JPS6079822A - Ｃｍｏｓ集積回路装置 - Google Patents
Ｃｍｏｓ集積回路装置Info
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- JPS6079822A JPS6079822A JP58186774A JP18677483A JPS6079822A JP S6079822 A JPS6079822 A JP S6079822A JP 58186774 A JP58186774 A JP 58186774A JP 18677483 A JP18677483 A JP 18677483A JP S6079822 A JPS6079822 A JP S6079822A
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- JP
- Japan
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- circuit
- integrated circuit
- signal
- circuit device
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、ＣＭＯ３（相補型金属絶縁膜半導体）集積
回路装置に関するもので、例えば、ＥＣＬ（エミッタ・
カップルド・ロジック）とコンパチブルなゲートアレイ
等を構成するＣＭＯ３集積回路装置に有効な技術に関す
るものである。
回路装置に関するもので、例えば、ＥＣＬ（エミッタ・
カップルド・ロジック）とコンパチブルなゲートアレイ
等を構成するＣＭＯ３集積回路装置に有効な技術に関す
るものである。
ゲートアレイ等を構成するＣＭＯ３ｆｉ積回路装置のよ
うにその外部信号端子が数百ピンもの多ピンとされるも
のでは、次のような問題の生じることが本願発明者の研
究によって明らかにされた。
うにその外部信号端子が数百ピンもの多ピンとされるも
のでは、次のような問題の生じることが本願発明者の研
究によって明らかにされた。
すなわち、０Ｍ０３回路によって構成された出カバソフ
ァ回路（インバータ回路）は、ソース接地の増幅回路と
して動作するので、その利得が大きい。このため、出力
回路に接続される負荷が軽いと、出力信号の立ち上がり
及び立ち下がりが２０３〜３ｎａと高速である。また、
ＣＭＯ３集積回路を構成するチップと外部端子との接続
径路間での寄生容量は、約３ｐＦと比較的大きな容量値
を持つものである。したがって、上記出力端子から送出
される出力信号が上記寄生容量を介して入力端子側にク
ロストークノイズが発生して、誤動作が発生する虞れが
ある。
ァ回路（インバータ回路）は、ソース接地の増幅回路と
して動作するので、その利得が大きい。このため、出力
回路に接続される負荷が軽いと、出力信号の立ち上がり
及び立ち下がりが２０３〜３ｎａと高速である。また、
ＣＭＯ３集積回路を構成するチップと外部端子との接続
径路間での寄生容量は、約３ｐＦと比較的大きな容量値
を持つものである。したがって、上記出力端子から送出
される出力信号が上記寄生容量を介して入力端子側にク
ロストークノイズが発生して、誤動作が発生する虞れが
ある。
そごで、上記出力信号の立ち上がり及び立ち下がりをな
まらせることが考えられる。しかし、出力回路の入力側
で出力すべき信号の波形をなまらせるものとしても、上
記出力回路の大きな利得によって波形整形がなされてし
まうため、第１図に破線で示すように、信号伝播遅延時
間ｔｐｄが長くなるだけで波形の傾きは、はとんどなま
らないため上記クロストークによるノイズの発生を防止
することができない。
まらせることが考えられる。しかし、出力回路の入力側
で出力すべき信号の波形をなまらせるものとしても、上
記出力回路の大きな利得によって波形整形がなされてし
まうため、第１図に破線で示すように、信号伝播遅延時
間ｔｐｄが長くなるだけで波形の傾きは、はとんどなま
らないため上記クロストークによるノイズの発生を防止
することができない。
この発明の目的は、出力信号のクロストークを防止した
ＣＭＯ３集積回路装置を提供することにある。
ＣＭＯ３集積回路装置を提供することにある。
この発明の他の目的は、上記クロストークを防止すると
ともに、ＥＣＬレベルの出力信号を形成することのでき
るＣＭＯ３集積回路装置を提供することにある。
ともに、ＥＣＬレベルの出力信号を形成することのでき
るＣＭＯ３集積回路装置を提供することにある。
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、ＣＭＯ８築積回路の出力回路としてソースフ
ォロワ形態の出力ＭＯＳ Ｆ ＥＴを用いることによっ
て、出力すべき信号の波形をそのまま出力するようにす
るものである。
ォロワ形態の出力ＭＯＳ Ｆ ＥＴを用いることによっ
て、出力すべき信号の波形をそのまま出力するようにす
るものである。
第２図には、この発明に係るＣＭＯ３築積回路装置にお
ける出力回路の一実施例の回路図が示されている。
ける出力回路の一実施例の回路図が示されている。
同図の各回路素子は、公知のＣＭＯ５築積回路の製造技
術によって単結晶シリコンのような半導体基板上に形成
される。
術によって単結晶シリコンのような半導体基板上に形成
される。
この実施例では、特に制限されないが、ＮチャンネルＭ
Ｏ５ＦＥＴＱＩとＰチャンネルＭ ＯＳ １ｉＥＴＱ２
のソースを共通化して外部端子ＯＵＴに接続するもので
ある。したがって、ＮチャンネルＭＯ３ＦＥＴＱＩのド
レインは電源電圧端子ＶＤＤに接続される。Ｐチャンネ
ルＭＯ３ＦＥＴＱ２のトレインは回路の接地電位点に接
続される。これらのＭＯ３ＦＥＴＱＩ、Ｑ２のゲートは
、共通化されて、出力すべき信号Ｖｏ’を形成するイン
バータ回路ＩＶの出力端子に接続される。また、出力信
号Ｖｏの波形をなまらせるため、上記インバータ回路の
出力端子と回路の接地電位点との間には、キャパシタＣ
が設けられる。
Ｏ５ＦＥＴＱＩとＰチャンネルＭ ＯＳ １ｉＥＴＱ２
のソースを共通化して外部端子ＯＵＴに接続するもので
ある。したがって、ＮチャンネルＭＯ３ＦＥＴＱＩのド
レインは電源電圧端子ＶＤＤに接続される。Ｐチャンネ
ルＭＯ３ＦＥＴＱ２のトレインは回路の接地電位点に接
続される。これらのＭＯ３ＦＥＴＱＩ、Ｑ２のゲートは
、共通化されて、出力すべき信号Ｖｏ’を形成するイン
バータ回路ＩＶの出力端子に接続される。また、出力信
号Ｖｏの波形をなまらせるため、上記インバータ回路の
出力端子と回路の接地電位点との間には、キャパシタＣ
が設けられる。
すなわち、第３図の波形図に示すように、上記インバー
タ回ＩＪ Ｉ Ｖの出力インピーダンスとキャパシタＣ
とで構成された積分回路の時定数によって上記出力すべ
き信号Ｖｏ’の立ちさがり（立ち上がりに対しても同様
）がなまらせられる。
タ回ＩＪ Ｉ Ｖの出力インピーダンスとキャパシタＣ
とで構成された積分回路の時定数によって上記出力すべ
き信号Ｖｏ’の立ちさがり（立ち上がりに対しても同様
）がなまらせられる。
したがって、上記出力回路を構成するＭＯ３ＦＥＴＱＩ
、Ｑ２は、ソースフォロワ形態とされるので、その共通
化されたソースからは、上記出力すべき信号Ｖｏ”の立
ち下がり（立ち上がり）に従った出力信号Ｖｏが形成さ
れる。なお、その出力ハイレベルは、ＮチャンネルＭＯ
３ＦＥＴＱＩのしきい値電圧Ｖ ｔｈｎだけ上記信号Ｖ
ｏ”のハイレベルに対してレベルが損失が生じる。同様
に、出力ロウレベルについても、ＰチャンネルＭＯ３Ｆ
Ｅ Ｔ Ｑ’ ２のしきい値電圧ｖ ｔｈｐだけ上記信
号Ｖｏ’のロウレベルに対してレベル損失が生じる。
、Ｑ２は、ソースフォロワ形態とされるので、その共通
化されたソースからは、上記出力すべき信号Ｖｏ”の立
ち下がり（立ち上がり）に従った出力信号Ｖｏが形成さ
れる。なお、その出力ハイレベルは、ＮチャンネルＭＯ
３ＦＥＴＱＩのしきい値電圧Ｖ ｔｈｎだけ上記信号Ｖ
ｏ”のハイレベルに対してレベルが損失が生じる。同様
に、出力ロウレベルについても、ＰチャンネルＭＯ３Ｆ
Ｅ Ｔ Ｑ’ ２のしきい値電圧ｖ ｔｈｐだけ上記信
号Ｖｏ’のロウレベルに対してレベル損失が生じる。
特に制限されないが、ゲート長が１．３μｍ〜１μｍ以
下と微細化されたＭＯＳＦＥＴを用いたＣＭＯ３築積回
路にあっては、その電源電圧ＶＤＤを約３Ｖ程度に低電
圧化される。したがって、上記しきい値電圧Ｖｔｈｎ
、Ｖｔｈｐを約ＩＶとすると、上記出力信号Ｖｏの出力
振幅は、約１ｖ程度の小振幅となる。特に、電源電圧と
して負の電圧を用いた場合には、出力ハイレベルが約−
ＩＶとなり、出力ロウレベルが約−２■となる。このよ
うな信号振幅は、ＥＣＬ回路の信号振幅とはソ′一致す
るので、この実施例のＣＭＯ３築積回路装置の出方信号
によって直接ＥＣＬ集積回路装置を駆動することができ
る。言い換えるならば、この実施例の出力回路は、上記
クロストーク防止のための他、ＣＭＯＳレヘルレベル
ＣＬレベルに変換するためのレベル変換回路としても利
用できるものである。
下と微細化されたＭＯＳＦＥＴを用いたＣＭＯ３築積回
路にあっては、その電源電圧ＶＤＤを約３Ｖ程度に低電
圧化される。したがって、上記しきい値電圧Ｖｔｈｎ
、Ｖｔｈｐを約ＩＶとすると、上記出力信号Ｖｏの出力
振幅は、約１ｖ程度の小振幅となる。特に、電源電圧と
して負の電圧を用いた場合には、出力ハイレベルが約−
ＩＶとなり、出力ロウレベルが約−２■となる。このよ
うな信号振幅は、ＥＣＬ回路の信号振幅とはソ′一致す
るので、この実施例のＣＭＯ３築積回路装置の出方信号
によって直接ＥＣＬ集積回路装置を駆動することができ
る。言い換えるならば、この実施例の出力回路は、上記
クロストーク防止のための他、ＣＭＯＳレヘルレベル
ＣＬレベルに変換するためのレベル変換回路としても利
用できるものである。
（１１出力すべき信号をＰチャンネルＭＯ３ＦＥＴとＮ
チャンネルＭＯＳ Ｆ ＥＴのペアで構成したソースフ
ォロワ回路を通して送出するものであるので、出力すべ
き信号の立ち上がり及び立ち下がりに従った出力信号を
形成することができる。これにより、その入力側に実質
的な積分回路を設けること等により形成した出力すべき
信号の立ち上がり及立ち下がりをなまらせることによっ
て、出力信号の立ち下がり及び立ち上がりをなまらせる
ことができる。したがって、隣接する入力回路側におけ
る寄生容量によるクロストークノイズの発生を防止する
ことができる。これによって、上記クロストークノイズ
による誤動作を防止することかできる。
チャンネルＭＯＳ Ｆ ＥＴのペアで構成したソースフ
ォロワ回路を通して送出するものであるので、出力すべ
き信号の立ち上がり及び立ち下がりに従った出力信号を
形成することができる。これにより、その入力側に実質
的な積分回路を設けること等により形成した出力すべき
信号の立ち上がり及立ち下がりをなまらせることによっ
て、出力信号の立ち下がり及び立ち上がりをなまらせる
ことができる。したがって、隣接する入力回路側におけ
る寄生容量によるクロストークノイズの発生を防止する
ことができる。これによって、上記クロストークノイズ
による誤動作を防止することかできる。
＋２１ ＰチャンネルＭＯ３ＦＥＴとＮチャンネルＭＯ
３ＦＥＴとのベアにより構成されたソースフォロワ出力
回路とすることによって、両ＭＯＳ Ｆ ＥＴを相補的
に動作させることができるから、両ＭＯ３ＦＥＴを通し
て直流電流が流れることがない。
３ＦＥＴとのベアにより構成されたソースフォロワ出力
回路とすることによって、両ＭＯＳ Ｆ ＥＴを相補的
に動作させることができるから、両ＭＯ３ＦＥＴを通し
て直流電流が流れることがない。
したがって、ｃＭｏｓ回路の低消費電力性を招なうこと
がないという効果が得られる。
がないという効果が得られる。
（３）ソースフォロワ形態の出力ＭＯ５ＦＥＴを用いる
ごとによって、そのしきい値電圧により出力信号レベル
の損失が生じる。したがっζ、ＣＭＯＳ集積回路の電源
電圧として一３Ｖのような低電圧を利用した場合には、
ＥＣＬレベルとコンパチブルな出力信号を形成すること
ができるという効果が得られる。
ごとによって、そのしきい値電圧により出力信号レベル
の損失が生じる。したがっζ、ＣＭＯＳ集積回路の電源
電圧として一３Ｖのような低電圧を利用した場合には、
ＥＣＬレベルとコンパチブルな出力信号を形成すること
ができるという効果が得られる。
（４）上記（３）により、ＥＣＬ回路とコンパチブルな
ＣＭ ＯＳ 策積回路装置を形成することができるとい
う効果が得られる。
ＣＭ ＯＳ 策積回路装置を形成することができるとい
う効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、出力すべき信
号の立ち上がり又は立ち下がりをなまらせるための回路
は、出力すべき信号を形成するインバータ回路等の論理
ゲート回路の出力に直列形態の伝送ゲート開Ｏ３ＦＥＴ
等による抵抗手段を設けて、出力ＭＯ５ＦＥＴのデーｌ
−容量とにより上記のような積分動作を行わせるもの等
杖々の実施形態を採ることができる。
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、出力すべき信
号の立ち上がり又は立ち下がりをなまらせるための回路
は、出力すべき信号を形成するインバータ回路等の論理
ゲート回路の出力に直列形態の伝送ゲート開Ｏ３ＦＥＴ
等による抵抗手段を設けて、出力ＭＯ５ＦＥＴのデーｌ
−容量とにより上記のような積分動作を行わせるもの等
杖々の実施形態を採ることができる。
また、内部精理ゲート回路によって形成された出力すべ
き信号の立ち上がり又は立ち下がりが急峻でない場合に
は、上記のような積分動作を行う回路は不要である。そ
して、上記出力回路を華にＥＣＬレヘレベの変換動作の
みを行わせる場合、言い換えれば、クコストークノイズ
が発生ずることのない回路にあっては、上記積分回路を
省略するものである。
き信号の立ち上がり又は立ち下がりが急峻でない場合に
は、上記のような積分動作を行う回路は不要である。そ
して、上記出力回路を華にＥＣＬレヘレベの変換動作の
みを行わせる場合、言い換えれば、クコストークノイズ
が発生ずることのない回路にあっては、上記積分回路を
省略するものである。
この発明番よ、ＣＭ ＯＳゲートアレイの他、ＣＭＯＳ
スタティック型ｒンＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ
）のようなＣＭＯ３記憶装置、ＣＭ ＯＳマイクロコン
ピュータ等種々のＣＭＯ３ｉ積回路装置に利用できる。
スタティック型ｒンＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ
）のようなＣＭＯ３記憶装置、ＣＭ ＯＳマイクロコン
ピュータ等種々のＣＭＯ３ｉ積回路装置に利用できる。
第１図は、ＣＭＯＳインバータ回路を利用した出力回路
の動作を説明するための波形図、第２図は、この発明に
係るＣＭＯ３ｉ積回路装置の出力回路の一実施例を示す
回路図、第３図は、その動作を説明する六−めの波形図
である。 代理人弁理士 真横 門人、゛）
の動作を説明するための波形図、第２図は、この発明に
係るＣＭＯ３ｉ積回路装置の出力回路の一実施例を示す
回路図、第３図は、その動作を説明する六−めの波形図
である。 代理人弁理士 真横 門人、゛）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 】、ソースフォロワ形態の出力ＭＯ３ＦＥＴを含むこと
を特徴とするＣＭＯ３集積回路装置。 ２、上記ソースフォロワ出力ＭＯ３ＦＥＴは、ソースが
共通化されて出力端子に接続されたＮチャンネル間Ｏ８
ＦＥＴとＰチャンネル間Ｏ８ＦＥＴのペアにより構成さ
れるものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のＣＭＯ５築積回路装置。 ３、上記出力ＭＯ３ＦＥＴの入力側には、出力すべき信
号の立ち上がりと立ち下がりとをなまらせる時定数回路
が設けられるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１又は第２項記載のＣＭＯ３築積回路装置 ４、上記ＣＭＯ５集積回路装置は、約３ｖの電源電圧で
動作し、上記出力ＭＯ３ＦＥＴから送出された出力信号
は、ＥＣＬ回路に直接入力されるものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１、第２又は第３項記載のＣＭ
Ｏ３集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186774A JPS6079822A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Ｃｍｏｓ集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186774A JPS6079822A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Ｃｍｏｓ集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079822A true JPS6079822A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16194383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186774A Pending JPS6079822A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Ｃｍｏｓ集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079822A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4677325A (en) * | 1985-06-12 | 1987-06-30 | Siemens Aktiengesellschaft | High voltage MOSFET switch |
| JPH01272221A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 雑音除去回路 |
| US6023195A (en) * | 1997-09-01 | 2000-02-08 | Nec Corporation | On-chip source follower amplifier |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58186774A patent/JPS6079822A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4677325A (en) * | 1985-06-12 | 1987-06-30 | Siemens Aktiengesellschaft | High voltage MOSFET switch |
| JPH01272221A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 雑音除去回路 |
| US6023195A (en) * | 1997-09-01 | 2000-02-08 | Nec Corporation | On-chip source follower amplifier |
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