾燥し、次いでこの浸漬塗工を施したガラス
クロス同志ｔ−積層したシート状基材の両面に、上記と
同様にしてパターン状のストリップ導体および地導体を
設けたものも知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
これらコンバーター用基板から、 ＪＩＳ Ｃ６４８１
に基づく試験試料を作成し、誘電率および誘電正接ｅ温
度２ｓ℃、ＩＭＨｚで測定してみると、前者は誘電率が
４〜５、誘電正接が０．０１〜０．０３であ勺、後者は
誘電率が２．２〜２．８．誘電正接が０．００１〜０．
００３でるシ、これら両特性には木だｒｙｉ嵜すべき余
地がある。
に基づく試験試料を作成し、誘電率および誘電正接ｅ温
度２ｓ℃、ＩＭＨｚで測定してみると、前者は誘電率が
４〜５、誘電正接が０．０１〜０．０３であ勺、後者は
誘電率が２．２〜２．８．誘電正接が０．００１〜０．
００３でるシ、これら両特性には木だｒｙｉ嵜すべき余
地がある。
また、上記から判るように、一般に誘電体基板にお因で
は、誘を率が大きくなると、それに伴なって誘電正接が
大きくなる傾向を有している。従って、誘電率が高いに
も拘らず、誘電正接の低い誘電体基板を提供できれば、
理想的なコンバーター用基板に一歩近づくことになるの
で好ましいものである。
は、誘を率が大きくなると、それに伴なって誘電正接が
大きくなる傾向を有している。従って、誘電率が高いに
も拘らず、誘電正接の低い誘電体基板を提供できれば、
理想的なコンバーター用基板に一歩近づくことになるの
で好ましいものである。
高誘電率で且つ低誘電正接の誘電体基板を作製する方法
としては、（ａ）高誘１！率で且つ比較的低誘電正接の
材料と低誌電、ｆ接の材料を混合して基板を作表する方
法、或いは（ｂ）新たに分−子設計的に高誘電率且つ低
誘電正接の材料を開発し、この材料によシ基板を作製す
る方法が考えられる。
としては、（ａ）高誘１！率で且つ比較的低誘電正接の
材料と低誌電、ｆ接の材料を混合して基板を作表する方
法、或いは（ｂ）新たに分−子設計的に高誘電率且つ低
誘電正接の材料を開発し、この材料によシ基板を作製す
る方法が考えられる。
しかしながら、（ｂ）法は設計上の困離さから、現在ま
でに有効な提案はなされていない。一方、（ａ）法によ
る場合には、適切な材料選択を行なえば。
でに有効な提案はなされていない。一方、（ａ）法によ
る場合には、適切な材料選択を行なえば。
目的を達成し得るものが得られ、例えば、その−例とし
て、高誘電率で且つ比較的低誘電正接の無機質充填剤と
低誘電正接材料であるポリテトラフルオロエチレン（以
下、 ＰＴＦＥと称す）を混合して用いる方法が提案さ
れている。
て、高誘電率で且つ比較的低誘電正接の無機質充填剤と
低誘電正接材料であるポリテトラフルオロエチレン（以
下、 ＰＴＦＥと称す）を混合して用いる方法が提案さ
れている。
上記ＰＴＦＥと無機質充填剤の混合物をシート状に成形
しｆｃ誘電体は、誘ｉｋ率が高く且つ誘電正接が低いの
で、好ましいものであるが、銅箔との接着性が悪ろくで
、実用に耐え得る誘電体基板が得られておらず、この点
の克服が急務とされていた。
しｆｃ誘電体は、誘ｉｋ率が高く且つ誘電正接が低いの
で、好ましいものであるが、銅箔との接着性が悪ろくで
、実用に耐え得る誘電体基板が得られておらず、この点
の克服が急務とされていた。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明者達は上記塊状に鑑み鋭意検討の結果、熱融着性
を有するフッ素樹脂フィルムを接着層として介在せしめ
ると２にしｐ、ＰＴＦＥ粉末と無機質充填剤粉末から成
る誘電体基材の高誘電止接且つ低誘電正接を維持したま
まｆＭ箔と強固に接着し得ることを見出し、本発明を完
成するに至ったものである。
を有するフッ素樹脂フィルムを接着層として介在せしめ
ると２にしｐ、ＰＴＦＥ粉末と無機質充填剤粉末から成
る誘電体基材の高誘電止接且つ低誘電正接を維持したま
まｆＭ箔と強固に接着し得ることを見出し、本発明を完
成するに至ったものである。
即ち、本発明に係る誘電体基板は、ＰＴＦＥと無機質充
填剤から成るシート状基材の画面に、フッ素樹脂フィル
ムを介して銅箔が接合されていることを特徴とするもの
である。
填剤から成るシート状基材の画面に、フッ素樹脂フィル
ムを介して銅箔が接合されていることを特徴とするもの
である。
本発明において用いるシート状誘電体基材は、ＰＴＦＥ
粉末と少なくとも１櫨の無機質充填剤粉末を混合したも
ので、厚さは通常約５０〜５００μ仇である。このシー
ト状基材は５例えばＰＴＦＥ粉末と無機質充填剤を混合
し、この混合物を金型に充填し、室温、圧力２００〜８
００ｋＦｌ／ｅｄの条件で３０分〜２時間加圧成形し、
その後この成形物を金型からＪｔ１１１出し、常圧下に
おいて温度３５５〜３９０℃の条件で１０〜５０時間加
熱して焼成し３次いで除冷し、これを旋盤によシ所定厚
みのシート状に切削する方法等によシ得ることができる
０無機質光槙剤の具体例としては酸化物系のＡｌ２Ｏ５
、ＢｅｄｓＭｇ Ｏｓ Ｔ ｉｏ ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ
Ｏ２，ＴｈＯ２，５ｎ０２、Ｃａｂ） Ｎ１ｐｓＢｉ２
０ａ、Ｐｂ Ｏ＊ ＢａＯｓ ＺｎＯなどの単成分系、
ムライト、スピネル、ジルコン、ステアタイト、ホルス
ＷＳｉ２．およびこれらの混合系が挙げられる。
粉末と少なくとも１櫨の無機質充填剤粉末を混合したも
ので、厚さは通常約５０〜５００μ仇である。このシー
ト状基材は５例えばＰＴＦＥ粉末と無機質充填剤を混合
し、この混合物を金型に充填し、室温、圧力２００〜８
００ｋＦｌ／ｅｄの条件で３０分〜２時間加圧成形し、
その後この成形物を金型からＪｔ１１１出し、常圧下に
おいて温度３５５〜３９０℃の条件で１０〜５０時間加
熱して焼成し３次いで除冷し、これを旋盤によシ所定厚
みのシート状に切削する方法等によシ得ることができる
０無機質光槙剤の具体例としては酸化物系のＡｌ２Ｏ５
、ＢｅｄｓＭｇ Ｏｓ Ｔ ｉｏ ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ
Ｏ２，ＴｈＯ２，５ｎ０２、Ｃａｂ） Ｎ１ｐｓＢｉ２
０ａ、Ｐｂ Ｏ＊ ＢａＯｓ ＺｎＯなどの単成分系、
ムライト、スピネル、ジルコン、ステアタイト、ホルス
ＷＳｉ２．およびこれらの混合系が挙げられる。
これら充填剤は単成分糸ないし混合系をとゎす、常温常
圧下における誘１を率が５〜５００で、誘電正接が０．
０１〜０．０００１であることが好ましめ。誘電率が５
よ９小さいと、誘電体基板としての誘電体が余ル大きく
できない。誘を革が５００ よシ大きくなると、誘電体
基板としての自ｉｃ率が大きくなシすぎたシ、少量配合
系での蔭電特性のバラツキを助長したシする欠点が塊わ
れ、ともに適当ではない。
圧下における誘１を率が５〜５００で、誘電正接が０．
０１〜０．０００１であることが好ましめ。誘電率が５
よ９小さいと、誘電体基板としての誘電体が余ル大きく
できない。誘を革が５００ よシ大きくなると、誘電体
基板としての自ｉｃ率が大きくなシすぎたシ、少量配合
系での蔭電特性のバラツキを助長したシする欠点が塊わ
れ、ともに適当ではない。
これら充填剤の平均粒径は約６０μ悔以下とするのが好
ましく、またＰ ＴＦＥとの配合割合は％ＰＴＦＥ１０
０重蓋部に対し、約１０〜６５重量部とするのが実用的
でるる。
ましく、またＰ ＴＦＥとの配合割合は％ＰＴＦＥ１０
０重蓋部に対し、約１０〜６５重量部とするのが実用的
でるる。
不発明においては、上記シート状基材の両面に。
熱融着性を育するフッ累樹脂、例えばＰＴＦＥ、テトラ
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピン共重合体（
以下，ＦＥＰと称す）、ポリクロロトリフルオロエチレ
ン（以下、ＰＣＴＦ’Ｅ ト称す）、パーフルオロエチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（
以下，ＰＦＡと称す）、工テレンーテトラフルオロエチ
レン共重合体等から成るフィルムを介して、厚さ約ｌＯ
〜１００μｍの銅箔が接合される。フッ素樹脂フィルム
の厚さは、シート状基材作製に用いた無機質充填剤の粒
径、配合量等に応じて決定するが、通常は約ｌθ〜１０
０μ毒である。このフッ素樹脂フィルムは、接着性向上
のためその表面にスパッタエツチング処理、コロナ放電
処理、金属ナトリウ処理等を施して用いることができる
。
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピン共重合体（
以下，ＦＥＰと称す）、ポリクロロトリフルオロエチレ
ン（以下、ＰＣＴＦ’Ｅ ト称す）、パーフルオロエチ
レン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（
以下，ＰＦＡと称す）、工テレンーテトラフルオロエチ
レン共重合体等から成るフィルムを介して、厚さ約ｌＯ
〜１００μｍの銅箔が接合される。フッ素樹脂フィルム
の厚さは、シート状基材作製に用いた無機質充填剤の粒
径、配合量等に応じて決定するが、通常は約ｌθ〜１０
０μ毒である。このフッ素樹脂フィルムは、接着性向上
のためその表面にスパッタエツチング処理、コロナ放電
処理、金属ナトリウ処理等を施して用いることができる
。
シート状基材と銅箔の接合は、両者間に介在せしめられ
たフッ素樹脂フィルムを溶融せしめると共に力日圧する
方法によシ行なうことができる。従って、加熱温度は該
フィルムの溶融温度〜分解温度である。また、圧力はフ
ィルムの種類、加熱温度等によって変わシ得るが、通常
は約２〜５０ψ智である。なお、この際にはシート状基
材の形成材料であるＰＴＦＥをも溶融すれば％接着強度
がよシ：１ 向上するので好適である。
たフッ素樹脂フィルムを溶融せしめると共に力日圧する
方法によシ行なうことができる。従って、加熱温度は該
フィルムの溶融温度〜分解温度である。また、圧力はフ
ィルムの種類、加熱温度等によって変わシ得るが、通常
は約２〜５０ψ智である。なお、この際にはシート状基
材の形成材料であるＰＴＦＥをも溶融すれば％接着強度
がよシ：１ 向上するので好適である。
かような本発明に係る誘電体基板は、誘電率が約４〜２
０と高く、シかも真電正接は５ＸｌＯ−３以下と低く、
更にシート状基材と銅箔との接着強度が大きなものであ
る。
０と高く、シかも真電正接は５ＸｌＯ−３以下と低く、
更にシート状基材と銅箔との接着強度が大きなものであ
る。
本発明の誘電体基板におけるシート状基材と銅箔との接
着強度が何故大きいのかは必らずしも明らかではないが
、シート状基材はＰＴＦＥと無機質充填剤を均一に混合
したものでめシ、基材と銅箔をフッ素樹脂フィルムを介
して重ね合わせ、加熱加圧して接合する際に、充填剤の
うちの基材表面付近に存在している粒子が、溶融状態と
なったフッ素樹脂フィルム中に食込んで投錨力を発揮し
、一方、銅箔が熱溶融状態となったフン累樹脂と接着す
るためと考えられる。
着強度が何故大きいのかは必らずしも明らかではないが
、シート状基材はＰＴＦＥと無機質充填剤を均一に混合
したものでめシ、基材と銅箔をフッ素樹脂フィルムを介
して重ね合わせ、加熱加圧して接合する際に、充填剤の
うちの基材表面付近に存在している粒子が、溶融状態と
なったフッ素樹脂フィルム中に食込んで投錨力を発揮し
、一方、銅箔が熱溶融状態となったフン累樹脂と接着す
るためと考えられる。
（実施例）
以下、実施例によ）本発明を更に詳細に説明する。
実施例
ＰＴＦＥ粉末（ダイキン社製、商品名Ｍ−１２）１００
重量部に対し、無機質充填剤として平均粒径ｌＯμｍの
ＣａＴｉ０ａ ２０重量部を加え均一に混合する。
重量部に対し、無機質充填剤として平均粒径ｌＯμｍの
ＣａＴｉ０ａ ２０重量部を加え均一に混合する。
次に、この混合物を金型に充填し、室温、圧力１８０ｋ
ｇ／ｃｒ／Ｌの条件で１時間加圧成形した後、金型から
成形物を取シ出し、常圧のもとて３７０℃の温度で２４
時間加熱して焼成し、次いで除冷する。
ｇ／ｃｒ／Ｌの条件で１時間加圧成形した後、金型から
成形物を取シ出し、常圧のもとて３７０℃の温度で２４
時間加熱して焼成し、次いで除冷する。
その後、旋盤を用いて該成形物を切削し、厚さ０．８Ｉ
ＩＩのシート状基材を得る。
ＩＩのシート状基材を得る。
次に、このシート状基材の両面に未焼成のＰＴＦＥフィ
ルム（厚さ８０μｍ）を介して、厚さ３５μ飢の銅箔（
古河サーキット・フォイル社製電解銅箔ＴＴＡＩ ）を
重ね合わせ、圧力１０ｋｇ／ｃ４ｓ温度３８０℃の条件
で２０分間加熱加圧することによシ、誘フッ素樹脂フィ
ルム、加熱加圧時の温度を第１表に示すように設定する
以外は全て試料番号ｌの場合と同様に作業して、試料番
号２〜７の誘電体基板を得た。なお、試料番号７を得る
際のフッ素樹脂フィルムは銅箔に対応する面を圧力約１
Ｏ−３Ｔｏｒｒ 、 １０Ｗａｔｔ−ｓｅｃ／ｃａの
条件でスパッタエツチング処理して用いた。
ルム（厚さ８０μｍ）を介して、厚さ３５μ飢の銅箔（
古河サーキット・フォイル社製電解銅箔ＴＴＡＩ ）を
重ね合わせ、圧力１０ｋｇ／ｃ４ｓ温度３８０℃の条件
で２０分間加熱加圧することによシ、誘フッ素樹脂フィ
ルム、加熱加圧時の温度を第１表に示すように設定する
以外は全て試料番号ｌの場合と同様に作業して、試料番
号２〜７の誘電体基板を得た。なお、試料番号７を得る
際のフッ素樹脂フィルムは銅箔に対応する面を圧力約１
Ｏ−３Ｔｏｒｒ 、 １０Ｗａｔｔ−ｓｅｃ／ｃａの
条件でスパッタエツチング処理して用いた。
更に、参考例として、フッ素樹脂フィルムを使用しない
こと以外は全て試料番号２の場合と同様に作業して、試
料番号８の誘電体基板を得た。
こと以外は全て試料番号２の場合と同様に作業して、試
料番号８の誘電体基板を得た。
第１表
これら誘電体基板の肪寛率、誘電正接および銅箔とシー
ト状基材との接着力をＪＩＳ Ｃ６４８１に準じて測
定した結果を下記第２表に示す。なお、試料番号ｌ〜７
における接着力は、銅箔とフン累樹脂フィルムの界面で
剥離せしめて測定した値である。また、誘電率２よび誘
電正接は温度２５℃、ＩＭＨｚの条件で測定した。
ト状基材との接着力をＪＩＳ Ｃ６４８１に準じて測
定した結果を下記第２表に示す。なお、試料番号ｌ〜７
における接着力は、銅箔とフン累樹脂フィルムの界面で
剥離せしめて測定した値である。また、誘電率２よび誘
電正接は温度２５℃、ＩＭＨｚの条件で測定した。
第２表
（発明の効果）
上記実施例からも判るように１本発明は高誘電率且つ低
誘電正接であり、しかも銅箔とシート状基材の接着強度
が大きいという特徴がある。
誘電正接であり、しかも銅箔とシート状基材の接着強度
が大きいという特徴がある。
Claims (1)
- ポリテトラフルオロエチレンと無機質充填剤から成るシ
ート状基材の両面に、マツ素樹脂フィルムを介して銅箔
が接合されていることを特徴とする誘電体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22526884A JPS61102243A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 誘電体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22526884A JPS61102243A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 誘電体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102243A true JPS61102243A (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=16826656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22526884A Pending JPS61102243A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 誘電体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102243A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04505992A (ja) * | 1989-03-16 | 1992-10-15 | ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド | 高容量ラミネート |
| WO2019031071A1 (ja) | 2017-08-08 | 2019-02-14 | 住友電気工業株式会社 | 高周波プリント配線板用基材 |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22526884A patent/JPS61102243A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04505992A (ja) * | 1989-03-16 | 1992-10-15 | ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド | 高容量ラミネート |
| WO2019031071A1 (ja) | 2017-08-08 | 2019-02-14 | 住友電気工業株式会社 | 高周波プリント配線板用基材 |
| USRE49929E1 (en) | 2017-08-08 | 2024-04-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for high-frequency printed wiring board |
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