JPS61102242A - 複合基板の製造方法 - Google Patents
複合基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61102242A JPS61102242A JP22413984A JP22413984A JPS61102242A JP S61102242 A JPS61102242 A JP S61102242A JP 22413984 A JP22413984 A JP 22413984A JP 22413984 A JP22413984 A JP 22413984A JP S61102242 A JPS61102242 A JP S61102242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- composite substrate
- plate
- mirror surface
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、鏡面性のすぐれた複合基板の製造方法に関す
るものである。
るものである。
厚み１〜３箇の鏡面性、耐熱性、剛性のすぐれた基板と
して、合成樹脂と金属板等の板状体とかかる複合基板の
鏡面性表面を得るためには、成形型の所定部分を非常に
精度良い鏡面とし、成形工程において板状体上に樹脂層
を設ける際に、樹脂層表面が前記鏡面と接触し、鏡面を
樹脂層表面に形成させるのが経済的である。しかし、成
形型の鏡面部と樹脂との密着は非常に強く、成形後離型
が困難である。特にエポキシ樹脂のように接着性の強い
樹脂はそれか著しい。成形型と樹脂との離型を容易にす
る為に、樹脂中にあらかじめ離型剤を添加しておく方法
、あるいは成形時に予め成形型に離型剤を塗布する方法
があるが、いずれも、鏡面性を損う。
して、合成樹脂と金属板等の板状体とかかる複合基板の
鏡面性表面を得るためには、成形型の所定部分を非常に
精度良い鏡面とし、成形工程において板状体上に樹脂層
を設ける際に、樹脂層表面が前記鏡面と接触し、鏡面を
樹脂層表面に形成させるのが経済的である。しかし、成
形型の鏡面部と樹脂との密着は非常に強く、成形後離型
が困難である。特にエポキシ樹脂のように接着性の強い
樹脂はそれか著しい。成形型と樹脂との離型を容易にす
る為に、樹脂中にあらかじめ離型剤を添加しておく方法
、あるいは成形時に予め成形型に離型剤を塗布する方法
があるが、いずれも、鏡面性を損う。
本発明は、成形型の鏡面部に離型効果の良いい複合基板
を容易に製造する方法を提供することにおる。
を容易に製造する方法を提供することにおる。
本発明は、合成樹脂と金属板等の板状体からなる片面又
は両面が鏡面である複合基板の製造方法において、成形
型の鏡面部に離型性を有する無機又は有機化合物の薄膜
をスパッタリング等の乾式メッキによ多形成し、その鏡
面部の鏡面により複合基板の表面を鏡面とすることを特
徴とする複合基板の製造方法に関するものである。
は両面が鏡面である複合基板の製造方法において、成形
型の鏡面部に離型性を有する無機又は有機化合物の薄膜
をスパッタリング等の乾式メッキによ多形成し、その鏡
面部の鏡面により複合基板の表面を鏡面とすることを特
徴とする複合基板の製造方法に関するものである。
本発明を図面を用いて説明する。
第１図は片面のみが鏡面の複合基板を製造する場合、第
２図は両面が鏡面の複合基板を製造する場合である。
２図は両面が鏡面の複合基板を製造する場合である。
第１図において、複合基板の鏡面を形成する側の成形型
（１ａ）の表面は鏡面となっていて、この面には離型性
を有する無機又は有機化合物の薄膜（２）がスパッタリ
ング等の乾式メッキによ多形成されている。一方の型（
１ｂ）の表面は鏡面を必要としない。成形型（１ｂ）上
に板状体（３）を置き、型（１ａ）と板状体（３）との
間に樹脂を流し込み、板状体上に薄い樹脂層（４）を形
成する。
（１ａ）の表面は鏡面となっていて、この面には離型性
を有する無機又は有機化合物の薄膜（２）がスパッタリ
ング等の乾式メッキによ多形成されている。一方の型（
１ｂ）の表面は鏡面を必要としない。成形型（１ｂ）上
に板状体（３）を置き、型（１ａ）と板状体（３）との
間に樹脂を流し込み、板状体上に薄い樹脂層（４）を形
成する。
第２図においては、成形型（５ａ）、（５ｂ）の表面を
共に鏡面とし、この面に前記の離型性薄膜（２）を形成
しておく。この成形型の中央に板状体（３）ヲセットし
、板状体（３）と型（５ａ）及び（５ｂ）の間にそれぞ
れ樹脂を流し込み、板状体（３）の両面に薄い樹脂層（
６）を形成する。
共に鏡面とし、この面に前記の離型性薄膜（２）を形成
しておく。この成形型の中央に板状体（３）ヲセットし
、板状体（３）と型（５ａ）及び（５ｂ）の間にそれぞ
れ樹脂を流し込み、板状体（３）の両面に薄い樹脂層（
６）を形成する。
成形型の鏡面部への離型性薄膜の形成はスパッタリング
、イオンプレーテインク、真空蒸着等の乾式メッキ法に
より行い、その膜厚は５０〜２０００人で適当である。
、イオンプレーテインク、真空蒸着等の乾式メッキ法に
より行い、その膜厚は５０〜２０００人で適当である。
離型性薄膜用の有機又は無機化合物はＭｏＳ２、ＭｇＦ
２、ＣａＦ２、氷晶石、ＳｉＣ、テフロン等のフッ素系
樹脂、シリコーン樹脂等である。
２、ＣａＦ２、氷晶石、ＳｉＣ、テフロン等のフッ素系
樹脂、シリコーン樹脂等である。
成形型としては金属型、ガラス型等が使用される。また
、板状体としては金属板、セラミック板、ガラス板等で
あシ、樹脂は熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれでもよ
い。成形方法は圧縮成形、移送成形、射出成形、注型い
ずれでもよい。
、板状体としては金属板、セラミック板、ガラス板等で
あシ、樹脂は熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれでもよ
い。成形方法は圧縮成形、移送成形、射出成形、注型い
ずれでもよい。
本発明の方法により、成形型の鏡面性を全く失うととな
く、板状体に表面鏡面の樹脂薄膜が首尾よく形成される
。
く、板状体に表面鏡面の樹脂薄膜が首尾よく形成される
。
本発明に従うと、成形後複合基板の樹脂面と成形型面と
の離型が極めて容易になされ、鏡面性のすぐれた樹脂層
を有する複合基板を得ることが〔実施例〕 外径１３０ｗ＋１内径４０鰭、厚み１．９ ｍの両面鏡
面を有する複合基板を次のようにして製造した。
の離型が極めて容易になされ、鏡面性のすぐれた樹脂層
を有する複合基板を得ることが〔実施例〕 外径１３０ｗ＋１内径４０鰭、厚み１．９ ｍの両面鏡
面を有する複合基板を次のようにして製造した。
第２図のように、成形型の中央部に外径１３０關、内径
４０笥、厚み１．７ ｔｔｒｓのＡｔ板をセットし、エ
ポキシ樹脂成形材料を用い移送成形によｌ）、Ａｔ板の
両面に厚み１００μｍの樹脂層を形成した。成形型表面
は表面粗さＲｍａｘＯ，０２μｍ以下で、この上には予
めＭｇＦ２の１０００Ａの薄膜がスパッタリングにより
形成されている。
４０笥、厚み１．７ ｔｔｒｓのＡｔ板をセットし、エ
ポキシ樹脂成形材料を用い移送成形によｌ）、Ａｔ板の
両面に厚み１００μｍの樹脂層を形成した。成形型表面
は表面粗さＲｍａｘＯ，０２μｍ以下で、この上には予
めＭｇＦ２の１０００Ａの薄膜がスパッタリングにより
形成されている。
成形の結果、複合基板のエポキシ樹脂面と成形型面との
離型がきわめて容易であった。得られた複合基板は鏡面
性のよい（表面粗さＲｍａ ｘ Ｏ，０２μｍ以下）も
のであり、リジッド磁気ディスク用基板として極めて好
適なものであった。
離型がきわめて容易であった。得られた複合基板は鏡面
性のよい（表面粗さＲｍａ ｘ Ｏ，０２μｍ以下）も
のであり、リジッド磁気ディスク用基板として極めて好
適なものであった。
第１図、第２図は本発明の製造方法において、その一工
程を示す概略断面図である。 ｌａｓ ｔｂ、 ５ａ−、５ｂ ：成形型面２：離型性
薄膜 ３：板状体 ４．６：樹脂層
程を示す概略断面図である。 ｌａｓ ｔｂ、 ５ａ−、５ｂ ：成形型面２：離型性
薄膜 ３：板状体 ４．６：樹脂層
Claims (1)
- 合成樹脂と金属板等の板状体からなる片面又は両面が鏡
面である複合基板の製造方法において、成形型の鏡面部
に離型性を有する無機又は有機化合物の薄膜をスパッタ
リング等の乾式メッキにより形成し、その鏡面部の鏡面
により複合基板の表面を鏡面とすることを特徴とする複
合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22413984A JPS61102242A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 複合基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22413984A JPS61102242A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 複合基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102242A true JPS61102242A (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=16809157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22413984A Pending JPS61102242A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102242A (ja) |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP22413984A patent/JPS61102242A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6068801A (en) | Method for making elastic bumps from a wafer mold having grooves | |
| US3629388A (en) | Casting procedure for high quality epoxy layers | |
| CN1299315A (zh) | 用于模制光盘的结构和方法 | |
| JPS61102242A (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| JP2521600B2 (ja) | 高耐久性、高精度溶射金型の製造方法 | |
| JPS6192814A (ja) | 複合基板の製法 | |
| JPS58153608A (ja) | 合成樹脂成形用型及び合成樹脂成形方法 | |
| JPS62146606A (ja) | 樹脂成形用型 | |
| JPS6192813A (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| JPS5994815U (ja) | 押出成形機 | |
| JPS61102221A (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| JPS62143243A (ja) | 光ディスク | |
| JPS6087447A (ja) | 光ビ−ム記憶用プラスチツク基板の製造方法 | |
| JPS6119961B2 (ja) | ||
| JPS6195942A (ja) | 複合基板の製法 | |
| JPS59232836A (ja) | フイルムインサ−ト射出成形用金型 | |
| JPS60264250A (ja) | 金属板と樹脂薄膜との複合基板の製造方法 | |
| JPS62236154A (ja) | 溝付き原盤 | |
| JPS61198420A (ja) | 複合基板 | |
| JPS61105725A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS60224513A (ja) | 注形樹脂母型への離型処理方法 | |
| JPH01313947A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用封止金型 | |
| JPS5836715U (ja) | 光学部品 | |
| JPH02111040A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用封止金型 | |
| JPS6195936A (ja) | 複合基板 |