JPS6076162A - ハイブリツドイメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ハイブリッドイメージセンサＱ製造方法に係
り、特にアモルファスシリコンセンサ（受光膜）とその
走査駆動回路部とを同一基板上に搭載せしめたハイブリ
ッドイメージセンサの製造方法に関するものである。

し従来技術〕 従来、光導電体層としてアモルファスシリコンを用いた
アモルファスシリコンセンサは、夫々別の基板上に設け
られた受光部とその走査駆動回路部とをワイヤボンディ
ングやフレキシブルプリント基板等で接続していた。そ
の為、８本／闘〜１６本／朋というような高密度に配列
されたセンサを製造するにあたっては、高精度の接続技
術が要求され、接続部における製造誤差がセンサとして
の信頼性低下の原因となっていた。

また、駆動回路部分の実装工程でセンサ部を静電破壊し
てしまうことがよくあった。従りてセンサを静電破壊か
ら保膜するために、各ビット毎にダイオードを設ける方
法があるが、ビット数が多い場合、高価となる上、実装
工程を大幅に増大せしめる結果となり、実用的ではなか
った。

更には、ビット数が多い場合、センサチェックに時間が
かかるという欠点があった。

し発明の目的〕 本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、チツブ実装
工程中におけるセンサの保護をはかると共にセンサチェ
ックの簡便化をはかりつつ、同一基板上にセンサ部と走
査駆動回路部とを形成し、高度な信頼性をもつ高密度の
ハイブリッドイメージセンサの製造を簡単にすることを
目的とする。

〔発明の構成〕

上記目的を達成するため、本発明はセンサ部と駆動走査
回路部とを同一基板上に有するハイブリッドイメージセ
ンサを製造するにあたり、駆動回路上にＩＣチップ等の
素子を搭載せしめるに先立ち、センサの両端子が同一電
位となるように短絡せしめ、搭載および検査を行った後
、両端子間を電気的に分離することを特徴さするもので
ある。

し実施例〕 以下、本発明のハイブリッドイメージセンサの製造方法
を、図面に示された実施例に従って詳細に説明する。

あらかじめ、絶縁性のセラミック基板ｌ上のセンサとな
る部分２に厚さ５０μｍにわたるグレーズと呼ばれるガ
ラス加工を施し、表面を滑らかにした後、第１図に示す
如く、走査駆動回路部３及び接続部４を、全ペーストを
用いた厚膜印刷、フォトエツチングによる導体層５の形
成、ガラスペーストを用いた厚膜印刷、フォトエツチン
グによる絶縁層６の形成の繰り返しによって形成する。

次いで、基板の全面に蒸着法により、膜厚５０００＾と
なるようにクロム薄膜７を着膜する。（Ｍ２図） ここで、フォトエツチングにより、第３図に示す如く、
センサの下部電極８等のパターン形成を行う。この時、
走査駆動回路部にあたる部分のクロム薄膜７は、次のア
モルファスシリコン層の堆積時のプラズマから該回路部
を保護するため、除去しないで残しておく。また、下部
面４Ｉ＠８の近傍は、第４図にその拡大図を示す如く、
走査駆動回路部との接続部付近９はパターン分割される
こさなく、共通となるように構成されており、又、端部
には、センサチェック用のプローブパット１０が設けら
れるように構成される。

この後、第５図に示す如く、メタルマスク（図示せず）
を載置し、光導電体層としてのアモルファスシリコン層
１１を前記下部電極上に厚さ約１μ０１程度堆積せしめ
る。第６図にその要部拡大図を示す。

更に、第７図に示す如く、スパッタ法により、透光性の
上部共通電極９として、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）薄
膜を、約８００λの厚さで着膜する。

この時、第８図にＩＴＯ薄膜着膜後の要部拡大図を示す
ように、プローブパット１０と上部共通電極１２は、短
絡されているようにする。

このようにして、センサ部の形成が完了すると、走査駆
動回路部の厚膜パターンを覆っているクロム薄膜を、フ
ォトエツチングにより第９図に示す如く除去する。この
時にも、第１０図に要部拡大図を示す如く、下部電極８
は各ビット間を短絡するために、その端部で一体となる
ように残しておく。

次いで、スリットを走査しながら各ビット毎のセンサの
出力テストを行う。このセンサの等何回この出力テスト
の結果が良好である時、続いて駆動回路部分上に搭載す
べきＩＣ等の能動素子、抵抗、コンデンサ等の受動素子
等のチップ１３をシルバーペースト等の導電性接着剤に
よって接着し、ワイヤボンディング等によって電気的接
続を完了する。

そして、第１３図に要部を拡大して示す如くレーザ加工
機によって、下部電極８間にスリット１４を入れて各ビ
ットを独立させると共に、プローブパット１０と上部共
通電極との接続部をスリット１５によって切断する。

このようにして形成されたハイブリッドイメージセンサ
は第１４図に一部破断乎面図、そして第１５図にそのＡ
−Ａ断面図を示す如く、走査駆動回路部上を樹脂ケース
１７を用いて樹脂封止した後、外部リード１８をワイヤ
ボンディングによって取り付けることにより、完成する
。

か力為る製造方法によれば、センサ部と走査駆動回路部
が同一基板上に形成され、その接続配線はフォトエツチ
ングｌとよってｉト：ｌＩＦ履ス励回路の原…α回路と
同一工程で形成され、高密度の配線も容易に行うことが
できる。また、製造工程中においては、センサの上部共
通電極と下部電極とは短絡せしめられているため、静電
破壊されることもない。

さらには、下部電極は製造工程中において共通接続され
ているため、センサチェックが極めて簡単である。従っ
て、信頼性の高いハイブリッドイメージセンサが極めて
作業性良く、形成され得る。

なお、実施例においては、クロム薄膜をフォトエツチン
グして、センサの下部電極のパターン形成を行う際、厚
膜回路との接続部付近で、下部電極が各ビット間で短絡
するような共通接続パターンを用いたが、必ずしもこの
工程で共通接続する必要はなく、下部電極パターン形成
のためのフォトエツチング工程においては、センサとし
ての完成状態となるような形状に独立して形成しておき
、後で導電性エポキシ等の導電性樹脂によって下部電極
を共通接続すると共に、上部共通電極との短絡を行って
も良い。この場合も実施例の場合と同様にＩＣ等のチッ
プを搭載した後、レーザー等によって切断せしめれば良
い。また、下部電極間を共通接続することなく、夫々導
電性樹脂ζこよって上部共通電極との間を接続せしめる
ことにより、センサ部の保ぬを行っても良い。この場合
、センサチェックのプローブテストは、各ビット毎に１
つ１つ行わねばならない。

（発明の効果ｊ 以上、説明してきたように、本発明の方法によれば、セ
ンサ部と駆動回路にあたる集積回路部とを同一回路基板
上に配設せしめ、センサの両端子を同一電位に保ってセ
ンサを保護し・つつ、該集積回路部に所定の素子チップ
を搭載せしめて、ハイブリッドＩＣ化した後、センサの
両端子を電気的に分離することにより信頼性の高い高密
度ハイブリッドイメージセンサが極めて簡単に提供され
得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１３図は本発明実施例のハイブリッドイメ
ージセンサの製造工程を示す図、第１４図は本発明実施
ｆ゛すの方法によって製造されたバイブｌ／ノドイメー
ジセンサの一部破断概要図、第１５図は第１４図のＡ−
Ａ断面図である。 トセラミノク基板、２・・・セン→）゛となる部分、３
・・・走査駆動回路部、４・・・接続部、５・・・導体
層、６・・・絶縁層、７・・・クロムれシ股、８・・・
下部電極、９・・接続部付近、１０・・・プローブパッ
ト、１１・・・アモルファスシリコン層、１２・・・上
部共通電極、１３・・・チップ、１４．１５・・・スリ
ット、１７・・・樹脂ケース、１８・・・外部リード。 第１図 第２図 第３図 第５図 １ ＄４図 第６図 １０ ） 第１２図 ３ 第１４図 第１５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. センサ部と駆動回路部とを同一基板上に有するハイブリ
   ッドイメージセンサの製造方法において駆動回路上にＩ
   Ｃチップ等の素子を搭載せしめるに先立ち、センサの両
   端子が同一電位となるように短絡せしめ、搭載および検
   査を行った後、両端子間を電気的に分離することを特徴
   とする／′−イブリッドイメージセンサの製造方法。