JPS6089968A - 2層3段構造固体撮像装置 - Google Patents

2層3段構造固体撮像装置

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JPS6089968A
JPS6089968A JP59140674A JP14067484A JPS6089968A JP S6089968 A JPS6089968 A JP S6089968A JP 59140674 A JP59140674 A JP 59140674A JP 14067484 A JP14067484 A JP 14067484A JP S6089968 A JPS6089968 A JP S6089968A
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photosensitive
light
solid
photosensitive layer
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JP59140674A
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Masatoshi Tabei
田部井 雅利
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Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本出願は、1981年12月15日に出願されて既に放
棄された出願第330,921号の一部継続出願であり
、私の2つの同時継続の出願すなわち「ストライプ若し
くはモザイク状フィルタを有する固体カラー撮像装置」
と題した1981年12月15日出願の出願第330,
927号と1981年12月15日出願の既に放棄され
た出願第330,928号の一部継続出願である「3層
4段構造固体カラー撮像装置」と題した出願とに関連す
る。
本発明は固体カラーイメージセンサすなわち固体カラー
撮像装置に関し、特に、マルチカラーフィルタを必要と
しないCCD、MOS、MNOS等の装置から成る固体
の2−スの上に重ねられた複数の感光層を用いる固体カ
ラー撮像装置に関する。
固体カラーイメージセンサの分野における良く知られた
目標は、光に対して極めて感度が高くて鮮明な像を作る
が安価に製造することの出来る固体カラー撮像装置を作
ることである。この目標を追及して、様々のタイプの固
体カラー撮像装置が作られた。
その種のHl 4’A装置の1つでは、アレイを成す全
整色像感知素子が、該像感知素子のアレイの上に配設さ
れたカラーフィルタの複合アレイによって、色に対して
選択的に感応するようにされている。
利用可能な情報量を最大にする極めて効率的な該フィル
タアレイの配置は、例えば1976年7月20日にベイ
ヤー(Eayer)に与えられた米国特許第3,971
,065号と、1977年9月6日にディロン(D i
 11 o n)に与えられた米国特許第4,047,
203号に記載されている。しかしながら、そのような
アレイに固有の解像力は、該アレイに配設し得る感知素
子の数によって限定され、該アレイ内の各素子の一部分
のみが細部の解像に寄与することによって更に限定され
る。その結果、該複合フィルタカラー像感知アレイの空
間解像力は、特定の設計条件に最適化されCも、同一数
の素子の白黒像感知アレイはどに高くはならない。
英国特許第2,029,642号及び日本特許出願第5
5−39404号、第55−277772号、第55−
277773号及び第51−95720号で提案された
他の構成においては、感光装置は、スイッチング機能を
果すことの出来る情報転送装置若しくは固体ベース上に
重ねられている。該ベースはM OS若しくはOODス
イッチング装置である。該装置は英国特許第2.029
,642号に詳細に記載されており、その開示内容は参
照により本明細書に組込まれている。該構成は感光装置
が情報転送装置と同一レベルに配置されている従来の撮
像装置のそれより広い感知面積を有するので、潜在的に
高い感度を有する。しかし、該装置は、マルチカラーフ
ィルタを用いねばならず、また解像力の損失は上記した
通常の固体撮像装置に匹敵する。更に、該装置を構成す
るためには、カラーフィルタを像感知素子」二に特定パ
ターンで配列せねばならず、そのためフィルタのアライ
メント及び接着が困鍾となり、該装置の製造は勧で:は
で高価となる。
」二組英国特許に開示された構成の改良技術が欧州特許
第0.046,696号及び日本特許出願第56−16
6880号に記載されている。該欧州特許の改良された
構成は、各像感知素子のため固体ベース上に6個のMO
8素子を用いるものである。
光導電層内に発生された光担体(phot□−carr
ier)は増1’% M OS装置のゲートに加えられ
(該英国特許ではドレイン若しくはソース)、そして該
増till M OS装置はスイッチングMOSトラン
ジスタに接続されている。第3f7)Mosトランジス
タは充電便換素子をリセットするための手段を提供する
。このような構成を論する固体カラー撮像装置は、走査
されていないピクチャーセル(picture cel
l)から誤った信号が発信されることを防止することに
よって、/’#1.力及び信号対雑音比を改善するもの
である。
日本特許出願第56−133880号の改良された構成
は、電気信号として光信号のデータを検出、記憶するた
め金属窒化物酸化物シリコン半導体(MNOS)電界効
果トランジスタを用いる。
上記欧州特許の場合と同様に、光信号はトランジスタの
ゲートに加えられる。この構成の固体カラー撮像装置は
、該MNO5半導体装置を用いる結果、不揮発性メモリ
ー効果を生ぜしめる。
該欧州特許及び日本特許出願第56−133,880号
に記載された装置は双方とも依然として、像感知素子上
に特定パターンで配列されるマルチカラーフィルタを用
いねばならない。
ビジコンにおけるカラーフィルタを除くたメツ技術がカ
ド−外(Kato et al、)(7)米国特許第3
,617,753号に教示されている。該ビジコンは、
光強度を表わす電気信号を記憶する複数のp −nダイ
オード上に基層を有する通常の半導体層を含む。電子ビ
ームが該p −nダイオードを走査してビデオ読出し信
号を発生させる。その中を該p −nダイオードに向っ
て光が通過する該半導体基層の厚みを階段状にすること
により、該段の寸法に応じてそれぞれ異なった波長の光
が該p−nダイオードに入射する。このようにして、該
p −nダイオードの異なる群は異なる色の光を記憶す
ることが出来る。あるいはまた、表面から様々の深さの
位置にp −nダイオードを形成して事実上該基層の厚
みを階段状とすることも出来る。
他の実施例では、電子ビーム走査に代えて固体走査を用
いることが出来る。その実施例では、各画素に接合装置
とMO8素子が設けられ、基層の選択的エツチングによ
り該半導体基層の受光面と画素の該接合装置との間の距
離が変えられている。
開示された装置は該階段状若しくは切欠構成のため平ら
ではなく、また感光素子として光導電体を用いるシステ
ムによって得られる利点を有してはいない。
同一寸法の白黒アレイのそれに等しい潜在的解像力を有
する固体カラー像感知アレイが開発された。その感知ア
レイは複数の重ね合されたチャンネル(例えば、6色装
置用には6つの重ね合されyo− たチャンネル)を有しており、そして各チャンネルは半
導体材料による光の微分吸収(d i f f 8rs
ntial absorption)に起因する異なる
スペクトル応答特性を有する。(H。
neywell、Havant、Hampshire 
PQ91KF、U、K。のI n d 118 t r
ial 0pporturtitj、es、Ltd。
より入手可能なRe5earch Disal。
5ure、August 1973.Vol。
172、Disclosure A 17240e n
 t i t l e d : ” Oo l o r
 Re s p o n5ive OOD 工mage
r”を参照)しかし、6つのチャンネルを重ね合せる必
要があるため、該装置を製造するには極めて複雑で高価
な工程が必要である。COD (電荷結合デバイス)を
用いるときは、情報信号を伝えるチャンネルは厳密な制
限内で慎重に構成されねばならず、構成が複雑で高価と
なる。基層に単一のチャンネルを作ることは可能である
が、その上に更に別のチャンネルを重ねることは複雑で
困難である。
開示第17240号等に開示された装置は、多重チャン
ネル重ね合せ色感知装置として作動し得る多重重ね合せ
型の様々のチャンネルをシリコン結晶内に作ることが可
能であることを示している。
しかしながら、」−記したように製造が高価で複雑であ
る上に、使用された材料の固有の制限の故にこれら装置
の色の分離と選択性とl−3貧弱である。
該装置を作るのに用いられた材料は、色選択性感光装置
として作用すると同様に、良好な単結晶特性を有さねば
ならないOODチャンネルとして作用するのである。
上記したように、この技術分野においては、感光性が高
くて鮮明且つ精細な解像力を与える固体カラー撮像装置
がめられている。マルチカラーフィルタが像感知素子ア
レイ上に重ね合された装置を用いることによって得られ
る像は、米国特許第3,971,065号に記載されて
いるように、解像力を制限し、感度を制限し、しかもマ
ルチカラーフィルタを正確に配置せねばならないので製
造が複雑で高価である。英国特許第2,029,642
号、欧州特許第0.046,396号、あるいは日本特
許出願第56−133880号に記載されているように
、感光装置を情報転送装置上に重ねて成る装置を用いる
ことによって感度を高めることが出来る。しかしながら
、該装置はその製造の複雑きと費用とを更に増大させる
こととなるようなマルチカラー複合フィルタの使用を必
要とするものであるので、該装置の解像力はなお成る程
度制限されている。重ね合された複数のチャンネルの感
知アレイを有する装置を用いることにより、白黒アレイ
のそれと等しい感像力を得ることが可能である。しかし
ながら、6つのチャンネルを互いに重ね合せるため複雑
で高価な製造技術を用いねばならない。
本発明は、単一の色の光を検出するために用いられる像
感知素子を含むベース」二に互いに重ね合された複数の
感光層を用いる。本発明によれば、各感光層と、ベース
上の素子とがそれぞれ異なる色の光を検出するので、マ
ルチカラー複合フィルタを用いる必要がない。該装置は
同一寸法の白黒アレイのそれと等しい解像力を有してお
り、単純な、通常の安価な技術によって製造することが
出来る。
本発明は、従来の真空蒸着技術やスパッタリング技術等
の単純で安価な従来技術を用いて製造可能な固体カラー
撮像装置を提供する。該装置は、光に対して極めて感度
が高く、人間の視覚特性を考慮して好適に解像力の高い
仰を作る。Y ) IJクス内の個々の色素子の大多数
の感光面相は、マルチカラーフィルタと共に単一の光導
電層を用いる撮像装置の対応する素子の感光面積より大
である。
また解像力も、同一数の素子を有する従来の白黒固体撮
像装置のそれに匹敵する。
本発明装置は、電荷を処理するためのスイッチング素子
を有する固体のベースを有し、該ベース」二には感光素
子も設けられている。光を吸収し検出するための複数の
感光層がベース上に重ねられている。該固体のベースは
、電荷結合デバイス(COD)、金属酸化物半導体(M
OS)マトリクススイッチング装置、あるいは金属窒化
物酸化物半導体(M N OS)マトリクススイッチン
グ装置等の2次元情報装置の如何なるタイプのものであ
っても良い。該ベースは、該感光層及び該ベース自体の
該感光素子と関連してスイッチング及び転送機能を果す
。該ベース上に互いに重ね合された感光層は各々、上部
連続透明電極層と、透明なモザイクパターンの背部電極
と、それらの間に配置された光導電副層とを含む6つの
副層から成っている。該層の各々の背部電極は、該ベー
ス上の感光素子と同様に、該固体のベース」二のスイッ
チング素子に電気的に接続されている1すなわち、使用
されたベースのスイッチング装置の種類と配列とに応じ
て例えばゲート、ソース、あるいはドレイン端子に接続
されている。該感光層の各々は、電気結線を除いて、全
ての点で他の層及び固体のベースから電気的に絶縁され
ている。
本発明の主な目的は、感光素子を含む固体のベースと、
その上に重ねられた複数の感光層とから成り、各層及び
該ベースの感光素子が、該感光層及び感光素子からの電
荷を読取ることを可能ならしめる該ベース」二の端子に
電気的に接続され、各感光層が順次により広い帯域の光
に感応してこれを吸収し、該ベースの感光素子が上方の
層を通過した光のみを検出し得る、固体カラー撮像装置
を提供することである。
本発明の他の目的は、マルチカラーフィルタを用いずに
製造することの出来る固体カラー撮像装置を提供するこ
とである。
本発明の他の目的は、感光性の高い固体カラー撮像装置
を提供することである。
本発明の他の目的は、#!像力の高い固体カラー撮像装
置を提供することである。
本発明の他の目的は、単純且つ安価な方法で製造し得る
固体カラー撮像装置を提供することである。
本発明のこれらの目的及びその他の目的、並びに利点は
、構成の詳細及び使用法に関する下記の更に詳しい説明
から明らかとなる。添付図面を参照するが、その全図を
通じて同一参照符は同様のざiS分を示す。
本発明の固体カラー撮像装置の説明の前に、本発明は図
示した要素の特定の配列に限定されず様々の実施例が可
能であることを理解するべきである。また、ここに用い
た術語は特定の実施例を説明するために用いたものであ
って、本発明を限定する意図をもって用いたものではな
いことをも理解するべきである。
以下、図面を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
第1図を参照して、ベース上に重ねられた感光素子を有
するタイプの従来の固体カラー撮像装置を説明する。第
1図は従来の固体カラー撮像装置の分解斜視図である。
ベース2は、その上に重ねられた感光層6を有する。ベ
ース2は複数のMOSスイッチング素子6.7.8.9
.10及び11を含む。第1図は、該撮像装置の僅か一
部分を示すに過ぎない。実際には、この撮像装置は数十
個のMO8素子を含む。素子6.7.8.9.10及び
11は、それぞれ例えば赤、緑、青、青、赤及び緑の光
に関連する様々のスイッチング及び転送機能のために用
いられている。素子乙ないし11の各々はソース端子1
2及びドレイン端子1ろを含む。
感光層6は、以下に更に説明する6つの副層からなって
いる。層乙の底部すなわち最も内側の副層の上の底部副
層すなわち背部モザイク電極は全て素子6ないし11に
電気的に接続されている。
素子6.7.8.9.10及び11にそれぞれ対応する
フィルタ素子14.15.16.17.18及び19が
感光層6上に重ねられている。フィルタ素子14ないし
19は、単一の色の光以外の全ての光を濾過して除去す
るために用いられている。
よって、上記した素子6ないし11のスイッチング及び
転送機能に応じて、例えば、フィルタ14は赤色光以外
の全ての光を濾過して除去しジフィルタ15は緑色光以
外の全ての光を濾過して除去し;フィルタ16は青色光
以外の全ての光を濾過して除去する、等である。
層6内の感光機能はベース2内のスイッチング及び転送
機能から分離されているので、第1図に示した装置は、
スイッチング及び転送機能と同一レベルで感光機能が遂
行された従来装置より著しく感光性が高い。しかしなが
ら、第1図に示した装置はなおマルチカラーフィルタ1
4ないし19を用いねばならず、該フィルタは精密な配
置を必要とするので該装置の構成は幾分高価となる。フ
ィルタ14ないし19は、それぞれその背部電極によっ
て画定された感光領域20.21.22.23.24及
び25に光が到達する前に光を濾過して除去するために
用いられている。
MO8素子6ないし11、感光領域20ないし25、及
びフィルタ14ないし19の各々の組合せは、当該技術
分野で画素と称しているものを形成する。よって、第1
図に示した装置の一部分は6つの画素を有する。本出願
人の発明によれば、6つの画素若しくは以下に2つの画
素の組として説明するものを含む同一寸法のベース2を
用いるが、マルチカラーフィルタを要しない装置を作る
ことが出来る。
第2図は本発明装置の斜視図を示す。この撮像装置は、
その上にM OS素子6.7.8.9.10及び11が
配置されたベース2を含む。感光層ろ及び4がベース2
」二に重ねられている。各層3及び4は、第6図を参照
して更に詳しく説明する副層から成っている。MO8素
子7及び10に伴って、ベース2上にフォトダイオード
5及び5′がそれぞれ配置されている。第2図は、第1
図と同様に、数十個の類似部分から成る撮像装置の僅か
一小部分を示すに過ぎない。層6及び4及びフォトダイ
オード5及び5を第2図に示したように配置することに
よって、第1図に示した如きマルチカラーフィルタを用
いることなく、6つの別々の帯域の光を検出することが
可能である。
層6は感光素子26及び27を含み、J脅4は感光素子
28及び29を含む。素子26ないし29の各々はベー
ス2のMos%、H子の1つに接続され、各フォトダイ
オード5及び5′はベース2上のIφO8素子と共働す
る。素子26及び2Bは素子27及び29と同様に互い
に重ね合されており、層6及び4はベース2」二の全て
のフォトダイオードを覆う。若し層6及び4が感光素子
2B、29等から成るものとして説明すれば本発明をよ
り容易に理解することが出来るであろうが、各層におい
て上部電極副層及び光導電副層は(経由穴を除いて)連
続的な層であることが出来るし、連続的な層であること
が好ましい七いうことを理解するべきである。底部モザ
イク電極副層は連続的ではなく、各感光素子の境界を画
定している。j帝6及び4の各々は所定の色の光を検出
するのみならず、その色を吸収する。よって、例えば青
及び緑の2色が検出されて吸収され、例えば赤の1色が
素子5及び5′に入射する。
素子26及び28はそれぞれMO3素子9及び乙に接続
されている。MO8素子9及び6とベース2より上の感
光素子26及び28と、MO8素子10に共働するベー
ス2上のフォトダイオード5′との組合せは、画素の組
と称せられるものを構成している。各画素の組は別々の
6つの色の光を検出することが出来る。MO8素子は第
2図ではL字状パターンをなして配置されている。しか
しながら、1.ムMO3素子は直線状あるいは矩Jlツ
等様々のパターンに配列可fii:’、であり、また(
1、々の方法で背部電極に1′と続可能であることに留
意するべきである。領域(感光素子)2B?j:M、臂
谷f45を介してベース2に接続され、領域(感光素子
)26は結線44を介してベース2に11r2 +Y;
i’tiされている。
本発明撮像装置の縦断面図である第6図を参照して、層
6及び4を詳却1に説明する。上記したように、感光層
ろ及び4はそれぞれ6つの副jヤIから成っている。j
音6は副層62.6ろ及び64を含み、層4は副層35
.36及び67を含む。J+gf 3は絶縁材料層41
によってベース2から絶縁されている。層6は絶縁材料
層42によって層4から絶縁されている。よって、層6
及び4の各々?−j電気結線44及び45を介して接続
される以外は互いに、またベース2かへ、全ての点で?
1尤気的に絶縁されている。
感光層6は上部透明電極副層64及び底部透明モザイク
電極副層62を含む。光導電性材料の副層ろろが副層6
2及び64間に配置されている。
層4は層6に類似した副層を含む。底部モザイク電極副
層62及びろ5は透明でなければならない。
更に、A’r3及び4の各々は、第5図ないし第5C図
に関連して詳しく説明するように、異なる色の光に感応
し、しかもそれを吸収することが出来るように4”Nj
成されている。
第2図及び第6図に示した態様で装置を作るこトニヨっ
て、複合マルチカラーフィルタのアレイを不要とするこ
とが出来る。すなわち、本発明は、例えば第1図に示し
た米国特許第3.971.065号及び第4.0472
03号に開示されているようナフィルタノアレイの相対
的配置を要しないので、 ある。本発明装置は固体装置
上に複合(マルチカラー)カラーフィルタを要しないの
で、比較的に簡単な方法で比較的に安価に製造すること
が出来る。
本発明装置はフィルタを要することなく作動することが
出来る。しかしながら、単一の広帯域型フィルタを最も
外側の感光層4に重ねて用いることが出来る。該フィル
タは、4000λ以下若しくは7700Å以上の波長の
光、すなわち紫外線若しくは赤外線のような人間の1]
に見えない光を;)、ω過して除去するように設計する
ことが出来る。
第4図は本発明の撮像装置の斜視図である。第4図に示
したように、最も外側のW4の上面に光が入射する。以
下に詳しく説明するように、光の一部分は層4に吸収さ
れて光の残部が1・・、ツろに入射し、その光の一部が
更に層ろに吸収されて、残った光が層2に入射する。感
光素子5及び5′はベース2」−に配置され、公知態様
でMO8素子7及び10と共働する。第1図に示したよ
うな重合感光層構造の開発以前は、5及び5′等のフォ
トダイオード素子のアレイが唯一の光検出手段として用
いられていた。」二組したように、フォトダイオードの
寸法が小さいため該構造の感光性は高くはなく、マタ該
4荷3告はなおマルチカラーフィルタアレイを必要とす
るものであった。
第5図を第5a図ないし第5c図と共に参照して本発明
撮像装置の作用を詳記する。第5図は第6図と同様に該
装#イの縦−1面を示すが、例えば副層は第5図には示
されておらず、やや簡略化した図である。第5a図、第
5b図及び第5c図は、それぞれ、層6及び4で吸収さ
れ感知される光と共にベース2上の感光素子5及び5′
により感知される光について、波長に対し吸収及び光導
電の双方をプロットしたグラフである。
N4が応答する波長領域の光が層4に入射すると、感光
副層66(第6図参照)の素子28(第2図参照)の抵
抗が減少する。減少した抵抗は、ベース2内のMO3素
子乙に接続した電極副層67及び65を用いて電気的に
検出して記録することが出来る。光の検出に関連して行
なわれる電気抵抗の減少の記録の方法は本発明の一部で
はなく、当業者には良く知られている。減少した抵抗は
、層4の素子28に入射した青色光の強度を表わす(第
5a図参照)。更に、第5a図の吸収曲線が示すように
、層4は青の領域の光のみを吸収する。
/間者4を通過する光はスペクトルの緑及び赤の部分の
みを含む。層4は波長5000λ以下の光を全て吸収し
、その残りを層6へ通過させる。更に、層4は波長50
00λ以下の光に感応する。
層ろか応答する波長領域の光が層6に入射すると、感光
副層66(第6図参照)の素子26(第2図露照)の抵
抗が減少する。上記と同ノ:’、、4’)にして、抵抗
の減少により電流が変化する。従って、領域26に入射
する緑色光をMO3装置9と関連して検出することが出
来る。I?73の吸収曲線が示すように、層ろも緑の領
域の光を吸収する。II、’z/3の何科は実際には青
色光及び緑色光を吸収するのであるが、青色光はIX’
y 4により吸収若しくは濾過除去されてしまっている
。従って、ハq6及び4の組合せにより、青及び緑の光
は全て除去され、赤色光のみが通過する。層4は、波長
5000λ以下の光を濾過除去し、波長5000^以下
の光に感厄する。しかしながら、波長5oooi以下の
光は層4により濾過除去されてしまっているので、層6
は、5000 A (!: 600 OAト(7)間ノ
波長ノ光すなわち緑色光のみに接し、それ故この光に応
答する。
第5c図に示すように、ベース2の/嵌光素子5及び5
′は可視光の全てを吸収し、可視光の全てに成る程度感
応する。しかし、素子5及び5はスペクトルの赤の部分
の光に最も強く感応する。上記したように、層4が既に
青色光を吸収しており、層6が既に緑色光を吸収してい
る。従って、赤色光のみがベース2に入射して素子5及
び5に入射する。赤色光が素子5及び5′に入射すると
電流が変化し、電気的インパルスによる光の検出を可能
ならしめる。
上記した如き吸収及び光導電特性を有する層6及び4及
び素子5及び5′を用いることにより、該撮像装置のい
ずれの領域に入射する光をも精密に感知し、その光の波
長と色とを測定することが可能である。層のいずれの領
域若しくはいずれの感光素子に入射する光の強度も抵抗
の変化の大きさにより測定することが出来る。層6及び
4は、抵抗の僅かな変化を測定することが出来、それ故
撮像装置に入射するいずれの波長(色)の光の相対強度
をも、ベースと関連した電子手段を介して検出して記録
することが出来るように、構成されている。
本明細書に開示したカラー撮像装置は、様々の実施態様
が可能である。構成の詳細は示されていないが、2つの
光導電層と、各光導電層の底部電極を半導体基層上のM
O8装置に接続するための、該光導電層内の開口とを設
けるために必要な変更を加えて、前述の英国特許に示さ
れた方法で該撮e装置アレイを構成し得ることは明らか
である。
更に、ベース2は素子5及び5等の感光素子を収容せね
ばならないが、このような素子の構成及び配置は公知で
ある。
第2.6.4及び5図に示し第5a図ないし第50図と
関連して説明した実施例は本発明の好ま 。
しい実施例である。上方の層4は青色光を検出して吸収
し、第2の層6は少くとも緑色光を検出して吸収し、素
子5及び5は少くとも赤色光を検出する。層6及び4が
光を検出し且つ吸収し得るように該層を構成することに
より、該層はセンサ及びフィルタの双方として作用する
。従って、複合アレイに配置せねばならないマルチカラ
ーフィルタは不要となっており、種々の色を検/Jjす
る撮像装置の能力は維持されている。
第5図に示し第5a図ないし第5C図と関連して説明し
た装置は、様々な結果を得るために様々の方法で構成し
得るものである。しかしながら、これらの図に示し説明
した実施例は望ましい結果を与えるものであるというこ
とが見出されている。
このように作動するべき装置を構成するときは、絶縁層
の絶縁材料は各感光層の材料と同様に特定の方法で構成
されねばならない。
層41及び42の絶縁材料は、例えばSiO2+513
N4+ ポリイミド、ポリアミド、フォトレジストその
他の公知有機ポリマなどの種々の電気絶縁材料から成る
ことが出来る。
最も上側の感光層4は青色光に感応するものであり、O
dS、Zn0dS及びZn5eTeから成る群から選ば
れた材料から成ることが出来る。
層6は、青色光及び緑色光の双方に感応してこれらを吸
収するのであるが、層4により青色光が濾過除去されて
しまっているので緑色光のみを検出して吸収するのであ
るが、非晶質セレン、Od、Se。
若しくはGaAsPから成ることが出来る。素子5及び
5′は青、緑及び赤の光に感応肱全ての色の光を吸収す
る。青及び緑の光が層6及び4によって濾過除去されて
しまっているので、該層(素子5.5’)は赤色光のみ
を検出する。素子5及び5′は当業者に周知の従来方法
により構成することが出来、GaAlAs、GaAsP
、Zn0dTe。
OdTθ及び非晶質水素化シリコンから成る群から選ば
れた材料から成ることが出来る。
用いられた感光層及び素子の種類と装置の用途とに応じ
て、様々の電圧を装置の作動に用いることが出来る。更
に、所望の結果に応じて、感光層及び/又は素子の各々
に関連して様々の電圧を用いることが出来る。
第6図は本発明の他の実施例の分解斜視図である。該撮
像装置は、その上に素子106.107.108.10
9.110及び111が配置されたベース102を含む
。該素子の各々は1つ以上のMOS若しくはMNO3素
子から成る。感光層106及び104かベース2上に重
ねられている。
層106及び104の各々は、第6図の層6及び4に関
して説明したものと同様の副層から成っている。しかし
、感光層104の光導電副層は緑色光及び青色光の双方
を検出して吸収し、感光層106の光導電副層は赤色光
を検出して吸収する。
単色フィルタ層105が感光層104の一部分の上に重
ねられている。
層106は感光素子126及び127を含み、層104
は感光素子12B、129及び130を含む。素子12
6ないし160の各々はベース102の素子の1つに接
続されている。接続は、該スイッチング素子を構成する
装置の1つのゲート、ソース若しくはドレインになされ
る。例えば、英国特許第2,029,642号に教示さ
れた画素を用いるときは、接続はMO3装置のドレイン
若しくはソースになされ、欧州特許第0.046,39
6号に教示された画素を用いるときは、接続は増幅MO
8装置のゲートになされ、日本特許出願筒56−133
880号に教示された画素を用いるときハ、接続はMN
O3装置のゲートになされる。素子128と素子129
の一部分とは素子126の」二に重ねられ、素子160
と素子129の一部分とは素子127の」二に重ねられ
ている。単色フィルタ17105は素子129上に重ね
られている。
素子126.128及び129はそれぞれ素子109.
106及び110に接続されており、そしてこれらの接
続は画素の組と称せられるものを成している。素子12
9が他の画素の組の第2のベース素子107にも接続さ
れていることに留意するべきである。2つの画素の組が
第6図に示されている。各画素の組が別々の6つの色の
光を検出することが出来る。素子は第6図においてはL
字状パターンをなして図示されている。しかしながら、
素子は直線状あるいは矩形等様々のパターンで配列可能
であり、また様々の方法で背部電極に接続可能であるこ
とに留意するべきである。ベースの素子106.109
及び110から成る画素の組において、素子126は結
線144を介してベース102に接続され、素子128
は結線145を介してベース102に接続され、素子1
29は結線146を介してベース102上の素子110
に接続されている。
感光素子129は第6図においてその背部電極″ から
2つの異なる画素の組に接続された2つの出力を有する
ものとして図示されているけれども、該素子129がそ
れぞれ単一の画素に接続された2つの別々の背部電極を
有することも出来ることは勿論である。
第6図の実施例は、上記欧州特許第0.046,396
号若しくは日本特許出願筒56−133,880号に開
示された種類のスイッチング素子をスイッチング素子1
06ないし111として用いるとき、特に有利である。
その場合、感光ダイオード5及び5を用いて赤色光を検
出することは不可能であり、第7図、第11(a)及び
11(ト))図を参照して詳しく説明するように、第6
図に示した構成は6色の光の全てが唯2つの光導電層に
よって検出されることを可能ならしめる。
第7図は本発明の撮像装置の縦断面図であり、その細部
は、第6図を参照して先に説明したものに著しく類似し
ている。第7図において、感光層106及び104の電
極副〃1は、上記欧州特許若しくは日本特許出願筒56
−133880号に開示された種類の画素を構成するM
OS若しくはMNO3装置のゲートに接続されている。
単色フィルタ105はMOS若しくはMNO3素子11
0に接続されている。特定の色の光が単色フィルタ10
5により吸収され、感光層104の光導電副層へ通され
る。層104が応答する波長領域の光が層104に入射
すると、該光導電副層の抵抗が減少する。減少した抵抗
は、第6図に関して先に説明したのと同様にして感光k
 104の電極副層を用いて電気的に検出し記録するこ
とが出来る。
第7図において、感光層104の光導電副層は青色光及
び緑色光を検出し吸収する。しかしながら、若し単色フ
ィルタ105が青色光及び緑色光を識別するように設計
されているならば、感光層104の単色フィルタ105
に借われた部分は該2色の双方を検出し吸収することは
出来ない。しかしながら、感光層104の単色フィルタ
105に覆われていない部分は、青色光及び緑色光の双
方を吸収し検出することが出来る。感光副層10ろの光
導電副層は赤色光を検出し吸収するので、赤の波長領域
の光が層103に入射すると該光導電副層の抵抗が減少
する。従って、前記と全く同様にして、素子106.1
09及び110は画素の組を形成し、6つの異なる色を
検出することが出来る。
第11 (a)及び11(ト))図は、第7図の実施例
を用いて6色を全て検出する2つの相異なる方法を示す
。第11 (a)図においては、単色フィルタ105は
黄色フィルタであるので、副層f04の該単色フィルタ
の下の部分は緑色光を検出する。6つの信号R,B十G
、及びGは全ての色の検出を可能ならしめる。第1Nb
)図では、マゼンタ色フィルタが使用されるので、副層
104の単色フィルタ105の下の部分は青色光を検出
する。6つの信号R,B十G及びBを組合せて、上記の
場合と同様に、6色の全てを検出することが出来る。
層を第7図に示したように配置する代りに、第9図の構
成を用いることが出来る。第9図の構成では、」一方の
層104は青色光のみに感応し、下方の層103は緑色
光及び赤色光の双方に感応する。この場合、単色フイル
ク105はマゼンタ色又はシアン色である。第11(c
)図に示すように、マゼンタ色フィルタを用いれば6つ
の色信号B。
G十R及びRが得られ、これらを組合せて全ての色を測
定することが出来る。第11(0)図に示すように、シ
アン色フィルタを用いれば信号B、G十R及びGが得ら
れ、これらを絹合せることによっても全ての色を測定す
ることが出来る。
第6図の構成は欧州特許第0046396号及び日本特
許出願第56−1ろろ880号のスイッチング素子を用
いるのに特に適しているか(ただし層102内に感光グ
イオード5及び5′を設けることは出来ない)、英国特
許第2,029,642号に開示されたスイッチング素
子を用いることが出来ることは勿論である。第8図はそ
のような構成を示す。第8図の実施例は、基極副層が該
スイッチング素子のソース若しくはドレインに接続され
ていることを除いて、第7図の実施例に類似している。
第8図の実施例の作用は単色フィルタ105の色に応じ
て第11(a)図若しくは第11(b)図で説明される
。第10図の実施例は、層104が青色光に感応し層1
03が緑色光及び赤色光の双方に感応するという点にお
いてのみ、第8図実施例と異なるに過ぎない。この実施
例は、単色フィルタ105の色に応じて第11(c)図
又は第11(d)図又示す如くに作用する。
本明細書において5本発明向体カラー撮像装置は最も実
用的で好ましいと思われる実施例について開示され説明
されている。特定の材料、特定の述語、及び光の特定の
波長及び色に対する感光層及び感光素子の特定の感度へ
の言及は、好ましい実施例を開示するためになされたに
過ぎない。本発明の範囲内で様々の実施例が可能である
が、好ましい別の態様を列記すると (1)電気的スイッチング素子のアレイからカシ。
前記電気的スイッチング素子の中の第1の複数の電気的
スイッチング素子と共働する複数の感光素子を有する固
体のイータと; 前記ベース上に配置された第1の絶縁材料の層と; 前記絶縁材料の層の上に重ねられた第1の感光層であっ
て、上部透明電極副層と、背部透明モザイク電極固層と
、前記上部及び背部副層間に配置された光導電副層とか
らなシ、前記背部モザイク電極副層は前記ベース上の前
記電気的スイッチング素子の中の第2の複数の電気的ス
イッチング素子に対応する部分のアレイに分割されてお
シ、前記背部モザイク電極副層の前記分割された部分は
それぞれ前記ば一ス上の前記電気的スイッチング素子の
中の前記第2の複数の電気的スイッチング素子に電気的
に接続されている。第1の感光層と;前記感光層上に配
置された第2の絶縁材料の層と; 前記第2の絶縁材料の層の上に重ねられた第2の感光副
層であって、上部透明電極副層と、背部透明モザイク電
極副層と、前記上部及び背部副層間に配置された光導電
副層とから成り、前記背部モザイク電極は前記ベース上
の前記電気的スイッチング素子の中の第3の複数の電気
的スイッチング素子に対応する部分のプレイに分割され
ておシ、前記背部モザイク電極の前記分割された部分は
それぞれ前記ば−ス上の前記電気的スイッチング素子の
中の前記第3の複数の電気的スイッチング素子に電気的
に接続されている、第2の感光副層と;から成ってお)
前記第1及び第2の感光層は可視波長スペクトルの異な
る領域に感応してこれを吸収し店よって前記感光層から
の電気信号は2つの異なる色の領° 域の光の強度を表
わし、前記ベース上の前記感光素子は第3の色の領域の
光の強度を表わすことを特徴とする。
(2)3個1組に配置された複数の電気的スイッチング
素子から成る固体のば一スと; その表面の一部分の上に感光素子を有する前記固体のは
−ス上に互いに重ね合され垂直に配置された2つの感光
層とから成っており、前記感光層の各々は上部透明電極
副層と、背部透明モザイク電極副層と、前記上部及び背
部副層間に配置された光導電副層とから成っておシ、前
記背部モザイク副層は部分のアレイに分割されており、
前記感光層の各々の背部モザイク副層部分は3個の組の
各々から前記電気的スイッチング素子の対応する1つに
電気的に接続されておシ、すなわち前記2つの感光層の
各々の背部モザイク副層の垂直に並んだ部分は3個の組
の各々の前記電気的スイッチング素子の1.つに接続さ
れると共に前記ベースの前記感光素子も3個の組の各々
の前記電気的スイッチング素子の対応する1つと共働し
、斯くして画素の組のアレイを形成しで本、す、前記感
光層及び前記ベース上の前記感光素子はそれぞれ可視波
長スペクトルの異なる領域に感応してこれを吸収し、故
に前記感光層及び前記R−スの前記感光素子の各々から
受信される電気信号は3つの異なる色の領域の光の強度
を表わすことを特徴とする。
(3)前記光導電副層及び前記感光素子は、各層が前記
固体のベースに向って順次に光のスペクト−3? − ルのよシ広い帯域を吸収することとなるような波長対吸
収特性を有するように構成され配置されていることを特
徴とする。
(4)前記光導電副層及び前記感光素子は、各層が前記
固体のベースに向って順次に光のス啄りトルのよシ広い
帯域を吸収することとなるような波長対吸収特性を有す
るように構成され配置されていることを特徴とする。
(5)前記光導電副層の一方はスペクトルの青の領域の
光に感応してこれを吸収し、前記光導電副層の他方はス
投りトルの、赤を除いて、少くとも緑の領域の光に感応
してこれを吸収し、前記、?−スの前記感光素子はスペ
クトルの少くとも赤の領域の光に感応することを特徴と
する。
(6)前記光導電副層は、前記固体のベースから最も遠
い、ス投りトルの青の領域の光に感応してこれを吸収す
る最も外側の層と、スはクトルの。
赤を除いて、少くとも緑の領域の光に感応してこれを吸
収する層とから成っておシ、前記固体のば一スの前記感
光素子はスペクトルの少くとも赤の 40− 領域の光に感応することを特徴とする。
(7)前記は−ス上に配置された前記電気的スイッチン
グ素子は金属酸化物半導体(MOS)装置であることを
特徴とする。
(8)前記ベース上に配置された前記電気的スイッチン
グ素子は金属酸化物半導体(Mo2)装置であることを
特徴とする。
(9)前記光導電副層の一方は、CdS、 ZnCd5
゜及びZn5eTeから成る群から選ばれた感光性拐料
から成シ、前記光導電副層の他方は、非晶質セレン、 
cd、Se、及びGaAsPがら成る群から選ばれた感
光性材料から成ることを特徴とする。
(10)電荷スイッチング素子のマトリクスから成シ、
前記電荷スイッチング素子の中の第1の複数の電荷スイ
ッチング素子は自身と共働する同数のフォトダイオード
9を有する半導体スイッチングマトリクスと; 可視スペクトルの比較的に低い帯域の光に応答してこれ
を吸収する第1の複数の光導電体であって、それぞれ前
記電荷スイッチング素子の中の第2の複数の電荷スイッ
チング素子に電気的に接続されて、該第1の複数の光導
電体に入射した該第1の複数の光導電体が感応する光の
強度を表わす電気信号を前記電荷スイッチング素子に送
る第1の複数の光導電体と; 少くとも前記第1の複数の光導電体より高い帯域の光に
応答してこれを吸収する第2の複数の光導電体であって
、それぞれ前記電荷スイッチング素子の中の第3の複数
の電荷スイッチング素子に電気的に接続されて、該第2
の複数の光導電体に入射した該第2の複数の光導電体が
感応する光の強度を表わす電気信号を前記電荷スイッチ
ング素子に送る第2の複数の光導電体と:から成る固体
撮像装置であって、 前記第1の複数の光導電体、前記第2の複数の光導電体
、及び前記半導体スイッチングマトリクスは、該固体撮
像装置に入射する光が先ず前記第1の複数の光導電体に
入射し、これによって吸収されなかった波長の光が前記
第2の複数の光導電体に入射し、これによって吸収され
なかった波長の光が前記フォトダイオードに入射するよ
うに。
互いに重ね合されて該撮像装置の3重合Nを構成してお
シ、前記第1.第2及び第3の複数の電荷スイッチング
素子によってスイッチングされる信号はそれぞれ3つの
異々る帯域幅の光の強度を表わすことを特徴とする。
01)前記第1及び第2の複数の光導電体は、上部及び
底部電極を有する光導電性材料の層から成っており、前
記底部電極は分割されて前記第1及び第2の複数の光導
電体の個々の光導電体を画成していることを特徴とする
(121前記電気的スイッチング素子は金属窒化物酸化
物半導体(MNOS)装置から成ることを特徴とする。
(13)前記電気的スイッチング素子は金属窒化物酸化
物半導体(MNOS )装置から成ることを特徴とする
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固体カラー撮像装置の分解斜視図であり
、ば−ス上に重ねられた光導電層を示す。  43− 第2図は本発明の固体カラー撮像装置の分解斜視図であ
り、その2層6段構造を示す。 第6図は本発明の固体カラー撮像装置の縦断面図である
。 第4図は本発明の固体カラー撮像装置の概略斜視図であ
る。 第5図、第5a図、第5b図及び第5C図はそれぞれ、
該撮像装置の縦断面図及び、該撮像装置の最も外側の層
、第2の層及びベース層で吸収され感知される光につい
て波長対吸収の関係をプロットしたグラフである。 第6図は本発明の固体カラー撮像装置の他の実施例の分
解斜視図であり、単色フィルタ付き2層3段構造を示す
。 第7図ないし第10図は、異なる種類のスイッチング素
子を有する第6図の固体カラー撮像装置の縦断面図であ
る。 第11a図ないし第11d図は種々の単色フィルタを有
する第6図の固体撮像装置の作用を示す略図である。  44− 図中符号 2.102・・ベース 3.4,103,104・・感光層 5.5′・・フォトダイオード 6〜11,106〜111・・スイッチング素子12・
・ソース端子 16・・ドレイン端子 14〜19・・フィルタ素子 20〜25・・感光領域 26〜29,126〜160・・感光素子44.45,
144,145,146・・結 線32〜37・・副 
層 41.42・・絶縁材料層 105・・単色フィルタ 図面の浄書(内容に変更なし) 第 1 図 U・・ 2 図 手続補正書 昭和59年11月−2ヌ日 1、事件の表示 昭和59年特許願第 140674号 2、発明の名称 2層6段構造固体撮像装置 3、補正をする者 事件との関係:特許出願人 名称 (520)富士写真フィルム株式会社霞が関ビル
内郵便局 私書箱第49号 栄光特許事務所 電話(581)−9601(代釦昭和
59年10月 9 日(発送日:昭和59年10月60
日)1)別紙の通り 2)別紙の通シ(製品を用いて適正な用紙に鮮明に描い
たもの。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、)複数のスイッチング素子と; 少くとも第1の色に感応してこれを吸収して第1の出力
    を発生する第1の感光層と; 前記第1の出力を前記スイッチング素子の中の第1のス
    イッチング素子に接続するだめの手段と;前記第1の感
    光層を介して光を受ける第2の感光層であって、第1及
    び第2の部分を有し前記第1の色と異なる少くとも第2
    及び第3の色に感応し、前記第1及び第2の部分からそ
    れぞれ第2及び第3の出力を発生する第2の感光層と;
    前記第2及び第3の出力をそれぞれ前記スイッチング素
    子の中の第2及び第3のスイッチング素子に接続するた
    めの手段と; 前記第2の色を遮るため前記第2の感光層の前記第2の
    部分の上に配置され、前記第3の出力を前記第3の色に
    応答せしめる単色フィルタと、から成ることを特徴とす
    る2層3段構造固体撮像装置。 2、)前記第1の感光層は青色光に感応してこれを吸収
    し、前記第2の感光層は緑色光及び赤色光に感応するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の2層3段
    構造固体撮像装置。 3、)前記フィルタはマゼンタ色フィルタであることを
    特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の2層3段構造
    固体撮像装置。 4、)前記フィルタはシアン色フィルタであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載の2層3段構造固
    体撮像装置。 5、)前記複数のスイッチング素子は金属酸化物半導体
    (1vlO8)装置から成ることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項に記載の2層3段構造固体撮像装置。 6、)前記複数のスイッチング素子は金桐窒化物酸化物
    半導体(MNOS)装置から成ること全特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載の2層3段構造固体撮像装置。 7、)複数のスイッチング素子と; 第1及び第2の部分を有し、それぞれ、第1及び第2の
    色に感応してこれらを吸収し第1及び第2の出力を前記
    第1及び第2の部分から発生する第1の感光層と; 前記第1及び第2の出力をそれぞれ前記スイッチング素
    子の中のml及び第2のスイッチング素子に接続するた
    めの手段と; 前記第1の感光層を介して光を受ける第2の感光層であ
    って、少くとも第3の、前記第1及び第2の色と異なる
    色に感応して第3の出力を発生する第2の感光層と; 前記第3の出力を前記スイッチング素子の中の第3のス
    イッチング素子に接続するだめの手段と:前Mi”第1
    の色を遮るため前記第1の感光層の前記第2の部分の上
    に配置されて前記第2の出力を前記第2の色に応答せし
    める単色フィルタと、から成ることを特徴とする2層3
    段構造固体撮像装置。 8、)前記第1の感光層は緑色光及び赤色光に感応して
    これらを吸収し、前記第2の感光層は青色光に感応する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第7項に記載の2層3
    段構造固体撮像装置。 9=)前記フィルタはマゼンタ色フィルタであることを
    特徴とする特許請求の範囲第7項に記載の2層3段構造
    固体撮像装置。 ]0)@記フィルタは黄色フィルタであることを特徴と
    する特許請求の範囲第7項に記載の2層3段構造固体撮
    像装置。 11)前記複数のスイッチング素子は金属酸化物半導体
    (MOS)装置から成ることを特徴とする特許請求の範
    囲第7項に記載の2層3段構造固体撮像装置。 1−2)前記複数のスイッチング素子は金属窒化物酸化
    物半導体(MNOS)装置から成ることを特徴とする特
    許請求の範囲第7項に記載の2層3段構造固体撮像装置
JP59140674A 1983-07-08 1984-07-09 2層3段構造固体撮像装置 Pending JPS6089968A (ja)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60157380A (ja) * 1984-01-26 1985-08-17 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像デバイスを用いた撮影装置
WO1986000484A1 (en) * 1984-06-18 1986-01-16 Eastman Kodak Company Apparatus for producing a color image signal
US4763189A (en) * 1984-08-31 1988-08-09 Canon Kabushiki Kaisha Color image sensor with three line sensors on different layers separated by electrically-insulating layers
JPS61193479A (ja) * 1985-02-22 1986-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd 固体カラ−撮像デバイス
US4679068A (en) * 1985-07-25 1987-07-07 General Electric Company Composite visible/thermal-infrared imaging system
US6373117B1 (en) * 1999-05-03 2002-04-16 Agilent Technologies, Inc. Stacked multiple photosensor structure including independent electrical connections to each photosensor
US20050109917A1 (en) * 2003-11-26 2005-05-26 Wong Hon-Sum P. Multi-spectral imaging with almost-full fill-factor using 3D pixels
JPWO2013190759A1 (ja) 2012-06-21 2016-02-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58103167A (ja) * 1981-12-15 1983-06-20 Fuji Photo Film Co Ltd ストライプフイルタ−またはモザイク状フイルタ−を有する固体カラ−撮像デバイス
JPS58103166A (ja) * 1981-12-15 1983-06-20 Fuji Photo Film Co Ltd 2層3階構造の固体カラ−撮像デバイス

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB916029A (en) * 1958-04-21 1963-01-16 Pye Ltd Colour television apparatus
US3617753A (en) * 1969-01-13 1971-11-02 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor photoelectric converting device
US3971065A (en) * 1975-03-05 1976-07-20 Eastman Kodak Company Color imaging array
US4047203A (en) * 1976-05-12 1977-09-06 Eastman Kodak Company Color imaging array
FR2433871A1 (fr) * 1978-08-18 1980-03-14 Hitachi Ltd Dispositif de formation d'image a semi-conducteur
US4214264A (en) * 1979-02-28 1980-07-22 Eastman Kodak Company Hybrid color image sensing array
JPS5642481A (en) * 1979-09-13 1981-04-20 Canon Inc Color picture detector

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58103167A (ja) * 1981-12-15 1983-06-20 Fuji Photo Film Co Ltd ストライプフイルタ−またはモザイク状フイルタ−を有する固体カラ−撮像デバイス
JPS58103166A (ja) * 1981-12-15 1983-06-20 Fuji Photo Film Co Ltd 2層3階構造の固体カラ−撮像デバイス

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