JPS6089566A - Cr/Cuスパッタリング方法 - Google Patents
Cr/Cuスパッタリング方法Info
- Publication number
- JPS6089566A JPS6089566A JP19430983A JP19430983A JPS6089566A JP S6089566 A JPS6089566 A JP S6089566A JP 19430983 A JP19430983 A JP 19430983A JP 19430983 A JP19430983 A JP 19430983A JP S6089566 A JPS6089566 A JP S6089566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- film
- presputtering
- films
- continuously
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はOr / Ouを連続して成膜する機能を有す
るスパッタリング装置に係り、特にOrとOuの二層構
造において、OrとOuの接すH性を得るのに好適なス
バ、タリングシーケンスを有するスパッタリング装置に
関する。
るスパッタリング装置に係り、特にOrとOuの二層構
造において、OrとOuの接すH性を得るのに好適なス
バ、タリングシーケンスを有するスパッタリング装置に
関する。
従来9スノ4ツタリング装置は、OrとOuを連続して
スパッタリング法によシ成模する場合、第1図に示すよ
うに、Orスパッタの後にCuプレスパツタを行い、そ
の後Ou本スパッタを行うシーケンスとなっているので
、01本スパッタにより基板上にOp膜を成膜する前に
成膜されたOr MがCuフレスパッタ中に熱などによ
シ酸化する等の現象のために、Or腹膜上成膜されだO
u膜との界面において、OrとOuの接着性が充分に得
られないという欠点がある。
スパッタリング法によシ成模する場合、第1図に示すよ
うに、Orスパッタの後にCuプレスパツタを行い、そ
の後Ou本スパッタを行うシーケンスとなっているので
、01本スパッタにより基板上にOp膜を成膜する前に
成膜されたOr MがCuフレスパッタ中に熱などによ
シ酸化する等の現象のために、Or腹膜上成膜されだO
u膜との界面において、OrとOuの接着性が充分に得
られないという欠点がある。
本発明の目的はOrとOuを連続して成膜するスパッタ
リング装置において、OrとOuの界面における酸化物
等の生成を防止し、Or OuO間に充分な接着性をも
たせるOr / Ouスパッタリング装]・!を提供す
ることにある。
リング装置において、OrとOuの界面における酸化物
等の生成を防止し、Or OuO間に充分な接着性をも
たせるOr / Ouスパッタリング装]・!を提供す
ることにある。
本発明は、Or / Ou界面での膜剥離で観察される
Or / Ou界面の酸化物生成が膜剥離の原因と考え
、酸化物生成原因を(3r本スパッタと01本スパッタ
の間にCuフレスパッタが入ることによるOr膜の熱的
酸化と考え、これを防止するためにOr木本スパッタ後
すぐにOu本スバノタを実施するシーケンスを考えだし
たものである0 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を薄膜感熱記録ヘッドの例で説
明する。
Or / Ou界面の酸化物生成が膜剥離の原因と考え
、酸化物生成原因を(3r本スパッタと01本スパッタ
の間にCuフレスパッタが入ることによるOr膜の熱的
酸化と考え、これを防止するためにOr木本スパッタ後
すぐにOu本スバノタを実施するシーケンスを考えだし
たものである0 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を薄膜感熱記録ヘッドの例で説
明する。
薄膜感熱記録ヘッドの第2増配線は第2図に示すように
第一層配線との層間絶縁層上に形成され第一層配線A、
t、層間絶縁膜と第2層配線Ouとの接着性を得るため
にOuO下にOrを形成する・この第2層配線0r10
uiスパツタリング法によシ同一バッチで基板全面に成
膜し、その後ホトエツチングによシ第2層配線と々る。
第一層配線との層間絶縁層上に形成され第一層配線A、
t、層間絶縁膜と第2層配線Ouとの接着性を得るため
にOuO下にOrを形成する・この第2層配線0r10
uiスパツタリング法によシ同一バッチで基板全面に成
膜し、その後ホトエツチングによシ第2層配線と々る。
本実施例は、このOr / Ouをスパッタリング法に
より作成する際、スパッタシーケンスを第3図のように
したものであり、Or % Ouのターゲットの清浄化
を目的としたプレスパツタを、Ouプレスパツタ、Or
プレスパツタの順に行ない、その後Or本スパッタ、C
u本スパッタをプレスパツタを介さずに行ない草根上に
Or / Ouを連続して成膜する。本実施例によれは
、OrとOuの界面の不純物膜の生成を時間的に防止で
き、Or成膜後のOr膜の酸化等を防止できるため・O
rとOuとの接着性を得るのに効果がある。
より作成する際、スパッタシーケンスを第3図のように
したものであり、Or % Ouのターゲットの清浄化
を目的としたプレスパツタを、Ouプレスパツタ、Or
プレスパツタの順に行ない、その後Or本スパッタ、C
u本スパッタをプレスパツタを介さずに行ない草根上に
Or / Ouを連続して成膜する。本実施例によれは
、OrとOuの界面の不純物膜の生成を時間的に防止で
き、Or成膜後のOr膜の酸化等を防止できるため・O
rとOuとの接着性を得るのに効果がある。
本発明によれば、OrとCuをプレスパツタを介さずに
連続してスパッタすることによシ、不純物のOr /
Cu界面での生成を防止できるので、Or / Cu界
面の接着性を得るのに効果があり、Or / Ou形成
後の次工程の熱履歴等による接着力の低下や、外部環境
等による接着力の低下のない安定したOr // Ou
を成膜するのに効果がある。
連続してスパッタすることによシ、不純物のOr /
Cu界面での生成を防止できるので、Or / Cu界
面の接着性を得るのに効果があり、Or / Ou形成
後の次工程の熱履歴等による接着力の低下や、外部環境
等による接着力の低下のない安定したOr // Ou
を成膜するのに効果がある。
第1図は、従来例のOr / Ouスパッタシーケンス
図、第2図は、薄膜感熱記録ヘッドの断面図、第3図は
、本発明の一実施例によるOr 10uスパツタン一ケ
ンス図である。 1・・・・・・第1層配線At膜 2・・・・・・第1層配線At膜 3・・・・・・層間絶縁ノー 4・・・・・・第1層配線At膜 第1悶 第22 第3図
図、第2図は、薄膜感熱記録ヘッドの断面図、第3図は
、本発明の一実施例によるOr 10uスパツタン一ケ
ンス図である。 1・・・・・・第1層配線At膜 2・・・・・・第1層配線At膜 3・・・・・・層間絶縁ノー 4・・・・・・第1層配線At膜 第1悶 第22 第3図
Claims (1)
- 1、OrとOuを連続に同一バッチで成膜するスパッタ
リング装置において、Orプレスパツタ、Cuフレスパ
ッタを実施後に連続してOr本スバ、りと01本スパッ
タを実施するシーケンスを設けたことを特徴とするOr
/ Ouスパッタリング装置0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19430983A JPS6089566A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | Cr/Cuスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19430983A JPS6089566A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | Cr/Cuスパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6089566A true JPS6089566A (ja) | 1985-05-20 |
JPH0517308B2 JPH0517308B2 (ja) | 1993-03-08 |
Family
ID=16322459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19430983A Granted JPS6089566A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | Cr/Cuスパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6089566A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4917963A (en) * | 1988-10-28 | 1990-04-17 | Andus Corporation | Graded composition primer layer |
JP2010126807A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Hitachi Cable Ltd | 表面処理金属材およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19430983A patent/JPS6089566A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4917963A (en) * | 1988-10-28 | 1990-04-17 | Andus Corporation | Graded composition primer layer |
JP2010126807A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Hitachi Cable Ltd | 表面処理金属材およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0517308B2 (ja) | 1993-03-08 |
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