JPS6061979A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6061979A JPS6061979A JP58168102A JP16810283A JPS6061979A JP S6061979 A JPS6061979 A JP S6061979A JP 58168102 A JP58168102 A JP 58168102A JP 16810283 A JP16810283 A JP 16810283A JP S6061979 A JPS6061979 A JP S6061979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- magnetic
- transfer means
- pattern
- bubble transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子、特に高密度。
大容量化に好適な磁気バブルメモリ素子の構成に関する
ものである。
ものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子を製造手順にした
がって示す要部断面工程図である。まず。
がって示す要部断面工程図である。まず。
同図（、）に示すように磁気バブルを保持する厚さ数μ
程度のガーネット薄膜１を形成し、その表面に厚さ数百
＾程度の８１０．絶縁膜２を形成する。次にその表面に
導体層３を堆積し、フォトレジストによシバタン４を形
成する。次に同図（ｂ）Ｋ示すようにイオンミーリング
によシ導体層３から導体バタン３１を形成する。次に同
図（ｏ）に示すようにフォトレジストバタン４を除去し
た後、同図（ｄ）Ｋ示すように表面全面にＰＩＱ樹脂な
どの高分子樹脂膜５を形成し、擬似プレーナ化を行なう
。さらに同図（・）に示すように高分子樹脂膜５上に軟
磁性体膜６を堆積し、同図（ｆ）に示すように７オトレ
ジストによシバタン１を作製した後、同図（ｇ）Ｋ示す
ように軟磁性体バタン６１を形成する。次にフォトレジ
ストバタンＴを除去して同図（ｈ）に示すような磁気バ
ブルメモリ素子が形成される。このような軟磁性体バタ
ンの形成方法を擬似プレーナプロセスと称する。
程度のガーネット薄膜１を形成し、その表面に厚さ数百
＾程度の８１０．絶縁膜２を形成する。次にその表面に
導体層３を堆積し、フォトレジストによシバタン４を形
成する。次に同図（ｂ）Ｋ示すようにイオンミーリング
によシ導体層３から導体バタン３１を形成する。次に同
図（ｏ）に示すようにフォトレジストバタン４を除去し
た後、同図（ｄ）Ｋ示すように表面全面にＰＩＱ樹脂な
どの高分子樹脂膜５を形成し、擬似プレーナ化を行なう
。さらに同図（・）に示すように高分子樹脂膜５上に軟
磁性体膜６を堆積し、同図（ｆ）に示すように７オトレ
ジストによシバタン１を作製した後、同図（ｇ）Ｋ示す
ように軟磁性体バタン６１を形成する。次にフォトレジ
ストバタンＴを除去して同図（ｈ）に示すような磁気バ
ブルメモリ素子が形成される。このような軟磁性体バタ
ンの形成方法を擬似プレーナプロセスと称する。
しかしながら、前述したような製造方法は、高密度、大
容量化の磁気パズルメモリ素子の製造には不適当である
ことがわかった。すなわち、磁気バブルメモリ素子は、
第２図に示すように磁気バブルを記憶保持する複数のマ
イナループ１１からなる第１の磁気バブル転送手段１２
と、この第１の磁気バブル転送手段１２に磁気バブルを
転送し書き込むライトメシャライン１３．ジェネレータ
１４、トランスファインダート１５および第１の磁気バ
ブル転送手段１２に磁気バブルを転送して読み出すり一
ドメジャライン１６．ディテクタ１７゜トランスファア
ウトゲート１Ｂからなる第２の磁気バブル転送手段１９
とを有して構成され、高密度、大容量の磁気バブルメモ
リ素子では前記第１の磁気バブル転送手段１２内に存在
する前記軟磁性体パタン６ａの容積を極力小さくする必
要がある。すなわち、第１図（ｈ）に示すように前記第
１の磁気バブル転送手段１２に所属する軟磁性体パタン
６１の容積は極めて小さくなる。一方、第２の磁気パズ
ル転送手段１９に所属する軟極磁性体バタン６ａは比較
的余裕のある容積を有し【いる。
容量化の磁気パズルメモリ素子の製造には不適当である
ことがわかった。すなわち、磁気バブルメモリ素子は、
第２図に示すように磁気バブルを記憶保持する複数のマ
イナループ１１からなる第１の磁気バブル転送手段１２
と、この第１の磁気バブル転送手段１２に磁気バブルを
転送し書き込むライトメシャライン１３．ジェネレータ
１４、トランスファインダート１５および第１の磁気バ
ブル転送手段１２に磁気バブルを転送して読み出すり一
ドメジャライン１６．ディテクタ１７゜トランスファア
ウトゲート１Ｂからなる第２の磁気バブル転送手段１９
とを有して構成され、高密度、大容量の磁気バブルメモ
リ素子では前記第１の磁気バブル転送手段１２内に存在
する前記軟磁性体パタン６ａの容積を極力小さくする必
要がある。すなわち、第１図（ｈ）に示すように前記第
１の磁気バブル転送手段１２に所属する軟磁性体パタン
６１の容積は極めて小さくなる。一方、第２の磁気パズ
ル転送手段１９に所属する軟極磁性体バタン６ａは比較
的余裕のある容積を有し【いる。
このような構成において、前述した従来の製造方法を用
いると、前記第１．第２の磁気バブル転送手段１２．１
９が同一工程で同時に形成されるため、軟強磁性体パタ
ン６ａとガーネット薄膜１との間は全域に亘って絶縁膜
２と高分子樹脂膜５とからなるスペーサを介して形成さ
れることになる。
いると、前記第１．第２の磁気バブル転送手段１２．１
９が同一工程で同時に形成されるため、軟強磁性体パタ
ン６ａとガーネット薄膜１との間は全域に亘って絶縁膜
２と高分子樹脂膜５とからなるスペーサを介して形成さ
れることになる。
しかしながら、このスペーサの膜厚は、軟磁性体パタン
６の容量が小さい第１の磁気バブル転送手段１２にとっ
ては厚すぎることがわかった。すなわち、スペーサの膜
厚が厚いため、軟磁性体バタン６ｍとガーネット薄膜１
との間の間隔が長くなシ、十分な転送マージンが得られ
ないという問題があった。
６の容量が小さい第１の磁気バブル転送手段１２にとっ
ては厚すぎることがわかった。すなわち、スペーサの膜
厚が厚いため、軟磁性体バタン６ｍとガーネット薄膜１
との間の間隔が長くなシ、十分な転送マージンが得られ
ないという問題があった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鎌みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、磁気バブル
を記憶保持する複数のマイナループからなる第１の磁気
バブル転送手段の磁気バブル転送特性を向上させた磁気
バブルメモリ素子を提供することにある。
れたものであシ、その目的とするところは、磁気バブル
を記憶保持する複数のマイナループからなる第１の磁気
バブル転送手段の磁気バブル転送特性を向上させた磁気
バブルメモリ素子を提供することにある。
し発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ素子は、ガーネット薄膜上に第１の磁気バブル
転送手段を形成し、さらにこの第１の磁気バブル転送手
段上に第２の磁気バブル転送手段を形成する。いわゆる
２重構造で構成した一例を示す図であシ、同図では製造
工程順に示し、第１図と同一または相当部分は同一符号
で示す。
ルメモリ素子は、ガーネット薄膜上に第１の磁気バブル
転送手段を形成し、さらにこの第１の磁気バブル転送手
段上に第２の磁気バブル転送手段を形成する。いわゆる
２重構造で構成した一例を示す図であシ、同図では製造
工程順に示し、第１図と同一または相当部分は同一符号
で示す。
同図において、第１図と異なる点は、同図（ｒｌ）に示
すように導体パタン３ａを形成した後に前記第１の磁気
バブル転送手段１２の軟磁性体パタンを形成する。すな
わち、同図（０）に示すように導体パタン３１を形成し
た後、その表面全面に軟磁性体膜６を堆積する。次に同
図（ｄ）に示すように前記第１の磁気バブル転送手段１
２の形成部位に第１のフォトレジストパタン７ａを形成
した後、同図（・）に示すようにイオンオーリングによ
〕エツチング除去し、第１の磁気バブル転送手段１２と
しての軟強磁性体パタン６ａを形成する。次に同図（ｆ
）に示すようにフォトレジストバタンＴ１を除去し、同
図（ｇ） Ｋ示すように表面全面ＫＰＩＱなどの高分子
樹脂膜５を形成した後、この高分子樹脂膜５上に前記第
２の磁気バブル転送手段１９の軟強磁性体パタンを形成
する。すなわち、同図（ｈ）に示すようにこの高分子樹
脂膜５上に軟磁性体膜６を堆積する。
すように導体パタン３ａを形成した後に前記第１の磁気
バブル転送手段１２の軟磁性体パタンを形成する。すな
わち、同図（０）に示すように導体パタン３１を形成し
た後、その表面全面に軟磁性体膜６を堆積する。次に同
図（ｄ）に示すように前記第１の磁気バブル転送手段１
２の形成部位に第１のフォトレジストパタン７ａを形成
した後、同図（・）に示すようにイオンオーリングによ
〕エツチング除去し、第１の磁気バブル転送手段１２と
しての軟強磁性体パタン６ａを形成する。次に同図（ｆ
）に示すようにフォトレジストバタンＴ１を除去し、同
図（ｇ） Ｋ示すように表面全面ＫＰＩＱなどの高分子
樹脂膜５を形成した後、この高分子樹脂膜５上に前記第
２の磁気バブル転送手段１９の軟強磁性体パタンを形成
する。すなわち、同図（ｈ）に示すようにこの高分子樹
脂膜５上に軟磁性体膜６を堆積する。
次に第２の磁気バブル転送手段１９の形成部位に第２の
フォトレジストパタン７ｂを形成した後。
フォトレジストパタン７ｂを形成した後。
同図（１）に示すようにイオンオーリングによシエッチ
ング除去し、第２の磁気バブル転送手段１９としての軟
磁性体バタン６ｂを形成する。次にフォトレジストパタ
ンｙｂをエツチング除去し、同図（ｊ）に示すような磁
気バブルメモリ素子が形成される。
ング除去し、第２の磁気バブル転送手段１９としての軟
磁性体バタン６ｂを形成する。次にフォトレジストパタ
ンｙｂをエツチング除去し、同図（ｊ）に示すような磁
気バブルメモリ素子が形成される。
このような構成によれば、ガーネット薄膜１上に第１の
磁気バブル転送手段１２を形成し、さらにその上面に第
２の磁気バブル転送手段１３を形成する。いわゆる２重
構造擬似プレーナプロセスによる２層構造で構成するこ
とによ〕、ガーネット薄膜１と第１の磁気バブル転送手
段１２との間のスペーサを従来の高分子樹脂膜５を不要
とした絶縁膜２のみで構成できるので、従来に比べてス
ペーサの厚さが約％以下となシ、転送バタンとしての軟
強磁性体バタン６ａの容積が小さくなっても充分な磁気
バブル駆動力を得ることができた。
磁気バブル転送手段１２を形成し、さらにその上面に第
２の磁気バブル転送手段１３を形成する。いわゆる２重
構造擬似プレーナプロセスによる２層構造で構成するこ
とによ〕、ガーネット薄膜１と第１の磁気バブル転送手
段１２との間のスペーサを従来の高分子樹脂膜５を不要
とした絶縁膜２のみで構成できるので、従来に比べてス
ペーサの厚さが約％以下となシ、転送バタンとしての軟
強磁性体バタン６ａの容積が小さくなっても充分な磁気
バブル駆動力を得ることができた。
また、このような構成によれば、導体バタン３１と軟強
磁性体バタン６ｂとの交差部は高分子樹脂膜５を介して
擬似プレーナ化されているので、段差部により磁気バブ
ル転送マージンが低下することは全くない。
磁性体バタン６ｂとの交差部は高分子樹脂膜５を介して
擬似プレーナ化されているので、段差部により磁気バブ
ル転送マージンが低下することは全くない。
以上説明したように本発明によれば、第１の磁気バブル
転送手段のスペーサを薄くできるとともに、必要な個所
のみ擬似プレーナ化を行なうことができるので、磁気バ
ブルメモリ素子の転送特性が向上し、高密度、大容量化
が可能となるとともに、導体バタンと軟強磁性体バタン
との交差部で生ずる段差の問題も全くなく、転送マージ
ン約５６ｅ以上向上できるなどの極めて優れた効果が得
られる。
転送手段のスペーサを薄くできるとともに、必要な個所
のみ擬似プレーナ化を行なうことができるので、磁気バ
ブルメモリ素子の転送特性が向上し、高密度、大容量化
が可能となるとともに、導体バタンと軟強磁性体バタン
との交差部で生ずる段差の問題も全くなく、転送マージ
ン約５６ｅ以上向上できるなどの極めて優れた効果が得
られる。
第１図（ａ）〜（ｈ）は従来の磁気バブルメモリ素子の
一例を製造工程順に説明する要部断面工程図、第２図は
磁気バブルメモリ素子の一例を示す要部平面構成図、第
３図（，３〜（ｊ）は本発明による磁気バブルメモリ素
子の一例を製造工程順に説明する要部断面工程図である
。 １・・・・ガーネット薄膜、２・・・・絶縁膜。 ３・・・・導体層、３＆・・・・導体バタン、４・・・
・フォトレジストバタン、５・・・・高分子樹脂膜、６
・・・・軟磁性体膜、６ａ・・・・軟磁性体バタン、７
．７ｍ、７ｂ・・・・フォトレジストバタン、１１・・
・・マイナループ、１２・・・・笛１の磁気バブル転送
手段、１３・・・・ライトメシャライン、１４・・・・
ジェネレータ、１５・・・・トランスファインダート、
１６・・・・リードメジャライン、１７・・・・ディテ
クタ、１８・・・−トランスファアウトゲート。 萬１図 瀉２図
一例を製造工程順に説明する要部断面工程図、第２図は
磁気バブルメモリ素子の一例を示す要部平面構成図、第
３図（，３〜（ｊ）は本発明による磁気バブルメモリ素
子の一例を製造工程順に説明する要部断面工程図である
。 １・・・・ガーネット薄膜、２・・・・絶縁膜。 ３・・・・導体層、３＆・・・・導体バタン、４・・・
・フォトレジストバタン、５・・・・高分子樹脂膜、６
・・・・軟磁性体膜、６ａ・・・・軟磁性体バタン、７
．７ｍ、７ｂ・・・・フォトレジストバタン、１１・・
・・マイナループ、１２・・・・笛１の磁気バブル転送
手段、１３・・・・ライトメシャライン、１４・・・・
ジェネレータ、１５・・・・トランスファインダート、
１６・・・・リードメジャライン、１７・・・・ディテ
クタ、１８・・・−トランスファアウトゲート。 萬１図 瀉２図
Claims (1)
- 磁気バブルを記憶保持するマイナループを主要部とする
第１の磁気バブル転送手段と、前記第１の磁気バブル転
送に近接配置されかつ磁気バブルを書き込み、読み出し
を行なう第２の磁気バブル転送手段とをガーネット膜上
にスペーサを介して軟磁体パタンで構成する磁気バブル
メモリ素子において、前記第１の磁気バブル転送手段の
上層に前記第２の磁気バブル転送手段を形成したことを
特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168102A JPS6061979A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168102A JPS6061979A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061979A true JPS6061979A (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=15861872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168102A Pending JPS6061979A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061979A (ja) |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58168102A patent/JPS6061979A/ja active Pending
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