JPS6093744A - 螢光表示管 - Google Patents
螢光表示管Info
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- JPS6093744A JPS6093744A JP19990883A JP19990883A JPS6093744A JP S6093744 A JPS6093744 A JP S6093744A JP 19990883 A JP19990883 A JP 19990883A JP 19990883 A JP19990883 A JP 19990883A JP S6093744 A JPS6093744 A JP S6093744A
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- Japan
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- insulating layer
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- insulating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
- H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は螢光表示管、特ｌこその陽極基板構造Ｉこ関Ｔ
るものである。
るものである。
最近、螢光表示管−こおいても微細でかつ高精度な表示
形態が要求されるようになっている。例えば、大形のグ
ラフィック表示にはドツトマトリックス状に配置した非
常に多数の螢光面を精度良く形成することが必要となっ
て泊り、この要求を満たすためｌこ、ドツトマトリック
ス配置を１２８×１２８．２５６ Ｘ２５６あるいは３
２０ Ｘ２４０などとした螢光表示管が開発されている
。
形態が要求されるようになっている。例えば、大形のグ
ラフィック表示にはドツトマトリックス状に配置した非
常に多数の螢光面を精度良く形成することが必要となっ
て泊り、この要求を満たすためｌこ、ドツトマトリック
ス配置を１２８×１２８．２５６ Ｘ２５６あるいは３
２０ Ｘ２４０などとした螢光表示管が開発されている
。
第１図に、従来用いられているこの種の螢光表示管の陽
極基板の構成例を示す。図１こおいて、ガラス基板１の
上ＩこＡｔ薄膜２からなる配線パターンを配置した後、
螢光面を形成すべき部分以外のＡｔ薄膜２を絶縁層３ｔ
こよって被覆し、さらに、露出したＡｔ薄膜２上−こ電
着ｌこより螢光体を被着して螢光面４を形成している。
極基板の構成例を示す。図１こおいて、ガラス基板１の
上ＩこＡｔ薄膜２からなる配線パターンを配置した後、
螢光面を形成すべき部分以外のＡｔ薄膜２を絶縁層３ｔ
こよって被覆し、さらに、露出したＡｔ薄膜２上−こ電
着ｌこより螢光体を被着して螢光面４を形成している。
なお、５は電子の供給源であるカソード、６はこのカソ
ード５カ）らの電子の拡散とスキャニングを目的として
設けられるグリッドで、これらグリッド６およびカソー
ド５を陽極基板上方に螢光面４ｔこ対向して配置した後
、周知の管球工程を経て螢光表示管と成す。
ード５カ）らの電子の拡散とスキャニングを目的として
設けられるグリッドで、これらグリッド６およびカソー
ド５を陽極基板上方に螢光面４ｔこ対向して配置した後
、周知の管球工程を経て螢光表示管と成す。
ところで、上記構成において・螢光面４が微細かつ高密
度で多数配置される場合、必然的ｌこ絶縁層３も同様に
高密度に形成Ｔる必要がある。このため、従来の絶縁ペ
ーストの厚膜印刷技術ｌこよる方法ζこ代り、フォトリ
ソグラフィーを用いた手法ｌこよってこの絶縁層３を形
成しているが、フォトリソグラフィー法によって加工可
能な絶縁ペーストはかなり特殊なためｌこ、次のような
欠点を有している０すなイつぢ、軟化温度が４５０℃程
度と低い低融点フリットガラスを主成分としているため
Ｉこ、管球工程時に加熱ｌこより軟化し、同じく加熱工
程で膨張したわんだグリッド６がこの軟化しｆこ絶縁材
ｔこ付着して不良Ｋｒｂとなる。また、７号トリソゲラ
フイー法によつ０行なう関係上、絶縁層のノｌみをあま
り厚くできないために、電着法によって螢光１ｉｌｉｒ
を形成した場合、螢光体が当該絶縁層のピンホールを介
して配膳上に付着し、螢光面相互のタッチ不良を生ずる
。
度で多数配置される場合、必然的ｌこ絶縁層３も同様に
高密度に形成Ｔる必要がある。このため、従来の絶縁ペ
ーストの厚膜印刷技術ｌこよる方法ζこ代り、フォトリ
ソグラフィーを用いた手法ｌこよってこの絶縁層３を形
成しているが、フォトリソグラフィー法によって加工可
能な絶縁ペーストはかなり特殊なためｌこ、次のような
欠点を有している０すなイつぢ、軟化温度が４５０℃程
度と低い低融点フリットガラスを主成分としているため
Ｉこ、管球工程時に加熱ｌこより軟化し、同じく加熱工
程で膨張したわんだグリッド６がこの軟化しｆこ絶縁材
ｔこ付着して不良Ｋｒｂとなる。また、７号トリソゲラ
フイー法によつ０行なう関係上、絶縁層のノｌみをあま
り厚くできないために、電着法によって螢光１ｉｌｉｒ
を形成した場合、螢光体が当該絶縁層のピンホールを介
して配膳上に付着し、螢光面相互のタッチ不良を生ずる
。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、管球工程時に加熱ｌこよりたわんだグリッドに
・渣光体を被着しない配線パターンを被覆する絶縁材が
付層したり、絶縁層のピンホールを介する螢光面相互の
タッチ不良が発生したりＴることのない陽極基板構造を
備えた螢光表示管を提供Ｔるこ、！：Ｉとある。
目的は、管球工程時に加熱ｌこよりたわんだグリッドに
・渣光体を被着しない配線パターンを被覆する絶縁材が
付層したり、絶縁層のピンホールを介する螢光面相互の
タッチ不良が発生したりＴることのない陽極基板構造を
備えた螢光表示管を提供Ｔるこ、！：Ｉとある。
このような目的を達成するために、本発明は、７Ｉ８縁
層を二層構造とし、配線パターンに直接接触する第１層
ｌこ対し、その上の第２層の軟化温度を高く、陽極基板
の製造工程を除く表示管判造工程中に加わる加熱温度の
上限よりも旨く設定したものである。以下、実施例を用
いて本発明の詳細な説明する。
層を二層構造とし、配線パターンに直接接触する第１層
ｌこ対し、その上の第２層の軟化温度を高く、陽極基板
の製造工程を除く表示管判造工程中に加わる加熱温度の
上限よりも旨く設定したものである。以下、実施例を用
いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例５−示す１所面図で、第１図
と同一記号は対応部分を表わＴ。異なる点は、絶縁層３
が、Ａ ｔｐｆ、膜２を直接ａって形成した第１層絶縁
層３ａと、その上に形成しＩこ第２層絶縁＋９Ｊ ３
ｂとの二層構造を有する点である。次ｌこ、このような
構造の形成方法の一例を説明する。
と同一記号は対応部分を表わＴ。異なる点は、絶縁層３
が、Ａ ｔｐｆ、膜２を直接ａって形成した第１層絶縁
層３ａと、その上に形成しＩこ第２層絶縁＋９Ｊ ３
ｂとの二層構造を有する点である。次ｌこ、このような
構造の形成方法の一例を説明する。
まず、ガラス基板１の土に厚６１５〜２．０μＨ１のＡ
ｔ、Ｎ′ｉ炭２．／７）らなる屡・は（配膳パターンを
形成“［る。
ｔ、Ｎ′ｉ炭２．／７）らなる屡・は（配膳パターンを
形成“［る。
次ｌこ、螢光体を破材り〜べきＲ１（分身外のＡｔ薄膜
２の部分ｌこ凋目層絶縁層３ａを形成゛「る。これは次
のようｌこ行なわイする。Ｔなイっら、まず基板上Ｉこ
感光性ＰＶＡを主成分とする水溶性のネガレジストであ
るエンコゾルレジストを、スビンコートモしくハスクリ
ーン印刷法によって一武面ｌこ被唆し、乾燥後フォトマ
スクを用いて第１層絶縁Ｊ脅３ａ−３被覆したい部分以
外の部分にエンコゾルレジストを焼（＝Ｊ ケる。
２の部分ｌこ凋目層絶縁層３ａを形成゛「る。これは次
のようｌこ行なわイする。Ｔなイっら、まず基板上Ｉこ
感光性ＰＶＡを主成分とする水溶性のネガレジストであ
るエンコゾルレジストを、スビンコートモしくハスクリ
ーン印刷法によって一武面ｌこ被唆し、乾燥後フォトマ
スクを用いて第１層絶縁Ｊ脅３ａ−３被覆したい部分以
外の部分にエンコゾルレジストを焼（＝Ｊ ケる。
この漬水により現像し、不要の上ンコゾルレジストを溶
解除去した後、乾燥してレジストパターン８得る。次１
こ、基板全面に低隔点ガラスを主成分とする絶縁ペース
ト（住友金属鉱山（株）製＃工〜９４０４）を約１５μ
Ｉｌｌの厚さＩこスクリーン印刷し乾燥ｆる０仄いで、
上記硬化した水溶性のレジメトは溶解するが絶縁層は溶
解しない現像液として低級アルコールを主成分とする現
像液を用いて現職を行なう。レジストパターンは容易１
こ溶解しそ０） 上１７Ｊ 絶縁層と共に剥離Ｔる一方
、レジストパターンが被着していない部分の絶縁層はこ
の現像液ｌこは不溶のため、基板と強１４１な付着状態
を維持しており、基板上１こ所望の形状で残存１−る。
解除去した後、乾燥してレジストパターン８得る。次１
こ、基板全面に低隔点ガラスを主成分とする絶縁ペース
ト（住友金属鉱山（株）製＃工〜９４０４）を約１５μ
Ｉｌｌの厚さＩこスクリーン印刷し乾燥ｆる０仄いで、
上記硬化した水溶性のレジメトは溶解するが絶縁層は溶
解しない現像液として低級アルコールを主成分とする現
像液を用いて現職を行なう。レジストパターンは容易１
こ溶解しそ０） 上１７Ｊ 絶縁層と共に剥離Ｔる一方
、レジストパターンが被着していない部分の絶縁層はこ
の現像液ｌこは不溶のため、基板と強１４１な付着状態
を維持しており、基板上１こ所望の形状で残存１−る。
次に、この基板を焼成炉ｌこ入イ’ｓ、、 ５４０℃、
４０分間の焼成を行なうと絶縁層材料は溶解し、冷却後
固化して強固な；！ｃ１層絶縁層３ａが形成できる。
４０分間の焼成を行なうと絶縁層材料は溶解し、冷却後
固化して強固な；！ｃ１層絶縁層３ａが形成できる。
このよう−こして第１層絶縁層３ａを完成した後、この
第１層絶縁層３ａの上ｌこＩｉｉ；２１ｆＡ絶縁層３ｂ
を被覆する。この第２層Ｉこ用いる材料も、低融点ガラ
スを主成分とするフリットガラスペーストであるが、ｉ
１ ｒｆｌのそれよりも軟化温度の高いものを用いる
。第２層はパターン精度的ｌこはそ、ｆｌｌ嵩高１去能
のものを要求しなくても良いため、形成方法としてはス
クリーン印刷法を用いることができる。というのは、第
１層をフォトリソグラフィー法で形成しており、この層
は形状的ｌこ非常〆こ高珀度であるが、電Ｒ螢光面形状
はこの第１層絶縁層３ａによって一義的に決定されるか
らである。もちろん、嬉２）ｌｒ！が第１層力）らはみ
出さないようにする配慮は必要であるこさは言うまでも
ない。こうして第２層絶縁材料の杷蔵ペーストをスクリ
ーン印刷法により第１層絶縁層３ａ上に約１０ □”
２０ ｔｔｍの厚みに印刷し、焼成して第２層絶縁ノ鍔
３ｂを形成する。
第１層絶縁層３ａの上ｌこＩｉｉ；２１ｆＡ絶縁層３ｂ
を被覆する。この第２層Ｉこ用いる材料も、低融点ガラ
スを主成分とするフリットガラスペーストであるが、ｉ
１ ｒｆｌのそれよりも軟化温度の高いものを用いる
。第２層はパターン精度的ｌこはそ、ｆｌｌ嵩高１去能
のものを要求しなくても良いため、形成方法としてはス
クリーン印刷法を用いることができる。というのは、第
１層をフォトリソグラフィー法で形成しており、この層
は形状的ｌこ非常〆こ高珀度であるが、電Ｒ螢光面形状
はこの第１層絶縁層３ａによって一義的に決定されるか
らである。もちろん、嬉２）ｌｒ！が第１層力）らはみ
出さないようにする配慮は必要であるこさは言うまでも
ない。こうして第２層絶縁材料の杷蔵ペーストをスクリ
ーン印刷法により第１層絶縁層３ａ上に約１０ □”
２０ ｔｔｍの厚みに印刷し、焼成して第２層絶縁ノ鍔
３ｂを形成する。
この’Ｃｇ２１１酌縁層３ｂの形状は、例えばグリッド
がほぼ一方向に細線状に配されている場合、このグリッ
ドの張り方向と直交１−る成分を含むようｌこすること
が、グリッドの第１層絶縁層３ａへの付着を防止する上
で効果的である。
がほぼ一方向に細線状に配されている場合、このグリッ
ドの張り方向と直交１−る成分を含むようｌこすること
が、グリッドの第１層絶縁層３ａへの付着を防止する上
で効果的である。
このように第２ｊ―絶縁／＃３ｂの形成ｒ麦、螢光体を
電着して螢光面４を形成し、陽極基板を完成する。
電着して螢光面４を形成し、陽極基板を完成する。
さらにグリッド６およびカソード５を自己し、通常の・
ｒｔ球化工程を経て螢光表示′１！を完成する。なお、
ＩＸす極基板製造後の表示管製造工程中にがかる温度の
上限は約４８０’Ｃであるから、その加熱の際に軟化し
ないように第２層絶縁層３ｂの軟化点はそれより高くす
る。
ｒｔ球化工程を経て螢光表示′１！を完成する。なお、
ＩＸす極基板製造後の表示管製造工程中にがかる温度の
上限は約４８０’Ｃであるから、その加熱の際に軟化し
ないように第２層絶縁層３ｂの軟化点はそれより高くす
る。
以上説明したよう−こ、本発明ζこよれば、螢光体を被
着しない配線パターンを被覆する絶縁層を二層構造とし
、上層ｔこ軟化点の高い材料を用い１こことにより、下
層にはフォトリソグラフィー法による精甜加工が可能な
材料を用いて電着螢光面の精度を確保できるとともｔこ
、管才１ヒエ、門生に熱膨張でたわんだグリッドが絶縁
層に接触しても、直：妾接触する第２層絶縁層は軟化し
ないため絶縁材料が当該グリッドに付着するのを防止゛
することかできる。また、従来上記たわんだグリッドが
螢光体に接触し、グリッドに螢光体が付着して管球比後
にも、ＩＬ発光不良となることがあ゛つたが、不発ゆ’
Ｊｌこよ几ば螢光面の厚みより絶縁層のノリみそ千５′
）１こ厚くすることができるため、グリッドが螢光面ｌ
こつくことはなくなり、したがってもれ発光不良を減ら
すことができる。さらに、絶縁ノーが二ツメ４／９遺で
あるところから単層のみの場合ｌこ比較して（月補助来
が生じ、ピンホールはほとんど発生しない。このため螢
光面相互のタッチ不良の発生はは也んど皆無となる。
着しない配線パターンを被覆する絶縁層を二層構造とし
、上層ｔこ軟化点の高い材料を用い１こことにより、下
層にはフォトリソグラフィー法による精甜加工が可能な
材料を用いて電着螢光面の精度を確保できるとともｔこ
、管才１ヒエ、門生に熱膨張でたわんだグリッドが絶縁
層に接触しても、直：妾接触する第２層絶縁層は軟化し
ないため絶縁材料が当該グリッドに付着するのを防止゛
することかできる。また、従来上記たわんだグリッドが
螢光体に接触し、グリッドに螢光体が付着して管球比後
にも、ＩＬ発光不良となることがあ゛つたが、不発ゆ’
Ｊｌこよ几ば螢光面の厚みより絶縁層のノリみそ千５′
）１こ厚くすることができるため、グリッドが螢光面ｌ
こつくことはなくなり、したがってもれ発光不良を減ら
すことができる。さらに、絶縁ノーが二ツメ４／９遺で
あるところから単層のみの場合ｌこ比較して（月補助来
が生じ、ピンホールはほとんど発生しない。このため螢
光面相互のタッチ不良の発生はは也んど皆無となる。
第１図は従来の螢光表示管の陽極基板の構成例を示す断
面図、第２図は不発ツＪの一実施例を示す断面図である
。 １・・・・ガラス基板（絶縁基板）〜２・・・・ｈｉ薄
膜（配線パターン）、３・・・・絶縁層、３ａ・・・・
第１層絶縁層、３ｂ・・・・第２層絶縁層、４・・・・
螢光面、５・・・・カソード、６− ・ ・−グリッド
。 特許出願人 伊勢電子工業株式会社 代理人 山川政樹（を勤１１名） 第２図
面図、第２図は不発ツＪの一実施例を示す断面図である
。 １・・・・ガラス基板（絶縁基板）〜２・・・・ｈｉ薄
膜（配線パターン）、３・・・・絶縁層、３ａ・・・・
第１層絶縁層、３ｂ・・・・第２層絶縁層、４・・・・
螢光面、５・・・・カソード、６− ・ ・−グリッド
。 特許出願人 伊勢電子工業株式会社 代理人 山川政樹（を勤１１名） 第２図
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に形成した配線パターンの一部を絶縁
層で被覆し、露出した配線パターン上に螢光体を被着し
て螢光面を形成してなる陽極基板を備え、上記螢光面ｔ
こ対向してカソードおよび当該螢光面とカソードとの間
にグリッドを配置してなる螢光表示管において、上記絶
縁層を、配線パターンｌこ直接接触する第１層とグリッ
ドに対向する第２層との二層構造とし、第２層の絶縁層
を、その軟化温度が第１層の絶縁層に比較して高くかつ
上記陽極基板の製造工程を除く製造工程中に加わる加熱
温度の上限よりも高い絶縁材料によって構成したことを
特徴とする螢光表示管。 - （２）第２層の絶縁層を、少なくともグリッドに直交す
る成分を含む形状としたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の螢光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19990883A JPS6093744A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19990883A JPS6093744A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 螢光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093744A true JPS6093744A (ja) | 1985-05-25 |
| JPH0452587B2 JPH0452587B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=16415599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19990883A Granted JPS6093744A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100241A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Noritake Itron Corp | 蛍光表示管 |
| JP2008031391A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-14 | Jfe Engineering Kk | コークガイド車走行用プラットホームの清掃装置、コークガイド車 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP19990883A patent/JPS6093744A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100241A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Noritake Itron Corp | 蛍光表示管 |
| JP2008031391A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-14 | Jfe Engineering Kk | コークガイド車走行用プラットホームの清掃装置、コークガイド車 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452587B2 (ja) | 1992-08-24 |
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