JPS6068589A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPS6068589A JPS6068589A JP58175352A JP17535283A JPS6068589A JP S6068589 A JPS6068589 A JP S6068589A JP 58175352 A JP58175352 A JP 58175352A JP 17535283 A JP17535283 A JP 17535283A JP S6068589 A JPS6068589 A JP S6068589A
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- JP
- Japan
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- thin film
- dielectric
- film
- film layer
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電場発光をする薄膜発光素子に関する。
従来例の構成とその問題点
交流電界の印加により発光する薄膜ＫＬ（エレクトＩ］
ルミネセンス）素子は螢光体薄膜層の片面ないし両面に
誘電体薄膜層金膜け、これ金工つの電極層ではさむ構造
で高輝度が得られている。誘電体薄膜層が１層の素子は
、構造が筒片で、駆動電圧が低いという特徴をもってい
る。誘電体薄膜層が二層の素子は、絶縁破壊を起こしに
くく、輝度が特に高いという特徴をもっている。螢光体
Ａ−Ａ料としては、活物質を添加したＺｎＳ 、 Ｚｎ
５ｅ 、およびＺｎＦ２等が知られており、特にＺｎＳ
ｆ母体としＭｎを発光中心として添加した素子では、
最高３５００〜６０００ Ｃ（１層ｍ’の輝度が達成さ
れている。誘電体材料はＹ２Ｏ３、ＳｉＯ，５ｉ３１′
Ｊ４ 。
ルミネセンス）素子は螢光体薄膜層の片面ないし両面に
誘電体薄膜層金膜け、これ金工つの電極層ではさむ構造
で高輝度が得られている。誘電体薄膜層が１層の素子は
、構造が筒片で、駆動電圧が低いという特徴をもってい
る。誘電体薄膜層が二層の素子は、絶縁破壊を起こしに
くく、輝度が特に高いという特徴をもっている。螢光体
Ａ−Ａ料としては、活物質を添加したＺｎＳ 、 Ｚｎ
５ｅ 、およびＺｎＦ２等が知られており、特にＺｎＳ
ｆ母体としＭｎを発光中心として添加した素子では、
最高３５００〜６０００ Ｃ（１層ｍ’の輝度が達成さ
れている。誘電体材料はＹ２Ｏ３、ＳｉＯ，５ｉ３１′
Ｊ４ 。
Ａｌ２Ｏ５，およびＴａ２０５等が代表的なものである
。
。
ＺｎＳは厚さ５００〜７００ｎｍ、比誘電率が約９で、
誘電体薄膜は厚さ４００〜ｓｏｏｎｍ、比誘電率が４〜
２６である。交流駆動する場合、素ｒに印加された電圧
はＺｎＳ層と誘電体薄膜層に分圧され、前者には４〜６
割程度しかかからない。
誘電体薄膜は厚さ４００〜ｓｏｏｎｍ、比誘電率が４〜
２６である。交流駆動する場合、素ｒに印加された電圧
はＺｎＳ層と誘電体薄膜層に分圧され、前者には４〜６
割程度しかかからない。
発光に必要な電圧は見掛は上高くなっている。
ＺｎＳ 層の両面に誘電体薄膜層を設け／ζ素子に」・
・いては、数Ｋ ｌｌｚのパルス駆動で２００Ｖ以上の
電圧がかけられているのが現状である。この高電圧は駆
動回路に多大な負担金おわせでおり、特別な高側圧集積
回路（ＩＣ）が必要となり、コストアップにもつながる
ものである。
・いては、数Ｋ ｌｌｚのパルス駆動で２００Ｖ以上の
電圧がかけられているのが現状である。この高電圧は駆
動回路に多大な負担金おわせでおり、特別な高側圧集積
回路（ＩＣ）が必要となり、コストアップにもつながる
ものである。
一方駆動電圧を下げるために、高誘電率をもつＰｂＴｉ
Ｏ３やＰｂ （Ｔｉ、 −ｘ ｚｒｘ）０３等ケ主成分
とした薄膜を誘電体薄膜層に用いることが提案されてい
る。これらの薄膜は比誘電率（以下εｒと記す）が１０
０以上ある反面、絶縁破壊電界強度（以下Ｅｂ と記す
）が○、ｉｓ ＭＹ ／ＣＴＬと小さいので、従来用い
られて来た誘電体材料に比べて膜厚全大幅に）ワくする
必要がある。高輝度の素子の場合、ＺｎＳ層の厚さが０
．６μｍ程度は必要で、素子の信頼性の面から」−２誘
電体薄膜層の厚さは１．６μｍ以上必要と乃：ろ。膜厚
全厚ぐすると、基板温度が高いために、膜中の粒子が成
長する。このため膜が白πｊして光の透過率が下る。こ
のような白濁膜を用いたＥＬ素子は、Ｘ−Ｙマトリック
ス等にした場合、非発光のセグメント１でも、他セグメ
ントの発光を散乱することによりクロストークを生じる
という難点がある。
Ｏ３やＰｂ （Ｔｉ、 −ｘ ｚｒｘ）０３等ケ主成分
とした薄膜を誘電体薄膜層に用いることが提案されてい
る。これらの薄膜は比誘電率（以下εｒと記す）が１０
０以上ある反面、絶縁破壊電界強度（以下Ｅｂ と記す
）が○、ｉｓ ＭＹ ／ＣＴＬと小さいので、従来用い
られて来た誘電体材料に比べて膜厚全大幅に）ワくする
必要がある。高輝度の素子の場合、ＺｎＳ層の厚さが０
．６μｍ程度は必要で、素子の信頼性の面から」−２誘
電体薄膜層の厚さは１．６μｍ以上必要と乃：ろ。膜厚
全厚ぐすると、基板温度が高いために、膜中の粒子が成
長する。このため膜が白πｊして光の透過率が下る。こ
のような白濁膜を用いたＥＬ素子は、Ｘ−Ｙマトリック
ス等にした場合、非発光のセグメント１でも、他セグメ
ントの発光を散乱することによりクロストークを生じる
という難点がある。
発明の目的
本発明は輝度がこれまでのＥＬ素子と同等以上であって
駆動電圧の低い薄膜ＥＬ素子全提供すること全目的とす
る。
駆動電圧の低い薄膜ＥＬ素子全提供すること全目的とす
る。
発明の構成
本発明は誘電体層にε、とＥｂが大きな一般式ＡＢ２０
６で表わされる複合酸化′ＪｅＡｋ主成分とする誘電体
層を用いることにより、上記目的を達成できたものであ
る。ＵｎでＡはＰｂ 、 Ｃａ 、 Ｓｒ、 Ｂａ。
６で表わされる複合酸化′ＪｅＡｋ主成分とする誘電体
層を用いることにより、上記目的を達成できたものであ
る。ＵｎでＡはＰｂ 、 Ｃａ 、 Ｓｒ、 Ｂａ。
Ｃｄのうち少なくとも１種を、またＢはＴａ 、 Ｎｂ
のうぢの少なくとも１種を表わす。
のうぢの少なくとも１種を表わす。
交流駆動薄膜ＥＬ素子において、誘電体層にかかる電圧
は、誘電体薄膜層におけろ膜厚ｔｉ と、電界強度Ｅ工
との積ｔ工・Ｅ工である。ｔｉ−Ｅ工が小さいほど螢光
体薄膜層に有効に電圧が印加されている。素子が絶縁破
壊を起こさずに安定に動作するには、ｔ工は誘電体薄膜
層のＥｂに反比例すると考えてよい。Ｅｉは螢光体薄膜
層における電界強度Ｅｚと比誘電率ε２と誘電体薄膜層
のε、より、ＥニーＥ２・ε２／ε１という関係にある
。Ｅ２およびε２は一定とすれば、Ｅ工はε、に反比例
する。
は、誘電体薄膜層におけろ膜厚ｔｉ と、電界強度Ｅ工
との積ｔ工・Ｅ工である。ｔｉ−Ｅ工が小さいほど螢光
体薄膜層に有効に電圧が印加されている。素子が絶縁破
壊を起こさずに安定に動作するには、ｔ工は誘電体薄膜
層のＥｂに反比例すると考えてよい。Ｅｉは螢光体薄膜
層における電界強度Ｅｚと比誘電率ε２と誘電体薄膜層
のε、より、ＥニーＥ２・ε２／ε１という関係にある
。Ｅ２およびε２は一定とすれば、Ｅ工はε、に反比例
する。
したがって、ｔ工・Ｅ工はおお捷かにＥｂとε１の積Ｅ
ｂ・ε１に反比例すると言え７）。Ｅｂ・ε□が太きな
いほど誘電体薄膜層として優れているわけである。
ｂ・ε１に反比例すると言え７）。Ｅｂ・ε□が太きな
いほど誘電体薄膜層として優れているわけである。
本発明において用いられる一般式ＡＢ２０６で表わされ
る複合酸化物′Ｌ′４膜はＦｂ・ε、が従来の材料より
太き（ＥＬ用誘電体薄膜として毀れたものである。ｔ＝
コｒ、ＡはＰｂ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの２側合１属
元紫のうちの少なくとも１柿、ＢはＴａ 、 Ｎｂのい
ずれか一方捷たは両方である。これらの複合酸化物のバ
ルクの８１は大きく、たとえばＰｂＮｂ２Ｏ６は３００
、ＰｂＴａ２０６％３００゜（ＰｂＯ，５５０，４５
）Ｎｂ２０６Ｕ １６ｏｏｃｏ値が報告されている。薄
膜にした場合には、バルクと同じεｒｋイぢることは困
難であるが、４０以上のＳｒはスパッタリングに、Ｊ：
り容易に得られる。
る複合酸化物′Ｌ′４膜はＦｂ・ε、が従来の材料より
太き（ＥＬ用誘電体薄膜として毀れたものである。ｔ＝
コｒ、ＡはＰｂ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの２側合１属
元紫のうちの少なくとも１柿、ＢはＴａ 、 Ｎｂのい
ずれか一方捷たは両方である。これらの複合酸化物のバ
ルクの８１は大きく、たとえばＰｂＮｂ２Ｏ６は３００
、ＰｂＴａ２０６％３００゜（ＰｂＯ，５５０，４５
）Ｎｂ２０６Ｕ １６ｏｏｃｏ値が報告されている。薄
膜にした場合には、バルクと同じεｒｋイぢることは困
難であるが、４０以上のＳｒはスパッタリングに、Ｊ：
り容易に得られる。
丑だ、４膜のＥｂは２×１ｏ６■／ＣｒｒＬ以上と高い
。
。
これらの薄膜のＥｌ）−Ｓｒは８ｏ×１０６ｖ／ｃｒｒ
ＬＬ）、上の値となる。従来用いられてきた材料のＥｂ
・ε１は、たとえばＹ２Ｏ３では約５０×１０６Ｖ冷ｎ
、Ａｌ２Ｏ５では３０ Ｘ １０６Ｖ／Ｃ１ｎ 、 Ｓ
ｉ ３Ｎ ４ Ｔは７０×１０ｖ／ｃＴＴＬであるのに
比較して、本発明において用いられろＡＢ２０６で表わ
される複合酸化物薄膜が優れていることがわかる。
ＬＬ）、上の値となる。従来用いられてきた材料のＥｂ
・ε１は、たとえばＹ２Ｏ３では約５０×１０６Ｖ冷ｎ
、Ａｌ２Ｏ５では３０ Ｘ １０６Ｖ／Ｃ１ｎ 、 Ｓ
ｉ ３Ｎ ４ Ｔは７０×１０ｖ／ｃＴＴＬであるのに
比較して、本発明において用いられろＡＢ２０６で表わ
される複合酸化物薄膜が優れていることがわかる。
この匿れた性質は２価金属元素酸化物やら価金属酸化物
では得られない性質である。たとえばｐｂｏやＣｄＯは
電気抵抗が低く絶縁体とは言えない材料であり、当然耐
圧は非常に低い。ＣａＯ。
では得られない性質である。たとえばｐｂｏやＣｄＯは
電気抵抗が低く絶縁体とは言えない材料であり、当然耐
圧は非常に低い。ＣａＯ。
ＳｒＯ，ＢａＯは化学的に安定な薄膜を作ることが不可
能で、耐圧が低く実用的でない。一方、Ｎｂ２Ｏ５薄膜
も電気抵抗力が低く、耐圧も非常に低い。
能で、耐圧が低く実用的でない。一方、Ｎｂ２Ｏ５薄膜
も電気抵抗力が低く、耐圧も非常に低い。
Ｔａ２０５薄膜ｉｌ″ｌ：以上の材料に比べるとかなり
よい特性をもつものであるが、ε１が２５程度であり、
耐圧も１，５ Ｘ １０’ Ｖ／ｍす、上の値は陽極酸
化膜の化成時の極性方向でしか得にくいものである。
よい特性をもつものであるが、ε１が２５程度であり、
耐圧も１，５ Ｘ １０’ Ｖ／ｍす、上の値は陽極酸
化膜の化成時の極性方向でしか得にくいものである。
本発明は、２価金属元素酸化物と５価金属元素酸化物の
複合させたＡＢ２０６の組成全肉する複合酸化物が憂れ
た性質を有することを見い出したことにもとづいている
。なかでもＡＢ２０／、のＡ元素がｐｂであるところの
ＰｂＴａ２０６とＰｂＮｂ２Ｏ６はＥｂ・ε、が１５０
Ｘ１０６Ｖ／Ｇｎ、、１２０Ｘ１０６Ｖ／／Ｃｒｎあり
非邦に１びれたＥ Ｌ用）等膜材料である。これらのン
λｑ１１莫は、セラミックスをターゲットとし、ＲＦス
パッタリンダにより形成する。基板温度が高け、九ば高
いほと、ε□の高い薄膜が得られる。Ｅｂは基板温度が
約４００°Ｃ以下ではほぼ一定の値であり、それ以上に
加熱すると少しずつ減少して行く。
複合させたＡＢ２０６の組成全肉する複合酸化物が憂れ
た性質を有することを見い出したことにもとづいている
。なかでもＡＢ２０／、のＡ元素がｐｂであるところの
ＰｂＴａ２０６とＰｂＮｂ２Ｏ６はＥｂ・ε、が１５０
Ｘ１０６Ｖ／Ｇｎ、、１２０Ｘ１０６Ｖ／／Ｃｒｎあり
非邦に１びれたＥ Ｌ用）等膜材料である。これらのン
λｑ１１莫は、セラミックスをターゲットとし、ＲＦス
パッタリンダにより形成する。基板温度が高け、九ば高
いほと、ε□の高い薄膜が得られる。Ｅｂは基板温度が
約４００°Ｃ以下ではほぼ一定の値であり、それ以上に
加熱すると少しずつ減少して行く。
Ｅｂ・ε、の値がもっとも大きくなるのは、基板温度が
４０膜℃前後である。この温度域であるなら（−Ｊ］、
螢光体薄膜層に悪影響も及はさないし、ガラス基板も熱
的な変形等の問題もなしに使用できる。
４０膜℃前後である。この温度域であるなら（−Ｊ］、
螢光体薄膜層に悪影響も及はさないし、ガラス基板も熱
的な変形等の問題もなしに使用できる。
−また、上記一般式ＡＢ２０６で表わされろ薄膜層も粒
成長にＪ：る白濁化は寸りたく起らない。
成長にＪ：る白濁化は寸りたく起らない。
実施例の説明
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
なお、ここでは比較のＡ−、めに、従来例もあわせて説
明する。
明する。
従来例を第１図に、寸だ本発明の一実旅例全第２図にそ
れぞれ示すように、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｊ
：、９；’ｚる透明電極２，１２のイ・］与されたガラ
ス基板１，１１１：に、厚さ４０ ｎｍ ノＹ２Ｏ３１
Ｊ莫３，１３全電子ビーム蒸着した。この上にＺｎＳと
Ｍｎを同時蒸着しＺｎＳ ： Ｍｎの螢光体層４．１４
を形成した。膜厚はｅｏｏｎｍ である。熱処理は真空
中５８０℃で１時間行なった。この素子を５分割し、そ
のうちの素子１は、比較用の従来例として、第１図に示
すように、４００ｎｍの厚さのＹ２Ｏ３膜６を形成した
。一方、本発明の一実施例として素子２には、第２図に
示すように、ＺｎＳ ：Ｍｎの保護用に厚さ３０膜ｍの
Ｔａ２０５ 膜１５を電子ビーム蒸着し、その上にＰｂ
Ｎｂ２Ｏ６のセラミックスをターゲットに用いてマグネ
トロンＲＦスパッタリングによりＰｂＮｂ２Ｏ６膜１６
全形成（〜た。
れぞれ示すように、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｊ
：、９；’ｚる透明電極２，１２のイ・］与されたガラ
ス基板１，１１１：に、厚さ４０ ｎｍ ノＹ２Ｏ３１
Ｊ莫３，１３全電子ビーム蒸着した。この上にＺｎＳと
Ｍｎを同時蒸着しＺｎＳ ： Ｍｎの螢光体層４．１４
を形成した。膜厚はｅｏｏｎｍ である。熱処理は真空
中５８０℃で１時間行なった。この素子を５分割し、そ
のうちの素子１は、比較用の従来例として、第１図に示
すように、４００ｎｍの厚さのＹ２Ｏ３膜６を形成した
。一方、本発明の一実施例として素子２には、第２図に
示すように、ＺｎＳ ：Ｍｎの保護用に厚さ３０膜ｍの
Ｔａ２０５ 膜１５を電子ビーム蒸着し、その上にＰｂ
Ｎｂ２Ｏ６のセラミックスをターゲットに用いてマグネ
トロンＲＦスパッタリングによりＰｂＮｂ２Ｏ６膜１６
全形成（〜た。
スハノクリング雰囲気は、０２ ：Ａｒ二１：４で圧力
は０．６Ｐａである。基板温度は４２０”ｃ、膜厚ば７
００ｎｍ である。１だ本発明の他の実施例として素子
３には、ターゲットとしてＰｂＮｂ ２０６のかわりに
ＰｂＴａ２０６’Ｔｈ用い、他は素子２の場合と同一の
条件にし、ＰｂＴａ２０６膜を形成した。膜厚ば７００
ｎｍである。
は０．６Ｐａである。基板温度は４２０”ｃ、膜厚ば７
００ｎｍ である。１だ本発明の他の実施例として素子
３には、ターゲットとしてＰｂＮｂ ２０６のかわりに
ＰｂＴａ２０６’Ｔｈ用い、他は素子２の場合と同一の
条件にし、ＰｂＴａ２０６膜を形成した。膜厚ば７００
ｎｍである。
本発明のもう一つの実施例として、素子４にはターゲッ
トとしてＰｂＮｂ２Ｏ６のかわジにＢａＴａ２Ｏ６を用
い、他は素子２の場合と同一の条件にして、ＢａＴａ２
Ｏ６膜を形成した。膜厚は５００ｎｍである。
トとしてＰｂＮｂ２Ｏ６のかわジにＢａＴａ２Ｏ６を用
い、他は素子２の場合と同一の条件にして、ＢａＴａ２
Ｏ６膜を形成した。膜厚は５００ｎｍである。
さらに本発明の実施例、として、素子５にはターゲット
としてＰｂＮｂ２Ｏ６のかわりに５ｒＴａ２０６ｉ用い
、他は素′ｆ２の場合と同一の条件にして、５ｒＴａ２
０６膜全形成した。１膜厚は４６０ｎｍである。
としてＰｂＮｂ２Ｏ６のかわりに５ｒＴａ２０６ｉ用い
、他は素′ｆ２の場合と同一の条件にして、５ｒＴａ２
０６膜全形成した。１膜厚は４６０ｎｍである。
以上の条件で作製したＰｂＮｂ２Ｏ６膜とＰｂＴａ２０
６膜、ＢａＴａ２Ｏ６膜、５ｒＴａ２０６膜の特性は、
Ｅｂがそれぞ＊２，２ｘ １ｏ”Ｉ／ｃｘ 、 ２．６
ｘ １ｏ６Ｖ／ｃｒｒｉ。
６膜、ＢａＴａ２Ｏ６膜、５ｒＴａ２０６膜の特性は、
Ｅｂがそれぞ＊２，２ｘ １ｏ”Ｉ／ｃｘ 、 ２．６
ｘ １ｏ６Ｖ／ｃｒｒｉ。
４．２ Ｘ １０６Ｖ／ｃｒｎ 、 ４，５ Ｘ １
ｏ６Ｖ／ｃｍ （５，がそれそハフ０．４８．２６．２
２である。そして、−力１１かの白７蜀は認められなか
った。
ｏ６Ｖ／ｃｍ （５，がそれそハフ０．４８．２６．２
２である。そして、−力１１かの白７蜀は認められなか
った。
なお第１図、第２図に示すように、光反射Ａ１電極６，
１了としてＡ１の薄膜全蒸着した。
１了としてＡ１の薄膜全蒸着した。
以上のようにして作製されたＥＬ素子は、５ＫｌｌＺの
正弦波駆動をしたところ、素子１では約１５０■で輝度
がほぼ飽和し、素子２では１００ｖで、素子３では１１
０ｖで、素子４では１２５ｖで、素子５ては１２５ｖで
輝度がほぼ飽和し安定に発、光した。飽和輝度は３素子
ともに約３０ｏｏｃｄ／ｃ、Ｍであった。
正弦波駆動をしたところ、素子１では約１５０■で輝度
がほぼ飽和し、素子２では１００ｖで、素子３では１１
０ｖで、素子４では１２５ｖで、素子５ては１２５ｖで
輝度がほぼ飽和し安定に発、光した。飽和輝度は３素子
ともに約３０ｏｏｃｄ／ｃ、Ｍであった。
発明の効果
本発明の薄膜発光素子は、従来素子に比へて駆動電圧が
低く、安定に動作するものである。
低く、安定に動作するものである。
第１図は従来の薄膜発光素子の断面図、第２図１ｄ本発
明の一実施例である薄膜発光素子の断面図である。 １．１１・・・・・ガラス基板、２．１２・・・・−・
・・透明電極、３，１３・・・・ ・Ｙ２Ｏ３膜、４，
１４・−、−ＺｎＳ ： Ｍｎ膜、６、−、 ・、 、
、、 ｙ ２ ｏ３膜、１５−−・・・Ｔａ２０５膜、
１６・・・−・・・・・ＰｂＮｂ２Ｏ６膜、１７・・・
・・・Ａ１電極。
明の一実施例である薄膜発光素子の断面図である。 １．１１・・・・・ガラス基板、２．１２・・・・−・
・・透明電極、３，１３・・・・ ・Ｙ２Ｏ３膜、４，
１４・−、−ＺｎＳ ： Ｍｎ膜、６、−、 ・、 、
、、 ｙ ２ ｏ３膜、１５−−・・・Ｔａ２０５膜、
１６・・・−・・・・・ＰｂＮｂ２Ｏ６膜、１７・・・
・・・Ａ１電極。
Claims (1)
- 螢光体薄膜層の少なくとも一方の面上に誘電体薄膜層が
設けられるとともに、少なくとも一方が光透過性を有す
る、二つの電極層により、上記薄膜層に電圧が印加され
るよう構成され、上記誘電体薄膜層が、一般式ＡＢ２０
６で表わされ、上記一般式中のＡがＰｂ 、 Ｃａ 、
Ｓｒ 、 ＢａおよびＣｄ 、ｉりなるダルーグのな
かから選ばれた少なくとも一種であり、ＢがＴａおよび
Ｎｂのうちの少なくとも一種である複合酸化物を主成分
とする誘電体からなることを特徴とする薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175352A JPS6068589A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175352A JPS6068589A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 薄膜発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068589A true JPS6068589A (ja) | 1985-04-19 |
| JPS6260799B2 JPS6260799B2 (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15994564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175352A Granted JPS6068589A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068589A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63994A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜電場発光素子の製造法 |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175352A patent/JPS6068589A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63994A (ja) * | 1986-06-18 | 1988-01-05 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜電場発光素子の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260799B2 (ja) | 1987-12-17 |
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