JPS6063272A - セル型エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
セル型エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS6063272A JPS6063272A JP58170811A JP17081183A JPS6063272A JP S6063272 A JPS6063272 A JP S6063272A JP 58170811 A JP58170811 A JP 58170811A JP 17081183 A JP17081183 A JP 17081183A JP S6063272 A JPS6063272 A JP S6063272A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はリチウムイオ／を電荷移動担体とするセル型エ
レクトロクロミック表示素子（以下、ＥＣＤと略称する
）に関する。
レクトロクロミック表示素子（以下、ＥＣＤと略称する
）に関する。
（発明の背景）
酸化夕／ゲステン（〜へ０３）がエレクトロクロミズム
を示す機構は、次のように信じられている。
を示す機構は、次のように信じられている。
Ｗ（１３＋ ｎ Ｍ＋＋ ｎ ｅ−←→ＭｎＷ０７そし
て、Ｍ＋イオンとしてはＨ”、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ａｇ＋
などが知られているが〜１＋イオンの移動速度がＥＣＩ
）の着消色レスポンスに関係するので、これまで主とし
、て研究されているのはイオン半径の小さいＨ＋と■ノ
１＋である。
て、Ｍ＋イオンとしてはＨ”、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ａｇ＋
などが知られているが〜１＋イオンの移動速度がＥＣＩ
）の着消色レスポンスに関係するので、これまで主とし
、て研究されているのはイオン半径の小さいＨ＋と■ノ
１＋である。
Ｈ＋イオンの供給源は酸であるが、酸は電極の腐食を引
き起こし、１４． ＣＤの寿命を短かくする欠点がある
。酸に代えて無機誘電体薄膜例えば８１０２に含ませた
微量の水をト１″イオンの供給源とする全固体型ＥＣＤ
もあるが、Ｅ Ｃｌ）を高温環境下に長いことさらして
おいたときには水が逃は易く、この水の閉込めが意外と
困難で、高温耐久性に劣る欠点がある。
き起こし、１４． ＣＤの寿命を短かくする欠点がある
。酸に代えて無機誘電体薄膜例えば８１０２に含ませた
微量の水をト１″イオンの供給源とする全固体型ＥＣＤ
もあるが、Ｅ Ｃｌ）を高温環境下に長いことさらして
おいたときには水が逃は易く、この水の閉込めが意外と
困難で、高温耐久性に劣る欠点がある。
そわに対してＬ１＋けＬｉＣｌＯ４、Ｌ ｉ Ｂ Ｆ
４等の電解質を供給源と１７、Ｌｉ＋の移動を容易にす
るためにそねらの箪Ｍ質をセルソルブアセテート、７°
ロビレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等の非水溶
媒に溶かし、で使用され、電極腐食の問題やＥ ＣＤか
らイオン供給源が逃は出す問題を生じさせない。しか［
−７、Ｌ＋＋はＨ＋に比べてＥｅＤの着消色レス月？ン
スが遅いという欠点を有している。
４等の電解質を供給源と１７、Ｌｉ＋の移動を容易にす
るためにそねらの箪Ｍ質をセルソルブアセテート、７°
ロビレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等の非水溶
媒に溶かし、で使用され、電極腐食の問題やＥ ＣＤか
らイオン供給源が逃は出す問題を生じさせない。しか［
−７、Ｌ＋＋はＨ＋に比べてＥｅＤの着消色レス月？ン
スが遅いという欠点を有している。
その後、１）＋ ＣＺ（１４を溶解するプロＶし／カー
ボネートのような非水溶媒に若干の水を添加することに
より着消色レスポンスを速める技術が開発された（例え
ば特開昭５５−’１３８７２０、同５５−１４２３１９
号公報参照）。
ボネートのような非水溶媒に若干の水を添加することに
より着消色レスポンスを速める技術が開発された（例え
ば特開昭５５−’１３８７２０、同５５−１４２３１９
号公報参照）。
Ｌかし７ながら、この水を含むゾロビレ／カーボネート
を使用すると、ＷＯ３薄膜がプロビレ／カーボネー）Ｋ
溶解するためかどうか詳し２〈は判らないが、駆動寿命
が知かくなることが判った。
を使用すると、ＷＯ３薄膜がプロビレ／カーボネー）Ｋ
溶解するためかどうか詳し２〈は判らないが、駆動寿命
が知かくなることが判った。
寸た、水は電圧を印加されて
［Ｉ２０→Ｔ−１”＋ＯＨ−
に分解し１、ＯＨ−イオンが対向電極との界面１゛２０
Ｈ−−＋１１２０ ＋ −０２７−ト ２ｅ−という反
応を起こ）１、発生１゛る０２ガスがＥＣＪ）の駆動寿
命を短かくすることが判った。
Ｈ−−＋１１２０ ＋ −０２７−ト ２ｅ−という反
応を起こ）１、発生１゛る０２ガスがＥＣＪ）の駆動寿
命を短かくすることが判った。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は、ＬｉＣｌＯ４の溶媒と（７て
水を含むプロビレ／カーボネートを使用１．たＥ ＣＤ
に於いて、駆動寿命を延長することにある。
水を含むプロビレ／カーボネートを使用１．たＥ ＣＤ
に於いて、駆動寿命を延長することにある。
（発明の概要）
本発明者らは、水を用いた場合の
という望まシー２〈ない反応を抑えるために電解液層と
対向電極との間に水酸化ニツケノペ水酸化イリゾウムの
ような酸化着色性エレクトロクロミンク層を設けること
と（、て鋭意？ｉ７＋究を進めた結果、着色層が２層に
増えるので着色濃度が高寸り、それだけ１層の着色層に
要求される着色清明は薄くてもよいことから、Ｌｉ＋を
利用（７てもＴＩ＋並みに着消色レスポンスを速めるこ
とができることを知り、更に電解液層の厚さをｌＯ〜１
００μ７ｎと薄くすることにより、駆動寿命が延びるこ
とを見い出１１、本発明を成すに至った。
対向電極との間に水酸化ニツケノペ水酸化イリゾウムの
ような酸化着色性エレクトロクロミンク層を設けること
と（、て鋭意？ｉ７＋究を進めた結果、着色層が２層に
増えるので着色濃度が高寸り、それだけ１層の着色層に
要求される着色清明は薄くてもよいことから、Ｌｉ＋を
利用（７てもＴＩ＋並みに着消色レスポンスを速めるこ
とができることを知り、更に電解液層の厚さをｌＯ〜１
００μ７ｎと薄くすることにより、駆動寿命が延びるこ
とを見い出１１、本発明を成すに至った。
即ち、本発明は、透明電極層（’Ａ）、酸化タンゲステ
ン薄膜（Ｂ）、電解液Ｍ（Ｃ）、水酸化ニッケル捷たは
水酸化イリジウム薄膜（’Ｄ）及び透明電極層（Ｂ）か
ら２ζるセル型エレクトロクロミック表示素子ＶＣ於い
て、 前記電解液層（Ｃ）が０１〜２モル濃度のＬｉＣ７０４
及び０５〜４モル濃度の水を含有するプロビレ／カーボ
ネート溶液であり、しかも前記電解液層（Ｃ）の厚さが
１０〜１００μｍであることを特徴とするセル型エレク
トロクロミック表示素子を提供する。
ン薄膜（Ｂ）、電解液Ｍ（Ｃ）、水酸化ニッケル捷たは
水酸化イリジウム薄膜（’Ｄ）及び透明電極層（Ｂ）か
ら２ζるセル型エレクトロクロミック表示素子ＶＣ於い
て、 前記電解液層（Ｃ）が０１〜２モル濃度のＬｉＣ７０４
及び０５〜４モル濃度の水を含有するプロビレ／カーボ
ネート溶液であり、しかも前記電解液層（Ｃ）の厚さが
１０〜１００μｍであることを特徴とするセル型エレク
トロクロミック表示素子を提供する。
本発明に於いて、透明電極層（Ａ）、（Ｅ ）には酸化
スズ、酸化インジウム、Ｉ ’Ｉ’ ０ （酸化インジ
ウム［５層程度の酸化スズの混合１．たもの）などが使
用される。一般にはとわらの電極層は０５μｍ以下え薄
く１〜ないと透明性が落ちるので、真空蒸着、イオンシ
レーティング、スパッタリング、ＣＶＤ等の真空薄膜形
成技術によってガラス、プラスチック等の透明基板の十
に形成さ＋７る。
スズ、酸化インジウム、Ｉ ’Ｉ’ ０ （酸化インジ
ウム［５層程度の酸化スズの混合１．たもの）などが使
用される。一般にはとわらの電極層は０５μｍ以下え薄
く１〜ないと透明性が落ちるので、真空蒸着、イオンシ
レーティング、スパッタリング、ＣＶＤ等の真空薄膜形
成技術によってガラス、プラスチック等の透明基板の十
に形成さ＋７る。
透明型’ＩｆｉＮ （Ａ ） ｃｖ 上ニ１６、ＷＯ３
Ｆｉｇ （’ Ｂ ）を形成させるが、形成方法は低温
プラズマ方式のイオンブレーティングが好唄しい。ＷＯ
，薄膜（’Ｂ）を低温フ０ラズマ方式のイオンブレーテ
ィングにより形成すると、一般的な７Ｎ：９蒸着で形成
［、たＷＯ３に比べ、化学耐久性にすぐれる。低温プラ
ズマ方式のイオンブレーティングでは、プラズマによっ
て励起したエネルギー雰囲気が作られ、この中を蒸発（
７た原子又は微粒子が通過するときにエネルギーを譲り
受けで活性化し、その上で基板に沈着するため、生成す
る薄膜と基板との密着性が高く、また生成する薄膜自身
も強靭であると言わ第１ている０ ＷＯ３薄膜（’Ｂ）＋７）厚さｉ’ｊ Ｊｌ常Ｏ，（１
１〜１ （ｌμｔ７＋とする。基板の上に電極（Ａ ）
及びＷＯ３薄膜（Ｂ）を形成したものを以下第１部材と
言う。
Ｆｉｇ （’ Ｂ ）を形成させるが、形成方法は低温
プラズマ方式のイオンブレーティングが好唄しい。ＷＯ
，薄膜（’Ｂ）を低温フ０ラズマ方式のイオンブレーテ
ィングにより形成すると、一般的な７Ｎ：９蒸着で形成
［、たＷＯ３に比べ、化学耐久性にすぐれる。低温プラ
ズマ方式のイオンブレーティングでは、プラズマによっ
て励起したエネルギー雰囲気が作られ、この中を蒸発（
７た原子又は微粒子が通過するときにエネルギーを譲り
受けで活性化し、その上で基板に沈着するため、生成す
る薄膜と基板との密着性が高く、また生成する薄膜自身
も強靭であると言わ第１ている０ ＷＯ３薄膜（’Ｂ）＋７）厚さｉ’ｊ Ｊｌ常Ｏ，（１
１〜１ （ｌμｔ７＋とする。基板の上に電極（Ａ ）
及びＷＯ３薄膜（Ｂ）を形成したものを以下第１部材と
言う。
一方、基板の上に透明電極（Ｅ ）を形成［７た後、そ
の上に水酸化ニッケルまたは水酸化イリジウム薄膜（’
Ｉ））を形成する訳であるが、これらの薄膜ｄ真空薄膜
形成技術で簡抜形成することけできな吟ので、一旦金属
ニッケル捷たはイリジウム薄膜を形成した後、酸又はア
ルカリ中で陽極酸化法により電解酸化して水酸化物に変
える。
の上に水酸化ニッケルまたは水酸化イリジウム薄膜（’
Ｉ））を形成する訳であるが、これらの薄膜ｄ真空薄膜
形成技術で簡抜形成することけできな吟ので、一旦金属
ニッケル捷たはイリジウム薄膜を形成した後、酸又はア
ルカリ中で陽極酸化法により電解酸化して水酸化物に変
える。
薄膜（Ｄ）の厚さは通常０．００１〜１０μｍでを】る
。基板の上に箱、極（’ Ａ ）及び薄膜（’ Ｄ ）
を形成したものを以下第２部月と言う。
。基板の上に箱、極（’ Ａ ）及び薄膜（’ Ｄ ）
を形成したものを以下第２部月と言う。
第１部材と第２部材とを薄膜（Ｂ）、（’Ｄ）が向い合
うように対向させ、両者の間隔が１０〜１００μｍとな
るようにスに一ザーで固定し、周囲をシール材例えはゴ
ボキシ樹脂でシールする。
うように対向させ、両者の間隔が１０〜１００μｍとな
るようにスに一ザーで固定し、周囲をシール材例えはゴ
ボキシ樹脂でシールする。
ただし１、−個Ｐ）ｊｌｒＪ中の空隙に電解液を入れる
ための注入口と１７でシールせずにあけでおく。スペー
サーの代りに粒径の定１つだフィラーを予めシール材と
混ぜておいて、薄膜（Ｂ）、（Ｄ）の一方の周辺部にシ
ール材を塗布し、その上に他方を重ね合わせた後、シー
ル材を硬化させる方法もある。
ための注入口と１７でシールせずにあけでおく。スペー
サーの代りに粒径の定１つだフィラーを予めシール材と
混ぜておいて、薄膜（Ｂ）、（Ｄ）の一方の周辺部にシ
ール材を塗布し、その上に他方を重ね合わせた後、シー
ル材を硬化させる方法もある。
薄膜（Ｂ）、（’Ｄ）の間隔つまり電解液層（’Ｃ）の
厚さを１ （１〜１００μｍとした理由は、１０μｎｔ
より薄いと、薄膜ＣＢ）、ＣＤ）が電気的に短絡しやす
くなり、寸た薄膜（、’ Ｂ ） 、 （’ Ｄ ）に
注入ｎＪ能なイオンの量も減少するために一充分庁着色
濃卯が得らｈｆ？くなるからであり、逆に１００μｆｆ
ｌより厚いと、駆動寿葡か知かくなるからで２）る。
厚さを１ （１〜１００μｍとした理由は、１０μｎｔ
より薄いと、薄膜ＣＢ）、ＣＤ）が電気的に短絡しやす
くなり、寸た薄膜（、’ Ｂ ） 、 （’ Ｄ ）に
注入ｎＪ能なイオンの量も減少するために一充分庁着色
濃卯が得らｈｆ？くなるからであり、逆に１００μｆｆ
ｌより厚いと、駆動寿葡か知かくなるからで２）る。
電解液（Ｃ） ｆｄ、０１〜２モルのＬｉＣｚ０４及び
０５〜４モルの水をブ′ロビレンカーボネーＬ Ｋ溶か
した後、フ０ロピレンカーボ才一トを追加し７て全体を
ｌｔにすることにより調製されるが、ｂｉｃｚｏ４の濃
度を０１〜２モルと１７だの一０１モルより薄いと、電
解液の電気伝導率が低くなり駆動が困難になるからであ
り、逆に２モルよりのいと、プロピレンカーボネートに
溶けにくくなるからである。
０５〜４モルの水をブ′ロビレンカーボネーＬ Ｋ溶か
した後、フ０ロピレンカーボ才一トを追加し７て全体を
ｌｔにすることにより調製されるが、ｂｉｃｚｏ４の濃
度を０１〜２モルと１７だの一０１モルより薄いと、電
解液の電気伝導率が低くなり駆動が困難になるからであ
り、逆に２モルよりのいと、プロピレンカーボネートに
溶けにくくなるからである。
捷だ、Ｉ−Ｔ 、Ｏの濃度を０５〜４モルとしたのは０
５モル」り薄いと着色レス４？ンスが速くならないから
であり、逆に４モルより濃いと、ＷＯ３Ｎ膜ＣＢ）の＠
解法（（“）への溶解度が向上して駆動碕命が短かくな
るからである。
５モル」り薄いと着色レス４？ンスが速くならないから
であり、逆に４モルより濃いと、ＷＯ３Ｎ膜ＣＢ）の＠
解法（（“）への溶解度が向上して駆動碕命が短かくな
るからである。
尚、この電解液にＷＯ３又はタングステン酸又はその塩
を数％加えて１００〜１６０°Ｃに数時間加熱し２、そ
の濾液を電解液（Ｃ）として使用すると駆動寿命の延び
る場合がある。
を数％加えて１００〜１６０°Ｃに数時間加熱し２、そ
の濾液を電解液（Ｃ）として使用すると駆動寿命の延び
る場合がある。
こうして得られた電解液を第１部材と第２部材との空隙
に注入口から注入し、注入口をシール材で封口すると、
本発明のセル型ＥＣＤが完成する。
に注入口から注入し、注入口をシール材で封口すると、
本発明のセル型ＥＣＤが完成する。
こうして得られた本発明のセル型ト、 ＣＤに、電極（
Ａ）に外部電源の陰極を、電極（Ｅ ）に陽極を接続し
、１〜２ｅルト程度の直流電圧を印加すると、約０１〜
０３秒で濃釦色に着色し、この着色は電圧印加を止めて
も保持される。そして、今度は陰陽を反対して１〜２ボ
ルト程度の直流ｉｆｔ、 Ｂ−を印加すると、約０１〜
０３秒で元の無色透明に戻る。
Ａ）に外部電源の陰極を、電極（Ｅ ）に陽極を接続し
、１〜２ｅルト程度の直流電圧を印加すると、約０１〜
０３秒で濃釦色に着色し、この着色は電圧印加を止めて
も保持される。そして、今度は陰陽を反対して１〜２ボ
ルト程度の直流ｉｆｔ、 Ｂ−を印加すると、約０１〜
０３秒で元の無色透明に戻る。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明けこれらに限定されるものではない。
明けこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
厚さ０５闘のがラス基板に下記条件：
真空度 ＝０２がスリークで４ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ
基板温度： ３ Ｉ） ＯｏＣ 蒸着速度：２Ａ／ｓｅｃ にて真空蒸着により厚さ０．１５μｎ＋ ４７”’ｉ
１’、 ’１．’ ０透明牝、極層（Ａ）を形成さぜた
。同じように別の基板にＩＴＯ透明電極層（’ Ｅ ’
）を形成させた。
基板温度： ３ Ｉ） ＯｏＣ 蒸着速度：２Ａ／ｓｅｃ にて真空蒸着により厚さ０．１５μｎ＋ ４７”’ｉ
１’、 ’１．’ ０透明牝、極層（Ａ）を形成さぜた
。同じように別の基板にＩＴＯ透明電極層（’ Ｅ ’
）を形成させた。
次げ昂、極層（Ａ’）の上に１記楡５件。
真空度 ： ３ Ｘ １ （１−’ Ｔｏｒｒ０２分圧
： １．５ Ｘ １０ ”ｌ’ｏｒｒＨ２０分圧： １
．５ Ｘ １０ ’ ｉ’ｏｒｒ基板温度＝３００°Ｃ 蒸着速度： ４ Ａ ／ Ｓｔ：ｃ にて高周波イオ／）０レーテイングにより厚さ約５００
０＾（０，５ｔｔｍ ）のＷＯ３（１３）を形成させ、
第１部月を作製（７た。
： １．５ Ｘ １０ ”ｌ’ｏｒｒＨ２０分圧： １
．５ Ｘ １０ ’ ｉ’ｏｒｒ基板温度＝３００°Ｃ 蒸着速度： ４ Ａ ／ Ｓｔ：ｃ にて高周波イオ／）０レーテイングにより厚さ約５００
０＾（０，５ｔｔｍ ）のＷＯ３（１３）を形成させ、
第１部月を作製（７た。
他方、電極層（Ｅ）の上に下記売件：
真空度 ： Ｉ Ｘ Ｉ Ｆ’ ＴｏｒｒＨ２０分圧：
Ｉ Ｘ ］ ０ ”ｌ’ｏｒｒ基板温度：３００°Ｃ 蒸着速度’ ０． Ｉ Ａ／ ｓｅｃ にて真空蒸着により厚さ約５０人（０，００５ｔｒｔｎ
）の金属イリジウム薄膜を形成させ、この金属薄膜をＩ
Ｎ Ｈ２Ｓ ０４中で陽極酸化することにより無色透
明の水酸化イリジウム薄膜（’Ｄ）に変乏、第２部利を
作製し、た。
Ｉ Ｘ ］ ０ ”ｌ’ｏｒｒ基板温度：３００°Ｃ 蒸着速度’ ０． Ｉ Ａ／ ｓｅｃ にて真空蒸着により厚さ約５０人（０，００５ｔｒｔｎ
）の金属イリジウム薄膜を形成させ、この金属薄膜をＩ
Ｎ Ｈ２Ｓ ０４中で陽極酸化することにより無色透
明の水酸化イリジウム薄膜（’Ｄ）に変乏、第２部利を
作製し、た。
粒径３０μｎ＋のアルミナビーズ（フィラー）をシーリ
ング用エポキシ樹脂に０５％混合してシール材を調製し
、このシール材を第１部材のＶＶＯｒ５薄膜（Ｂ）の周
辺部に注入口を除いて塗布し、そのｈＫＭ２部口を重ね
合わぜ、全体を１３５”ＱＫで］時間加熱してシール材
を硬化させ、ＥＣＤセル（第１図参照）を得た。
ング用エポキシ樹脂に０５％混合してシール材を調製し
、このシール材を第１部材のＶＶＯｒ５薄膜（Ｂ）の周
辺部に注入口を除いて塗布し、そのｈＫＭ２部口を重ね
合わぜ、全体を１３５”ＱＫで］時間加熱してシール材
を硬化させ、ＥＣＤセル（第１図参照）を得た。
一方、１モルのＬｒＣｌＯ４・Ｆ（２（Ｊをプロビレ／
カーボネート例溶かして全体を１ｔとすることによりｔ
ｔｍ液を調製し、この′電解液を上記ＥＣＤセルの注入
口から薄膜（Ｂ）、（１））の空隙（て注入し７た後、
エポキシ樹脂で封口した。なお、注入作業は真空中にＣ
行なった。
カーボネート例溶かして全体を１ｔとすることによりｔ
ｔｍ液を調製し、この′電解液を上記ＥＣＤセルの注入
口から薄膜（Ｂ）、（１））の空隙（て注入し７た後、
エポキシ樹脂で封口した。なお、注入作業は真空中にＣ
行なった。
こうして得られた本発明のＥＩＵＤを室温にて＋１５ボ
ルトの定電圧をＩＨｚの間隔て印加を繰り返すことによ
り着消色を繰り返した。所定回数着消色を繰り返した後
、着色方向の矩形波電圧１５ボルトを１２００ｍ５ｅｃ
の開目１加したときの注入電荷量を測定した。この結果
を第２図に線ａとして示す。
ルトの定電圧をＩＨｚの間隔て印加を繰り返すことによ
り着消色を繰り返した。所定回数着消色を繰り返した後
、着色方向の矩形波電圧１５ボルトを１２００ｍ５ｅｃ
の開目１加したときの注入電荷量を測定した。この結果
を第２図に線ａとして示す。
その結果、着消色を１０７回繰り返し／て後でも実施例
１のＥ Ｃｐ （ｌ−１，注入油、荷量が余り落モス、
才だレスポンスは着色［Ｉ＠２ （＋ （１＋ｎ５ｃｃ
、消色１５０ｔｎＳｅｃであった。
１のＥ Ｃｐ （ｌ−１，注入油、荷量が余り落モス、
才だレスポンスは着色［Ｉ＠２ （＋ （１＋ｎ５ｃｃ
、消色１５０ｔｎＳｅｃであった。
尚、レスポンスは次のように決定し、た（以下、同様）
。
。
着色時：祁１極（Ａ ） −＜Ｅ）間ＶＣ−１，５ボル
トの矩形波１６７圧を１’ ２ （１（ｌ ｔｎ ｓｅ
ｃ印加し７たとき、注入電荷量が５０％に達する賛での
時間。
トの矩形波１６７圧を１’ ２ （１（ｌ ｔｎ ｓｅ
ｃ印加し７たとき、注入電荷量が５０％に達する賛での
時間。
消色時二霜、椿（Ａ ） −（Ｊ’： ）間に＋１５ボ
ルトの矩形波電圧を印加しまたとき、注入された電荷量
の９０％が流出する捷１の時間。
ルトの矩形波電圧を印加しまたとき、注入された電荷量
の９０％が流出する捷１の時間。
（実施例２）
１モルのＪＪ Ｉ（−ｔ（Ｊ ４・３Ｈ２０を７０ロビ
レ／カーボネートに溶解１．て全体をｌｔとし、との浴
液１００重量％に５７４ｉｆｇ）％のタ／ダステン酸粉
末を加え、還流冷却器イτＩきのフラスコに入れて１５
０°（Ｊ１時間加熱し７た後、散り出（２て濾過し、得
られた濾液を電解液とし、た。
レ／カーボネートに溶解１．て全体をｌｔとし、との浴
液１００重量％に５７４ｉｆｇ）％のタ／ダステン酸粉
末を加え、還流冷却器イτＩきのフラスコに入れて１５
０°（Ｊ１時間加熱し７た後、散り出（２て濾過し、得
られた濾液を電解液とし、た。
実施例１で作製し／ζＥ ＣＩ）セルに上記電解液を注
入［７てセル型ＥＣＤを作製ｊた。
入［７てセル型ＥＣＤを作製ｊた。
このＥ Ｃｌ）について、実施例１と同様に着消色テス
トを行なった後の注入電荷量の変什を第２図に曲線（’
ｂ ）として示す。
トを行なった後の注入電荷量の変什を第２図に曲線（’
ｂ ）として示す。
（発明の効果）
カッ上の辿り、本発明により、ばｒ−１”イオンの供給
源と（、て酸を用いたものに比べ電極の腐食の問題が解
決さｉｌ、Ｈ＋イオンの供給源として水を用いたものに
比へ高温耐久性ｒ（すぐれ、１□１＋イオンの供給源と
し７てのＬｉＣ４０，を溶かすのに水を含まないプロピ
レンカーボネートを用いるものに比べ着消色レスポンス
が速く、しかもこれまで０ＥＣＤに比べ駆動寿命の延長
されたＪ・〕（゛Ｄが得られる。
源と（、て酸を用いたものに比べ電極の腐食の問題が解
決さｉｌ、Ｈ＋イオンの供給源として水を用いたものに
比へ高温耐久性ｒ（すぐれ、１□１＋イオンの供給源と
し７てのＬｉＣ４０，を溶かすのに水を含まないプロピ
レンカーボネートを用いるものに比べ着消色レスポンス
が速く、しかもこれまで０ＥＣＤに比べ駆動寿命の延長
されたＪ・〕（゛Ｄが得られる。
第１図は本発明の実施例１で作製し、に電解液注入前の
ＢＣＤセルの断面図である。 第２図は実施例１（ａ）及び実施例２（ｂ）のＥ ＣＩ
）の駆動回数とその後着色電圧１５ポルトを１２００
ｔｎｓｅｃ印加１−だときの注入側、荷量との関係を示
すグラフでメへる。 （主要部分の符号の説明） Ｓ・・・・・・・・・・ガラス基板 Ａ、Ｅ ・・・・・・透明′７１〕イ愼Ｊ１−１Ｂ・・
・・・・ ・・・）＼゛υ３Ｗｊυ３Ｗｊ膜Ｄ・・・・
・水酸化イリジウム薄膜■も・・・・・・・・・・・・
シール材ａ・・・・・・・・・・・・実施例１の１・；
Ｃｌ）の結果ｂ・・・・・・・・・・・・実施例２の
１・：ｃＤの結果出願人 日本光学工業株式会社 伏理人 渡 辺 隆 男
ＢＣＤセルの断面図である。 第２図は実施例１（ａ）及び実施例２（ｂ）のＥ ＣＩ
）の駆動回数とその後着色電圧１５ポルトを１２００
ｔｎｓｅｃ印加１−だときの注入側、荷量との関係を示
すグラフでメへる。 （主要部分の符号の説明） Ｓ・・・・・・・・・・ガラス基板 Ａ、Ｅ ・・・・・・透明′７１〕イ愼Ｊ１−１Ｂ・・
・・・・ ・・・）＼゛υ３Ｗｊυ３Ｗｊ膜Ｄ・・・・
・水酸化イリジウム薄膜■も・・・・・・・・・・・・
シール材ａ・・・・・・・・・・・・実施例１の１・；
Ｃｌ）の結果ｂ・・・・・・・・・・・・実施例２の
１・：ｃＤの結果出願人 日本光学工業株式会社 伏理人 渡 辺 隆 男
Claims (1)
- 透明電極層（Ａ）、酸化タングステ／薄膜（Ｂ）、電解
液層（Ｃ）、水酸化ニッケルまたは水酸化イリジウム薄
膜（Ｄ）及び透明電極層（Ｅ）からなるセル型エレクト
ロクコミック表示素子に於いて、前記電解液層（Ｃ）が
Ｏ１〜２モル濃度のＬ ｉ ＣｌＯ４及び０５〜４モル
濃度の水を含有するプロピレンカーがネート溶液であり
、かつ前記電解液層（Ｃ）の厚さが１０〜１００μｍで
あることを特徴とするセル型エレクトロクロミック表示
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58170811A JPS6063272A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | セル型エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58170811A JPS6063272A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | セル型エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063272A true JPS6063272A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=15911769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58170811A Pending JPS6063272A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | セル型エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0721139A1 (en) * | 1989-07-13 | 1996-07-10 | Elf Atochem North America, Inc. | A process for producing an amorphous electrochromic material, a product consisting of an amorphous electrochromic material and an electrochromic element containing said product |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58170811A patent/JPS6063272A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0721139A1 (en) * | 1989-07-13 | 1996-07-10 | Elf Atochem North America, Inc. | A process for producing an amorphous electrochromic material, a product consisting of an amorphous electrochromic material and an electrochromic element containing said product |
| US9581875B2 (en) | 2005-02-23 | 2017-02-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US10061174B2 (en) | 2005-02-23 | 2018-08-28 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US11567383B2 (en) | 2005-02-23 | 2023-01-31 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
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