JPS6110090A - 六方晶窒化ホウ素膜の製造方法 - Google Patents
六方晶窒化ホウ素膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6110090A JPS6110090A JP13061284A JP13061284A JPS6110090A JP S6110090 A JPS6110090 A JP S6110090A JP 13061284 A JP13061284 A JP 13061284A JP 13061284 A JP13061284 A JP 13061284A JP S6110090 A JPS6110090 A JP S6110090A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- boron nitride
- raw material
- hexagonal boron
- manufacture
- Prior art date
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- Pending
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- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明１″を窒（ヒホウ素膜、特に六力晶窒ｆヒポウ素
膜の製造に関する。
膜の製造に関する。
六方晶窒化ホウ素（ｈ −ＢＮ ） は金楓とぬれに
くい性質金有しているために、【ヒ合′吻半必体に製造
する際のハートやルツ〆等に使用されて居り、従来ｓ
ｅｔ、等のハロゲン出物ヲＮ２やＮＨ，ガス中で反応さ
せて製造されている。しかし良好な結晶性をもつｈ−Ｂ
Ｎ １に製造するためには少くとも１５００Ｃ以上の高
温を必要とし、−刀グラズマや高周波コイル等を用い分
解反応を促進し、基板温度を下ける方法も検討されてい
るが、生成した脚の結晶性が良好のものは得られにくい
。本発明は原料として六角形の構造をもつぎ２ノン父は
その評″導体を用いる墨により、より低温で結晶性の良
好なｈ−ＢＮ 膜を安定した品質で製造可能にならし
め“−゛・８ノー” 。えｃ′を 以下本発明の六方晶窒化ホウ素膜の製造方法を添附図面
に示す装置をもちいて詳細に説明する。
くい性質金有しているために、【ヒ合′吻半必体に製造
する際のハートやルツ〆等に使用されて居り、従来ｓ
ｅｔ、等のハロゲン出物ヲＮ２やＮＨ，ガス中で反応さ
せて製造されている。しかし良好な結晶性をもつｈ−Ｂ
Ｎ １に製造するためには少くとも１５００Ｃ以上の高
温を必要とし、−刀グラズマや高周波コイル等を用い分
解反応を促進し、基板温度を下ける方法も検討されてい
るが、生成した脚の結晶性が良好のものは得られにくい
。本発明は原料として六角形の構造をもつぎ２ノン父は
その評″導体を用いる墨により、より低温で結晶性の良
好なｈ−ＢＮ 膜を安定した品質で製造可能にならし
め“−゛・８ノー” 。えｃ′を 以下本発明の六方晶窒化ホウ素膜の製造方法を添附図面
に示す装置をもちいて詳細に説明する。
図面に於て、ｌは石英管、亀８は夫々基板加熱用、原料
加熱用のヒーター、４は原料を入れたアングル、５は石
英、炭素又はセラミック等ＢＮ膜をコーティングする基
板、６はプラズマ発生用電極、７はＮ２又はＮＨ３ガス
ボンベである。
加熱用のヒーター、４は原料を入れたアングル、５は石
英、炭素又はセラミック等ＢＮ膜をコーティングする基
板、６はプラズマ発生用電極、７はＮ２又はＮＨ３ガス
ボンベである。
先づ原料のはラジン又はその誘導体を原料アングル４に
入れ、石英管１の中に基板５をセットする。次に、石英
管１内を真空に排気してから基板ヒーター２作動して基
１ｆｉ５を加熱する。基板５０温度が１００００〜／３
０θ０Ｃに上ってから、真空下でもしくはボンベ７を少
し開いてボンベから少量のＮ 又はＮＨがス全通し乍ら
Ｍｃ科ヒーター３を徐々に働らかせて加熱したボラゾー
ル又はその誘導体を基板上に通し、基板上で熱分解させ
、ｈ−ＢＮｉを基板上に成長させる。その時′電極６に
電圧をかけてグラズマ状態にすると膜の成長を促進する
ことが出来る。原料のデラジ／又はボラジン誘導体は六
方晶ＢＮの核を所有しているので、贋の成長速度が早く
又均質に成長させることが出来、基板と膜の密着性も良
い。又Ｎ２又はＮＨ３雰囲気で反応させるのはボラジン
核の分解を防ぐ為で、真空中で脱水素反応させることも
可能である。
入れ、石英管１の中に基板５をセットする。次に、石英
管１内を真空に排気してから基板ヒーター２作動して基
１ｆｉ５を加熱する。基板５０温度が１００００〜／３
０θ０Ｃに上ってから、真空下でもしくはボンベ７を少
し開いてボンベから少量のＮ 又はＮＨがス全通し乍ら
Ｍｃ科ヒーター３を徐々に働らかせて加熱したボラゾー
ル又はその誘導体を基板上に通し、基板上で熱分解させ
、ｈ−ＢＮｉを基板上に成長させる。その時′電極６に
電圧をかけてグラズマ状態にすると膜の成長を促進する
ことが出来る。原料のデラジ／又はボラジン誘導体は六
方晶ＢＮの核を所有しているので、贋の成長速度が早く
又均質に成長させることが出来、基板と膜の密着性も良
い。又Ｎ２又はＮＨ３雰囲気で反応させるのはボラジン
核の分解を防ぐ為で、真空中で脱水素反応させることも
可能である。
実施例／
先づ図面に示す装置を使い、基板５として炭素ａｔ石英
管ｌの所定位置にセットし、原料として三塩化プラシン
をアンプル４に入れて系を真空に引いて基板ヒーター２
を加熱した。基板の温度１１５０１：’に加熱し乍らＮ
Ｈ，ガスを通し、Ｓ分後原料アングルを加熱して三塩化
プラシンを蒸発させ基板５上で熱分解させた。ＮＨ，ガ
ス＋１４：２００ｄ／ｍｌｎ、三塩化ボラノンアングル
温度５０Ｃで反応させ、ＮＨｓｌ三塩化〆ラジンの比率
は約３．５でろつ友。７時間反応後基板には約０．６μ
のＢＮ膜が生成し、電子線回折ｒ＃より六方晶ＢＮであ
ることが確認された。
管ｌの所定位置にセットし、原料として三塩化プラシン
をアンプル４に入れて系を真空に引いて基板ヒーター２
を加熱した。基板の温度１１５０１：’に加熱し乍らＮ
Ｈ，ガスを通し、Ｓ分後原料アングルを加熱して三塩化
プラシンを蒸発させ基板５上で熱分解させた。ＮＨ，ガ
ス＋１４：２００ｄ／ｍｌｎ、三塩化ボラノンアングル
温度５０Ｃで反応させ、ＮＨｓｌ三塩化〆ラジンの比率
は約３．５でろつ友。７時間反応後基板には約０．６μ
のＢＮ膜が生成し、電子線回折ｒ＃より六方晶ＢＮであ
ることが確認された。
実施例コ
図面に示す装置を使い、基板５としてアルミナセラミッ
ク、原料として三基比ボラジン金柑いて実施例／と同じ
条件で反応させた。／時間３０分反応後基板に約／μの
ＢＮ膜が生成し、六方晶ＢＮが確認された。
ク、原料として三基比ボラジン金柑いて実施例／と同じ
条件で反応させた。／時間３０分反応後基板に約／μの
ＢＮ膜が生成し、六方晶ＢＮが確認された。
実施例３
図面に示す装置全便い、基板５として炭素ボートを石英
管ｌの中にセットし、原料としてボラジンをアングル４
に加えて系を真空に引いて基板ヒーター２を加熱した。
管ｌの中にセットし、原料としてボラジンをアングル４
に加えて系を真空に引いて基板ヒーター２を加熱した。
基板の温度が／２００Ｃに達してからＮ２ガ、＜（ｉ−
／ ３０ｍｌ／ｍｌｎ通し、５分後原料アングル４のコ
ックを操作して半開きにしてＭラジンｙミ気を徐々に通
した。２時間反応後基板には約７．２μの六方晶９１ヒ
ホウ素膜が認められた。
／ ３０ｍｌ／ｍｌｎ通し、５分後原料アングル４のコ
ックを操作して半開きにしてＭラジンｙミ気を徐々に通
した。２時間反応後基板には約７．２μの六方晶９１ヒ
ホウ素膜が認められた。
糸附図面は本発明の方法を実施するのに適した装置の概
略図でちる。 １は反応管（石英管）、２は基板ヒーター、３は原料ヒ
ーター、４に原料アングル、５゛は基板、６Ｖｉ、プラ
ズマ電極、７はＮ２又はＮＨ，ボンベである。
略図でちる。 １は反応管（石英管）、２は基板ヒーター、３は原料ヒ
ーター、４に原料アングル、５゛は基板、６Ｖｉ、プラ
ズマ電極、７はＮ２又はＮＨ，ボンベである。
Claims (1)
- 石英、炭素、セラミックス等の表面に窒化ホウ素をコー
ティングするに当って、原料としてボラジン又はボラジ
ン誘導体を用いることを特徴とする六方晶窒化ホウ素膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13061284A JPS6110090A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 六方晶窒化ホウ素膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13061284A JPS6110090A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 六方晶窒化ホウ素膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110090A true JPS6110090A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15038378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13061284A Pending JPS6110090A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 六方晶窒化ホウ素膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110090A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995014645A1 (fr) * | 1993-11-26 | 1995-06-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de densification d'une structure poreuse par du nitrure de bore et structure poreuse densifiee par du nitrure de bore |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP13061284A patent/JPS6110090A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995014645A1 (fr) * | 1993-11-26 | 1995-06-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de densification d'une structure poreuse par du nitrure de bore et structure poreuse densifiee par du nitrure de bore |
| FR2712884A1 (fr) * | 1993-11-26 | 1995-06-02 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de densification d'une structure poreuse par du nitrure de bore et structure poreuse densifiée par du nitrure de bore. |
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