JPS6098693A - 単一軸モ−ド半導体レ−ザ - Google Patents
単一軸モ−ド半導体レ−ザInfo
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- JPS6098693A JPS6098693A JP58207038A JP20703883A JPS6098693A JP S6098693 A JPS6098693 A JP S6098693A JP 58207038 A JP58207038 A JP 58207038A JP 20703883 A JP20703883 A JP 20703883A JP S6098693 A JPS6098693 A JP S6098693A
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- Japan
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- type inp
- type
- film
- semiconductor laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は製作が容易な単一軸モード半導体レーザに関す
る。
る。
光ファイバの低損失化に伴い１１００Ｋを越える長距離
かつ大容量の光フアイバ通信の実験検討が行なわれてい
る。この様な伝送システムでは光ファイバの波長分散が
問題となってくるため光源としての半導体レーザには高
速変調時においても単一軸モード動作が要求される。分
布帰還形（ＤＦＢ） ・レーザ、分布ブラッグ反射形（
ＤＢＲ）レーザなど内部に波長選択機構を有する半導体
レーザの研究・開発が進められている。特にＤＦＢレー
ザは構造が単純でかつ、共振器長も従来の７アブリー・
ベロー （Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）形半導体レーザ
と同等の長さを有し生産性に優れるため特に重点的に検
討が進められている。ＤＦＢレーザでは、内部の回折格
子によるＤＦＢモードの発振動作を安定に行うために１
両端面による７アプリー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒ
ｏｔ） 共振器での発振動作を極力抑制する必要がある
。従って従来、昭和５８年９月に行われた電子通信学会
半導体・材料部門全国大会の８５−５で、北村等によっ
て発表された様に、共振器の片端面を斜めに形成し、反
射率を１％以下にまで低くした構造や、昭和５７年８月
に行われた電子通信学会光・電波部門全国大会の２７８
で宇高らによって報告さｎた活性層の片側を途切らせて
結晶中に埋め込む構造が検討されて来た。しかしこれら
の構造は、作製が難しい、またレーザ発振動作を行って
いる時のモニタ光が数秒づらい等の欠点を有していた。
かつ大容量の光フアイバ通信の実験検討が行なわれてい
る。この様な伝送システムでは光ファイバの波長分散が
問題となってくるため光源としての半導体レーザには高
速変調時においても単一軸モード動作が要求される。分
布帰還形（ＤＦＢ） ・レーザ、分布ブラッグ反射形（
ＤＢＲ）レーザなど内部に波長選択機構を有する半導体
レーザの研究・開発が進められている。特にＤＦＢレー
ザは構造が単純でかつ、共振器長も従来の７アブリー・
ベロー （Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）形半導体レーザ
と同等の長さを有し生産性に優れるため特に重点的に検
討が進められている。ＤＦＢレーザでは、内部の回折格
子によるＤＦＢモードの発振動作を安定に行うために１
両端面による７アプリー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒ
ｏｔ） 共振器での発振動作を極力抑制する必要がある
。従って従来、昭和５８年９月に行われた電子通信学会
半導体・材料部門全国大会の８５−５で、北村等によっ
て発表された様に、共振器の片端面を斜めに形成し、反
射率を１％以下にまで低くした構造や、昭和５７年８月
に行われた電子通信学会光・電波部門全国大会の２７８
で宇高らによって報告さｎた活性層の片側を途切らせて
結晶中に埋め込む構造が検討されて来た。しかしこれら
の構造は、作製が難しい、またレーザ発振動作を行って
いる時のモニタ光が数秒づらい等の欠点を有していた。
本発明は、ＤＦＢレーザの上記の様なファプリー・べｏ
−（Ｆａｂｒｙ −Ｐｅｒｏｔ ）抑制構造を改善し
、モニタ光を取シ出すことが可能でかつまた、微分−ち
子効率の増大、光出力の増大を図ることができる構造の
単一軸モード半導体レーザを提供するものである。
−（Ｆａｂｒｙ −Ｐｅｒｏｔ ）抑制構造を改善し
、モニタ光を取シ出すことが可能でかつまた、微分−ち
子効率の増大、光出力の増大を図ることができる構造の
単一軸モード半導体レーザを提供するものである。
本発明によれば活性層近傍に周期的凹凸より成る回折格
子が形成された分布帰還形半導体レーザにおいて両方の
端面が骨間で形成され、かつ少くとも一方の端面に１反
射防止膜が、前記反射防止の厚さで形成されていること
を特徴とする１ｌｉ−軸モード半導体レーザが得られる
。
子が形成された分布帰還形半導体レーザにおいて両方の
端面が骨間で形成され、かつ少くとも一方の端面に１反
射防止膜が、前記反射防止の厚さで形成されていること
を特徴とする１ｌｉ−軸モード半導体レーザが得られる
。
実施例を説明する前に本発明の基本概念を簡単に説、明
する。第１図は従来例の片端面を斜めに形成したＤＦ’
Ｂレーザの断面の模式図である。０ＯＯＤ面のｎ形Ｉｎ
Ｐ基板１上に回折格子１００その上Ｋｎ形ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層２（発光波長にして１１０μｍ組成）、ノ
ンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．
３０μｍ組成）、Ｐ形ＩｎＰクラッド層４が積層されて
いる。紙面左側の端面は骨間で形成され、紙面右側の端
面はエツチングにより＜１１１＞Ａ面が出ている約５４
°の斜めく形成されている。
する。第１図は従来例の片端面を斜めに形成したＤＦ’
Ｂレーザの断面の模式図である。０ＯＯＤ面のｎ形Ｉｎ
Ｐ基板１上に回折格子１００その上Ｋｎ形ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層２（発光波長にして１１０μｍ組成）、ノ
ンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．
３０μｍ組成）、Ｐ形ＩｎＰクラッド層４が積層されて
いる。紙面左側の端面は骨間で形成され、紙面右側の端
面はエツチングにより＜１１１＞Ａ面が出ている約５４
°の斜めく形成されている。
この構造では、紙面右側に進行した光は端面が斜めであ
るため端面でｎ形ＩｎＰ基板１の方へと反射される。従
って両端面の共振器による７アプリー・ベロー（Ｆａｂ
ｒｙ −Ｐｅｒｏｔ ）モードは抑制されるため、内部
に形成された回折格子１００によって反射された光によ
るＤＦＢモードでの発振が起きる。
るため端面でｎ形ＩｎＰ基板１の方へと反射される。従
って両端面の共振器による７アプリー・ベロー（Ｆａｂ
ｒｙ −Ｐｅｒｏｔ ）モードは抑制されるため、内部
に形成された回折格子１００によって反射された光によ
るＤＦＢモードでの発振が起きる。
この時、右側の端面での反射率は実質的に小さくなって
いるため、注入電流−光出力の特性は、第２図に示す様
になる。光導波路に対する反射率は斜めの右側の端面よ
りも、垂直な左側の端面の方が大きいために１左側の端
面からの微分量子効率は右側の端面のそれよりも小さく
なる。ところが右側の端面からの光はｎ形ＩｎＰ基板１
の方に反射されるため、信号光やモニタ光として取り出
すことが難しく、信号光としては左側から出射する微分
素子効率の低い光を利用していた。従って片方の端面で
の反射率を小さく抑制できかつこの端面からの光を信号
光として取シ出すことができれば実効的にＤＦＢレーザ
の特性を向上させることができる。２ｇ ３図は本発明
の基本構造を示す断面模式図である。第１図の従来例と
異なる点は、紙面右側の端面が襞間面でありかつ反射防
止膜２００ｍ ｌ ・ が、膜内での発振波長の１／４（又はＴ−４−１ｍ。
いるため、注入電流−光出力の特性は、第２図に示す様
になる。光導波路に対する反射率は斜めの右側の端面よ
りも、垂直な左側の端面の方が大きいために１左側の端
面からの微分量子効率は右側の端面のそれよりも小さく
なる。ところが右側の端面からの光はｎ形ＩｎＰ基板１
の方に反射されるため、信号光やモニタ光として取り出
すことが難しく、信号光としては左側から出射する微分
素子効率の低い光を利用していた。従って片方の端面で
の反射率を小さく抑制できかつこの端面からの光を信号
光として取シ出すことができれば実効的にＤＦＢレーザ
の特性を向上させることができる。２ｇ ３図は本発明
の基本構造を示す断面模式図である。第１図の従来例と
異なる点は、紙面右側の端面が襞間面でありかつ反射防
止膜２００ｍ ｌ ・ が、膜内での発振波長の１／４（又はＴ−４−１ｍ。
正の整数）倍の厚さで形成されている点である。
この様にすると、７アブリー・べＩ’−（Ｆａｂｒｙ−
ｐｅｒｏｔ ） モードは抑制されかつ、右側の反射率
の小さな端面からの高い微分素子効率の光を信号光とし
て取シ出すことができる。従来半導体レーザの端面に反
射防止膜を施す方法は一般に知られていたが、その内部
には回折格子など端面での反射に代わる反射手段を有し
ていなかった。従って、単に反射防止膜を施すのみでは
発振閾値を増大させるという特性を悪くする結果になっ
た。しかし１１ Ｆ ｎレーザでは内部に回４１ｉ格子
をイ１するため端面に反射防止膜を施しても発振閾値を
増大させることはない。即ち半導体レーザの内部に端面
での反射に代わる反射手段を有する場合において、端面
反射防止膜は素子特性の向上に有効に作用する。
ｐｅｒｏｔ ） モードは抑制されかつ、右側の反射率
の小さな端面からの高い微分素子効率の光を信号光とし
て取シ出すことができる。従来半導体レーザの端面に反
射防止膜を施す方法は一般に知られていたが、その内部
には回折格子など端面での反射に代わる反射手段を有し
ていなかった。従って、単に反射防止膜を施すのみでは
発振閾値を増大させるという特性を悪くする結果になっ
た。しかし１１ Ｆ ｎレーザでは内部に回４１ｉ格子
をイ１するため端面に反射防止膜を施しても発振閾値を
増大させることはない。即ち半導体レーザの内部に端面
での反射に代わる反射手段を有する場合において、端面
反射防止膜は素子特性の向上に有効に作用する。
次に本発明の実施例を第４図の斜視図で示す。
まず作製法を示すと、ｎ形ＩｎＰ基板１の上に＜ｉｌｏ
＞方向に、周期４０００八で繰り返す深さ１５００人の
回折格子１００を全面に形成する。これはＨｅ −Ｃｄ
レーザの４２５ＯＡの発振光を用いた２光束干渉露光法
で作製した。この基板の上に、成長温度５９０℃の液相
成長により、回折格子１００の山の上からの厚さで０．
１μｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２ｒｒｎドープ
、キャリア濃度Ｉ Ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ””、発光波長に
して１．１０μｍ組成）、厚さ０，１μｍのノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．３０μｍ
組成）、厚さ１μｍのＰ形ＩｎＰクラッドＦｉ４ （Ｚ
ｎドープ、キャリア濃度ｌｘ ｔ ｏ”Ｃ１ｎ−” ）
を連続して積層する。
＞方向に、周期４０００八で繰り返す深さ１５００人の
回折格子１００を全面に形成する。これはＨｅ −Ｃｄ
レーザの４２５ＯＡの発振光を用いた２光束干渉露光法
で作製した。この基板の上に、成長温度５９０℃の液相
成長により、回折格子１００の山の上からの厚さで０．
１μｍのｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２ｒｒｎドープ
、キャリア濃度Ｉ Ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ””、発光波長に
して１．１０μｍ組成）、厚さ０，１μｍのノンドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．３０μｍ
組成）、厚さ１μｍのＰ形ＩｎＰクラッドＦｉ４ （Ｚ
ｎドープ、キャリア濃度ｌｘ ｔ ｏ”Ｃ１ｎ−” ）
を連続して積層する。
グ
次に、通常の７オトリングラフイとＢｒ−メタノールを
用いたメサエッチングにより＜１１０）方向［２本の幅
１０μｍ１深さ３μｍの溝５１．５２を形成する。
用いたメサエッチングにより＜１１０）方向［２本の幅
１０μｍ１深さ３μｍの溝５１．５２を形成する。
これに挾まれて、内部に＠ｔ、ｓμ【ｎの幅の活性層３
を有するメサストライプ５ｏが形成烙れる。次に２回目
の液相成長工程で最初にＰ形ＩｎＰ？ｉｆ流ブロックＪ
Ｗｒ ｓ （Ｚｎドープ、キャリアｐ 亀２ Ｘ １０
”ｃｍ−３、平坦部での厚さ０．５μｍ）１１形ＩｎＰ
’ｆｉｊ流閉じ込め層６ （Ｔｅドープ、キャリア濃度
５ Ｘ １０１８ｅｍ−’ｂ平坦部での厚さ０．５μｍ
）をメサストライプ５ｏの上部にはｔｉｔ層させない様
に成長し、次にＰ形ＩｎＰ埋め込みＪＨ７（’ｔｎドー
プ、キャリア濃度Ｉ Ｘ ｌ ０１８Ｃｍ−３、平坦部
での厚さ１．５μｍ）、Ｐ形１ｎＱａＡｓＰギ’ｒｙプ
Ｊｆｔ ８ （Ｚｎドープ、キャリア濃度、ｔ Ｘ ］
Ｏ”Ｃｍ−３）を全面に亘って積層する。５ｉｎ２膜
６０２５０００人のＪ”１．さでＣｖＤで形成した後、
メサストンイブ５゜の上部を幅ＩＯμｍのストライプ３
ｏの形状で抜きその上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を連続１−
で蒸着しＰ側電極２０とする。全体を約１００／（ｍの
厚さに１２だ後、ｎ形１ｎＰ！Ｓ板１側にＡｕ／Ｇｅ／
Ｎ ｉ膜をｍ ／ｌ’ずし１１１１す１σ極２１とする
。ウェハを襞間して素子が２０個程形成されている棒を
つくり、この片端面３０１にプラズマＯＶＤ Ｋより２
０００人の）９さの：ｓ ｉａ Ｎ ４の反射防止膜２
００を形成する。２００ＯＡの膜厚は１３０Ａｎの光の
反射防止膜２００内での１／４波長に相自するため蒸着
された端面の反射率は、２％程度以下と、Ｓ ＋ ｘ
Ｎａ膜を形成しない場合の約３０％に比べ非常に小さく
することができた。この枠から素子を切り出し、ダイア
モンドヒートシンクにＰ側を下側にして融着した。
を有するメサストライプ５ｏが形成烙れる。次に２回目
の液相成長工程で最初にＰ形ＩｎＰ？ｉｆ流ブロックＪ
Ｗｒ ｓ （Ｚｎドープ、キャリアｐ 亀２ Ｘ １０
”ｃｍ−３、平坦部での厚さ０．５μｍ）１１形ＩｎＰ
’ｆｉｊ流閉じ込め層６ （Ｔｅドープ、キャリア濃度
５ Ｘ １０１８ｅｍ−’ｂ平坦部での厚さ０．５μｍ
）をメサストライプ５ｏの上部にはｔｉｔ層させない様
に成長し、次にＰ形ＩｎＰ埋め込みＪＨ７（’ｔｎドー
プ、キャリア濃度Ｉ Ｘ ｌ ０１８Ｃｍ−３、平坦部
での厚さ１．５μｍ）、Ｐ形１ｎＱａＡｓＰギ’ｒｙプ
Ｊｆｔ ８ （Ｚｎドープ、キャリア濃度、ｔ Ｘ ］
Ｏ”Ｃｍ−３）を全面に亘って積層する。５ｉｎ２膜
６０２５０００人のＪ”１．さでＣｖＤで形成した後、
メサストンイブ５゜の上部を幅ＩＯμｍのストライプ３
ｏの形状で抜きその上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を連続１−
で蒸着しＰ側電極２０とする。全体を約１００／（ｍの
厚さに１２だ後、ｎ形１ｎＰ！Ｓ板１側にＡｕ／Ｇｅ／
Ｎ ｉ膜をｍ ／ｌ’ずし１１１１す１σ極２１とする
。ウェハを襞間して素子が２０個程形成されている棒を
つくり、この片端面３０１にプラズマＯＶＤ Ｋより２
０００人の）９さの：ｓ ｉａ Ｎ ４の反射防止膜２
００を形成する。２００ＯＡの膜厚は１３０Ａｎの光の
反射防止膜２００内での１／４波長に相自するため蒸着
された端面の反射率は、２％程度以下と、Ｓ ＋ ｘ
Ｎａ膜を形成しない場合の約３０％に比べ非常に小さく
することができた。この枠から素子を切り出し、ダイア
モンドヒートシンクにＰ側を下側にして融着した。
次に素子特性を述べる。発振閾値は３０ｍＡ 、微分量
子効率は、反射防止膜２００が形成された面３０１から
出射する光では３５％、他の面３００では１５％であっ
た。従来のＤＦＢレーザからの出射光の微分量子効率の
最大値が２８％程度であるからこれを大幅に上回る特性
を得た。また最大光出力は５０ｍＷを越える値が得られ
、 ０℃から７０℃までの動作温度の全域で単一軸モー
ド発振であった。また反射防止膜２００を形成していな
い端面３００からの出射光はモニタ光として使用するこ
とができた。
子効率は、反射防止膜２００が形成された面３０１から
出射する光では３５％、他の面３００では１５％であっ
た。従来のＤＦＢレーザからの出射光の微分量子効率の
最大値が２８％程度であるからこれを大幅に上回る特性
を得た。また最大光出力は５０ｍＷを越える値が得られ
、 ０℃から７０℃までの動作温度の全域で単一軸モー
ド発振であった。また反射防止膜２００を形成していな
い端面３００からの出射光はモニタ光として使用するこ
とができた。
以上の様に、反射防止膜２００を形成し反射率を低くし
た面３０１からの光出力を信号光として取υ出すことで
実効的Ｋ ＤＦＢレーザの特性を向上させることかでき
ることがわかる。寸だ片端面に反射防止膜２００を形成
せず両端面を襞間の１まで素子特性を評価してみると、
２５℃では２５ｍＷ程度の光出力の時［７７ブリー・ぺ
ｏ −（ｐａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）モードが発振し、
また５０ｔ：程度の温度にすると、５ｍＷ程度の光出力
時にファプリー・ベロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）
モードが発振した。従って、反射防止膜２００がない
場合にはファプリー・ベロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒａｔ
） モードが十分に抑制されていないことがわかった
。
た面３０１からの光出力を信号光として取υ出すことで
実効的Ｋ ＤＦＢレーザの特性を向上させることかでき
ることがわかる。寸だ片端面に反射防止膜２００を形成
せず両端面を襞間の１まで素子特性を評価してみると、
２５℃では２５ｍＷ程度の光出力の時［７７ブリー・ぺ
ｏ −（ｐａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）モードが発振し、
また５０ｔ：程度の温度にすると、５ｍＷ程度の光出力
時にファプリー・ベロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）
モードが発振した。従って、反射防止膜２００がない
場合にはファプリー・ベロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒａｔ
） モードが十分に抑制されていないことがわかった
。
上記実施例では、回折格子１００をｎ形ＩｎＰ基板１の
上に形成したが、最初に平炉、なｎ形ＩｎＰ基板の上に
活性Ｍ３及びＰ形のＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２を形成
し、この光ガイドＩ傅２の上に回折格子１００を形成す
る構造であっても良い。この鴨合の素子特性は本発明の
実施例とはｔ丁同じであった。また、上記実施例では、
ＩｎＰ Ｋ格子整合したＩｎＧａＡｓＰ系の材料を用い
たが、ＩｎＰを基板とするＡ／？Ｏａ Ｉ ｎＡｓや、
（’１ａ Ａ ｓを基板とするＡＩ！ＧａＡｓや１ｎｏ
ａＡｓＰの羽料を用いることもできる。埋め込み構造で
あったが、他の構造、例えば、プレーナ構造等に適用で
きる。すなわち本発明はストライプ構造には左右されな
い。
上に形成したが、最初に平炉、なｎ形ＩｎＰ基板の上に
活性Ｍ３及びＰ形のＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２を形成
し、この光ガイドＩ傅２の上に回折格子１００を形成す
る構造であっても良い。この鴨合の素子特性は本発明の
実施例とはｔ丁同じであった。また、上記実施例では、
ＩｎＰ Ｋ格子整合したＩｎＧａＡｓＰ系の材料を用い
たが、ＩｎＰを基板とするＡ／？Ｏａ Ｉ ｎＡｓや、
（’１ａ Ａ ｓを基板とするＡＩ！ＧａＡｓや１ｎｏ
ａＡｓＰの羽料を用いることもできる。埋め込み構造で
あったが、他の構造、例えば、プレーナ構造等に適用で
きる。すなわち本発明はストライプ構造には左右されな
い。
最後に本発明の特徴をまとめると、ＤＦＢレーザの片側
の端面を、反射防止膜を施した襞間面とするととＫより
、高い微分量子効率、及び高い光出力が得られること、
また従来の７アプリー・ベロー Ｆａｂｒｙ −Ｐｅｒ
ｏｔ ）形半導体レーザと同様に骨間で端面を形成でき
るから作製が容易であること等である。
の端面を、反射防止膜を施した襞間面とするととＫより
、高い微分量子効率、及び高い光出力が得られること、
また従来の７アプリー・ベロー Ｆａｂｒｙ −Ｐｅｒ
ｏｔ ）形半導体レーザと同様に骨間で端面を形成でき
るから作製が容易であること等である。
第１図は従来例の構造の断面模式図、第２図は従来例構
造の素子の注入電流−光出力特性を示す図、第３図は本
発明の構造の断面模式図、第４図は本発明の実施例を示
す斜視図である。 図中、ｌはｎ形ＩｎＰ基板％２はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層、３はノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、４は
Ｐ形ＩｎＰクラッド層、６はＰ形１ｎＰ電流ブロック層
、７はｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層、８はＰ形ＩｎＰ埋め
込み層、９はＰ形ＩｎＧａＡｓＰギ−？７プ層、２０は
Ｐ側電極、２１はｎ （ＩＱ電極、３０はＳｌＯ□膜６
０が剥離されたストライプ領域、５０はメサストライプ
、５１．５２はイ行な２木の溝、１００は回折格子、２
００は反射防止膜、３００．３０１は骨間端面である。 第３図 ／Ａ Ｔ
造の素子の注入電流−光出力特性を示す図、第３図は本
発明の構造の断面模式図、第４図は本発明の実施例を示
す斜視図である。 図中、ｌはｎ形ＩｎＰ基板％２はｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層、３はノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、４は
Ｐ形ＩｎＰクラッド層、６はＰ形１ｎＰ電流ブロック層
、７はｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層、８はＰ形ＩｎＰ埋め
込み層、９はＰ形ＩｎＧａＡｓＰギ−？７プ層、２０は
Ｐ側電極、２１はｎ （ＩＱ電極、３０はＳｌＯ□膜６
０が剥離されたストライプ領域、５０はメサストライプ
、５１．５２はイ行な２木の溝、１００は回折格子、２
００は反射防止膜、３００．３０１は骨間端面である。 第３図 ／Ａ Ｔ
Claims (1)
- 活性層近傍に周期的凹凸より成る回折格子が形成された
分布帰還形半導体レーザにおいて、両方の端面が襞間で
形成され、かつ少くとも一方の端面に１反射防止膜が、
前記反射防止膜内での発振形成されていることを特徴と
する単一軸モード半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207038A JPH0673388B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 単一軸モード半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207038A JPH0673388B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 単一軸モード半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098693A true JPS6098693A (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0673388B2 JPH0673388B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16533173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58207038A Expired - Lifetime JPH0673388B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 単一軸モード半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673388B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189979A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型レーザ装置 |
| US4951292A (en) * | 1988-07-01 | 1990-08-21 | U.S. Philips Corp. | Coating for DFB/DBR laser diodes |
| JPH03145174A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Canon Inc | 外部共振器型レーザ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650593A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Laser diode |
| JPS5844785A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58207038A patent/JPH0673388B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650593A (en) * | 1979-10-02 | 1981-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Laser diode |
| JPS5844785A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189979A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型レーザ装置 |
| US4951292A (en) * | 1988-07-01 | 1990-08-21 | U.S. Philips Corp. | Coating for DFB/DBR laser diodes |
| JPH03145174A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Canon Inc | 外部共振器型レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0673388B2 (ja) | 1994-09-14 |
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