JPS6072384A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

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Publication number
JPS6072384A
JPS6072384A JP58178195A JP17819583A JPS6072384A JP S6072384 A JPS6072384 A JP S6072384A JP 58178195 A JP58178195 A JP 58178195A JP 17819583 A JP17819583 A JP 17819583A JP S6072384 A JPS6072384 A JP S6072384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
ccd
cln
charge
image pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58178195A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichiro Ito
雄一郎 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58178195A priority Critical patent/JPS6072384A/ja
Publication of JPS6072384A publication Critical patent/JPS6072384A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、電荷結合素子(CCD)を用いた撮像装置の
改良に関する。
従来技術と問題点 従来、第1図に見られるような撮像装置が知られζいる
図に於いて、LSは例えばフAl・・ダイオードなどを
用いた感光部、RVI、RV2.RV3はCCDからな
る垂直レジスタ、R11はdCDからなる水平レジスタ
、APは増幅器、OTは出力端子をそれぞれ示している
。尚、図示例では、垂直レジスタは3列になっているが
、更に多数列の垂直レジスタを有する装置があることは
云うまでもない。
この装置では、光蓄積モードで感光部LSに蓄積された
光電変換信号をあるタイミングで一時に垂直レジスタR
VI、RV2.RV3に移ず。
次に、あるタイミングで垂直レジスタRVI〜RV3に
制御パルスを加え、その第1行目の信号を水平レジスタ
RHに移すと共に他の行の信号は順に前の行に送る。
次に・水平レジスタRHに制御パルスを加えて信号を順
次移動させて出力させる。
水平レジスタRHが空になったところで、再び、垂直レ
ジスタRVI〜RV3に制御パルスを加え、さきに第1
行目に移されていた信号を水平レジスタRHに移すと共
に他の行の信5J、は順に前の行に送る。
以−ト、前記説明した垂直レジスタRVI〜RV3及び
水平レジスタR11の動作を繰り返し、垂直レジスタR
VI〜RV3が空になった際にll?a期が終る。
611記説明から判るよ・うに、この従来の撮像装置で
は、構造が複雑である上、画素数に応じた垂直レジスタ
に加えて水平レジスタが必要であり、また、垂直レジス
タと水平レジスタの駆動周波数が相違している為、制御
パルスの関係も複雑にならざるを得ない。
発明の目的 本発明は、CCDを用いた垂直レジスタ及び水]1ルジ
スタを一つのレジスタとし′ζ纏めるごとに依り、撮像
装置の構造の簡素化及び制御パルスの簡素化を図るもの
である。
発明の構成 本発明の撮像装置でば、CCDを用いたシフト・レジス
タに於いては(K 9jの転送方向を自由に変えること
ができることを利用しているものであり、2次元に配列
された光電変換素子のプレイと、前記各光電変JA素子
で光電変換された電荷を読み出す為に必要とされる数の
セルを連続的に配列してなる1個の電荷結合素子を曲折
して配置した信号読み出し回路とを備えた構造を採るこ
とに依り、従来の垂直レジスタ及び水平レジスタの役割
を1個の電荷結合素子で果すことができ、また、その電
荷結合素子を駆動するには単に所定周波数の制御パルス
を印加するのみで良い。
発明の実施例 第2図は本発明一実施例の要部説明図であり、第1図に
関して説明した部分と同部分は同記号で1i示しである
本実施例が第1図に関して説明した従来例と相違する点
は、読み出し回路であるシフト・レジスタが所要数のC
CDセルCLI、Cl3・・・・CLnを連続的に配列
した1個のCCDからなっていて、所定周波数の制御パ
ルスを印加するのみで駆動されることである。尚、本実
施例では、感光部(光電変換素子)SLのアレイは一つ
の半導体基板上に形成され、前記読み出し回路は別の半
導体基板上に形成されている。
この装置に於番ノる動作は、光蓄積モードで感光部LS
に蓄積された光電変換信号を所定タイミングで一時に電
荷結合素子の対応セルCLI、CL2・・・・CLnに
移し、、後は各セルCLI、CL2・・・・CLnに制
御パルスを印加するのみで信号が順次読の出される。
例えば、32X32画、素の読み出し回路は、本発明の
場合、1024ビ、ソトの1個のCCDからなるシフト
・レジスタを用い゛ζ構成することができるが、従来技
術の場合、21!ii!iレジスタが32個と水平レジ
スタが1個必要になる。
発明の効果 本発明の撮像装置は、2次元に配列1された光電変換素
子のアレイと、前記各光電変換素子で光電変換された電
荷を読み出す為に必要とされる数のセルを連続的に配列
しぞなる1個の電荷結合素子を曲折し°(配置した信号
読み出し回路とを備えた構造を採るごとに依り、竺み出
し回路は1個のCODシフト・レジスタで構成され、従
来の読み出し回路に比較するとCC,Dシフト、レジス
タの数が大幅に低減されるので構成は極めて簡単となり
、その結果、制御パルスも単純化され、外部制御回路が
簡単になる。
本発明の撮像装置は、その読:み出し回路の構成からす
ると、転送効率の面で制、約があり、それを考慮すると
、4000画素程画素下の画素数であるものに?いて1
有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来1例の要部説明図、第2図は本発明一実施
例の要部説明図である。 図に於いて、LSは感光部(光電変換素子)、RVI、
RV2.RV3はccDからなる垂直レジスタ、RHは
CCDからなる水平レジスタ、APは増幅器、OTは出
力端子、CLl、Cl3−・・・CLnはCcDのセル
である。 □ 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 −

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 2次元に配列された光電変換素子のアレイと、前記各光
    電変換素子で光電変換された電荷を読み出す為に必要と
    される数のセルを連続的に配列しζなる1個の電荷結合
    素子を曲折して配置した信号読み出し回路とを備えるこ
    とを特徴とする撮像装置。
JP58178195A 1983-09-28 1983-09-28 撮像装置 Pending JPS6072384A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58178195A JPS6072384A (ja) 1983-09-28 1983-09-28 撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58178195A JPS6072384A (ja) 1983-09-28 1983-09-28 撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6072384A true JPS6072384A (ja) 1985-04-24

Family

ID=16044244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58178195A Pending JPS6072384A (ja) 1983-09-28 1983-09-28 撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6072384A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06121238A (ja) * 1990-10-13 1994-04-28 Gold Star Electron Co Ltd Ccd映像素子
CN100413084C (zh) * 2006-09-18 2008-08-20 西安理工大学 绕行转移面阵电荷耦合器件ccd

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06121238A (ja) * 1990-10-13 1994-04-28 Gold Star Electron Co Ltd Ccd映像素子
CN100413084C (zh) * 2006-09-18 2008-08-20 西安理工大学 绕行转移面阵电荷耦合器件ccd

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