JPS607127A - 半導体ウエ−ハの露光方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの露光方法Info
- Publication number
- JPS607127A JPS607127A JP58114240A JP11424083A JPS607127A JP S607127 A JPS607127 A JP S607127A JP 58114240 A JP58114240 A JP 58114240A JP 11424083 A JP11424083 A JP 11424083A JP S607127 A JPS607127 A JP S607127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- voltage
- electrode
- semiconductor wafer
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体ウェーハの露光方法で、複数個の電極
を有する静電吸着装置上に半導体ウェーハを置き、前記
電極に電圧を印加して半導体ウェーハを吸着し、ウェー
ハの反りを矯正し、平面度を良く保った状態でウェーハ
露光を行なう方法に関する。
を有する静電吸着装置上に半導体ウェーハを置き、前記
電極に電圧を印加して半導体ウェーハを吸着し、ウェー
ハの反りを矯正し、平面度を良く保った状態でウェーハ
露光を行なう方法に関する。
肴埠ト契ヰし鼾見Ｐト耽−辱祷→番→−半導体ウニー−
・上に形成する回路パターンが微細化し光の波長限界に
近づくにつれ、電子ビーム露光装置や電子ビーム転写装
置によるウェーハ露光が一般的に行われるようになって
来ている。
・上に形成する回路パターンが微細化し光の波長限界に
近づくにつれ、電子ビーム露光装置や電子ビーム転写装
置によるウェーハ露光が一般的に行われるようになって
来ている。
この際ウェーハを試料台に保持するのに機械的手段によ
るメカニカルチャックを使うとチャックの腕がウェーハ
表面を被い、チャックで被われた部分には半導体装置を
形成することができず、ウェー・・面を損失することに
なり、また、チャックの力が部分的しかかからないため
、ウェーハに反りや歪みがある場合、これらを矯正して
ウェーハを平担当代することが困雛である。
るメカニカルチャックを使うとチャックの腕がウェーハ
表面を被い、チャックで被われた部分には半導体装置を
形成することができず、ウェー・・面を損失することに
なり、また、チャックの力が部分的しかかからないため
、ウェーハに反りや歪みがある場合、これらを矯正して
ウェーハを平担当代することが困雛である。
又、電子ビーム露光装置や電子ビーム転写装置などでは
１０−’Ｔｏｒｒ前後の高真空雰囲気にウェーハを置い
てパターン露光を行なうため、真空チャックは使用不可
能である。
１０−’Ｔｏｒｒ前後の高真空雰囲気にウェーハを置い
てパターン露光を行なうため、真空チャックは使用不可
能である。
一方半導体ウエーハには、既に述べたように、２０〜６
０μｍ程度の反りがあり、電子ビーム露光装置や′電子
ビーム転写装置などで焦点ぼけや位置ずれを発生させな
いためには、この反りを矯正した状態での露光が不可欠
である。
０μｍ程度の反りがあり、電子ビーム露光装置や′電子
ビーム転写装置などで焦点ぼけや位置ずれを発生させな
いためには、この反りを矯正した状態での露光が不可欠
である。
従来用いられた、ウェーハを機械的に固定して露光する
方法ではウェーハの反りの矯正が充分でなくパターンの
位置ずれや寸法誤差を生じ、又ウェーハを接着剤で接着
両足して露光する方法では作業に時間がかかり過ぎると
いう難点があり、何れも半導体製造の歩留まり向上の点
で問題かあ−った。
方法ではウェーハの反りの矯正が充分でなくパターンの
位置ずれや寸法誤差を生じ、又ウェーハを接着剤で接着
両足して露光する方法では作業に時間がかかり過ぎると
いう難点があり、何れも半導体製造の歩留まり向上の点
で問題かあ−った。
本発明は従来の露光方法が半導体ウェー・・の反りや走
みを矯正した状態で保持するという点で充分で無く結果
として描画パターンの位置ずれや寸法誤差が発生１７半
導体装置の歩留り低下を招くという問題に鑑み、高具空
で安定して半導体ウェーハを保持し、しかもウェーハの
反りも矯正して高精度でパターン描画する露光方法を提
供する目的でなされた。
みを矯正した状態で保持するという点で充分で無く結果
として描画パターンの位置ずれや寸法誤差が発生１７半
導体装置の歩留り低下を招くという問題に鑑み、高具空
で安定して半導体ウェーハを保持し、しかもウェーハの
反りも矯正して高精度でパターン描画する露光方法を提
供する目的でなされた。
本発明では複数個の４極を有する静電吸着装置に半導体
ウェーハを置き、これらの電極への電圧印加をそれぞれ
独立にコントロールして反りや歪みを矯正して半導体ウ
ェーハを吸着保持し、平面度を充分保ってウェーハを露
光する。静電吸着によるウェーハ保持では反ったウェー
ハを吸引する際に歪みが発生するが吸着電極を分割し、
各々の電極に印加する電圧や印加順序をコントロールす
ることにより歪みを極限に迄小さくしほぼ完全に平面度
を保った状態でウェーハ露光をする。
ウェーハを置き、これらの電極への電圧印加をそれぞれ
独立にコントロールして反りや歪みを矯正して半導体ウ
ェーハを吸着保持し、平面度を充分保ってウェーハを露
光する。静電吸着によるウェーハ保持では反ったウェー
ハを吸引する際に歪みが発生するが吸着電極を分割し、
各々の電極に印加する電圧や印加順序をコントロールす
ることにより歪みを極限に迄小さくしほぼ完全に平面度
を保った状態でウェーハ露光をする。
本発明は、静電吸着によるウェーハ保持装置は真空中で
の使用に耐え、比較的軽量な装置で実現できる利点があ
り、本発明では更にウェーハを静電吸着する際に発生す
る歪みも除去するため、ウェーハのほぼ完全な平面度が
保たれ電子ビーム露光装置や電子ビーム転写装置などで
パターンの位置ずれや寸法誤差を抑制して歩留まりの良
い半導体製造が可能となる。
の使用に耐え、比較的軽量な装置で実現できる利点があ
り、本発明では更にウェーハを静電吸着する際に発生す
る歪みも除去するため、ウェーハのほぼ完全な平面度が
保たれ電子ビーム露光装置や電子ビーム転写装置などで
パターンの位置ずれや寸法誤差を抑制して歩留まりの良
い半導体製造が可能となる。
平らな電極上に絶縁物を介してウェーハを置き、電極と
ウェーハ間に電圧を印加するとウェーハを静電的に吸着
することができる。この静電吸着方式については例えば
、０ｐｔｉｋ ６２．ＮＯ，２（１９８２）ｐｌ）、１
２３−１２９ ” Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｓｃ
ｈｅｕｎｔｅｒｓｕｃｈｕｎｇｅｖ ｅｉｎｅｒ ｅｌ
ｅｃｔｒｏｓｔａｔ： ｓｃｈｅｎＳｐａｎｕｏｖｏｒ
ｒｉｃｈｔｕｎｇｖｍ Ｖａｋｕｕｗ ”に記述が見ら
れる。それによると誘電層（絶縁層）の厚さτ、比誘電
率Ｃ２印加成圧Ｕのとき真空の銹電率ε０としてウェー
ハに働らく単位面積当たりの吸引力はで表わすことがで
きる。ウェーハと誘電層の間にｈの隔たりがあると吸引
力は となる。一方そり（ｈｏ−ｈ） をもつウェー−・を矯
正するのに必要な力は、ウェーハのヤング率Ｅ。
ウェーハ間に電圧を印加するとウェーハを静電的に吸着
することができる。この静電吸着方式については例えば
、０ｐｔｉｋ ６２．ＮＯ，２（１９８２）ｐｌ）、１
２３−１２９ ” Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｓｃ
ｈｅｕｎｔｅｒｓｕｃｈｕｎｇｅｖ ｅｉｎｅｒ ｅｌ
ｅｃｔｒｏｓｔａｔ： ｓｃｈｅｎＳｐａｎｕｏｖｏｒ
ｒｉｃｈｔｕｎｇｖｍ Ｖａｋｕｕｗ ”に記述が見ら
れる。それによると誘電層（絶縁層）の厚さτ、比誘電
率Ｃ２印加成圧Ｕのとき真空の銹電率ε０としてウェー
ハに働らく単位面積当たりの吸引力はで表わすことがで
きる。ウェーハと誘電層の間にｈの隔たりがあると吸引
力は となる。一方そり（ｈｏ−ｈ） をもつウェー−・を矯
正するのに必要な力は、ウェーハのヤング率Ｅ。
厚さｔ、半径Ｒとして
λＲ４
と表わせる。λはポアソン比及び支持条件から定まる値
で通常０．２＜λ＜０．７である。誘電層の厚さ、比誘
電率および印加電圧を適当に選べば、（２）式で表わさ
れる吸引力Ｐｅが、（３）式で表わされるＰｍを上まわ
りウェーハを静電的に吸着保持できることになる。
で通常０．２＜λ＜０．７である。誘電層の厚さ、比誘
電率および印加電圧を適当に選べば、（２）式で表わさ
れる吸引力Ｐｅが、（３）式で表わされるＰｍを上まわ
りウェーハを静電的に吸着保持できることになる。
だが上記方法で吸着したウェーハ面は電子ビーム露光装
置や電子ビーム転写装置で処理する上で必要とされる平
担度を必ずしも満足していない。
置や電子ビーム転写装置で処理する上で必要とされる平
担度を必ずしも満足していない。
それは反ったウェーハを一様な電界で吸着するためウェ
ーハ面上でのストレスのかかり方が均一でなくなり、吸
着後それが新たな反りや歪みとなって残ってし丑うから
である。電極を幾つかに分割し各々の電極での吸着力を
コントロールすることにより上述の吸着後の反りや歪み
が著しく低減しウェーハ露光でのパターン位置ずれや寸
法誤差が抑えられる。
ーハ面上でのストレスのかかり方が均一でなくなり、吸
着後それが新たな反りや歪みとなって残ってし丑うから
である。電極を幾つかに分割し各々の電極での吸着力を
コントロールすることにより上述の吸着後の反りや歪み
が著しく低減しウェーハ露光でのパターン位置ずれや寸
法誤差が抑えられる。
第１図に本発明に基づくウェーハ露光の例を示す。本図
は電子ビーム転写装置に実施した例を示し、ＵＶ光ｌは
マスク２を透過してホトカソード３に照射される。ホー
ドカソード３からは電子線が出てウェーハ６上に塗布し
た感光性物質レジスト５に照射されてパターンを形成す
る。電極８はｅ１〜ｅ７まで７個に分割され、上面及び
各′電極の境界に誘電体７を接着しである。ウェーハ６
上のせる上面は平担性を艮くするため５ ｍｍ程の厚さ
から旋盤で削って２ｍｍａ度にし、さらに湿式研削盤に
よる加工、仕上げ暦きを経て平担衣１μｍ以下を得てい
る。電極８のｅｌ−ｅ７およびウェーハ６間には電圧発
生装置９から電圧が供給される。ストッパ１０はウェー
ハ６の位置決めと電圧発生装置９とウェー−・６との電
気的導通を図る役割を果たす。
は電子ビーム転写装置に実施した例を示し、ＵＶ光ｌは
マスク２を透過してホトカソード３に照射される。ホー
ドカソード３からは電子線が出てウェーハ６上に塗布し
た感光性物質レジスト５に照射されてパターンを形成す
る。電極８はｅ１〜ｅ７まで７個に分割され、上面及び
各′電極の境界に誘電体７を接着しである。ウェーハ６
上のせる上面は平担性を艮くするため５ ｍｍ程の厚さ
から旋盤で削って２ｍｍａ度にし、さらに湿式研削盤に
よる加工、仕上げ暦きを経て平担衣１μｍ以下を得てい
る。電極８のｅｌ−ｅ７およびウェーハ６間には電圧発
生装置９から電圧が供給される。ストッパ１０はウェー
ハ６の位置決めと電圧発生装置９とウェー−・６との電
気的導通を図る役割を果たす。
スペーサ１１はストッパ１０を固定し、′電極８と電気
的にアイソレーションする役割を果たす。
的にアイソレーションする役割を果たす。
第２図は第１図に示したクエー７１露光方法の実施例で
用いられるウェー・・保持装置を示す。電極８は長方形
の′ば極群ｅｌ−ｅ７から成り、ストッパ１０が点線で
示したウェーハ６の水平方向位置を決めている。ストッ
パ１０？！−介して電極８とウェーハ６に電圧が印加さ
れると絶縁層（図示せず）の上下で電極８とウェーハ６
が吸着し合う。
用いられるウェー・・保持装置を示す。電極８は長方形
の′ば極群ｅｌ−ｅ７から成り、ストッパ１０が点線で
示したウェーハ６の水平方向位置を決めている。ストッ
パ１０？！−介して電極８とウェーハ６に電圧が印加さ
れると絶縁層（図示せず）の上下で電極８とウェーハ６
が吸着し合う。
第３図Ｆｉ第１図に示したウェー−・露光方法の実施例
で用いられるウェー−・保持装置で使う電圧発生装置を
示す。クロック発生器１２からはＩ ＫＨｚのクロック
パルスがカウンタ１３とリセットコントロール１８に送
られる。カウンタ１３出力はデコーダ１４でデコードし
、その出力で１５．１〜１５．７までのＦ／Ｆ （ノリ
ツブフロップ）をセットする。つまりカウンタ１３がク
ロック発生器１２からのクロックパルスをそのｔ−ｉカ
ウントすると１５１〜１５７までの７個のシ４１が１ｍ
ｓ間隔で次々とセットする。カラ／り１３はリセットコ
ントロール１８からの指示で、クロック発生器１２から
のクロックパルスを間引きながらカウントすることも可
能で、例えば１０００クロツク毎にカウントすれば】Ｓ
間隔で１５１〜１５７のシ４１が順次セットする。１６
１〜１６７のリレーは１５１〜１５７のシ４゛がセット
時に各々高圧電源１７（ＩＫＶ）の電圧を’ｔ４ｉｉ８
のｅｌ−ｅ７に供給するように切換わり、１５１〜１５
７のＦ／Ｆがリセット時、接地電位を電極８の０１〜ｅ
７に供給するように切換わる。
で用いられるウェー−・保持装置で使う電圧発生装置を
示す。クロック発生器１２からはＩ ＫＨｚのクロック
パルスがカウンタ１３とリセットコントロール１８に送
られる。カウンタ１３出力はデコーダ１４でデコードし
、その出力で１５．１〜１５．７までのＦ／Ｆ （ノリ
ツブフロップ）をセットする。つまりカウンタ１３がク
ロック発生器１２からのクロックパルスをそのｔ−ｉカ
ウントすると１５１〜１５７までの７個のシ４１が１ｍ
ｓ間隔で次々とセットする。カラ／り１３はリセットコ
ントロール１８からの指示で、クロック発生器１２から
のクロックパルスを間引きながらカウントすることも可
能で、例えば１０００クロツク毎にカウントすれば】Ｓ
間隔で１５１〜１５７のシ４１が順次セットする。１６
１〜１６７のリレーは１５１〜１５７のシ４゛がセット
時に各々高圧電源１７（ＩＫＶ）の電圧を’ｔ４ｉｉ８
のｅｌ−ｅ７に供給するように切換わり、１５１〜１５
７のＦ／Ｆがリセット時、接地電位を電極８の０１〜ｅ
７に供給するように切換わる。
即ち、カウンタ１３がクロック発生器１２からのクロッ
クパルスをカウントアンプするときの速さで１５１−１
５７のＦ／、１’がセットし、１６１〜１６７のリレー
を通してｅｌ”８７”までの電極に次々と電圧が供給さ
れることになる。リセットコントロール１８は１５１〜
１５７のＦ／Ｆのリセット、カウンタ１３のカウント停
止指令（本図の場合、７までカウントしたとき）出力、
カウンタのクリアも行なう。カウンタ１３でカウントす
る際の間引きの指定については既に述べた通りである。
クパルスをカウントアンプするときの速さで１５１−１
５７のＦ／、１’がセットし、１６１〜１６７のリレー
を通してｅｌ”８７”までの電極に次々と電圧が供給さ
れることになる。リセットコントロール１８は１５１〜
１５７のＦ／Ｆのリセット、カウンタ１３のカウント停
止指令（本図の場合、７までカウントしたとき）出力、
カウンタのクリアも行なう。カウンタ１３でカウントす
る際の間引きの指定については既に述べた通りである。
−１４図に電圧印加のタイミングを示す。先ずカウンタ
１３でＩ ＫＩ（ｚのクロックパルスがカウントされ電
極８のｅ１〜Ｃ７まで１．ｍｓＳ間隔ｔＫＶの電圧が印
加される。このときウェーハ６は瞬時に靜′ぽ吸着され
る。以上が予備吸着だが、この段階ではウェーハ上で反
り−ｖ１走みが残っている。リセットコントロール１８
はカウンタ１３のカウント動作を停止させたあと、同カ
ウンタのクリアと１５１〜１５７までのＦ／Ｆのリセッ
トを行なう。同時に１６１〜１６７のリレーは接地入力
に切換わるがウェーハ６は直ちに吸着状態から脱却せず
ある緩和時間（ウェー・・サイズ、印加′電圧などで異
なる）で自由状態に戻る。第４図に示す本吸着はこのタ
イミングで実行するのが最も良い。このときリセットコ
ントロール１８はカウンタ１３に指示を送り、カウンタ
１３はクロック発生器１２からのクロックパルスを１０
００クロツク毎にカウントする。
１３でＩ ＫＩ（ｚのクロックパルスがカウントされ電
極８のｅ１〜Ｃ７まで１．ｍｓＳ間隔ｔＫＶの電圧が印
加される。このときウェーハ６は瞬時に靜′ぽ吸着され
る。以上が予備吸着だが、この段階ではウェーハ上で反
り−ｖ１走みが残っている。リセットコントロール１８
はカウンタ１３のカウント動作を停止させたあと、同カ
ウンタのクリアと１５１〜１５７までのＦ／Ｆのリセッ
トを行なう。同時に１６１〜１６７のリレーは接地入力
に切換わるがウェーハ６は直ちに吸着状態から脱却せず
ある緩和時間（ウェー・・サイズ、印加′電圧などで異
なる）で自由状態に戻る。第４図に示す本吸着はこのタ
イミングで実行するのが最も良い。このときリセットコ
ントロール１８はカウンタ１３に指示を送り、カウンタ
１３はクロック発生器１２からのクロックパルスを１０
００クロツク毎にカウントする。
従ってこの場合、ウェーッ・６は第２図の右端の方から
徐々に再吸着されて行く。電圧が印加された電極部分で
は静電的に同定されるが残りの部分ではウェーハ自身が
持つ復元力で伸びようとし、その状態で新たに電圧を印
加された電極部分によシ固定される。つまりウェー・・
は全面が同時に吸着される場合と異な抄、端の方から徐
々に反りや歪みがほぼ完全に矯正された状態で保持され
ることになる。これによりウェーハのほぼ完全な平担性
が得られ、パターンの位置ずれや寸法誤差を著しく低減
してパターン露光が行える。
徐々に再吸着されて行く。電圧が印加された電極部分で
は静電的に同定されるが残りの部分ではウェーハ自身が
持つ復元力で伸びようとし、その状態で新たに電圧を印
加された電極部分によシ固定される。つまりウェー・・
は全面が同時に吸着される場合と異な抄、端の方から徐
々に反りや歪みがほぼ完全に矯正された状態で保持され
ることになる。これによりウェーハのほぼ完全な平担性
が得られ、パターンの位置ずれや寸法誤差を著しく低減
してパターン露光が行える。
以上は亀子ビーム転写装置による露光例を示したが、そ
の他電子ビーム露光装置による露光などあらゆる露光で
利用されうる。
の他電子ビーム露光装置による露光などあらゆる露光で
利用されうる。
その他電極の分割数２分割方法（例えばメツシュ状に分
割）電圧の印加力法など種々の変形例が可能である。
割）電圧の印加力法など種々の変形例が可能である。
第１図は本発明の一実施例を説明する為の説明図、第２
図は比１図の例で使用されるウェーハ保持装置を示す平
面図、第３図は第１図の例で使用される電圧発生装置を
示す回路図、第４図は第１図に於ける各電極に対する電
圧引加のタイミングを示す特性図である１３ ｅ１〜ｅ７・・・・電 極 ９・・・・電圧発生装置（
７３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか
１名）αυ 第 １ 図 第２図
図は比１図の例で使用されるウェーハ保持装置を示す平
面図、第３図は第１図の例で使用される電圧発生装置を
示す回路図、第４図は第１図に於ける各電極に対する電
圧引加のタイミングを示す特性図である１３ ｅ１〜ｅ７・・・・電 極 ９・・・・電圧発生装置（
７３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか
１名）αυ 第 １ 図 第２図
Claims (1)
- 半導体製造工程で半導体ウェーハを露光する方法に於い
て、電圧値や電圧を印加するタイミングを各々独立に設
定できるようにした複数個の電極を有する静電吸着装置
上に半導体ウェーハを置き前記電極への電圧印加をコン
トロールして半導体ウェーハを保持した状態でパターン
露光をすることを特徴とする半導体ウェーハの露光方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114240A JPS607127A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体ウエ−ハの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114240A JPS607127A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体ウエ−ハの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607127A true JPS607127A (ja) | 1985-01-14 |
Family
ID=14632777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114240A Pending JPS607127A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体ウエ−ハの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992604A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Nikon Corp | レチクル保持装置および保持方法 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58114240A patent/JPS607127A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992604A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Nikon Corp | レチクル保持装置および保持方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003068641A (ja) | 広い面積を有するメンブレンマスクおよびこれを作製する方法 | |
| GB1322034A (en) | Production of precisely located altered surface areas on substrates by electron irradiation | |
| US4814244A (en) | Method of forming resist pattern on substrate | |
| JP2001118776A (ja) | 転写型露光装置および該装置に使用されるマスク保持機構、および半導体素子の製造方法。 | |
| JPS61105839A (ja) | 電子ビ−ム転写用マスク及びその製造方法 | |
| JPS607127A (ja) | 半導体ウエ−ハの露光方法 | |
| CA1070855A (en) | Mask for optical exposure | |
| JPH10206876A (ja) | 液晶表示基板 | |
| JP3598265B2 (ja) | パターン描画装置の集塵方法 | |
| JPS5824143A (ja) | フオトマスク | |
| JPH05100410A (ja) | レチクル | |
| JP2001297971A (ja) | 露光装置 | |
| JP3943999B2 (ja) | 平板型表示素子のスペーサの形成方法 | |
| JP2002026110A (ja) | 除電機能付き基板搬送アーム | |
| JPH0313583B2 (ja) | ||
| JPS6118955A (ja) | レテイクルマスク | |
| JPS63150918A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JP2003068615A (ja) | 転写マスクブランクス、その製造方法、転写マスク、その製造方法及び露光方法 | |
| JPH05128966A (ja) | プラズマデイスプレイ基板の厚膜パターン形成方法 | |
| JP2890431B2 (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JPS6142259B2 (ja) | ||
| JPS62282432A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよび露光装置 | |
| JPH0862734A (ja) | 露光装置 | |
| JPS594018A (ja) | モニタパタ−ン | |
| JPS60235423A (ja) | 半導体製造装置 |