JPS6075493A - シチジン誘導体の製造法 - Google Patents
シチジン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS6075493A JPS6075493A JP18531783A JP18531783A JPS6075493A JP S6075493 A JPS6075493 A JP S6075493A JP 18531783 A JP18531783 A JP 18531783A JP 18531783 A JP18531783 A JP 18531783A JP S6075493 A JPS6075493 A JP S6075493A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シチジン銹導体の製造法に関する。
さらに詳しくは、本発明は、式
し式中、Ｒ１は炭素数３以上のカルボン酸由来アシル基
を示す〕で表わされる化合物と式０式中、Ｒは水素また
は保強されていてもよいアミノ基を、Ｒ、ＲおよびＲは
カルボン酸由来アシ／Ｌ’基を示す〕で表わされる化合
物とをｐ〔式中の各記号は前記と同麓義〕で表わされる
化合物の製造法を提供するものである。
を示す〕で表わされる化合物と式０式中、Ｒは水素また
は保強されていてもよいアミノ基を、Ｒ、ＲおよびＲは
カルボン酸由来アシ／Ｌ’基を示す〕で表わされる化合
物とをｐ〔式中の各記号は前記と同麓義〕で表わされる
化合物の製造法を提供するものである。
シチジンは、現在医薬として用いられているシチジン−
ニリン酸コリン（一般名シチコリン）の合成原料として
重要な化合物である。
ニリン酸コリン（一般名シチコリン）の合成原料として
重要な化合物である。
従来、シチジンの合成法としては、シトシンとリボース
との縮合によるか、ウリジンなアミノ化する方法が知ら
れている。本発明者はイノシンおよびグアノシンが、イ
ノシン酸およびグアニ／Ｉ’ｄの合成原料として工業的
に入手容易なことを考慮して、シチジンの合成に利用す
ることを検討した。
との縮合によるか、ウリジンなアミノ化する方法が知ら
れている。本発明者はイノシンおよびグアノシンが、イ
ノシン酸およびグアニ／Ｉ’ｄの合成原料として工業的
に入手容易なことを考慮して、シチジンの合成に利用す
ることを検討した。
その結果、イノシンおよびグアノシンのりボーヌ部分を
シトシンに転移させるシチジンの合成法を見出し、本発
明を完成した。従来、プリン塩基からピリミジン塩基へ
の糖転移反応は文献未載でおり、本発明はかかる新しい
糖転移反応をはじめて提供するものである。
シトシンに転移させるシチジンの合成法を見出し、本発
明を完成した。従来、プリン塩基からピリミジン塩基へ
の糖転移反応は文献未載でおり、本発明はかかる新しい
糖転移反応をはじめて提供するものである。
上記式（Ｉ）および（Ｉｌｌ）におけるＲ１ としての
伏素数３以上のカルボン酸由来アシｆｉ７基は、脂肪族
系・芳香族系および１１ｆ鎮状・分枝状のいずれでもよ
く、たとえばプロピオニル、ブチリル、イソブチリル、
ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、パルミトイ
！、ベンゾイルなどが挙げられ、伏素数４〜１６とりわ
けｐ＃累数６〜１０のアルカノイル 前記式（ＩＩ）およびｎｕ）におけるＲ”、Ｒ’および
Ｒ５ としての力〃ボン酸由来アＶｉｖｍとしては、伏
素数２〜６程度のアルカノイルンゾイルが好ましく、と
９わけアセチ／Ｌ／またはベンゾイルが好ましい。
伏素数３以上のカルボン酸由来アシｆｉ７基は、脂肪族
系・芳香族系および１１ｆ鎮状・分枝状のいずれでもよ
く、たとえばプロピオニル、ブチリル、イソブチリル、
ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、パルミトイ
！、ベンゾイルなどが挙げられ、伏素数４〜１６とりわ
けｐ＃累数６〜１０のアルカノイル 前記式（ＩＩ）およびｎｕ）におけるＲ”、Ｒ’および
Ｒ５ としての力〃ボン酸由来アＶｉｖｍとしては、伏
素数２〜６程度のアルカノイルンゾイルが好ましく、と
９わけアセチ／Ｌ／またはベンゾイルが好ましい。
式（ＩＩ）における′Ｒ．２ としてのアミノ基は保穫
式れていてもよく、保ｒＩｋ基としては力μボン酸出来
アシμ基とシわけ次索数６までのアルカノイル（アセチ
ル、プロピオニル、イソブチリｐ，ヘキサノイμなど）
およびベンゾイルが好ましい。
式れていてもよく、保ｒＩｋ基としては力μボン酸出来
アシμ基とシわけ次索数６までのアルカノイル（アセチ
ル、プロピオニル、イソブチリｐ，ヘキサノイμなど）
およびベンゾイルが好ましい。
化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）との反応は、ルイス酸の
存在下、溶媒中で行われる。通常（■）１七ｐに対して
（１）を１．２−２モｐ使うのが有利である。ルイス酸
としては、四塩化スズ、四塩化チタン、五塩化アンチモ
ン、塩化アルミニウム。
存在下、溶媒中で行われる。通常（■）１七ｐに対して
（１）を１．２−２モｐ使うのが有利である。ルイス酸
としては、四塩化スズ、四塩化チタン、五塩化アンチモ
ン、塩化アルミニウム。
塩化第二鉄，塩化亜鉛，四塩化ジルコニウム等の金属ハ
ロゲン化物．ｐ−ト／Ｌ／エンヌμホン酸，トリフルオ
ロメタンスルホン酸，トリフルレオ四メタンスμホン酸
ートリメチルシリルエステ／Ｌ’等のスルホン酸誘導体
が好ましく、これらは（■）１七μに対して１．２−２
モル使うのが有利である。
ロゲン化物．ｐ−ト／Ｌ／エンヌμホン酸，トリフルオ
ロメタンスルホン酸，トリフルレオ四メタンスμホン酸
ートリメチルシリルエステ／Ｌ’等のスルホン酸誘導体
が好ましく、これらは（■）１七μに対して１．２−２
モル使うのが有利である。
溶媒としては、１．２−ジクロロエタン、塩化メチレン
、クロロホルム、四塩化宍素，１．２−ジクロロプロパ
ン、１，１．２．２−テトラクロロエタン等のハロゲン
化炭化水素類，アセトニトリ／Ｓ／ウジオキサン、テト
ラヒドロフラン、ベンゼン。
、クロロホルム、四塩化宍素，１．２−ジクロロプロパ
ン、１，１．２．２−テトラクロロエタン等のハロゲン
化炭化水素類，アセトニトリ／Ｓ／ウジオキサン、テト
ラヒドロフラン、ベンゼン。
クロロベンゼン等の非プロトン性溶媒が好ましい。
反応条件は５０−１００℃、５−２４時間程度が好まし
い。
い。
反応液から目的物を単離するには、中和，溶媒抽出，ク
ロマトグラフィー等、通常の手段により行われるが、こ
こで得られる（Ｉｌｌ）は中間体であるため、必ずしも
精製する必要はなく、公知の手段（アルカリ処理）によ
りシチジンに導き、しかる後に混入するイノシンやグア
ノシンを分離しても良い。分離手段としては、塩基性の
イオン交換樹脂（ＯＨ型）を通過させることによシイノ
シンやグアノシンを選択的に吸着させる方法が有利であ
る。
ロマトグラフィー等、通常の手段により行われるが、こ
こで得られる（Ｉｌｌ）は中間体であるため、必ずしも
精製する必要はなく、公知の手段（アルカリ処理）によ
りシチジンに導き、しかる後に混入するイノシンやグア
ノシンを分離しても良い。分離手段としては、塩基性の
イオン交換樹脂（ＯＨ型）を通過させることによシイノ
シンやグアノシンを選択的に吸着させる方法が有利であ
る。
以下に、本発明を実施例および参考例により式らに具体
的に説明するが、これらは本発明の範囲はいずれも文献
未載の新規化合物である。
的に説明するが、これらは本発明の範囲はいずれも文献
未載の新規化合物である。
実施例Ｉ
Ｎ４ −ペンシイμシトシン４３０ｑとグ，３′。
５′−トリー〇−ベンゾイルイノシン５８０４トヲ１．
２−ジクロロエタン２０ｍｌＫｌｆｍ濁させ、四塩化ス
ズ０．２ａｌを加えて６時間還流させた。反応液にクロ
ロホルム３０ｍ１と１０％惠Ｗ水５０＃ｌｔを加えて振
り、沈殿をろ去した。クロロホルム層を水洗後、減圧乾
固し、残渣をシリカゲ／Ｉ／３０１１を用いるクロマト
に付し、クロロホルムで溶出した。
２−ジクロロエタン２０ｍｌＫｌｆｍ濁させ、四塩化ス
ズ０．２ａｌを加えて６時間還流させた。反応液にクロ
ロホルム３０ｍ１と１０％惠Ｗ水５０＃ｌｔを加えて振
り、沈殿をろ去した。クロロホルム層を水洗後、減圧乾
固し、残渣をシリカゲ／Ｉ／３０１１を用いるクロマト
に付し、クロロホルムで溶出した。
目的物の分画を集めて賦圧乾固し、残渣を酢酸エチル−
エタノ−／Ｉ／（６： ４ ）から再結して、Ｎ。
エタノ−／Ｉ／（６： ４ ）から再結して、Ｎ。
２’、３’、５’−テトラベンゾイルシチジンの無色針
状結晶２５（１’を得た。融点２１０−２＋２°Ｃ夾施
例２ Ｈ４−イソグチリルシトシン３６２９．！＝ ２’、３
’。
状結晶２５（１’を得た。融点２１０−２＋２°Ｃ夾施
例２ Ｈ４−イソグチリルシトシン３６２９．！＝ ２’、３
’。
５′−トリー〇−ベンゾイルイノシン５８０Ｗｆとをジ
クロロメタン２０ｍ１に懸濁し、五塩化アンチモン０．
２ａｌを加えて８時間還流させた。反応液を実施例１に
準じて処理し、Ｈ４−イソブチリル−２’、 ３’、
５’−）ソー０−ベンゾイルシチジンの無色針状結晶１
００Ｍｋ／を得た。融点１８１−１８３℃実施例３ Ｎ −オクタノイルシトシン４．７４１と２゜３．５−
）ソー０−アセチμイノシン３．９４ｆとを１．２−ジ
クロロエタン２００ｍ１に懸濁させ、四塩化スズ２ｔｘ
ｔを加えて２０時間還流させた。反応液を実施例１に準
じて処理し、Ｎ −オクタノイル−２、３’、 ５−ト
リー〇−アセチルシチジンの無色針状結晶３．２ｙを得
た。
クロロメタン２０ｍ１に懸濁し、五塩化アンチモン０．
２ａｌを加えて８時間還流させた。反応液を実施例１に
準じて処理し、Ｈ４−イソブチリル−２’、 ３’、
５’−）ソー０−ベンゾイルシチジンの無色針状結晶１
００Ｍｋ／を得た。融点１８１−１８３℃実施例３ Ｎ −オクタノイルシトシン４．７４１と２゜３．５−
）ソー０−アセチμイノシン３．９４ｆとを１．２−ジ
クロロエタン２００ｍ１に懸濁させ、四塩化スズ２ｔｘ
ｔを加えて２０時間還流させた。反応液を実施例１に準
じて処理し、Ｎ −オクタノイル−２、３’、 ５−ト
リー〇−アセチルシチジンの無色針状結晶３．２ｙを得
た。
融点１３９−１４０°Ｃ
実施例４
Ｈ４−オクタノイルシトシン４７４ｑと２′、３′。
５′−トリー〇−アセチｐグアノシン４０９”ｆとを１
．２−ジクロロエタン２０ｔｉｔＫ懸濁させ、トリフル
オロメタンスルホン酸−トリメチ／レンリμエステル４
４４ｑを加えて６時間還流させた。反応液を実施例１に
準じて処理し、Ｈ４−オクタノイ／Ｌ’−２’、 ３’
、 ５’−）ジ−０−アセチルシチジンの淡黄色針状結
晶１７０ダを得た。
．２−ジクロロエタン２０ｔｉｔＫ懸濁させ、トリフル
オロメタンスルホン酸−トリメチ／レンリμエステル４
４４ｑを加えて６時間還流させた。反応液を実施例１に
準じて処理し、Ｈ４−オクタノイ／Ｌ’−２’、 ３’
、 ５’−）ジ−０−アセチルシチジンの淡黄色針状結
晶１７０ダを得た。
融点１３９−１４０°Ｃ
夾箆例５
Ｈ４−バルミトイルシトシン７００１’ｊｌトＨ２，２
’。
’。
３’ 、 ５’−テトラベンゾイルグアノシン７００’
Ｗとを１．２−ジクロロプロパン２０ｍ１に懸濁はせ、
四塩化チタン０．２ａｌを加えて１４時間還流させた。
Ｗとを１．２−ジクロロプロパン２０ｍ１に懸濁はせ、
四塩化チタン０．２ａｌを加えて１４時間還流させた。
反応液を実施例１に準じて処理し、Ｈ４−パルミトイ／
Ｉ’−２’、 ３’、 ５’−トリーＱ −ヘン／ イ
Ａ／シチジンの無色アメ状物質１４０呼を得た。
Ｉ’−２’、 ３’、 ５’−トリーＱ −ヘン／ イ
Ａ／シチジンの無色アメ状物質１４０呼を得た。
元素分析値： Ｃ４６Ｈ５５Ｎ３０９ としてＣ（％）
Ｈ（％） Ｎ（％） 計算値： ６９．５９ ６．９８ ５．２９実測値：
６９．４０ ６．７７ ５．０８実施例６ Ｈ４−ヘキサノイルシトシン４．１８ｆと２′。
Ｈ（％） Ｎ（％） 計算値： ６９．５９ ６．９８ ５．２９実測値：
６９．４０ ６．７７ ５．０８実施例６ Ｈ４−ヘキサノイルシトシン４．１８ｆと２′。
３’、５’−トリー〇−アセチμイノシン３．９４１と
を１．２−ジクロロエタン２００ｇ／に懸濁させ、四塩
化スズ２ｍｌを加えて６時間還流させた。反応液に１０
％重曹水１００＊ｔを加えてかきまぜ、沈殿をろ去、ジ
クロロエタン層を水洗後減圧乾固した。残渣をエタノ−
ＩＬ’４０ｄに溶かし、濃アンモニア水２０ｇ／を加え
て室温で１５時間放置した。
を１．２−ジクロロエタン２００ｇ／に懸濁させ、四塩
化スズ２ｍｌを加えて６時間還流させた。反応液に１０
％重曹水１００＊ｔを加えてかきまぜ、沈殿をろ去、ジ
クロロエタン層を水洗後減圧乾固した。残渣をエタノ−
ＩＬ’４０ｄに溶かし、濃アンモニア水２０ｇ／を加え
て室温で１５時間放置した。
反応液を減圧乾固後、残渣を０．０１Ｎアンモニア水２
０口ｔｉｔｌに溶かし、ダウエックヌ−１（商品名、ダ
ウ・ケミカル社製品）（ＯＨ型＞５０ｗｔ０カラムに通
し、水洗した。通過液と水洗液を合して減圧乾固し、残
渣を９０％エタノールから再結晶してシチジンの無色針
状結晶１．１ｇを得た。
０口ｔｉｔｌに溶かし、ダウエックヌ−１（商品名、ダ
ウ・ケミカル社製品）（ＯＨ型＞５０ｗｔ０カラムに通
し、水洗した。通過液と水洗液を合して減圧乾固し、残
渣を９０％エタノールから再結晶してシチジンの無色針
状結晶１．１ｇを得た。
融点２２０−２２２°Ｃ
実施例７
Ｈ４−デカノイルシトシン５１０〜と２′、３′。
５′−トリー〇−ベンゾイルイノシン５８０ｑとを１．
２−ジクロロエタン２０ｔｘｌに懸濁させ、四塩化スズ
０．２ａｌを加えて１０時間還流させた。反応液を実施
例１に準じて処理し、Ｈ４−デカ７４２ｍ２’、３’、
５’−トリー〇−ペンシイｐシチジンの無色油状物３γ
０ＩＩＩｖを得た。
２−ジクロロエタン２０ｔｘｌに懸濁させ、四塩化スズ
０．２ａｌを加えて１０時間還流させた。反応液を実施
例１に準じて処理し、Ｈ４−デカ７４２ｍ２’、３’、
５’−トリー〇−ペンシイｐシチジンの無色油状物３γ
０ＩＩＩｖを得た。
元素分析値” ４０ Ｈ４３Ｎ３０９ としてＣ（％）
Ｈ（％） Ｎ（％）
Ｈ（％） Ｎ（％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 〔式中、Ｒ１は炭素数３以上の力ｐポン酸由来アＶル基
を示す〕で表わされる化合物と式〔式中、Ｒ２は水素ま
たは保護されていてもよいアミノ基を、Ｒ３，Ｒ４およ
びＲ５はカーボン酸由来アシ／Ｌ’基を示す〕で表わさ
れる化合物とをルイス酸の存在丁に反応させることを特
徴とする式Ｃ式中の各記号は前記と同意義〕で表わされ
る化金物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18531783A JPS6075493A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | シチジン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18531783A JPS6075493A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | シチジン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075493A true JPS6075493A (ja) | 1985-04-27 |
Family
ID=16168720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18531783A Pending JPS6075493A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | シチジン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075493A (ja) |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP18531783A patent/JPS6075493A/ja active Pending
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