JPS6192014A - 表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

表面波デバイスの製造方法

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Publication number
JPS6192014A
JPS6192014A JP21391784A JP21391784A JPS6192014A JP S6192014 A JPS6192014 A JP S6192014A JP 21391784 A JP21391784 A JP 21391784A JP 21391784 A JP21391784 A JP 21391784A JP S6192014 A JPS6192014 A JP S6192014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film carrier
surface wave
wave element
electrode
acoustic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21391784A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Tatsuki
田附 和男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP21391784A priority Critical patent/JPS6192014A/ja
Publication of JPS6192014A publication Critical patent/JPS6192014A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は無線a器等に用いられる表面波デバイスの製造
方法に関する。
従来例の構成とその問題点 従来、数百MHz以上の表面波デバイスはウェハ段階ま
たは素子に分割した状態で検査を行うことは困難であり
、パッケージに表面波素子を取付けてワイヤボンディン
グ後に特性を測定して始めて良否判定が可能とdる。そ
のため、不良の場合には高価なパッケージが無駄となり
、コストアップの要因となってい゛た。また、第3図に
示すようにアルナミやガラスエポキシ等の絶縁基板1に
外部回路とのマツチング回路を、例えばパターンL3a
、3bと、チップコンデンサ4a、4bとで構成し、更
に絶縁基板1上に表面波素子2を取付け、アルミワイヤ
5等で、絶縁基板1上の電極と表面波素子2上の引出し
電極を接続し、良否判定後、表面波素子2を保護するキ
ャップを接着していたが、この場合には、絶縁基板1上
に設けたマツチング回路も無駄になり、非常なコストア
ップになっていた。更に、絶縁基板1にアルミナ基板を
用い、これに銀電極を印刷して、パターンLの3a 、
3bを形成する場合、パターンLの精度や、電気抵抗が
大ぎくなり、高周波の場合には特に特性劣化の要因とな
っていた。
発明の目的        ゛ 本発明は安価で特性の良い表面波デバイスを作。
成できるIII′I造方法を12供することを目的とす
る。
発明の構成 本発明の表面波デバイスの製造方法は、電極が形成され
たフィルムキャリア上に表面波素子を設置してフィルム
キャリア上の電極と表面波素子−[の引出し電極をワイ
ヤで接続し、次いで配線済のフィルムキャリアを絶縁基
板に設置してフィルムキャリアの電極と絶縁基板上に設
けた電極とを接続し、かつ表面波素子上に空間を形成し
てこれを覆うキャップを接着したことを特徴とする。
つまり、このような工程で製造すると絶縁yJ根板上配
線済のフィルムキャリアを付ける前に良品が否かを検査
することで、良品の配線済フィルムキャリアだけを絶縁
基板に接着することで絶縁基板の無駄をなくすることが
できる。
実施例の説明 以下、本発明の製造方法を第1図と第2図の具体的な一
実°施例に基づいて説明する。
製造は、先ず第1図に示すようにフィルムキトリア6上
に表面波素子ならびにチップコンデンサを接続できるよ
うにパターンを構成し、次いでこの電極を有するフィル
ムキャリア6上に表面素子2を接着する。この接着のI
AI 、Au等のワイヤ5で表面波素子2の電極とフィ
ルムキャリア6の電極を接続する。その後、チップコン
デンサ4a、4bをフィルムキャリア6上にを半田付け
した後、この配線済フィルムキャリア6を検査して、良
品のフィルムキャリアを接際して絶縁基板7上に接着し
、この接着後、フィルムキトリア6の電極と絶縁基板7
上に設けた電極8a 、8bとを半田接続づ゛る。更に
、表面波素子2上に空間9を設けるようキャップ10を
接着して表面波素子を密封する。 このような製造工程
をとれば、フィルムキャリア6に表面素子2を接続した
段階で検査が行える。特に高周波の場合には素子単体で
の検査は困難であるため絶縁基板にマツチング回路を構
成する場合、不良の表面波素子を接続してしまえば高価
な絶縁基板が無駄になるが、このような自体を回避でき
、コストの低減に効果がある。また、従来では絶縁基板
上の電極は銀印刷により形成されるが、印刷の精度によ
りパターンLの特性がバラついたり、電極の線幅が翰い
場合には電気抵抗が大きくなって挿入損失が増大づ°る
等時性の劣化となるが、第1因と第2図のように。フィ
ルムキャリアを用いれば、写真製法でパターンが形成さ
れるため電極のパターン精度が高く、バラつきが少ない
。また銅箔が銀印刷に比べ厚いため抵抗値が小さく特性
の劣化も防止できる。
発明の効果 以上説明のように本発明の表面波デバイスの製造方法は
、電極が形成されたフィルムキャリア上に表面波素子を
設置してフィルムキトリア上の電極と表面波素子上の引
出し電極をワイヤで接続し、次いで配線等のフィルハキ
1rリアを絶$1基板に設置してフィルムキャリアの電
極と絶縁基板上に設けた電極とを接続し、かつ表面波素
子上に空間を形成してこれを覆うキャップを接着するた
め、フィルムキャリアに表面波素子を接続した段階で高
価な絶縁基板を用いずに検査が行え、絶縁基板を不良品
に使用して無駄使いせずとも済み、安価で特性のよい表
面波デバイスを接続できる。なお、本発明のyil造方
法は、素子単体での検査が困難な高周波用の表面波デバ
イスに特に有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図と第2図は本発明の製造方法の具体的な一実施例
を示し、第1図は本発明で用いるフィルムキトリアの平
面図、第2図は完成した表面波デバイスの断面図である
。第3図は従来の表面波デバイスの平面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、電極が形成されたフィルムキャリア上に表面波素子
    を設置してフィルムキャリア上の電極と表面波素子上の
    引出し電極をワイヤで接続し、次いで配線済のフィルム
    キャリアを絶縁基板に設置してフィルムキャリアの電極
    と絶縁基板上に設けた電極とを接続し、かつ表面波素子
    上に空間を形成してこれを覆うキャップを接着する表面
    波デバイスの製造方法。
JP21391784A 1984-10-11 1984-10-11 表面波デバイスの製造方法 Pending JPS6192014A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162822A (en) * 1988-10-31 1992-11-10 Hitachi, Ltd. Saw filter chip mounted on a substrate with shielded conductors on opposite surfaces

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162822A (en) * 1988-10-31 1992-11-10 Hitachi, Ltd. Saw filter chip mounted on a substrate with shielded conductors on opposite surfaces

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