JPS6076039U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6076039U
JPS6076039U JP16871883U JP16871883U JPS6076039U JP S6076039 U JPS6076039 U JP S6076039U JP 16871883 U JP16871883 U JP 16871883U JP 16871883 U JP16871883 U JP 16871883U JP S6076039 U JPS6076039 U JP S6076039U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
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semiconductor
semiconductor device
solder
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JP16871883U
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Inventor
小玉　敏昭
Original Assignee
日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来のＰＮ接合型放射線検出器の構造を示す
断面図で同図すは部分Ｃの詳細断面図である。 １・・・・・・ベース、２・・・・・・半田、３・・・
・・・半導体ペレット、４・・・・・・半田、５・・・
・・・リード、６，７，８・・・・・・キャップを構成
するもので、６，８・・・・・・金属、７・・・・・・
ガラス。 第２図は、第１図半導体ペレット３の断面図である。 ９・・・・・・Ｎ−３ｉ、　　１０・・・・・・ＳｉＯ
２膜、１１．１２・・・・・・電極金属。　　′ 第３図および第４図はそれぞれ本考案の実施例を示した
もので、第１図の部分Ｃに対応する部分断面図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ペレットの１部を溶融半田を用いベース゛　　へ
    融着することにより気密封止を形成する構造の半導体装
    置において、前記ベースの半田融着され気密封止を形成
    される面内に、少なくとも１個の溝が設けられているこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP16871883U 1983-10-31 1983-10-31 半導体装置 Pending JPS6076039U (ja)

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JP16871883U JPS6076039U (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体装置

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JPS6076039U true JPS6076039U (ja) 1985-05-28

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