JPS6089567A - タンタルアルミ合金膜生成方法 - Google Patents
タンタルアルミ合金膜生成方法Info
- Publication number
- JPS6089567A JPS6089567A JP19558983A JP19558983A JPS6089567A JP S6089567 A JPS6089567 A JP S6089567A JP 19558983 A JP19558983 A JP 19558983A JP 19558983 A JP19558983 A JP 19558983A JP S6089567 A JPS6089567 A JP S6089567A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- targets
- film
- substrate
- tantalum
- alloy film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（δ）発明の技術分野
不発明番、１、’ｔＪｄ成４Ｊ′：積回！、１３のりｌ
ｕ Ｊ省にｊ３いて、クンタルアルミ音金ｊ１ψ（１゛
１］−ＡＩ−Ｎ ）を生成する方法に関する。
ｕ Ｊ省にｊ３いて、クンタルアルミ音金ｊ１ψ（１゛
１］−ＡＩ−Ｎ ）を生成する方法に関する。
（ＩＪ）技術のｉｌ、Ｌｉ景
薄膜混成並積回路の製造において、高面債抵抗祠料とし
てタンクルアルミの合金膜（Ｔａ補１−Ｎ）か用いられ
ており、この合金膜ば通常スパックＬ・！：置によって
生成されζいるか、合金ｊ脱の晶ダ′「向上の面からは
タンタルとアルミ二ノ、−ムの比イー１が常に一定であ
ることが要求され、一方生産能率向上の面からは生膜速
度の向上か要求されている。
てタンクルアルミの合金膜（Ｔａ補１−Ｎ）か用いられ
ており、この合金膜ば通常スパックＬ・！：置によって
生成されζいるか、合金ｊ脱の晶ダ′「向上の面からは
タンタルとアルミ二ノ、−ムの比イー１が常に一定であ
ることが要求され、一方生産能率向上の面からは生膜速
度の向上か要求されている。
）４．１１Ｑ混成集積回路の量産化に対処できる薄膜生
成方法として、前記の要求を同時に実現できる暦股牛成
力法の（ｉ（ｉ′ηか望まれている。
成方法として、前記の要求を同時に実現できる暦股牛成
力法の（ｉ（ｉ′ηか望まれている。
（ｃ＋ ｔｉｔ未技術と問題点
第１図はｉｌＬ来のタンクルアルミ合金股の生成方法を
示す図、第２図はクーゲットの形状を示す図である。第
１図において第２図に示ずＩ）ｕ＜タンクル金屈板６に
？５ｉ数個のアルミフロック７を埋めこんてなるターケ
ノｌ−１はスパック装置の中央部に固定されており、タ
ーケノｌ １とスパック装置のフレームの間には図示し
てないがクーゲット１−・の入力電力を変えることので
きるクーゲット電源か接続されている。そしてクーゲッ
ト１の周囲に回転可能な状態で支承されている回転体２
にし、１基扱３か固定されており、図示してないモータ
によって１０〜２Ｏｒｐｍ程度の速さで回転している。
示す図、第２図はクーゲットの形状を示す図である。第
１図において第２図に示ずＩ）ｕ＜タンクル金屈板６に
？５ｉ数個のアルミフロック７を埋めこんてなるターケ
ノｌ−１はスパック装置の中央部に固定されており、タ
ーケノｌ １とスパック装置のフレームの間には図示し
てないがクーゲット１−・の入力電力を変えることので
きるクーゲット電源か接続されている。そしてクーゲッ
ト１の周囲に回転可能な状態で支承されている回転体２
にし、１基扱３か固定されており、図示してないモータ
によって１０〜２Ｏｒｐｍ程度の速さで回転している。
り−クー、１Ｎ、回転体２および基板３は外気から遮１
υｉされたスパッタ室４の中に収納されており、スバ、
り室４はチューブ５を介して図示してない排気系に接Ｕ
、されている。
υｉされたスパッタ室４の中に収納されており、スバ、
り室４はチューブ５を介して図示してない排気系に接Ｕ
、されている。
かかるターゲットを用いた場合クンタル金属分子の多い
部分とアルミ金属分子の多い部分が交互に形成され縞模
様状の分布になるが、クーゲットと基板の間隔を十分に
とり、基板温度を高くして金属分子の移動を容易にし、
生膜速度を遅くすることで、合金膜の生成過程における
タンタル金属分子とアルミ金属分子の拡散を助長し、は
ぼ均一な組成のタンクルアルミ合金膜を生成している。
部分とアルミ金属分子の多い部分が交互に形成され縞模
様状の分布になるが、クーゲットと基板の間隔を十分に
とり、基板温度を高くして金属分子の移動を容易にし、
生膜速度を遅くすることで、合金膜の生成過程における
タンタル金属分子とアルミ金属分子の拡散を助長し、は
ぼ均一な組成のタンクルアルミ合金膜を生成している。
しかしこの合金膜の生成方法は上述の制約を受けて生膜
速度を速くＪ−ると組成が不均一になる。
速度を速くＪ−ると組成が不均一になる。
更にアルミニュームのスパッタ率がクンクルのスパッタ
率より人きいため、タンタル金属板に埋めこんだ複数（
１１１のアルミブロックの方が早く消耗され、タンタル
金属板が残っていてもターゲラ１−とじて使用不可能に
なり損失が大きい。また組成の異なるタンクルアルミ合
金膜を生成する場合ばその都度組成に合わせたクーゲッ
トを準備する必要がある等多くの問題がある。
率より人きいため、タンタル金属板に埋めこんだ複数（
１１１のアルミブロックの方が早く消耗され、タンタル
金属板が残っていてもターゲラ１−とじて使用不可能に
なり損失が大きい。また組成の異なるタンクルアルミ合
金膜を生成する場合ばその都度組成に合わせたクーゲッ
トを準備する必要がある等多くの問題がある。
＋ｄ） 発明の目的
本発明の目的は基板上にタンクルアルミ合金ｊ戻を生成
する薄膜生成方法におりる前記の問題点を改善し、合金
膜の品質向上および能率向上に寄与するタンタルアルミ
合金膜生成方法を提供することにある。
する薄膜生成方法におりる前記の問題点を改善し、合金
膜の品質向上および能率向上に寄与するタンタルアルミ
合金膜生成方法を提供することにある。
Ｆｅ） 発明の構成
そしてこの目的はタンクル（Ｔａ ）のターゲラ）・と
アルミニューム（八１）のクーゲットを別個に設け、そ
れぞれのターゲットに別個のターゲット電源を接続し、
両方のターゲットに同時に電力を印加することで達成し
ている。
アルミニューム（八１）のクーゲットを別個に設け、そ
れぞれのターゲットに別個のターゲット電源を接続し、
両方のターゲットに同時に電力を印加することで達成し
ている。
（ｆ） 発明の実施例
以下添伺図により本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明になるスパック方式によるクンタルアル
ミ合金膜の生成方法の一実施例を示す図であり、第１図
と同し対象物は同一符号で表しＣいる。
ミ合金膜の生成方法の一実施例を示す図であり、第１図
と同し対象物は同一符号で表しＣいる。
図においてクンタルのタープ・ノ１〜１八とア／Ｉ７ミ
ニユームのクーゲットＩＢはそれぞれスノク・ツタ装置
の中央部に固定されており、タープ・ノｌ−１Δおよび
ＩＢとスパック装置のフレームの間には、図示してない
がターゲット・＼の入力電力を変えることのできる別個
のタープツト電源が接続されても）る。そしてターゲラ
１−の周囲に回転可能な状聾で支承されている回転体２
には基板３が固定されており、回転体２は図示してない
モータに連結されている。
ニユームのクーゲットＩＢはそれぞれスノク・ツタ装置
の中央部に固定されており、タープ・ノｌ−１Δおよび
ＩＢとスパック装置のフレームの間には、図示してない
がターゲット・＼の入力電力を変えることのできる別個
のタープツト電源が接続されても）る。そしてターゲラ
１−の周囲に回転可能な状聾で支承されている回転体２
には基板３が固定されており、回転体２は図示してない
モータに連結されている。
ターケソト１八およびＩＢ、回転体２並びに基板３は外
気から遮断されたスパッタ室４の中に収納されており、
スパッタ室４ばチューブ５を介して図示してない排気系
に接続されている。
気から遮断されたスパッタ室４の中に収納されており、
スパッタ室４ばチューブ５を介して図示してない排気系
に接続されている。
かかる方法でタンクルア月べ合金膜を生成すれば、極薄
いタンタル金属薄膜とアルミ金１７ｉＳ薄膜が交互に基
板の上に形成されるが、従来の方法に比べてタンタル金
属分子とアルミ金属分子が容易に混じり合い、生ｊ模速
度を速くしても組成の均一な合金膜を生成することがで
きる。またターゲットと基板の距Ｒ１ｔに関係なくそれ
ぞれのタープ、１・に印加する電力を制御することによ
って合金膜の組成を自由に変えることができる。更にそ
れぞれのクーゲットは消耗されて無（なるまでクーゲッ
トとして使用できる等の利点が得られる。
いタンタル金属薄膜とアルミ金１７ｉＳ薄膜が交互に基
板の上に形成されるが、従来の方法に比べてタンタル金
属分子とアルミ金属分子が容易に混じり合い、生ｊ模速
度を速くしても組成の均一な合金膜を生成することがで
きる。またターゲットと基板の距Ｒ１ｔに関係なくそれ
ぞれのタープ、１・に印加する電力を制御することによ
って合金膜の組成を自由に変えることができる。更にそ
れぞれのクーゲットは消耗されて無（なるまでクーゲッ
トとして使用できる等の利点が得られる。
＋ｇ＋ 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、薄膜混成集積回路の
泣産化に対処できるＮＩＩ’Ａ生成方法として合金膜の
品質向上および能率向上に寄与するタンタルアルミ合金
膜生成方法を提供する。−とができる。
泣産化に対処できるＮＩＩ’Ａ生成方法として合金膜の
品質向上および能率向上に寄与するタンタルアルミ合金
膜生成方法を提供する。−とができる。
第１図は従来のタンクルアルミ合金膜の１４Ｅ成方法を
示す図、第２図はクーゲットの形状を示す図、第３図は
本発明になるクンタルアルミ合金１１Ｚの生成方法の一
実施例である。 図において１八ばタンタルのターゲラ１−１ＩＢはアル
ミニュームのクーゲット、２は回転体、３はＷ板、４は
スパッタ室、５は排気チューブを示す。 ３ Ｐｌ因 碧３昭
示す図、第２図はクーゲットの形状を示す図、第３図は
本発明になるクンタルアルミ合金１１Ｚの生成方法の一
実施例である。 図において１八ばタンタルのターゲラ１−１ＩＢはアル
ミニュームのクーゲット、２は回転体、３はＷ板、４は
スパッタ室、５は排気チューブを示す。 ３ Ｐｌ因 碧３昭
Claims (1)
- スバ、り訪に、１、り基板上にタンクルアルミ合金股を
η二成する薄膜生成方法において、タンタル（’Ｉ’ａ
）のクーゲットとアルミニューム（八１）のクーケノ１
を別個Ｃご設り、それぞれのクーゲットに別１１ｂ１の
クーリーノド電源を接続し、両刀のターリ−・ノドＣ１
二同］１４に電力を印加することを特徴とするクンクル
アルミ合金股η、成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19558983A JPS6089567A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | タンタルアルミ合金膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19558983A JPS6089567A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | タンタルアルミ合金膜生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089567A true JPS6089567A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16343655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19558983A Pending JPS6089567A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | タンタルアルミ合金膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794753B2 (en) | 2002-12-27 | 2004-09-21 | Lexmark International, Inc. | Diffusion barrier and method therefor |
| US7080896B2 (en) | 2004-01-20 | 2006-07-25 | Lexmark International, Inc. | Micro-fluid ejection device having high resistance heater film |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19558983A patent/JPS6089567A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794753B2 (en) | 2002-12-27 | 2004-09-21 | Lexmark International, Inc. | Diffusion barrier and method therefor |
| US7080896B2 (en) | 2004-01-20 | 2006-07-25 | Lexmark International, Inc. | Micro-fluid ejection device having high resistance heater film |
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