JPS6081709A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6081709A JPS6081709A JP18866183A JP18866183A JPS6081709A JP S6081709 A JPS6081709 A JP S6081709A JP 18866183 A JP18866183 A JP 18866183A JP 18866183 A JP18866183 A JP 18866183A JP S6081709 A JPS6081709 A JP S6081709A
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- film
- oxygen
- producing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は酸化スズを主成分とする透明導電膜（以下Ｃ
ＴＯという）のＭ漬方法に関する。
ＴＯという）のＭ漬方法に関する。
この発明はＣＴＯの塩化スズと酸素、酸素の水素化物例
えば水または窒素化物例えばＮＬＯ，ＮＯ□ および弗
化水素（肝）との反応をプラズマ気相法で行い、その中
に弗素を添加し作製するものである。
えば水または窒素化物例えばＮＬＯ，ＮＯ□ および弗
化水素（肝）との反応をプラズマ気相法で行い、その中
に弗素を添加し作製するものである。
この発明は弗素が添加されたＣＴＯであって、電気的に
導電性を有し、かつ機械的に緻密で化学的に安定な特性
を有せしめんとするものである。この発明はこのＣＴＯ
を従来の４００〜６００°Ｃの温度を必要とするＣＶＤ
法、スプレー法よりも低い１５０〜４００°Ｃの温度で
作製することを目的としている。
導電性を有し、かつ機械的に緻密で化学的に安定な特性
を有せしめんとするものである。この発明はこのＣＴＯ
を従来の４００〜６００°Ｃの温度を必要とするＣＶＤ
法、スプレー法よりも低い１５０〜４００°Ｃの温度で
作製することを目的としている。
従来ＣＴＯは塩化スズと酸素との反応に加えて、アンチ
モンを添加して作製するものであり、その炸裂方法には
ＣＶＤ法（熱化学反応のみを用いる気相反応方法）４ス
プレー法が主たるものであった。
モンを添加して作製するものであり、その炸裂方法には
ＣＶＤ法（熱化学反応のみを用いる気相反応方法）４ス
プレー法が主たるものであった。
このため、かかる被膜は１０００人の厚さで３００Ω／
口以上のシート抵抗を有し、その透過率は８８％までし
か得られなかった。
口以上のシート抵抗を有し、その透過率は８８％までし
か得られなかった。
さらにかかるＣＶＤ法、スプレー法は４００〜６００℃
の高温で作られるため、有機フィルムまた化学強化され
たガラス基板等の一部の基板」二には作ることができな
い。他方、これらの製造方法でこの温度を１１００°Ｃ
以下とすると、ＳｎＣ］、の分解が十分でなく、形成さ
れた酸化スズもきわめて柔らかいものでしかなかった。
の高温で作られるため、有機フィルムまた化学強化され
たガラス基板等の一部の基板」二には作ることができな
い。他方、これらの製造方法でこの温度を１１００°Ｃ
以下とすると、ＳｎＣ］、の分解が十分でなく、形成さ
れた酸化スズもきわめて柔らかいものでしかなかった。
本発明ばかがる欠点を除去したもので、１５０〜４００
℃の低い温度で作製できるようにするため、熱エネルギ
に電気エネルギを同時に加えたプラズマ気相法に関する
ものである。
℃の低い温度で作製できるようにするため、熱エネルギ
に電気エネルギを同時に加えたプラズマ気相法に関する
ものである。
このため、活性化されたスビーシスの化学結合は強く、
きわめて緻密な被膜とすることができた。
きわめて緻密な被膜とすることができた。
さらに本発明においてはｐｃｖｏ法を用いるため、その
出発桐材として、非炭化物気体を用いたことを特長とし
ている。。即ち、テトラエチルスズ（Ｓｎ （ＣＩＩ３
）４ ）やブロムトリフロルメタン（ＣＦ）Ｂｒ ）を
用いることができない。これらをＰＣＶＤ用の反応性気
体とするとＣＴＦ中に炭素が混入し、失透させ透過率は
１０〜３０％に下がってしまうからである。
出発桐材として、非炭化物気体を用いたことを特長とし
ている。。即ち、テトラエチルスズ（Ｓｎ （ＣＩＩ３
）４ ）やブロムトリフロルメタン（ＣＦ）Ｂｒ ）を
用いることができない。これらをＰＣＶＤ用の反応性気
体とするとＣＴＦ中に炭素が混入し、失透させ透過率は
１０〜３０％に下がってしまうからである。
即ち、本発明はｐｃｖｏであるに加えて、その反応性気
体として非炭化物である塩化スズ（ＳｎＣ］ｚ）、弗化
水素（肝）、＃素、窒素または水を反応性気体として用
いている。このため例えば３００℃で作られた透明導＠
膜であっても、その透過率は８５ （３０００人）〜９
３ （１０００人）％を有せしめることができた。
体として非炭化物である塩化スズ（ＳｎＣ］ｚ）、弗化
水素（肝）、＃素、窒素または水を反応性気体として用
いている。このため例えば３００℃で作られた透明導＠
膜であっても、その透過率は８５ （３０００人）〜９
３ （１０００人）％を有せしめることができた。
即ち、従来より知られたＣＶＤにはその反応工程内にお
いてこれら炭化物は４００〜６００℃と高温であり、熱
反応のみであるため酸素と反応して炭酸ガスとして除去
される。しかしＰＣＶＤにおいては、この炭素は酸素ま
たは酸化物と反応するものもあるが、多くが被膜中に炭
化物または低級炭化物として入ってしまう。
いてこれら炭化物は４００〜６００℃と高温であり、熱
反応のみであるため酸素と反応して炭酸ガスとして除去
される。しかしＰＣＶＤにおいては、この炭素は酸素ま
たは酸化物と反応するものもあるが、多くが被膜中に炭
化物または低級炭化物として入ってしまう。
本発明はかかる欠点を除去し、１００〜４００℃と低い
温度の被膜形成でありながら緻密な股を有せしめるため
、ＰＣＶＤを用い、かつその出発月料を非炭化物とした
ものである。
温度の被膜形成でありながら緻密な股を有せしめるため
、ＰＣＶＤを用い、かつその出発月料を非炭化物とした
ものである。
その結果、以下の実施例に示すごとく、シート抵抗は７
０〜３００Ω／口、透過率８５〜９３％を有せしめる被
膜を作ることができた。
０〜３００Ω／口、透過率８５〜９３％を有せしめる被
膜を作ることができた。
実施例１
第１図は本発明に用いられたＰＣＶＤ装置の概要を示す
。
。
図面において、反応容器（１）はヒータ（３）、供給用
石英ノズル（７）、被膜形成基板（２入排気用石英ノズ
ル（８）、排気系（９）、ドーピング系゛（１０）を有
する。
石英ノズル（７）、被膜形成基板（２入排気用石英ノズ
ル（８）、排気系（９）、ドーピング系゛（１０）を有
する。
高周波は電源（５）より一対の電極（４＞、＜ ６ ）
に高周波エネルギここでは１３．５６Ｍ１ｌＺを加えた
。
に高周波エネルギここでは１３．５６Ｍ１ｌＺを加えた
。
ドーピング系は弗化水素（ＩＩＦＸ１７）、窒素（Ｎ２
）（１４入塩化スズ（Ｓ’ｎＣ１，）＜１５入大気（１
３）、酸素（ＯＬ）（１Ｇ）を加え、流量計（１１）、
バルブ（１２）にてその口を制御した。
）（１４入塩化スズ（Ｓ’ｎＣ１，）＜１５入大気（１
３）、酸素（ＯＬ）（１Ｇ）を加え、流量計（１１）、
バルブ（１２）にてその口を制御した。
バルブを開け、窒素を（１４）より１００ｃｃ ／分専
大し塩化水素を導入した。さらに大気を２００ｃｃ ７
分（１３）より、ＩＩＦを（１７）より１０ｃｃ／分加
えた。
大し塩化水素を導入した。さらに大気を２００ｃｃ ７
分（１３）より、ＩＩＦを（１７）より１０ｃｃ／分加
えた。
基板（２）の温度ば１００〜４００°Ｃの間で可変し、
例えば３５０℃とした。すると、１３分で１０００人の
膜厚を作ることができた。このシート抵抗は６０Ω／口
であり、透過率は９２％を得た。
例えば３５０℃とした。すると、１３分で１０００人の
膜厚を作ることができた。このシート抵抗は６０Ω／口
であり、透過率は９２％を得た。
基板はガラス板またはカリューム置換された化学強化ガ
ラスを用いた。この化学強化ガラスは４００’Ｃ（３０
分以上）ではそのガラス中の不純物特にアルカリ金属が
ＣＴＯ中に導出し、シート抵抗を悪くさせ、またカリュ
ームの再拡ｆ＋＆にまり機械強度の劣化をさせてしまう
。
ラスを用いた。この化学強化ガラスは４００’Ｃ（３０
分以上）ではそのガラス中の不純物特にアルカリ金属が
ＣＴＯ中に導出し、シート抵抗を悪くさせ、またカリュ
ームの再拡ｆ＋＆にまり機械強度の劣化をさせてしまう
。
このため、従来より行われた４００〜６００ ”ＣのＣ
ＶＤ法またはスプレー法では良好な電気伝導度を得るこ
とができない。
ＶＤ法またはスプレー法では良好な電気伝導度を得るこ
とができない。
本発明は４００°Ｃ以下とすることにより、ＣＴＦの安
定性に寄与し、さらに化学強化ガラス中のＫの再分布に
よる強化の特性の悪化を防ぐことができた。
定性に寄与し、さらに化学強化ガラス中のＫの再分布に
よる強化の特性の悪化を防ぐことができた。
実施例２
この発明は実施例１の装置において、基板がポリイミド
フィルムまたはガラス板を用い、その上にＩＴＯ（酸化
インジュームスズ）が平坦または繊維状に凹凸の高低差
が３００〜７００人も有して形成されているものを用い
た。ＩＴＯは３５０ ’Ｃ以上の熱処理でシート抵抗が
増大してしまう。このため２５０〜３５０′にこでは３
００℃の基板温度にてＳｎＯ２をｐｃＶＤ法で作った。
フィルムまたはガラス板を用い、その上にＩＴＯ（酸化
インジュームスズ）が平坦または繊維状に凹凸の高低差
が３００〜７００人も有して形成されているものを用い
た。ＩＴＯは３５０ ’Ｃ以上の熱処理でシート抵抗が
増大してしまう。このため２５０〜３５０′にこでは３
００℃の基板温度にてＳｎＯ２をｐｃＶＤ法で作った。
５ｎＯＬは４００〜６００人とした。するとＩＴＯのみ
のシート抵抗が１５Ω／口であったが、この値が１８Ω
／口とほとんど変化せず、かつ表面にはきわめてｔａ械
的化学的に安定な弗素人の酸化スス股を作ることができ
た。透過率は平均で９１％、繊維状ではその上に珪素を
形成した。さらに４００〜６００ｎｍの波長領域での積
分球による反射は７％ときわめて少なくすることができ
た。
のシート抵抗が１５Ω／口であったが、この値が１８Ω
／口とほとんど変化せず、かつ表面にはきわめてｔａ械
的化学的に安定な弗素人の酸化スス股を作ることができ
た。透過率は平均で９１％、繊維状ではその上に珪素を
形成した。さらに４００〜６００ｎｍの波長領域での積
分球による反射は７％ときわめて少なくすることができ
た。
本発明において、この反応容器内に１８５または２５４
ｎｍの紫外光を１伜の超高圧水銀灯を用い同時または独
立に！ｊ＠射し、光プラズマ気相法（ｐｐｃｖＤ法）ま
たは先覚相法（Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ法）とすることがで
きた。さらに水銀バブラを通ずことにより、光エネルギ
の効率をさらに高めたＣＴＦを作製するごとができた。
ｎｍの紫外光を１伜の超高圧水銀灯を用い同時または独
立に！ｊ＠射し、光プラズマ気相法（ｐｐｃｖＤ法）ま
たは先覚相法（Ｐｈｏｔｏ ＣＶＤ法）とすることがで
きた。さらに水銀バブラを通ずことにより、光エネルギ
の効率をさらに高めたＣＴＦを作製するごとができた。
第１図は本発明の透明導電ｊ模を作るための装置の概要
を示す。 特許出願人
を示す。 特許出願人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、塩化ススと酸素または酸素の水素化物または窒化物
と弗化水素との混合ガスを反応容器に導き、」二記混合
ガスに熱エネルギと電気または光エネルギとを加えるこ
とにより弗素を含む酸化スス膜を形成することを特徴と
する透明導電膜の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、酸化スズ膜は０．
０ｌ−１０ｔｏｒｒの範囲であって、かつ１５０〜４０
０℃の温度範囲の反応条件で高周波放電をせしめて被形
成面上に被膜を形成せしめることを特徴とすることを特
徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18866183A JPS6081709A (ja) | 1983-10-08 | 1983-10-08 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18866183A JPS6081709A (ja) | 1983-10-08 | 1983-10-08 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081709A true JPS6081709A (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=16227631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18866183A Pending JPS6081709A (ja) | 1983-10-08 | 1983-10-08 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081709A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830006A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 三洋電機株式会社 | 透明電導膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-08 JP JP18866183A patent/JPS6081709A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5830006A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | 三洋電機株式会社 | 透明電導膜の製造方法 |
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