JPS61101018A - 環境制御装置 - Google Patents
環境制御装置Info
- Publication number
- JPS61101018A JPS61101018A JP22215584A JP22215584A JPS61101018A JP S61101018 A JPS61101018 A JP S61101018A JP 22215584 A JP22215584 A JP 22215584A JP 22215584 A JP22215584 A JP 22215584A JP S61101018 A JPS61101018 A JP S61101018A
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- JP
- Japan
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- atmospheric pressure
- chamber
- air
- damper
- prescribed
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、環境制御技術、特に半導体装置の製造におい
て、縮小投影露光装置が位置される環境に適用される環
境制御技術に用いて効果のある技術に関する。
て、縮小投影露光装置が位置される環境に適用される環
境制御技術に用いて効果のある技術に関する。
［背景技術］
近年、半導体基板、すなわちウェハ上に形成される集積
回路パターンは、集積回路素子に対する高密度化、高速
度化などの要求に伴って、ますます微細化、複雑化の傾
向を強めている。
回路パターンは、集積回路素子に対する高密度化、高速
度化などの要求に伴って、ますます微細化、複雑化の傾
向を強めている。
このため、製造技術、とりわけ微細パターンの加工に直
接関係するりソグラフィ技術において、露光時に、解像
度の向上の面でを利な縮小投影露光装置を用いることが
考えられる。
接関係するりソグラフィ技術において、露光時に、解像
度の向上の面でを利な縮小投影露光装置を用いることが
考えられる。
すなわち、レチクル上のパターンを直接ウェハ面に縮小
投影することによって、ウェハに塗布されたレジストを
露光させ、露光時の解像度を向上させたものである。
投影することによって、ウェハに塗布されたレジストを
露光させ、露光時の解像度を向上させたものである。
この場合、装置の熱膨張、光路の浮遊粉塵、結露などの
影響による精度低下の観点から、装置が位置される環境
条件、たとえば温度、湿度および塵埃量などには従来か
ら注意が払われ、装置が設置されるチャンバの温度、湿
度および塵埃量を所定の値に維持する措置がなされてい
る。
影響による精度低下の観点から、装置が位置される環境
条件、たとえば温度、湿度および塵埃量などには従来か
ら注意が払われ、装置が設置されるチャンバの温度、湿
度および塵埃量を所定の値に維持する措置がなされてい
る。
しかしながら、上記の環境条件下におかれる縮小投影露
光装置では、光路における気圧が外部の気象条件の変動
によって変化し、これが光路に存在する空気の密度、従
って屈折率を変化させるため、この屈折率の変化に起因
してパターンの縮小率が大きく影響されることとなる。
光装置では、光路における気圧が外部の気象条件の変動
によって変化し、これが光路に存在する空気の密度、従
って屈折率を変化させるため、この屈折率の変化に起因
してパターンの縮小率が大きく影響されることとなる。
通常、半導体素子の形成には十数回収上の露光操作が繰
り返されることを考慮すれば、各露光操作におけるパタ
ーンの縮小率の変動は、個々のパターンの寸法精度のみ
ならず、複数のパターンのかさね合わせ精度の低下の原
因となり、半導体素子の歩留りに重大な悪影響を及ぼす
ことを本発明者は見いだした。
り返されることを考慮すれば、各露光操作におけるパタ
ーンの縮小率の変動は、個々のパターンの寸法精度のみ
ならず、複数のパターンのかさね合わせ精度の低下の原
因となり、半導体素子の歩留りに重大な悪影響を及ぼす
ことを本発明者は見いだした。
なお、内部の環境条件を制御する環境制御装置について
述べられている文献としては、株式会社オーム社、昭和
５３年３月２０日発行「半導体・ＩＣ用語事典」Ｐｂ０
がある。
述べられている文献としては、株式会社オーム社、昭和
５３年３月２０日発行「半導体・ＩＣ用語事典」Ｐｂ０
がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、内部の温度、湿度および塵埃量の少な
くとも１つ以上の制御に加えて、内部の気圧を制御する
ことが可能な環境制御装置を提供することにある。
くとも１つ以上の制御に加えて、内部の気圧を制御する
ことが可能な環境制御装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、内部の気圧の所定の値からの増減の情報に基
づいて、装置内部に空気を給排することによって、内部
の気圧を所定値に制御する気圧制御機構により、内部の
気圧を安定にする環境制御技術である。
づいて、装置内部に空気を給排することによって、内部
の気圧を所定値に制御する気圧制御機構により、内部の
気圧を安定にする環境制御技術である。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例である環境制御装置の略断面
図である。
図である。
環境制御装置１内は隔壁２によって、チャンバ３および
システム室４に仕切られている。
システム室４に仕切られている。
物を収容するチャンバ３内には、光学系を有する、たと
えば縮小投影露光装置５が位置され、露光対象物とえば
ウェハ（図示せず）が環境制御装置１の側面部に設けら
れた、左右にスライドすることによって開閉される扉６
を通じて出し入れされる構造とされている。
えば縮小投影露光装置５が位置され、露光対象物とえば
ウェハ（図示せず）が環境制御装置１の側面部に設けら
れた、左右にスライドすることによって開閉される扉６
を通じて出し入れされる構造とされている。
さらに、チャンバ３には気圧センサ７が設けられ、チャ
ンバ３の気圧が検知され、制御部８（気圧制御機構）に
伝達される。
ンバ３の気圧が検知され、制御部８（気圧制御機構）に
伝達される。
一方、システム室４内には、加圧送風機９が設けられ、
この加圧送風機９の吐き出し側には、内部を通過する気
体の温度および湿度を所定の値に維持することが可能な
、温度湿度制御システム１０および所定の程度まで塵埃
を除去可能な塵埃フィルタ１１が接続されている。
この加圧送風機９の吐き出し側には、内部を通過する気
体の温度および湿度を所定の値に維持することが可能な
、温度湿度制御システム１０および所定の程度まで塵埃
を除去可能な塵埃フィルタ１１が接続されている。
さらに、加圧送風［９の吸い込み側は、チャンバ３に連
通される循環口１２および環境制御装置ｌの外部に連通
される外気取込み口１３に接続され、切り換えダンパ１
４によって常に調整されるように構成されている。
通される循環口１２および環境制御装置ｌの外部に連通
される外気取込み口１３に接続され、切り換えダンパ１
４によって常に調整されるように構成されている。
この場合、加圧送風機９の回転による送風量および切り
換えダンパ１４の切り換え動作は、制御部Ｂによって制
御される。
換えダンパ１４の切り換え動作は、制御部Ｂによって制
御される。
循環口１２の下方には、チャンバ３に連通される減圧ダ
クト１５が設けられ、この減圧ダクト１５に接続された
真空ポンプ１６によって、適時にチャンバ３内が排気さ
れ減圧される構造とされている。
クト１５が設けられ、この減圧ダクト１５に接続された
真空ポンプ１６によって、適時にチャンバ３内が排気さ
れ減圧される構造とされている。
前記真空ポンプ１６も制御部８によって動作が制御され
るように構成されている。
るように構成されている。
さらに、環境制御装置１のチャンバ３側の側面には、気
圧調整ダンパ１７がわずかに傾斜した状態に設けられ、
この気圧調整ダンパ１７の重心の支点に関するモーメン
トによる閉止力よりもチャンバ３内の内圧による回動力
が大になった時気圧訓整ダンパ１７はわずかに開放され
、チャンバ内の気圧が減圧微調整される構造とされてい
る。
圧調整ダンパ１７がわずかに傾斜した状態に設けられ、
この気圧調整ダンパ１７の重心の支点に関するモーメン
トによる閉止力よりもチャンバ３内の内圧による回動力
が大になった時気圧訓整ダンパ１７はわずかに開放され
、チャンバ内の気圧が減圧微調整される構造とされてい
る。
この場合、気圧調整ダンパ１７には上下方向に位置調整
が可能な錘１８が備えられており、この錘１８が適宜移
動されることによって気圧調整ダンパ１７の重心位置が
変化され、チャンバ３の内圧とつりあう気圧調整ダンパ
１７による閉止力が調整可能にされている。
が可能な錘１８が備えられており、この錘１８が適宜移
動されることによって気圧調整ダンパ１７の重心位置が
変化され、チャンバ３の内圧とつりあう気圧調整ダンパ
１７による閉止力が調整可能にされている。
次に、本実施例の作用について説明する。
はじめに、気圧調整ダンパ１７の錘１８の位置が調整さ
れ、チャンバ３内の所定の気圧とつりあうようにされる
。
れ、チャンバ３内の所定の気圧とつりあうようにされる
。
この場合、たとえば外部からの塵埃などの侵入を防止す
るため、チャンバ３内の気圧は外気圧よりもわずかに高
くなるように設定される。
るため、チャンバ３内の気圧は外気圧よりもわずかに高
くなるように設定される。
次に、制御部８によ′って切り換えダンパ１４が回動さ
れ、加圧送風機９は外気取込み口１３に連通され、加圧
送風機９が作動される。
れ、加圧送風機９は外気取込み口１３に連通され、加圧
送風機９が作動される。
加圧送風機９によって吸い込まれた外気は、温度湿度制
御システム１０に供給されて温度および湿度が所定の値
となるように調整され、さらに塵埃フィルタ１１を通過
されることによって所定の程度に除塵されたのちチャン
バ３内に流入される。
御システム１０に供給されて温度および湿度が所定の値
となるように調整され、さらに塵埃フィルタ１１を通過
されることによって所定の程度に除塵されたのちチャン
バ３内に流入される。
このとき、チャンバ３内の気圧は気圧センサ７によって
検知され制御部８に伝達されており、所定の値となった
とき、切り換えダンパ１４が回動されて外気取込み口１
３と加圧送風機９の連通は遮断され、循環口１２と連通
された状態となって、チャンバ３内の気圧は所定の値が
維持される。
検知され制御部８に伝達されており、所定の値となった
とき、切り換えダンパ１４が回動されて外気取込み口１
３と加圧送風機９の連通は遮断され、循環口１２と連通
された状態となって、チャンバ３内の気圧は所定の値が
維持される。
何らかの原因によってチャンバ３内の気圧が上昇した場
合、チャンバ３内の内圧と気圧調整ダンパ１７の自重と
のつりあいが崩れ気圧調整ダンパ１７が開放されてチャ
ンバ３内の気圧は降下される。
合、チャンバ３内の内圧と気圧調整ダンパ１７の自重と
のつりあいが崩れ気圧調整ダンパ１７が開放されてチャ
ンバ３内の気圧は降下される。
ここで、チャンバ３内の気圧の上昇程度が大きく、気圧
調整ダンパ１７の開放動作のみで吸収できず、チャンバ
３内の気圧が所定の値よりも高い状態が継続されるとき
、気圧センサ７によってチャンバ３内の気圧の上昇が制
御部８に伝達され、制御部８は真空ポンプ１６を作動さ
せることにより、減圧ダクト１５を介して、チャンバ３
内の排気を行い、気圧が一定の値に維持される。
調整ダンパ１７の開放動作のみで吸収できず、チャンバ
３内の気圧が所定の値よりも高い状態が継続されるとき
、気圧センサ７によってチャンバ３内の気圧の上昇が制
御部８に伝達され、制御部８は真空ポンプ１６を作動さ
せることにより、減圧ダクト１５を介して、チャンバ３
内の排気を行い、気圧が一定の値に維持される。
また上記の場合とは逆に、チャンバ３内の気圧が所定の
値以下になった場合には、気圧センサ７によって気圧の
低下が制御部８に伝達され、制御部８は切り換えダンパ
１４を回動させ、外気取込み口１３が加圧送風機９に連
通され、チャンバ３の気圧が所定の値に上昇するまで外
気が取り込まれる。
値以下になった場合には、気圧センサ７によって気圧の
低下が制御部８に伝達され、制御部８は切り換えダンパ
１４を回動させ、外気取込み口１３が加圧送風機９に連
通され、チャンバ３の気圧が所定の値に上昇するまで外
気が取り込まれる。
このように、チャンバ３内の温度、湿度および塵埃量の
制御に加えて、気圧が制御されるため、チャンバ３内に
収容された、たとえば縮小投影露光装置５の如き光学系
を有する装置の光路の気圧変化が防止され、光路に存在
する空気の気圧変化、従って密度変化に起因する屈折率
の変化が回避でき、光路の屈折率の変化に起因する縮小
率の変動が防止される。
制御に加えて、気圧が制御されるため、チャンバ３内に
収容された、たとえば縮小投影露光装置５の如き光学系
を有する装置の光路の気圧変化が防止され、光路に存在
する空気の気圧変化、従って密度変化に起因する屈折率
の変化が回避でき、光路の屈折率の変化に起因する縮小
率の変動が防止される。
この結果、たとえば露光されるウェハに形成される個々
のパターンの寸法精度および重ね合わせ精度が向上され
る。
のパターンの寸法精度および重ね合わせ精度が向上され
る。
上記の調整動作が繰り返されることによって、チャンバ
３内の気圧は所定の値に安定に維持される。
３内の気圧は所定の値に安定に維持される。
［効果コ
（１）、装置内部の気圧変化の情報に基づいて、内部の
空気の給排を行うことにより気圧を制御する気圧制御機
構が設けられているため、環境制御装置内に収容される
光学系を有する装置の光路における気圧変化が防止され
、気圧変化に起因する光路の屈折率の変動による光学系
の精度低下が回避できる。
空気の給排を行うことにより気圧を制御する気圧制御機
構が設けられているため、環境制御装置内に収容される
光学系を有する装置の光路における気圧変化が防止され
、気圧変化に起因する光路の屈折率の変動による光学系
の精度低下が回避できる。
（２）、前記＋１１の結果、環境制御装置内に収容され
る縮小投影露光装置の縮小率の変動が防止され、ウェハ
に形成される個々のパターンの寸法精度および複数のパ
ターンのかさね合わせ精度が向上される。
る縮小投影露光装置の縮小率の変動が防止され、ウェハ
に形成される個々のパターンの寸法精度および複数のパ
ターンのかさね合わせ精度が向上される。
（３）、前記（２）の結果、半導体装置の製造における
製品の歩留りが向上される。
製品の歩留りが向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、環境制御装置内に収容される装置としては、
縮小投影露光装置に限らず、レーザー測長装置などの光
学系を有する種々の装置を収容することも可能である。
縮小投影露光装置に限らず、レーザー測長装置などの光
学系を有する種々の装置を収容することも可能である。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
用いられる縮小投影露光装置を収容する環境制御装置に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、光学系を有する装置を収容する環境制御技
術に広く適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造に
用いられる縮小投影露光装置を収容する環境制御装置に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、光学系を有する装置を収容する環境制御技
術に広く適用できる。
第１図は本発明の一実施例である縮小投影露光装置を収
容する環境制御装置の略断面図である。 １・・・環境制御装置、２・・・隔壁、３・・・チャン
バ、４・・・システム室、５・・・縮小投影露光装置（
光学系を有する装置）、６・・・扉、７・・・気圧セン
サ、８・・・制御部（気圧制御機構）、９・・・加圧送
風機、１０・・・温度湿度制御システム、１１・・・塵
埃フィルタ、１２・・・循環口、１３・・・外気取込み
口、１４・・・切り換えダンパ、１５・・・減圧ダクト
、１６・・・真空ポンプ、１７・・・気圧調整ダンパ、
１８・・・錘。
容する環境制御装置の略断面図である。 １・・・環境制御装置、２・・・隔壁、３・・・チャン
バ、４・・・システム室、５・・・縮小投影露光装置（
光学系を有する装置）、６・・・扉、７・・・気圧セン
サ、８・・・制御部（気圧制御機構）、９・・・加圧送
風機、１０・・・温度湿度制御システム、１１・・・塵
埃フィルタ、１２・・・循環口、１３・・・外気取込み
口、１４・・・切り換えダンパ、１５・・・減圧ダクト
、１６・・・真空ポンプ、１７・・・気圧調整ダンパ、
１８・・・錘。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部の温度、湿度および塵埃量の少なくとも１つ以
上を所定の値に制御し得る環境制御装置であって、物を
収容するチャンバの内部の気圧を制御する気圧制御機構
を有することを特徴とする環境制御装置。 ２、チャンバに収容される物が縮小投影露光装置である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の環境制御
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22215584A JPS61101018A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 環境制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22215584A JPS61101018A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 環境制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101018A true JPS61101018A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16778040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22215584A Pending JPS61101018A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 環境制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61101018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452052A (en) * | 1992-03-25 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for exposing chemically amplified resist |
| US8316987B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-11-27 | Tokyo Roki Co., Ltd. | Muffling structure of vent pipe and muffling structure of case |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22215584A patent/JPS61101018A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5452052A (en) * | 1992-03-25 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for exposing chemically amplified resist |
| US8316987B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-11-27 | Tokyo Roki Co., Ltd. | Muffling structure of vent pipe and muffling structure of case |
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