JPS6070582A - 磁気バブルメモリ素子作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は亀子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリ装置に関し、特にそのメモリ素子に関す
るものである。

技術の背景 磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等全行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては最
近の情報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密
度の増加がめられている。そのためにはバブル？転送す
る軟磁性薄膜（パーマロイ）パターン金小さくする必要
があるがファンクションゲート部分の軟磁性パターンと
導体パターンとの位置合わせを容易とするため、情報を
蓄積するマイナーループ部分には小さなパターンを用い
、情報の書き込み。

読み出しを行なうメジア−ライン及びファンジョンゲー
ト部分には大きなパターン？用いる手法が開発されてい
る。この場合、小さなパターンと大きなパターンとの転
送特性音一致させるために。

小さなパターンのスペーサ厚を大きなパターンのスペー
サ厚よシ薄くして結晶との相互作用音大きくするデュア
ルスペーサ方式が採用される。

従来技術と問題点 第１図はデュアルスペーサ方式の磁気バブルメモリ振子
を説明するための図であＪ、１はバブル結晶、２は８ｉ
０２の絶縁材料からなる第１のスペーサ層、３はコンダ
クタパターン、４はポリラダーオルガノシロキサン（Ｐ
ＬＯ８）等の樹脂性絶縁材料からなる第２のスペーサ層
、５は８１０２の絶縁材料からなる第３のスペーサ層、
６は小さなパーマロイバター／、７は大キなパーマロイ
パターンをそれぞれ示している。この素子の作成方法は
第１のスペーサ層２を形成するための８ｉ０２層。

コンダクタパターン３．第２のスペーサ層４會形成する
ための樹脂層全順次作成したのち、レジストパターンを
作り、第１．第２のスペーサ層を形成するための樹脂及
び８１０１層の一部をエツチング除去して第１．第２の
スペーサ層２．４’ａ−形成していた。このエツチング
の境界部８はパーマロイパターン６．７に対し段差を与
えるため、パーマロイパターン６．７との位置合わせが
重要である。従ってこの層構成では、コンダクタ、上記
エツチングパターン及びパーマロイバター／の３層デュ
アルスペーサ方式を用いないメモリ素子の製造工程はコ
ンダクタパターンとパーマロイパターンだけの位置合わ
せで済むため、デュアルスペーサ方式は位置合わせに関
して１−ｔ、複雑となるといった欠点があった。

発明の目的 本発明に上記従来の欠点に鑑み、プーアルスペーサ方式
の磁気バブルメモリ素子作成方法において、その製造プ
ロセスを簡単化した製造方法全提供することを目的とす
るものである。

発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、バブル結晶の上に絶
縁材料からなるスペーサ層を作成し、その上にコンダク
タパターンを作成し、その後肢スペーサ層の−ＩＩＳｔ
：エッチングして除去する磁気バブルメモリ素子の作製
工程において、エツチング境界部にダミーコンダクタパ
ターンを作成しておき、前記スペーサ層エツチング終了
後に該ダミーコンダクタパターン會エツチングして除去
するこ提供することによって達成される。

発明の実施例 以下１本発明実施例を図面によって詳述する。

第２図は本発明による磁気バブルメモり　素子作製方法
を説明するための図であり、ａＩ−ｅはその作製工程を
示す。

同図において、１０はバブル結晶、１１は第１のスペー
サ層となる８４０ｇ膜、１２はコンダクタパターン、１
３はダミーコンダクタパターン。

１４はレジストパターン、１５は第１のスペーサ層全そ
れぞれ示している。

図により説明すると、先ず８図の如くバブル結晶１０の
上に第１のスペーサ層を形成するための８ｉ０ｚ膜１１
を２０００Ｘの厚さにスパッタにより作成し、その上に
コンダクタパターン（ＡトＯｕ。

Ａｕ等）ｘ２ｉ作成する。この際第１のスペーサ層とな
る境界部に相当する箇所にダミーコンダクタパターン１
３を作成しておく。次にｂ図の如くホトレジストヲ塗布
し、レジストパターン１４を作成する。この際レジスト
パターン１４のエツジはダミーコンダクタパターン１３
の上にあるようにする。次に０図の如くレジストパター
ン１４及びダミーコンダクタパターン１３？マスクにし
て５１０２膜１１’ｆｃＯＰａプラズマエツチングに工
す除去し、第１のスペーサｆｆ１ｌ　５’を形成する。

次ｉｃｄ図の如くダミーコンダクタパターン１３を化学
エツチングによシ除去し、最後にｅ図の如くレジストパ
ターン１４全酸素プラズマで除去する。

このような工程で第１スペーサ層全形成する本実施例は
、ｂ図のホトレジストパターン１４を作成する際、その
エツジはダミーコンダクタパターン１３の上にあれば良
く、ダミーコンダクタパターンの幅が５μｍとすれば位
置合わせ精度は±２．５μｍで良いことになる。従来の
方法では±０５μｍ以下の精度で位置合わせする必要が
あったのに比し本実施例では大幅に精度が緩くなる。な
おダミーコンダクタパターン１３の位置１度は本来のコ
ンダクタパターン１２と同時に作成するので充分な精度
が得られる。

第３図は第２図の工程以後にバブルメモリ素子として完
成させた状態を示す図であり、第２図のｅ工程の後、耐
熱性樹脂を塗布・硬化して第２のスペーサ層１６を作成
し、その薄い部分（第２のスペーサ層のみの部分）には
小さいパーマロイパターン１７ｔ−、厚い部分（第１．
第２のスペーサ層が重なった部分）には大きいパーマロ
イパターン１１１１形成し、その上に樹脂層１９．８ｉ
０２層２（ｌ順次形成したものである。

発明の効果 以上詳細に説明したように本発明の磁気バブルメモリ素
子作製方法はデュアルスペーサ方式を用いたメモリ素子
のコンダクタと第１スペーサエツチングパターンの位置
合わせにおいてダミーコンダクタパターン金剛いること
により高精度全必要とせず工程が簡単になるといった効
果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のデュアルスペーサ方式の磁気バブルメモ
リ素子全説明するための図、第２図は本発明による磁気
バブルメモリ素子作製方法を説明するための図、第３図
は本発明方法により作製された磁気バブルメモリ素子の
構成を示す図である。 図面において、ｌＯはバブル結晶、１１は８１０２膜、
１２はコンダクタパターン、１３はダミーコ／ダクタパ
ターン、１４はレジストパターン。 １５は第１のスペーサ層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　青　木　朗 弁理士西舘和之 弁理士　内　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之 第１図 第２図 第２図 １ 第３図 ｎ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　バブル結晶の上に絶縁材料からなるスペーサ層を
   形成し、その上にコンダクタパターンを作成し、その後
   肢スペーサ層の一部をエツチングして除去する磁気バブ
   ルメモリ素子の作製工程において、エツチング境界部に
   ダミーコンダクタパターンを作成しておき、前記スペー
   サ層エツチング終了後に該ダミーコンダクタパターン全
   エツチングして除去することを特徴とする磁気バブルメ
   モリ素子作製方法。