JPS607379B2 - ウエハー加熱用治具 - Google Patents

ウエハー加熱用治具

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Publication number
JPS607379B2
JPS607379B2 JP12070677A JP12070677A JPS607379B2 JP S607379 B2 JPS607379 B2 JP S607379B2 JP 12070677 A JP12070677 A JP 12070677A JP 12070677 A JP12070677 A JP 12070677A JP S607379 B2 JPS607379 B2 JP S607379B2
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JP
Japan
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silicon carbide
wafer heating
heating jig
thickness
wafer
Prior art date
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Expired
Application number
JP12070677A
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English (en)
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JPS5453959A (en
Inventor
正好 山口
勝見 保科
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Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はワェハー加熱用治具の改良に関するものである
一般に、この種の治具はウェハーの焼成、エッチングに
際して使用されるため、熱的及び化学的に安定な材料か
ら造られることが要求されている。
しかして、従来のゥェハー加熱用治具は炭素基村に熱的
、化学的に安定な炭化珪素被膜を形成したものが用いら
れているが、これを急熱急袷等の過酷な条件で使用する
と、炭化珪素被膜が剥離、クラックを発生して炭素基村
が露出し、基材中の種々の成分が揮散してウェハーに悪
影響を与える問題があった。
この対策として気孔率の大きい、つまり繊密性に乏しい
炭化珪素被膜を形成し、急熱急冷によるクラックの発生
を防止することが考えられるが、反面繊密性が乏しいと
、内側の炭素基村中からガスが発生したり、機械的強度
が低下するなどの不都合さが生じ、抜本的な解決手段で
はない。このようなことから、本発明者は上記欠点を解
消するために鋭意研究を重ねた結果、上述した炭化珪素
被膜の剥離、クラックの発生がその厚さに基因すること
を究明し、炭素基材表面に形成する炭化珪素被膜を所定
の厚として、かつ繊密質とすることによって、急熱急冷
等の過酷な条件で使用しても炭化珪素被膜の剥離、クラ
ックの発生を防止できると共に、気密性が良好なゥェハ
−加熱用治臭を見し、出した。
即ち、本発明のウェハー加熱用捨臭は、炭素基材表面に
厚さ30〜400仏仇で、膜厚方向に貫通する連続気孔
の存在しない通気度が零の綾密質炭化珪素被膜を形成せ
しめてなるものである。
本発明における繊密質炭化珪素被膜の厚さを上記範囲に
限定した理由は、その厚さを30一肌未満にすると、炭
素基材全面を通気度が零の炭化珪素被膜で被覆すること
が困難となり、かつ仮に被覆できても腰厚のばらつきに
より極めて薄い部分が生じて使用中の種々の薬品による
エッチングやゥェハーによる摩耗によって該部分が局所
的に除去され、いずれにしても得られた指具が通気性を
生じるようになる。
一方、前記炭化珪素被膜の厚さが400山肌を越えると
、急熱急冷等の苛酷な条件で使用した場合、スポールに
より剥離、クラックを生じる。ここで、通気性はコーテ
ィング品を湯で煮沸して、気泡の発生の有無で判断した
なお、本発明のウェハー加熱用捨具を製造するためには
、たとえば炭素基材に炭素源とシリコン源を導入し、減
圧下で加熱して炭素とシリコンとを反応させて、該基村
表面に所定厚さの炭化珪素をコーティングすることによ
り得られる。
次に、本発明に実施例を説明する。
実施例1〜7及び比較例1〜4 構成粒子が0.03〜0.1仏の、常温から400oo
までの平均熱膨脹係数4.0〜4.2×10‐6(1/
00)、寸法100×550×1仇舷の炭素基材に、シ
リコン源と炭素源を導入し、減圧下で所望時間加熱せし
めて下記表に示す如き膜厚の異なる繊密質炭化珪素被膜
を有する11種のウェハー加熱用沿具を得た。
しかして、11種のウェハー加熱用治臭を各々5個づつ
用意し、これらを高周波炉で常温から1400℃まで5
分間で昇温し、5分間保持後常温下に曝らす急熱急冷試
験を5回繰り返し行ない、各々の拾具の炭化珪素被膜の
状態を調べた。その結果を下記表に併記した。表 本実施例及び比較例においては、構成粒子が「0.03
〜0.1仏凧、常温から40000までの平均熱膨脹係
数4.0〜4.2×10‐6(1/〇○)の炭素基材を
用いたが、炭素基材はこの範囲のものに限らず、例えば
平均粒径5.0〜10.0仏肌,40000までの平均
熱膨脹係数4.3〜5.0×10‐6(1/℃)のもの
を用いても前記表と同等の効果が認められるものである

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 炭素基材表面に厚さ30〜400μmで、膜厚方向
    に貫通する連続気孔の存在しない通気度が零の緻密質炭
    化珪素被膜を形成せしめてなるウエハー加熱用治具。
JP12070677A 1977-10-07 1977-10-07 ウエハー加熱用治具 Expired JPS607379B2 (ja)

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JPS61128474U (ja) * 1985-01-30 1986-08-12

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JPH03217016A (ja) * 1990-01-23 1991-09-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体製造装置用部材

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