JPS6077458A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPS6077458A
JPS6077458A JP58185584A JP18558483A JPS6077458A JP S6077458 A JPS6077458 A JP S6077458A JP 58185584 A JP58185584 A JP 58185584A JP 18558483 A JP18558483 A JP 18558483A JP S6077458 A JPS6077458 A JP S6077458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
circuit device
semiconductor chip
ceramic substrate
hybrid integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP58185584A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaname Shibata
要 柴田
Masao Omashoda
大豆生田 征夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP58185584A priority Critical patent/JPS6077458A/ja
Publication of JPS6077458A publication Critical patent/JPS6077458A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に自動車又は二輪車等の車輛における発電
機からの反流電圧を直流に変換し、バッテリの充電、ヘ
ッドランプ或はテールランプ等のランプ類への給電を安
定させ過電流による断線を防ぐために使用される混成集
積回路装置に関するものである。
従来使用されているこの棟の混成集積回路装置としては
、同一出願人に係る先願の特開昭56−19661号公
報に開示されたものが公知である。この公知の装置にお
いては、複数個設けた半導体チップと接続用平板状端子
との間に薄膜の導電部が介在しており、該導電部の抵抗
値が高いため電圧ドロラグを来すばかりでなく発熱が犬
であるため装置全体が加熱されて半導体チップ及び周辺
の機器に悪影響を及ぼす欠点がある。
本発明はこのような欠点を除去するためになされたもの
であって、その目的は大電流を流しても′電圧ドロップ
が少なく発熱が着しく押えられる混成集積回路装置を提
供しようとするものである。
この目的を達成するだめになされた本発明は、複数本の
接続用平板状端子を備え、同一放熱ブロック上に電圧調
整部と整流部とを構成するだめの複数個の半導体チップ
、並びに同様の半導体チップ及び抵抗体を有するセラミ
ック基板を取付けた混成集積回路装置において、前記接
続用平板状端子に適宜形状の延長部を形成し、該延長部
を前記セラミック基板上にハンダ付けし、前記半導体チ
ッグと前記延長部との間にワイヤーを直接デンディング
したことを特徴とする混成集積回路装置であって、半導
体チップと端子の延長部との間を直接ワイヤーで接続さ
せた構成にしたので電圧ドロツフ0がなく、同時に発熱
が少ないものとなるのである。
次に本発明を図示の実施例により更に詳しく説明スルと
、1は放熱ブロックであり、該放熱ブロックI″i銅板
」二に銀メッキ又は高融点ハンダメッキを施したもので
ある。この放熱ブロック上に電圧調整部及び整流部とな
る複数個の半導体チツf2を取付けて放熱板を共用させ
ると共に、セラミック基板3も同様に取付ける。これら
のセラミック基板上に必要があれば、複数個の半導体チ
ップ5を取付けると共に、プリント配線6を施して抵抗
体7を設けるようにしても良い。
このように取付けたセラミック基板3上に複数本の接続
用平板状端子8 、9 、10が取付けられる。
この場合、谷接続用平板状端子には適宜形状の延長部8
a、、9a、loaが一体的に形成され、該延長部はセ
ラミック基板上の取付空間の都合及び外部へ取出した場
合のソケットの都合によって槙々の形状に形成され且つ
折り曲げられている。そしてこれら各延長部8a 、 
9a 、loaをセラミック基板3上に固定する。
このように各部が固定された後において、前記半導体チ
ック02,5と接続用平板状端子の延長部8a、9a、
10aとの間にワイヤーIJを夫々ビンディングして直
接取付ける。又、抵抗体7に接続される一つの半導体チ
ップ2はプリント配線6との間でワイヤー12がボンデ
ィングされる。尚、必要があって、セラミック基板3上
に設けられた半導体チソf5との′電気的接続は、例え
ば放熱ブロック1との間でワイヤー」:3がH?ボンデ
ィングれ、接続用平板状端子との間においては延長部g
allOaK’フイヤー14が直接ボンディングされて
いる。いづれにしても、半導体チップと接続用平板状端
子との間においてワイヤーが直接ボンディングされるの
である。
前記した各部品の放熱ブロックへの取付けに当っては、
まず放熱ブロック1をカーピン等の治具上にセットし、
谷部の取付けを要する部分に例えば鉛/錫=9575の
高融点ノ・ンダベレットを載置し、その上に半導体チッ
プ、セラミック基板、接続用平板状端子の延長部等を載
せ、これらを電気炉(ベルト式炉)に入れ、不活性ガス
又は還元性ガス雰囲気中にて加熱Lノ・ンダを溶解して
ノ・ンダ付けし一体化する。このよりなノ・ンダ付工程
のみで構成部品の各部が放熱ブロック1に対し同時に数
句けることができるのである。そしてこの場合に各部は
カーボン等の組付治具により適切な位14にセットする
ことができるため部品相互の位置関係は自動的に決定さ
れるのである。次に、半導体チップ2,5と延長部との
間及び他の電気的接続部におけるワイヤー12〜14の
がンデイングは、ワイヤーをアルミワイヤーを利用し、
アルミがンダにより超音波にてボンディングすれば簡単
に取付このように各部を放熱ブロック1に対し一体的に
取付けた後、第3図に示しだように、収納部を有するケ
ース15内に放熱ブロック1を挿入し、各接続用平板状
端子8,9.川が外部に突出した状態で位置させ、収納
部内に例えばエポキ7樹脂等のモールド月16をモール
ドしてケース15内に智封固定し、一つの装置として形
成するのである。尚、前記のハンダ伺工程において、ハ
ンダペレットヲ使用したが、予め半導体素子、セラミッ
ク基板、接続用平板状端子の一部又は全部を予備的にハ
ンダ付けし、と瓦を治具にセットして一括ハンダ付する
こともできるのである。
す、上説明したように本発明に係る混成集積回路装置は
、電圧調整部と蟹流都とを構成する半導体チップを同一
放熱プロツク上に取付けると共に、複数個の接続用平板
状端子をも放熱ブロック及びセラミック基板上に数句け
だものにおいて、半導体チップと接続用平板状端子の延
長部とを直接ワイヤーでボンディングして接続させた構
成にしたので、電圧ドロラグを著しく小さくできると共
に、大電流を流しても発熱を極力弁えることができ、そ
れによって装置自体の熱による破壊が解消され、更には
周辺の機器に対して悪影響を及ぼさないと云う優れた効
果を葵する。
又、薄板からなる導電部を必要としないので製造工程が
短縮できると云う優れた効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る自動車用電圧調整器付整流器の要
部を分離して示した斜視図、第2図は同要部を組立てだ
状態の平面図、第3図は同要部をケース内に収納して1
つの装置とした平板状端子突出側の側面図である。 1・・・・・・放熱ブロック 2.5・・・・・・半導体チップ 3・・・・・セラミック基板 8・・・10・・・・接続用平板状端子8a〜IOa・
・・・・延長部 11〜14・・・・・・ワイヤー 15・・・・・・ケース 16・・・・・モールド材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数本の接続用平板状端子を備え、同一放熱ブロック上
    に電圧調整部と整流部とを構成するための複数個の半導
    体チップ、並びに同様の半導体チップ及び抵抗体を有す
    るセラミック基板を取付けた混成集積回路装置において
    、前記接続用平板状端子に適宜形状の延長部を形成し、
    該延長部を前記セラミック基板上にハンダ付けし、前記
    半導体チップと前記延長部との間にワイヤーを直接ビン
    ディングしたことを特徴とする混成集積回路装置。
JP58185584A 1983-10-04 1983-10-04 混成集積回路装置 Pending JPS6077458A (ja)

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JP58185584A JPS6077458A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 混成集積回路装置

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JPS6077458A true JPS6077458A (ja) 1985-05-02

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ID=16173358

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JP58185584A Pending JPS6077458A (ja) 1983-10-04 1983-10-04 混成集積回路装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53128283A (en) * 1977-04-15 1978-11-09 Hitachi Ltd Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53128283A (en) * 1977-04-15 1978-11-09 Hitachi Ltd Semiconductor device

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