JPS6068337A - Ｘ線リソグラフィ−用マスクの作成方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィ−用マスクの作成方法Info
- Publication number
- JPS6068337A JPS6068337A JP58177289A JP17728983A JPS6068337A JP S6068337 A JPS6068337 A JP S6068337A JP 58177289 A JP58177289 A JP 58177289A JP 17728983 A JP17728983 A JP 17728983A JP S6068337 A JPS6068337 A JP S6068337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- flat plate
- film body
- layer
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 guloΔnol Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はＸ線リソグラフィーに用いるマスク構造体を作
成する方法に関する。
成する方法に関する。
Ｘ線リソグラフィー用マスクを作成する方法として、平
板上に形成したマスク・リーンをホルダーに転移（転写
）する方法がある。この方法は、ホルダー上に直接マス
クパターンを形成する方法に比べ、面精度、・櫂うツキ
、製品歩留り等の点で卓抜し、また、シリコンウェハー
上にシリコン、二酸化けい素、窒化けい素等の膜を形成
しその上にマスクパターンを形成した後、ウェハー裏面
側からエツチングしてマスク構造体を作成する方法に比
べても、工程が簡素化、迅速化し、歩留りも良い。
板上に形成したマスク・リーンをホルダーに転移（転写
）する方法がある。この方法は、ホルダー上に直接マス
クパターンを形成する方法に比べ、面精度、・櫂うツキ
、製品歩留り等の点で卓抜し、また、シリコンウェハー
上にシリコン、二酸化けい素、窒化けい素等の膜を形成
しその上にマスクパターンを形成した後、ウェハー裏面
側からエツチングしてマスク構造体を作成する方法に比
べても、工程が簡素化、迅速化し、歩留りも良い。
しかしながら、この転移方式を採用する場合、ホルダー
への転移操作に問題があり、しばしばマスクパターンと
平板との分離がうまくゆかないことがあり、実用化のた
めには、この問題を解消することが急務となっている。
への転移操作に問題があり、しばしばマスクパターンと
平板との分離がうまくゆかないことがあり、実用化のた
めには、この問題を解消することが急務となっている。
即ち、この問題の本質は、通常は平行平板上で形成され
るマスクツ臂ターンはＸ線透過層とパターン化されたＸ
線吸収層とで構成される膜体よシなるが、通常高分子膜
で構成されるＸ＠透過層と極めて平面度の高いものとな
っている平行平板とが緊密に接着しているため、これを
剥離することが至難である点にある。
るマスクツ臂ターンはＸ線透過層とパターン化されたＸ
線吸収層とで構成される膜体よシなるが、通常高分子膜
で構成されるＸ＠透過層と極めて平面度の高いものとな
っている平行平板とが緊密に接着しているため、これを
剥離することが至難である点にある。
そこで本発明者は、上記問題点を解決すべく鋭意検討し
た結果、平板とマスク膜体との分離操作について有効な
手段を見出し、本発明に到達した。
た結果、平板とマスク膜体との分離操作について有効な
手段を見出し、本発明に到達した。
本発明の目的は、平板上に形成されたマスク膜体をホル
ダーに転移する際に、マスク膜体と平板の分離を容易か
つ迅速に行なうことのできるＸ線リソグラフィー用マス
クの作成方法を提供することにある。
ダーに転移する際に、マスク膜体と平板の分離を容易か
つ迅速に行なうことのできるＸ線リソグラフィー用マス
クの作成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、簡素化された工程で迅速かつ高歩
留９でＸ線リソグラフィー用マスクを作成することがで
きる方法を提供することにある。
留９でＸ線リソグラフィー用マスクを作成することがで
きる方法を提供することにある。
上記目的は、平板上にＸ線透過層及びＸ線吸収層で構成
されるマスク膜体を形成した後、この膜体を保持体に転
移してＸ線リングラフイー用マスクを作成する方法にお
いて、前記膜体と平板との分離を溶媒中超音波を作用さ
せて行なうことを特徴とするＸＭリソグラフィー用マス
クの作成方法によって達成される。
されるマスク膜体を形成した後、この膜体を保持体に転
移してＸ線リングラフイー用マスクを作成する方法にお
いて、前記膜体と平板との分離を溶媒中超音波を作用さ
せて行なうことを特徴とするＸＭリソグラフィー用マス
クの作成方法によって達成される。
以下、添付した図面に即して、本発明方法の一実施態様
を詳しく説明する。
を詳しく説明する。
第１図において、■は表面に酸化物層を設けたシリコン
ウエノ・−等からなる平行平板であり、この平板１上に
、常法に従いポリイミド膜等の高分子膜からなるＸ線透
過層２、金、白金、ノ母ラジウム、インジウム、ニッケ
ル等の貴金属、重金属等を用いたマスクツ２ターンから
なるＸ線吸収層３、及び前記２と同様のＸ線透過層４を
順次設層してマスク膜体５を作成する。平板としてはシ
リコンウェハーをそのまま用いることができるが、この
場合分離がうまくいかないことがある。Ｘ線透過層２，
４の設層は、高分子溶液全スキナー、ディッノ、スプレ
ー、スクイジー等の竜布方法で塗布・乾燥して行なわれ
、これらの層２，４の層厚は、通常約２μ工程度とされ
る。また、マスクパターンの形成は、フォトリソグラフ
ィーあるいはＸ線、エレクトロンビーム、イオン等を利
用したリソグラフィー等により行なわれ、Ｘ線吸収層の
層厚は、通常０．７μｍ程度とされる。
ウエノ・−等からなる平行平板であり、この平板１上に
、常法に従いポリイミド膜等の高分子膜からなるＸ線透
過層２、金、白金、ノ母ラジウム、インジウム、ニッケ
ル等の貴金属、重金属等を用いたマスクツ２ターンから
なるＸ線吸収層３、及び前記２と同様のＸ線透過層４を
順次設層してマスク膜体５を作成する。平板としてはシ
リコンウェハーをそのまま用いることができるが、この
場合分離がうまくいかないことがある。Ｘ線透過層２，
４の設層は、高分子溶液全スキナー、ディッノ、スプレ
ー、スクイジー等の竜布方法で塗布・乾燥して行なわれ
、これらの層２，４の層厚は、通常約２μ工程度とされ
る。また、マスクパターンの形成は、フォトリソグラフ
ィーあるいはＸ線、エレクトロンビーム、イオン等を利
用したリソグラフィー等により行なわれ、Ｘ線吸収層の
層厚は、通常０．７μｍ程度とされる。
第２図に示したマスク用保持体６は、円環状であり、例
えば石英、ガラス、黄銅、リン青銅、ニッケル、コバル
ト、鉄、アルミニウム等の金属、合金類からなる。この
保持体６の上面に接着材７を一様に塗布し、反転した平
板１及びマスク膜体５を載置・貼着する。使用する接着
剤としては、工Ｉキシ系、エマルジッン系、アミン系等
があり、熱硬化型、光硬化型、溶剤型等の種類は特に問
わないが、疎水系の耐熱性を有する接着剤が好ましい。
えば石英、ガラス、黄銅、リン青銅、ニッケル、コバル
ト、鉄、アルミニウム等の金属、合金類からなる。この
保持体６の上面に接着材７を一様に塗布し、反転した平
板１及びマスク膜体５を載置・貼着する。使用する接着
剤としては、工Ｉキシ系、エマルジッン系、アミン系等
があり、熱硬化型、光硬化型、溶剤型等の種類は特に問
わないが、疎水系の耐熱性を有する接着剤が好ましい。
次いで、接着剤を十分に硬化させ、接着剤のはみ出し部
分を切除した後、合体した保持体６、膜体５及び平板１
を溶媒中に入れ超音波を作用させて平板１を分離する（
第３図）０使用する溶媒としては水、アルコール、ケト
ン等の極性溶媒が好まシく、詳しくは、水、メタノール
、エタノール、グロΔノール、エタノール等の単独又は
混合液、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類の
単独又はアルコールとの混合液などが好ましい。
分を切除した後、合体した保持体６、膜体５及び平板１
を溶媒中に入れ超音波を作用させて平板１を分離する（
第３図）０使用する溶媒としては水、アルコール、ケト
ン等の極性溶媒が好まシく、詳しくは、水、メタノール
、エタノール、グロΔノール、エタノール等の単独又は
混合液、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類の
単独又はアルコールとの混合液などが好ましい。
超音波は、一般に超音波洗浄機などに用いられる、高周
波出力２００Ｗ〜２ｋＷ、周波数２０．２２及び２８
ｋ）ｆｚ等の超音波が用いられる０また・超（５） 音波分離の補助手段として、Ｘ線透過層２と平板１との
界面に薄い刃物による切れ目を付けることにより、更に
容易に分離することが可能となる。
波出力２００Ｗ〜２ｋＷ、周波数２０．２２及び２８
ｋ）ｆｚ等の超音波が用いられる０また・超（５） 音波分離の補助手段として、Ｘ線透過層２と平板１との
界面に薄い刃物による切れ目を付けることにより、更に
容易に分離することが可能となる。
本発明によれば、平板上に形成されたマスク膜体を保持
体に転移する際に、超音波を作用させて平板とマスク膜
体を分離させるが、この様な分離操作によると、予想だ
にし碍なかったことに分離が至極容易かつ迅速に行なう
ことができる。したがって、従来マスク作成上のネック
とされていたかかる問題点全解消することにより、マス
ク作成の工程が簡素化、迅速化され製品歩留シも高いも
のとなるなど、転移方式のＸ線リソグラフィー用マスク
作成方法の実用化に資するところ大である。
体に転移する際に、超音波を作用させて平板とマスク膜
体を分離させるが、この様な分離操作によると、予想だ
にし碍なかったことに分離が至極容易かつ迅速に行なう
ことができる。したがって、従来マスク作成上のネック
とされていたかかる問題点全解消することにより、マス
ク作成の工程が簡素化、迅速化され製品歩留シも高いも
のとなるなど、転移方式のＸ線リソグラフィー用マスク
作成方法の実用化に資するところ大である。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は、本発明の一実施態様を工程に従っ
て説明するための図である。 １・・・平板、５・・・マスク膜体、６・・・保持体。 （６） 第１図 ３ 第２図 第３図 手続補正書（プ清 昭和５９年 ２月 ９日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８９号 ２、 発明の名称 Ｘ線リソグラフィー用マスクの作成方法３、 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人
て説明するための図である。 １・・・平板、５・・・マスク膜体、６・・・保持体。 （６） 第１図 ３ 第２図 第３図 手続補正書（プ清 昭和５９年 ２月 ９日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、 事件の表示 特願昭５８−１７７２８９号 ２、 発明の名称 Ｘ線リソグラフィー用マスクの作成方法３、 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 名称 （１００）キャノン株式会社 ４、代理人
Claims (1)
- 平板上にＸ線透過層及びＸ線吸収層で構成されるマスク
膜体を形成した後、この膜体を保持体に転移してＸ線リ
ソグラフィー用マスクを作成する方法において、前記膜
体と平板との分離Ｋｌ媒中超音波を作用させて行なうこ
とを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスクの作成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177289A JPS6068337A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177289A JPS6068337A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068337A true JPS6068337A (ja) | 1985-04-18 |
Family
ID=16028414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177289A Pending JPS6068337A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068337A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248049A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Canon Inc | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の製造方法 |
| JPS63283023A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｘ線露光マスク用メンブレンの製造方法 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58177289A patent/JPS6068337A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248049A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Canon Inc | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の製造方法 |
| JPS63283023A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｘ線露光マスク用メンブレンの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4677042A (en) | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method | |
| US4837123A (en) | Mask structure for lithography, method of preparation thereof and lithographic method | |
| JPS62202518A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS6068337A (ja) | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの作成方法 | |
| JPS6052579B2 (ja) | ポジ型フオトレジストの密着露光方法 | |
| US4536882A (en) | Embedded absorber X-ray mask and method for making same | |
| JP2021500233A (ja) | 熱膨張係数を用いた薄膜電極分離方法 | |
| JPH02100312A (ja) | Ｘ線マスク用メンブランの製造方法およびｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH06230561A (ja) | リソグラフィー用ペリクル膜の製造方法 | |
| JPS6118957A (ja) | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの作成方法 | |
| JPS61126551A (ja) | Ｘ線リソグラフイ−用マスク構造体の製造方法 | |
| JP2004311839A (ja) | マスクブランクスの作製方法 | |
| JPS60132323A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JP2004063694A (ja) | パターン転写フィルム、パターン転写フィルムの製造方法、機能性マスク、機能性マスクの製造方法 | |
| JPH0350714A (ja) | 薄膜の製造法及びｘ線マスクの製造法 | |
| JPS61140942A (ja) | リソグラフイ−用マスク構造体 | |
| JPH07193450A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
| JPH0212808A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスクの作成方法 | |
| JPS63283023A (ja) | Ｘ線露光マスク用メンブレンの製造方法 | |
| JPH0656831B2 (ja) | リソグラフィー用マスク構造体の製造方法、及び薄膜の製造方法 | |
| JPH08114912A (ja) | ペリクル及びその製造方法 | |
| JPS62256456A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
| JPH10270357A (ja) | 半導体素子製造用マスク及びその製造方法 | |
| JPS59211045A (ja) | ポジ型フォトレジストの露光方法 | |
| JPS61138955A (ja) | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの作成方法 |