JPS6087840A - 真空装置の脱ガス方法 - Google Patents

真空装置の脱ガス方法

Info

Publication number
JPS6087840A
JPS6087840A JP19355483A JP19355483A JPS6087840A JP S6087840 A JPS6087840 A JP S6087840A JP 19355483 A JP19355483 A JP 19355483A JP 19355483 A JP19355483 A JP 19355483A JP S6087840 A JPS6087840 A JP S6087840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
vacuum apparatus
heating
vacuum
degassing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19355483A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoshi Nagai
一敏 長井
Koji Takei
武井 弘次
Hiroki Kuwano
博喜 桑野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP19355483A priority Critical patent/JPS6087840A/ja
Publication of JPS6087840A publication Critical patent/JPS6087840A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は真空装置内の吸着ガスの除去(以下脱ガスとい
う)方法に関するものである。
従来、真空装置の脱ガス方法には、該装置の外周にヒー
ターを巻着してその内壁を加熱するが、または該装置内
部に赤外線ランプ等を設けて輻射熱で内壁を加熱するな
どにより、吸着ガスの除去をはかっている。これらの装
置において通常装置内部は高真空に保たれているので内
部の気体を介した熱伝達は期待できず、装置構成部品の
熱伝導でのみ内壁の加熱が進行するから、装置全体の均
一な加熱が困難で、温度の充分に上らない部分にガスが
再吸着して脱ガスが効率的に進行しない欠点があった。
本発明はこれらの欠点を除去するために装置内部に不活
性ガスを導入し該ガスを介しての熱伝導による加熱とそ
の排気にょシ脱ガスを行なうもので、以下図面について
詳細に説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示す外観説明図である。
1は真空装置、2はガス導入口、3はガス排気口、4は
覗き孔、5は電線導入端子を有する取付口であり真空装
置1に夫々形成されている。
ガス導入口2およびガス排気口3には図示していないが
夫々該口を閉じる手段又は真空ポンプ等を取シ付ける手
段が具備されている。6は加熱部材であって真空装置1
の内壁に装着されているが、加熱部材6として例えば加
熱用赤外線ラングと電線導入端子5を介しての配線部材
が設けられている。Gはアルゴン等の不活性ガスである
が矢印で示すようにガス導入口2から導入すると同時に
矢印で示すようにガス排気口3から排出し、真空装置1
の内部を常に10−2〜10 Torrの圧力に保って
おく。この程度の圧力ではガス将人口2から導入した不
活性ガスGの平均自由行程(mean free pa
th )IIS’、 5 Wun以下であって、真空装
@lの幾何学的寸法よシはるかに小である。しだがって
加熱部材6からの熱の伝達は熱輻射のほかに不活性ガス
Gの対流、拡散に依存する部分が大半を占め・図では省
略されているが、複雑な形状の真空装置の隅々まで均一
に加熱されることになる。これで溶接部分の隙間などに
吸着していたガスにも効果的な脱ガスを行なうことがで
きる。いったん装置内壁から放出した吸着したガス附1
、ガス排気口3から排出されるので真空装置内部に古吸
着されることはない。なお10 Torrを越すガスを
導入した場合には加熱によるガス膨張で真空装置1にひ
ずみが生ずる恐れがあって適当でない。
第2図は本発明の第2実施例を示す外観説明図である。
第2実施例およびつぎに述べる第3実施例には第1実施
例と同じ部分には同じ符号を付しである。
第2実施例では真空装置l内に加熱部材6を設けること
なく、真空装置1の外周に加熱部拐としてヒーター7を
巻着してその内壁を加熱するとともに、アルゴン等の不
活性ガスGを矢印に示すようニカス導入口2から導入す
ると同時にガス排気口3から排出し、真空装置1の内部
を常に10〜10 Torrの圧力に保っておく、この
ように構成し、実施することによシ脱ガスを行なう。
第3図は本発明の第3実施例を示す外観説明図である。
第3実施例においては前2実施例と異なり加熱部材を真
空装置1に設けることなく、図示していないが加熱装置
によシあらかじめ加熱した不活性ガスGをガス導入口2
から導入しガス排気口3から排出するもので前2実施例
同様真空装置1の内部を常に10−2〜10 Torr
の圧力に保って脱ガスを行なう。
以上説明したように不活性ガスを介した熱の伝達を利用
した加熱法を用いているだめに均一な加熱が可能で真壁
装置の脱ガスが効率的に行なわれるとともに該真空装置
に不均一な熱ひずみが生じないので − ゛−゛ 装置装置社命びる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例を示す外観説明図、第2図
は本発明の第2実施例を示す外観説明図、第3図は本発
明の第3実施例を示す外観説明図である。 l:真空装置、2:ガス導入口、3:ガス排出口、6.
7:加熱部材。 特許出願人 日本電信電話公社 1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空装置内に10−2〜]、 OTorrの不活性ガス
    を導入し)該不活性ガスを加熱、刊気することによって
    該真空装置内の脱ガスを迅速、効率的に行なうことを特
    徴とする真壁装置の脱ガス方法。
JP19355483A 1983-10-18 1983-10-18 真空装置の脱ガス方法 Pending JPS6087840A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19355483A JPS6087840A (ja) 1983-10-18 1983-10-18 真空装置の脱ガス方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19355483A JPS6087840A (ja) 1983-10-18 1983-10-18 真空装置の脱ガス方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6087840A true JPS6087840A (ja) 1985-05-17

Family

ID=16309976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19355483A Pending JPS6087840A (ja) 1983-10-18 1983-10-18 真空装置の脱ガス方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6087840A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5156771A (en) * 1974-11-13 1976-05-18 Tokyo Shibaura Electric Co Hoikinaino gasuchikansenjohoho

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5156771A (en) * 1974-11-13 1976-05-18 Tokyo Shibaura Electric Co Hoikinaino gasuchikansenjohoho

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1156518B1 (en) Heat treating device and heat treating method
US6727194B2 (en) Wafer batch processing system and method
JP2998903B2 (ja) 熱処理装置
JP2004356624A (ja) 載置台構造及び熱処理装置
JP2010084169A (ja) 真空排気方法、真空排気プログラム、および真空処理装置
KR20010101522A (ko) 단일 웨이퍼 어닐링 오븐
JPS6087840A (ja) 真空装置の脱ガス方法
JP2628264B2 (ja) 熱処理装置
JP4003206B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JPH02179879A (ja) 成膜装置の基板加熱構造
JP2649611B2 (ja) 半導体基板の熱処理方法
JP2003178857A (ja) オーブン
JP3055797B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP3636378B2 (ja) 半導体製造装置
JPS61127877A (ja) ドライエツチング装置
JPH0792348B2 (ja) 高温真空加熱炉及びその冷却方法
JP3297416B2 (ja) レジスト灰化装置およびウエハー昇温方法
JP3399587B2 (ja) 真空装置ベーキング方法およびベーキング装置
EP1540708A2 (en) Batch furnace
JPH10172977A (ja) 化合物半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置
JP2607851Y2 (ja) 枚葉式ドライエッチング装置
JPS63292100A (ja) 超高真空装置
JPS6068530A (ja) ブラウン管の製造方法およびその装置
JPH0397222A (ja) 枚葉式cvd装置
JPH1055964A (ja) 半導体製造装置