JPS608857B2 - 不均一系で並流反応を実施するための装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特許請求の範囲第１項に記載の装置に関する。

通常２相の並流中でより重い方の相を浮遊状態に置かね
ばならない工程を実施するためには、管状反応器又は損
梓釜ないいま蝿洋釜カスケードを使用する。懸濁液を管
状反応器を通過させる場合には固体粒子の沈降を阻止す
るために又は熱工学的の理由から一方では最小限流速の
保持が必要である。しかし所望の効果、例えば化学反応
、を達成するためには他方で最小限滞留時間が必要であ
る。そのため必然的に装置の長さを大きくしなければな
らす、それに伴って費用も多くなる。特に反応器の加熱
又は冷却が必要である場合はそうである。その上場合に
より必要になる脱気装置は非常に費用がかさむ。灘枠釜
又は損梓釜カスケードを使用する場合には、特に作業圧
及び作業温度が高い場合、凝洋軸の通過位置に費用がか
かり損傷を受け易いパッキングを設けることが必要であ
る。

更に個々の損梓釜の間の連結器具が閉塞する傾向もある
。鷹梓釜の数及び大きさはそれに要する製作費及び操作
費のために非常に制限される。本発明の課題は上記の欠
点を克服し、出来るだけ少ない製作費並びに操業費を要
し出来るだけ大きな操業確実性と融通性を有する、連続
相中での１種以上の分散相の浮遊状態保持並びに強力な
渦動を保証する装置を提供することである。

この課題は特許請求の範囲第１項の特徴に相応する構成
により解決する。

これにより、固−液−ないいま気−液一ないいま固一気
−液相が同時に存在する不均一物質流においてそれぞれ
相上下して配置された棚板により構成された個々の渦勤
セル中で強力な渦動を有する安定な渦勤層を生ぜしめる
ことが有利にも可能である。その場合液体は常に連続相
であり、固体及び／又は気体は液体中に分配される分散
相である。各相は化学的に均一な物質としても又種々の
物質の混合物としても存在することが出来る。その成分
が多かれ少なかれ閉鎖した円形、楕円形又は類似形の、
塔の縦方向にのびる流動軌道上を運動する不均一物質流
を本発明により渦動させる場合には、有利な状態で相の
密接な混合及び長し、滞留時間が達成される。

その際個々の場合の条件に応じてこの垂直方向の渦動運
動に加えてある程度の横流も生じさせることが出来、そ
れによって渦勤層中に達成される有利な作用が抵下する
ことはない。本発明による装置中では重い相は個々の渦
勤セルの下部棚板の上方、特にその下方城に多く集まり
、そこから下部棚板の下側の室に流動する。

相応して軽い相は個々の渦動セルの上部棚板の下方、特
にその上方域に多く集まり、そこから上部棚板の上側の
室に流動し、かつ／又はそこから塔外に導出する。渦勤
層を生起させ保持するためのエネルギーは各棚板区域毎
のより重い相が多く存在する城とより軽い相が多く存在
する域中の不均一系の平均密度の差に基すいて重力場に
より供給される。

強力な垂直渦勤運動のためにより重い相の早過ぎる沈降
が防がれ、又全相の強力な混合が保証される。この場合
の渦勤層は一般に周知の固液系の渦動層と異なり、自己
流動渦動セルであり、これは流動のために重力に抗して
上方に流れる向流を外部から導入する必要がないことを
特徴とするが、しかし例えばある一定の化学反応に関連
して有利であることが立証される場合には付加的に導入
することも出来る。不均一物質流が液体のそれよりも大
きい密度の固体粒子を含有する場合にはこの物質流は塔
のヘッドから導入され搭底から導入される。

他方液体よりも４・さし・密度の固体粒子を含有する物
質流は塔底から導入され、ヘッドから導出される。この
場合にはより軽い粒子の浮力によって渦動層が形成され
る。気−液−ないいま固一気−液相を有する不均一系に
対しても同様のことが言える。本発明による装置は少な
くとも２個の内断面を覆う傾斜棚板を有する円柱状の塔
として構成されており、この際棚板の下端及び上端の範
囲にそれぞれ少なくとも１個の通路を備える。軽い相、
例えばガスを部分的に、又は完全に塔から導出するため
に、軽い相のための少なくとも１つの上部通路の加えて
、又はそのかわりに取出し装置を備えていても良い。有
利にこの塔は３個以上の棚板を有し、この棚板は交互に
反対に傾斜して配置されており、多くの渦動セルが相上
下して生じるので、自己流動渦動セル塔が得られる。

不均一物質流は蛇行してこの塔を通過し、この際この不
均一物質流は個々の渦勤セル中で順次反対の回転方向を
有する渦動流になる。このことにより塔高さの特に有利
な利用が可能である。その場合各個々の渦動セル内に本
発明による渦動層及び各成分をそれぞれ多く含有する両
冨化城が形成される。これはすでに比較的小さい渦動流
の場合に形成されるから、本発明による装置の融通性は
比較的大きく、そのため種々の場合に容易に適合させる
ことが出来る。連続相を塔の上方から下方に導適するか
ぎり、整い相が渦動セルの棚板の上方の室内に入る際に
受ける流動抵抗が、より重い相が渦勤セルの同じ棚板の
下方の室内に入る際に受ける流動抵抗よりも大きい場合
に有利である。

例えばこのことは下部通路の自由通過断面積は上部通路
の自由通過断面積よりも大きくすることにより達せられ
る。その場合に、より軽い相が受ける流動抵抗がより重
い相が受ける流動抵抗よりも著しく、有利には３倍以上
、大きいことが出来るだけ安定な流動状態を得る上に一
般に有利であると立証されている。これは特に、例えば
反応技術的の理由から連続相又は分散相の１つを無視し
得る程の戻り混合を伴いながら塔を通過させなければな
らない場合に重要なことである。流動抵抗は棚板の上側
及び下側の室を相互に連続する通路を適当に設けること
により定めることが出来る。これに対する及び渦動セル
の両棚板間の間隔に対する最適の値は多くの作用変数例
えば塔の断面積、各成粉の流動状態、密度差等に依存す
るから、各個々の場合に最適実験をいくらか行って最適
値を定めるのが有利である。通路を少なくとも各１つず
つ、例えばスリット、間隙又は孔の形で棚板の上端又は
下端部に、塔の内壁に直ぐ接して、又は内壁からある一
定距離を置いて棚板の内方に設ける。

更に棚板の下端及び上端の領域における通路は例えば塔
の外側に備えられる迂回誘導部材として構成されていて
もよい。この通路及び場合により設けられる取出し装置
の流動断面は、各棚板毎に両富化域の間に形成される圧
力差のために塔へッドから物質流が導入される場合には
より重い相が十分速やかに棚板の下方の室中に流入し、
又塔底部から物質流が導入される場合にはより軽い相が
浮力のために十分速やかに棚板の上方の室中に流動し、
それにより隣接渦勤セル中で再び出来るだけ強力な渦勤
形成が達成される様に選ぶ。不均一系の密度差が小さく
て重力の作用によるエネルギーのみでは十分強力な渦動
形成が得られない場合には、連続相を圧し入れ及び／又
はポンプ導入により強制導入することにより不均一物質
流の移送のために必要なポンプ作業を導入して付加的な
エネルギーを得ることが出来る。

その場合より軽い相が室中に流入する際に棚板の上方で
受ける流動抵抗は有利により重い相が室中に流入する際
に棚板の下方で受ける流動抵抗よりも著しく大きい。棚
板の傾斜角度は導入される各不均一系の種類に応じて定
められる。

すなわち例えばより重い粒子形の園相を含む物質流の場
合には有利に、棚板の下方領域中で弛し、固体層が多く
集まり、かつ渦勤運動のために必要な最適の圧力差が各
視月板毎に達成される様に棚板の傾斜角度を選ぶ。角度
が大きすぎると、すなわち棚板が傾斜しすぎていると、
棚板の下方領域で棚板と塔壁との間に固体層の橋が形成
され、棚板の下方の室内への流動が妨げられるか又は全
く阻止される危険が生じる。又それによって塔の高さも
不必要に大きくなる。これに対して気液相を含む不均一
系の場合には状態は別である。それというのもその場合
には大きな富化域及びそれに応じて大きな傾斜角度が有
利であることが立証されているからである。粒子状固相
が存在しないから妨害する橋形成の危険はない。出来る
だけ経済的な作業法という点からここでも個々の場合に
最も有利な傾斜角度を最適実験によって定めるのがよい
。通常水平に対して約３０〜６００である。渦勤セルな
いいま渦動セル塔を利用する工程の目的に応じて、１個
ないいま複数個の渦動セルにガス、蒸気、液体及び／又
は固体粒子のための導入−及び／又は導出装置を設ける
ことが出釆る。

こうして不均一物質流の１種又は複数種の成分をその他
の成分とは別に渦動セル中に導入することが可能であり
、それによって例えば化学反応の際に繁内で下方から上
方に向って増加する化学反応に合せて反応成分の１つを
各渦動セル中に導入する可能性が生じる。更に少なくと
も１個の渦動セルから物質流の１部を導出し、場合によ
り少なくともその１部を同一又は異なる渦動セル中に再
び戻し、横流反応器原理を実行することもできる。これ
は望ましくない副反応ないいま連続反応を抑制すべき場
合に有利である。本発明の有利な実施形式は、棚板を特
許請求の範囲第２項に記載されているように塔中に配置
する。

この際、この棚板は例えば平らな薄板として構成されて
おり、これは円柱状の塔においては楕円形である。本発
明により上部通路の上方に配置された方向変換装置は有
利に特許請求の範囲第３項により構成されており、この
際、棚板の上方に配置された方向変換板は例えばスベー
サーにより棚板から一定の間隔に保持される。

同方向変換板はその上部域で棚板ないしは塔と接近して
連結しているため、より軽い相が塔の緑領域中で上方に
直接次の棚板に向って流動する不利な状態が阻止され、
物質流はここでは通過し得ず、必然的に方向変換装置の
下部域と下方に傾斜する棚板との間を通過させられる。
その場合より軽い相は下方に傾斜する棚板の方向への速
度成分を与えられ、その大きさは方向変換装置が少なく
とも１つの上部通路を覆う程度によって影響される。方
向変換板がその下部域で上部通路の下方に続く棚板の部
分をも覆うのが、特別に有利であることが立証されてい
る。

このようにして構成された流動路は軽い相が棚板の上部
領域中で棚板に沿って下方に流れることを強制し、又そ
れによって渦動形成が強化される。渦動強化の程度は少
なくとも１つの上部通路上の覆い度及びその下方に続く
棚板部分上の覆い度によって調節することが出来る。方
向変換装置によって全体として棚板作用度の有利な改善
が可能になり又塔の使用範囲つまり融通性が大きくなる
。方向変換のもう１つの有利な実施形を特許請求の範囲
第４項に記載した。

流動断面の適合により、及びこの導入装置が塔の内部で
示す方向により、不均一系の１種以上の成分を個々の渦
動セル中に、上部通路を通って入ってきた軽い相を方向
変換させ、渦動形成を強化するように導入することが可
能である。固液相を含む系の場合には棚板を特許請求の
範囲第５項に記載の様に構成すると有利であることが立
証された。

特により重い固体粒子と液体間の密度差が０．噂ノｃ虎
よりも、有利には０．２ｇ／ｃ虎よりも小さく、又固体
粒子の平均直径が２００仏よりも、有利には５０仏より
も小さい場合にそうである。有利には水平に配置されて
いる、傾斜のより小さいこの区間が存在すると懸濁液流
が同区間に到達した際に方向転向が生じ又懸濁液流の搭
壁への衝突角度がより大きくなるために棚板の下部領域
中に固体粒子富化が生じる。同時に少なくとも１つの下
部通路における流動状態が安定化される。それにより棚
板作用度の更なる改善が達成される。棚板間の所要距離
を減少し、塔の全高ごを少なくし、それによって製作−
及び操作費を減少することが出来る。特許請求の範囲第
６項によれば傾斜度の小さいこの区間に、例えばスリッ
ト形、円形、矩形等の形状であり得る通過孔を付加的に
設けることが出来る。

この手段は、固液相を含む系において上記の密度差が０
．２ｇ／のよりも大きく又平均粒子直径が１００仏より
も大きい場合に特に有利である。それによって傾斜度の
小さい棚板区間の領域内でないいま少なくとも１つの下
部通路の領域内でより重い固体の付加的の富化が達成さ
れ、又下部通路を上方から下方に通過する懸濁液降下流
の安定度が高まり、それが又棚板作用度に有利に作用す
る。更に滞留時間が少なくてすむ。それというのも粒子
は棚板の上方では外方の流動軌道上で本発明による渦動
運動を行い、次の下位の棚板に向って通過する際には有
利に内方の流動軌道上に到達し、又逆もそうであるから
である。棚板の通路の領域内で圧力損失に望む様に影響
を与．え得るために、特許請求の範囲第７項に記載の様
に外部から手動又は自動操作出来る調節装置を設けるこ
とが出来る。

この調節装置は有利に少なくとも１つの上部通路の領域
内で塔壁と棚板の上部領域間の自由流動断面の変化を可
能ならしめる様に設けられる。これは例えば旋回可能の
フラップ又は動かし得るスライドとして構成することが
出来る。棚板における圧力損失のこの所望の調節によっ
て例えば少なくとも１つの下部通路の領域における固体
濃度を変化させ、塔を種々の種類の系に適合させ、又棚
板作用度を最善可能の値に調節することが可能になる。
固相を包む不均一系において固体粒子が棚坂上に沈降し
、例えば多かれ少なかれ大きな塊状片になってコントロ
ール不可能な状態で再び棚板から離れ、通路を閉塞して
流動状態に不利に作用する危険が存在する場合には、特
許請求の範囲第８項に記載の様に棚板の上記危険な領域
で付加的に勾配をつけることが出来る。

この危険は特に通路の両側に向かう棚板の下部領域に存
在する。そのために棚板自体を丸みをつけて形成するこ
とが出来るか、又は平らな棚板を使用する場合には上記
危険城にその大きさを合せた付加金属薄板、付加板、付
加紬板等を棚板内部に対し斜めに傾斜させて棚板上に設
ける。本発明を次に図面を参照して詳述する。

第ｌａ図において塔１の上方から不均一物質流１０が導
入される。

同物質流中のより重い相は複線矢印で又より軽い相は単
線矢印で示されている。塔１の内部には湾曲していない
プレートとしての棚板２が相上下して交互に１８００向
きを変えて傾斜して設けられており、その下端ないいま
その上端領域中にそれぞれ１つずつの通路３，４を有す
る。上部通路４の上方には棚板と間隔を保って方向変換
装置５が設けられている。物質流１０は重力のために塔
１を下方に通過しその底部で再び導出されるが、棚板２
の上方では垂直渦動運動を行い、その際の回転方向は各
棚板毎に逆になる。渦勤層６の下方では領域７中により
重い相が多く集まり一格子線で示されている一、渦動層
６の上方及び上部通路４の下方には領域８中により軽い
相が多く集まる。それぞれ２枚の棚板２により囲まれた
渦動層６及び両冨化領域７，８が自己流動渦動セルを形
成し、各渦動セルが一緒になって自己流動渦動セル塔が
形成される。渦勤層６と上部富化城８の間には相境界９
が明白に形成されている。より重い相は下部通路３を通
って次の下位の渦動セルに導かれる。その場合もちろん
より軽い相も随伴される。それというのもこれも同様に
塔１の底部から取出されるからである。各セルにおいて
より軽い相は領域８中に多く集まり、上部通路４を通っ
て再び次の上位の渦動セル中に入り、そこで流動運動に
加わり、次いで再び通路３を通って下方に流れるために
、各渦勤セル中で相分離が生じる。従ってより軽い相の
１部はその都度の棚板２の図りを循環する様に見える。
第ｌｂ図は第ｌａ図の１−１線に沿った横断面図で通路
３，４及び方向変換装置５の配置及び形状を示す。

この塔は例えば酸化ジルコニウムに結晶結合している珪
酸を除去するために用いることが出釆る。

溶融状態でジルコン砂（ＺｒＳｉ０４）から酸化ジルコ
ニウム（Ｚｒ０２）及び珪酸（Ｓｉ０２）を生成させる
。冷却した石塊状物（Ｚの２十Ｓｉ０２）を最微細に粉
砕し、引続いて浮遊作業を行っても酸化ジルコニウムに
結晶結合した珪酸の分離は不完全である。珪酸を次の方
程式に従って苛性ソーダ溶液中に溶解すれば酸化ジルコ
ニウムのよりよい純度が達成される。Ｓｉ０２十２Ｎａ
ＯＨ→Ｎａ２Ｓｉ０３・（ｘＨ２０）（Ｚの２十Ｓｉ０
２）粒子が苛性ソーダ溶液中に最小滞留時間を保持して
強力に渦動すればする程又反応の際の温度及び従って圧
力が高ければ高い程上言己反応はそれだけ速やかに又完
全に行われる。

この目的のために自己流動渦動セル塔を有利に使用する
ことが出来る。それというのも同装置には可動部分がな
く、従って頃隙の問題がないからである。熱損失を補う
ために、第３ａ及びｂ図に示されている様に、特別に設
けられた導入装置１２から付加的の水蒸気を各渦動セル
に導入するのが有利である。懸濁液は塔を上方から下方
に流れ、その場合酸化ジルコニウム粒子の純度は渦勤セ
ルから渦動セルに移るに従って上昇する。系 ：珪酸で
不純にされている酸化ジルコニウム−苛性ソーダ溶液目
的：珪酸を苛性ソーダ溶液中に熔解することによる酸化
ジルコニウムの精製装置：矩形断面３０×８仇肋を有し
、高さ２００仇肋の塔横造：８棚板、と同じ点間の間隔
２００柳、水平に対する傾斜度４００、下部通路の内断
面積２２５肌２ 、上部通路の内断面積６肌２作業量：
酸化ジルコニウム５０ｇ／そ苛性ソーダ溶液を有する懸
濁液１６０夕／ｈ、酸化ジルコニウムの粒径１０〜５０
仏純度：導入の際の酸化ジルコニウム中の珪酸量は２〜
３重量％、導出の際の酸化ジルコニウム中の珪酸量は０
．３〜０．４重量％。

第２ａ図においては不均一物質流１０−単線矢印で示さ
れている−はポンプ１１により上方から塔１に導入され
るから、圧し込みにより強制的に塔１を通過する。

その場合上部通路４は、第２ａ図中の円×の拡大図であ
る第２ｃ図が示す様に、第ｌａ及びｂ図と異なり下部通
路３よりも著しく小さい。上部通路４が縦方向にのびた
形状をしているためにこの中で比較的大きな圧力損失が
起る。その上その出口の所で抵圧が生じる。従って上方
から下方への物質流は下部通路３を通してのみ流れ、上
部通路４は通らない。上部通路４にはその上側と下側の
圧力差に応じて、より軽い相の富化域８からの上方に向
けられた物質流のみが通過する。塔１を物質流が連続的
に貫流すれば、連続の原理に従って下部通路３中に塔断
面頚対下部通路３の面積の比率に応じたより高い速度が
存在する筈である。そのために生じる下部通路３におけ
る流出衝撃がポンプエネルギーの付加的の利用と相換っ
てその下の渦動セル中の渦勤形成を強化する。第２ｂ図
は第２ａ図のＤ−Ｄ線に沿って断面図で棚板２、通路３
，４及び方向変換装置５を示す。

第３ａ及びｂ図は、例えば横流反応器原理により作業す
るために付加的に導入装置１２及び取出し装置１３を備
えた塔１を示す。

例えば気体状反応体用の導入装置１２は管形をなしてお
り、その出口は円形上部通路４の上方に位置するから通
路４を通って上方に流れるより軽い相は導入された反応
体により付加的に分散される。取出し装置１３は各場合
に応して富化域８及び／又は禍勤層６の領域内に設ける
ことが出来る。第４ａ図は水平に対するその傾斜方向が
相互に反対な２個の棚板２のみを示す塔１の部分図であ
り、棚板２の下方城に下部通路３が又上方城に上部通路
４が設けられている。

棚板２は大体において平らな板であるが、強度上昇のた
めに、流動状態改善のために又は棚板上への団体粒子の
沈殿を防止するために等の理由から有利であることが立
証されるなら、上部通路から下部通路に向かう１個又は
場合により複数個の軸の周りに湾曲させた又は丸みをつ
けた形状であることも出来る。棚板２の上側にはスベー
サ１４を介して板状方向変換装置５が設けられており、
これはこの場合弓形形状をなしていて上部通路４を完全
に覆うばかりでなくその下部域５′は、上部通路４に続
く棚板２の部分２′の上にものびているからその間に流
動路１５が形成される。下部通路３に接する棚板２の下
部域には区間１６がある。

これはこの場合棚板２に続いた単一構成物として示され
ているが、別の構成物として棚板２に接続させてもよい
。この区間１６の傾斜度は棚板２のそれよりも小さくこ
の例の場合にはｏｏである。傾斜度のより小さいこの区
間全体を平らに形成する代り‘こ、例えば紙面に垂直な
軸の周りに湾曲させた形状にすることも出来るし、又は
それぞれは平らな多くの細板材を間に一紙面内からみて
−それぞれ１つずつの多少大きな曲り目をつけて組合せ
ることも出来る。同区間１６は付加的の通過ロー７を有
し、これはここでは隣接して設けられた３列の矩形スリ
ットとして形成されており、より重い相の付加的の流出
を可能ならしめている。上部通路４の下方には調節装置
１８が設けられており、これはここでは外方から水平軸
１９の囲りに矢印の様に旋回し得るフラップとして構成
されていて、場合によっては上部通路４への流路を完全
に遮断し得る様に設計されている。

第４ｂ図は第４ａ図中の最上部棚板の平面図であり、棚
板２、両通路３，４、方向変換装置５及び区間１６中の
付加的の流出ロー７の形状が明白に示されている。

第５ａ図に示されている塔部分図においては棚板２に通
路３と４との間の位置で側方ガイド装置２０が備えられ
ている。

これは塔壁から内方に向かって下降傾斜しており、棚板
２上への固体粒子の望ましからざる沈殿を阻止する。ガ
イド装置２０は棚板２と単一構成で形成されているが、
棚板とは別に製造してこれにねじ止め、熔接等で接合さ
せることも出来る。第５ｂ図は第５ａ図の最上部棚板の
平面図である。

【図面の簡単な説明】

弟ｌａ図は本発明装置の１実施形式を示す図面、第ｌｂ
図は第ｌａ図の１−１線に沿った断面図、第２ａ図は物
質流の強制導入を行う実施形式の図面、第２ｂ図は第２
ａ図のローロ線に沿った断面図、第２ｃ図は第２ａ図の
×部の拡大図、第３ａ図は導入装置及び取出し装置を付
加的に設けた実施形式の図面、第３ｂ図は第３ａ図のｍ
−ｍ線に沿った断面図、第４ａ図は特殊構成の棚板を有
する実施形式の図面、第４ｂ図第４ａ図の最上部の棚板
の平面図、第５ａ図はその変化形式の図面、第５ｂ図は
第５ａ図の最上部棚板の平面図である。 １・・・塔、２・・・棚板、３・・・下部通路、４・・
・上部通路、５・・・方向変換装置、６…渦動層、７・
・・より車し、相の富化域、８…より軽い相の富化城、
１０…物質流、１１・・・ポンプ、１２・・・導入装置
、１３・・・取出し装置、１６・・・傾斜度のより小さ
い区間、１８・・・調節装置、２０・・・ガイド装置。 第ｌｑ図第ｌｂ図 第３０図 第３ｂ図 第２ｏ図 第２ｂ図 第２ｃ図 第４ｏ図 第４ｂ図 第５０図 第５ｂ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 連続相として液体を又分散相として固体及び／又は
   気体を含有する不均一系で並流反応を実施するための、
   傾斜した棚板を取り付けた鉛直塔からなる装置において
   、この棚板２が水平に対して約３０〜６０°の傾斜角で
   、上下に、かつ相対して離れて配置されており、この棚
   板２がスリツト、間隙又は類似の形で少なくとも１個の
   通路３を棚板２の下方の縁部に、及びスリツト、間隙又
   は類似の形で少なくとも１個の通路４を棚板２の上方の
   縁部に、及び／又は取出し装置１３を棚板２を上方の縁
   部の下方の壁に有し、かつ上部通路４の上方に方向変換
   装置５及び／又は物質流を導入する装置１２を有し、更
   に下部通路３と上部通路４及び／又は取出し装置１３と
   の間の流動抵抗をそれぞれの棚板２の上方の区域６にお
   いて安定な渦動が生じるように調節する装置を備える不
   均一系で並流反応を実施するための装置。 ２ 棚板２がそれぞれ相互に１８０°向きを変えて傾斜
   して設けられている特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３ 方向変換装置が上部通路４を覆う方向変換板５とし
   て構成されている特許請求の範囲第１項又は第２項記載
   の装置。４ 物質流を導入する装置が管状の導入装置１
   ２として構成されており、これは上部通路４の上方に導
   入工程が渦動を強化するように設けられている特許請求
   の範囲第１項又は第２項記載の装置。 ５ 棚板２が下方の範囲で水平に対しより僅かな傾斜を
   有し、下部通路３に接続する区域１６を有する特許請求
   の範囲第１項から第４項までのいずれか１項に記載の装
   置。 ６ より僅かな傾斜の区域１６が付加的に通過口１７を
   有する特許請求の範囲第５項に記載の装置。 ７ 上部通路４が流動抵抗を調節するために調節装置１
   ８を備える特許請求の範囲第１項から第６項までのいず
   れか１項に記載の装置。 ８ 棚板２が少なくとも部分域で２つの平面に勾配をつ
   けて形成されている特許請求の範囲第１項から第７項ま
   でのいずれか１項に記載の装置。