JPH06242473A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
- Publication number
- JPH06242473A JPH06242473A JP2570293A JP2570293A JPH06242473A JP H06242473 A JPH06242473 A JP H06242473A JP 2570293 A JP2570293 A JP 2570293A JP 2570293 A JP2570293 A JP 2570293A JP H06242473 A JPH06242473 A JP H06242473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolyte
- thin film
- weight
- refractive index
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 屈折率が高分子多孔性薄膜の屈折率に近く、
さらに微調整も可能であり、またイオン伝導性が高くで
き、透明性も高く、常温常圧で蒸気圧が低い電解質溶媒
を用いたエレクトロクロミック素子を提供すること。 【構成】 エレクトロクロミック電極と対向電極との間
に電解質を介在させて成るエレクトロクロミック素子に
おいて、電解質として高分子多孔性薄膜の空孔中にイオ
ン導電体を充填した電解質薄膜を用い、イオン導電体が
溶媒として（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル及
び／又は４−フェニルブチロニトリル、及び（Ｂ）ポリ
アルキレングリコール又はそのエーテル化合物、好まし
くは更に（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオニトリルを
含み。好ましくは、成分（Ａ）を２０〜９０重量％、成
分（Ｂ）を１〜０重量％、成分（Ｃ）を２０〜６５重量
％、電解質溶質を２〜１８重量％含む。
さらに微調整も可能であり、またイオン伝導性が高くで
き、透明性も高く、常温常圧で蒸気圧が低い電解質溶媒
を用いたエレクトロクロミック素子を提供すること。 【構成】 エレクトロクロミック電極と対向電極との間
に電解質を介在させて成るエレクトロクロミック素子に
おいて、電解質として高分子多孔性薄膜の空孔中にイオ
ン導電体を充填した電解質薄膜を用い、イオン導電体が
溶媒として（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル及
び／又は４−フェニルブチロニトリル、及び（Ｂ）ポリ
アルキレングリコール又はそのエーテル化合物、好まし
くは更に（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオニトリルを
含み。好ましくは、成分（Ａ）を２０〜９０重量％、成
分（Ｂ）を１〜０重量％、成分（Ｃ）を２０〜６５重量
％、電解質溶質を２〜１８重量％含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なエレクトロクロミ
ック素子、さらに詳しくは、電解質として、空孔中にイ
オン導電体を充填した光散乱の少ない高分子多孔性薄膜
を用いて成る調光素子や表示素子などとして好適なエレ
クトロクロミック素子に関する。
ック素子、さらに詳しくは、電解質として、空孔中にイ
オン導電体を充填した光散乱の少ない高分子多孔性薄膜
を用いて成る調光素子や表示素子などとして好適なエレ
クトロクロミック素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロクロミック（以下ＥＣと略称
する）素子は、通常透明電極基板上にＥＣ材料から成る
層（以下ＥＣ層と略称する）を有するＥＣ電極と対向電
極との間に電解質を介在させた構造を有しており、両極
間に電圧を印加すると、電圧に応じて該ＥＣ層の色調が
可逆的に変化する性質を有している。
する）素子は、通常透明電極基板上にＥＣ材料から成る
層（以下ＥＣ層と略称する）を有するＥＣ電極と対向電
極との間に電解質を介在させた構造を有しており、両極
間に電圧を印加すると、電圧に応じて該ＥＣ層の色調が
可逆的に変化する性質を有している。
【０００３】このようなＥＣ素子は大面積表示が可能で
ある、駆動寿命が長い、応答速度が速い、着色効率が高
い、鮮やかな色が出せる、消色時の透過率が高いなどの
特徴を有することから、近年色調の変化を利用して表示
素子や調光素子に、あるいは適度の応答速度を利用した
防眩材料、メモリー性を利用した記憶センサーなどに用
いられている。
ある、駆動寿命が長い、応答速度が速い、着色効率が高
い、鮮やかな色が出せる、消色時の透過率が高いなどの
特徴を有することから、近年色調の変化を利用して表示
素子や調光素子に、あるいは適度の応答速度を利用した
防眩材料、メモリー性を利用した記憶センサーなどに用
いられている。
【０００４】このＥＣ素子に用いられる電解質は液体電
解質と固体電解質に大別することができ、前者の液体電
解質はイオン電導度が大きいので応答性に優れているも
のの、液体であるため、素子の構造及び組み立て上、液
漏れ対策が必要であり、また液漏れ対策をしても破損に
より、あるいは使用中に液漏れが生じるおそれがあるな
どの欠点を有している。これに対し、通常の固体電解質
は前記のような問題はないものの、イオン電導度が小さ
いために、応答性が悪いという欠点がある。
解質と固体電解質に大別することができ、前者の液体電
解質はイオン電導度が大きいので応答性に優れているも
のの、液体であるため、素子の構造及び組み立て上、液
漏れ対策が必要であり、また液漏れ対策をしても破損に
より、あるいは使用中に液漏れが生じるおそれがあるな
どの欠点を有している。これに対し、通常の固体電解質
は前記のような問題はないものの、イオン電導度が小さ
いために、応答性が悪いという欠点がある。
【０００５】そこで、本発明者らは、イオン電導度の大
きな固体電解質を開発するために鋭意研究を重ね、先に
高分子多孔性薄膜の空孔中にイオン電導体を充填して成
る高分子電解質薄膜が、全体として固体として取り扱う
ことができ、液漏れのおそれがない上、イオン導電性に
優れていることを見い出した。このような高分子電解質
薄膜をＥＣ素子の電解質として用いる場合、電極形成後
に該薄膜を両極間に挟めばよく、したがって電極形成時
に該電解質を劣化させることがない上、合わせガラスの
プロセスでＥＣ素子を製作しうるなどの利点がある。
きな固体電解質を開発するために鋭意研究を重ね、先に
高分子多孔性薄膜の空孔中にイオン電導体を充填して成
る高分子電解質薄膜が、全体として固体として取り扱う
ことができ、液漏れのおそれがない上、イオン導電性に
優れていることを見い出した。このような高分子電解質
薄膜をＥＣ素子の電解質として用いる場合、電極形成後
に該薄膜を両極間に挟めばよく、したがって電極形成時
に該電解質を劣化させることがない上、合わせガラスの
プロセスでＥＣ素子を製作しうるなどの利点がある。
【０００６】他方、イオン電導度の高い固体電解質を両
極間に介在させる方法として、 TaO x などから成る薄膜
層を蒸着などにより形成させる方法が知られているが、
この方法においては、続いて電極形成工程が施されるた
め、該薄膜層は電極形成時に劣化が生じるのを免れない
という欠点がある。ところで、高分子多孔性薄膜の空孔
中にイオン導電体を充填して高分子電解質薄膜を作製す
る場合、該イオン導電体の溶媒として、通常プロピレン
カーボネート、ジメトキシエタン、ｒ−ブチロラクト
ン、アセトニトリル、ポリエチレンオキシド、ポリプロ
ピレンオキシドなどが用いられる。しかしながら、これ
らの溶媒はいずれも屈折率（ｎD 20）が1.48以下であ
り、ポリエチレンやポリプロピレンなどの代表的な高分
子多孔性薄膜の屈折率よりも小さいことから、前記溶媒
を含有するイオン導電体を該多孔性薄膜に充填したもの
をＥＣ素子の電解質として用いる場合、該薄膜に光散乱
が生じるため、このＥＣ素子は表示素子やＥＣウインド
ーなどの光学用途には使用しにくいという問題が生じ
る。また、電解質溶液の蒸発が強いことや化学反応し易
く素子としての安定性に問題がある。したがって、イオ
ン導電体に用いる有機溶媒の選択は極めて重要である。
極間に介在させる方法として、 TaO x などから成る薄膜
層を蒸着などにより形成させる方法が知られているが、
この方法においては、続いて電極形成工程が施されるた
め、該薄膜層は電極形成時に劣化が生じるのを免れない
という欠点がある。ところで、高分子多孔性薄膜の空孔
中にイオン導電体を充填して高分子電解質薄膜を作製す
る場合、該イオン導電体の溶媒として、通常プロピレン
カーボネート、ジメトキシエタン、ｒ−ブチロラクト
ン、アセトニトリル、ポリエチレンオキシド、ポリプロ
ピレンオキシドなどが用いられる。しかしながら、これ
らの溶媒はいずれも屈折率（ｎD 20）が1.48以下であ
り、ポリエチレンやポリプロピレンなどの代表的な高分
子多孔性薄膜の屈折率よりも小さいことから、前記溶媒
を含有するイオン導電体を該多孔性薄膜に充填したもの
をＥＣ素子の電解質として用いる場合、該薄膜に光散乱
が生じるため、このＥＣ素子は表示素子やＥＣウインド
ーなどの光学用途には使用しにくいという問題が生じ
る。また、電解質溶液の蒸発が強いことや化学反応し易
く素子としての安定性に問題がある。したがって、イオ
ン導電体に用いる有機溶媒の選択は極めて重要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、このよ
うな事情のもとで、屈折率が高分子多孔性薄膜の屈折率
に近く、さらに微調整も可能であり、またイオン伝導性
が高くでき、透明性も高く、常温常圧で蒸気圧が低い電
解質溶媒を用いたエレクトロクロミック素子を提供する
ことを目的とする。
うな事情のもとで、屈折率が高分子多孔性薄膜の屈折率
に近く、さらに微調整も可能であり、またイオン伝導性
が高くでき、透明性も高く、常温常圧で蒸気圧が低い電
解質溶媒を用いたエレクトロクロミック素子を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、エレクトロクロミック電極と対向電極と
の間に電解質を介在させて成るエレクトロクロミック素
子において、該電解質として高分子多孔性薄膜の空孔中
にイオン導電体を充填した電解質薄膜を用い、該イオン
導電体が溶媒として（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニ
トリル及び／又は４−フェニルブチロニトリル、及び
（Ｂ）ポリアルキレングリコール又はそのエーテル化合
物、好ましくは更に（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオ
ニトリルを含むことを特徴とするエレクトロクロミック
素子を提供する。
成するために、エレクトロクロミック電極と対向電極と
の間に電解質を介在させて成るエレクトロクロミック素
子において、該電解質として高分子多孔性薄膜の空孔中
にイオン導電体を充填した電解質薄膜を用い、該イオン
導電体が溶媒として（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニ
トリル及び／又は４−フェニルブチロニトリル、及び
（Ｂ）ポリアルキレングリコール又はそのエーテル化合
物、好ましくは更に（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオ
ニトリルを含むことを特徴とするエレクトロクロミック
素子を提供する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
ＥＣ素子においては、電解質として、高分子多孔性薄膜
の空孔中にイオン導電体を充填して成る高分子電解質薄
膜が用いられる。この電解質薄膜は全体として固体とし
て取り扱うことができるので、液漏れの心配がなく、し
かもイオン導電性に優れる上、薄膜化が可能であるなど
の長所を有している。
ＥＣ素子においては、電解質として、高分子多孔性薄膜
の空孔中にイオン導電体を充填して成る高分子電解質薄
膜が用いられる。この電解質薄膜は全体として固体とし
て取り扱うことができるので、液漏れの心配がなく、し
かもイオン導電性に優れる上、薄膜化が可能であるなど
の長所を有している。
【００１０】前記高分子多孔性薄膜としては、通常膜厚
0.１〜50μｍ、好ましくは1.０〜25μｍ、空孔率40〜90
％、好ましくは60〜90％、破断強度 200kg／cm2 以上、
好ましくは 500kg／cm2 以上及び平均貫通孔径 0.001〜
1.０μｍのものが用いられる。該膜厚が0.１μｍ未満で
は支持膜としての機械的強度に劣り、かつ取り扱い性が
悪くて実用的でないし、50μｍを超えると実効抵抗が高
くなり、好ましくない。該空孔率が40％未満では電解質
としてのイオン導電性が不充分であるし、90％を超える
と支持膜としての機械的強度が低下し、実用的でなくな
る。
0.１〜50μｍ、好ましくは1.０〜25μｍ、空孔率40〜90
％、好ましくは60〜90％、破断強度 200kg／cm2 以上、
好ましくは 500kg／cm2 以上及び平均貫通孔径 0.001〜
1.０μｍのものが用いられる。該膜厚が0.１μｍ未満で
は支持膜としての機械的強度に劣り、かつ取り扱い性が
悪くて実用的でないし、50μｍを超えると実効抵抗が高
くなり、好ましくない。該空孔率が40％未満では電解質
としてのイオン導電性が不充分であるし、90％を超える
と支持膜としての機械的強度が低下し、実用的でなくな
る。
【００１１】また、該破断強度が 200kg／cm2 未満では
支持膜として実用的でない。さらに、平均貫通孔径につ
いては、空孔中にイオン導電体を固定化しうる孔径であ
ればよく、特に制限されず、高分子薄膜の材質や孔の形
状により適宜選ばれるが、通常 0.001〜1.０μｍの範囲
である。本発明で用いる高分子多孔性薄膜は、このよう
にイオン導電体の支持体としての機能をもち、かつ機械
的強度の優れた高分子材料から成っている。このような
高分子材料としては、例えばポリオレフィン、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリア
セタール、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデ
ン、ポリテトラフルオロエチレンなどが挙げられるが、
化学的安定性の点から、ポリオレフィン、ポリフッ化ビ
ニリデン及びポリテトラフルオロエチレンが好ましく用
いられる。さらにこれらの中で、多孔構造の形成や薄膜
化の容易さ及び機械的強度の点から、特に重量平均分子
量が５×105 以上の、好ましくは１×106 〜１×107 の
ポリオレフィンが好適である。
支持膜として実用的でない。さらに、平均貫通孔径につ
いては、空孔中にイオン導電体を固定化しうる孔径であ
ればよく、特に制限されず、高分子薄膜の材質や孔の形
状により適宜選ばれるが、通常 0.001〜1.０μｍの範囲
である。本発明で用いる高分子多孔性薄膜は、このよう
にイオン導電体の支持体としての機能をもち、かつ機械
的強度の優れた高分子材料から成っている。このような
高分子材料としては、例えばポリオレフィン、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリア
セタール、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデ
ン、ポリテトラフルオロエチレンなどが挙げられるが、
化学的安定性の点から、ポリオレフィン、ポリフッ化ビ
ニリデン及びポリテトラフルオロエチレンが好ましく用
いられる。さらにこれらの中で、多孔構造の形成や薄膜
化の容易さ及び機械的強度の点から、特に重量平均分子
量が５×105 以上の、好ましくは１×106 〜１×107 の
ポリオレフィンが好適である。
【００１２】該ポリオレフィンとしては、例えばエチレ
ン、プロピレン、ブテン−１、４−メチルペンテン−１
などのα−オレフィンの単独重合体又は共重合体から成
る結晶性のポリオレフィン、具体的にはポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ
ブテン−１、ポリ４−メチルペンテン−１などが好まし
く用いられる。これらの中で、特に重量平均分子量が５
×105 以上のポリエチレン及びポリプロピレンが好適で
ある。
ン、プロピレン、ブテン−１、４−メチルペンテン−１
などのα−オレフィンの単独重合体又は共重合体から成
る結晶性のポリオレフィン、具体的にはポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ
ブテン−１、ポリ４−メチルペンテン−１などが好まし
く用いられる。これらの中で、特に重量平均分子量が５
×105 以上のポリエチレン及びポリプロピレンが好適で
ある。
【００１３】これらの高分子多孔薄膜は、通常、屈折率
が1.48〜1.56程度である。本発明の電解質は特にこのよ
うな屈折率を有する高分子多孔薄膜に好適に使用され
る。本発明の溶媒の屈折率は一般的に 1.500〜1.57の範
囲であり、例えば、ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル
はｎD 20＝1.5086、４−フェニルブチロニトリルはｎD
20＝1.5143、２，２−ジフェニルプロピオニトリルはｎ
D 20＝1.5720である。さらに、本発明では、成分（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）の混合比及び成分（Ｂ）の種類、分子量な
どを変えて溶媒（電解質）の屈折率を微調整することが
可能である。例えば、ポリエチレン微多孔膜を使用する
場合でヘイズ率を３％以下にするためには電解質溶液の
屈折率を1.523 〜1.564 程度にする必要がある。好まし
くは、高分子多孔質薄膜の屈折率との屈折率差が0.01以
下である。
が1.48〜1.56程度である。本発明の電解質は特にこのよ
うな屈折率を有する高分子多孔薄膜に好適に使用され
る。本発明の溶媒の屈折率は一般的に 1.500〜1.57の範
囲であり、例えば、ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル
はｎD 20＝1.5086、４−フェニルブチロニトリルはｎD
20＝1.5143、２，２−ジフェニルプロピオニトリルはｎ
D 20＝1.5720である。さらに、本発明では、成分（Ａ）
（Ｂ）（Ｃ）の混合比及び成分（Ｂ）の種類、分子量な
どを変えて溶媒（電解質）の屈折率を微調整することが
可能である。例えば、ポリエチレン微多孔膜を使用する
場合でヘイズ率を３％以下にするためには電解質溶液の
屈折率を1.523 〜1.564 程度にする必要がある。好まし
くは、高分子多孔質薄膜の屈折率との屈折率差が0.01以
下である。
【００１４】本発明は、電解液の溶媒として、（Ａ）Ｄ
Ｌ−２−フェニルブチロニトリル及び／又は４−フェニ
ルブチロニトリル、及び（Ｂ）ポリアルキレングリコー
ル又はそのエーテル化合物、好ましくは更に（Ｃ）２，
２−ジフェニルプロピオニトリルを含む溶媒を用いるこ
とを特徴としている。電解質の溶媒として上記成分
（Ａ），（Ｂ）を用いることにより、支持塩のアルカリ
金属塩等の溶解度が大きく、高いイオン伝導度が得ら
れ、また溶媒の混合比を変えることにより屈折率の調整
が容易であり、化学的にも安定な電解質ができること、
さらに成分（Ｃ）を添加することにより屈折率の調節が
さらに容易になり、また電気化学的安定性が増加するこ
とが見い出された。
Ｌ−２−フェニルブチロニトリル及び／又は４−フェニ
ルブチロニトリル、及び（Ｂ）ポリアルキレングリコー
ル又はそのエーテル化合物、好ましくは更に（Ｃ）２，
２−ジフェニルプロピオニトリルを含む溶媒を用いるこ
とを特徴としている。電解質の溶媒として上記成分
（Ａ），（Ｂ）を用いることにより、支持塩のアルカリ
金属塩等の溶解度が大きく、高いイオン伝導度が得ら
れ、また溶媒の混合比を変えることにより屈折率の調整
が容易であり、化学的にも安定な電解質ができること、
さらに成分（Ｃ）を添加することにより屈折率の調節が
さらに容易になり、また電気化学的安定性が増加するこ
とが見い出された。
【００１５】ＤＬ−２−フェニルブチロニトリルは下記
構造を有する化合物である。
構造を有する化合物である。
【００１６】
【化１】
【００１７】２，２−ジフェニルプロピオニトリルは下
記構造を有する化合物である。
記構造を有する化合物である。
【００１８】
【化２】
【００１９】ポリアルキレングリコール又はそのエーテ
ル化合物は下記一般式で表される化合物である。
ル化合物は下記一般式で表される化合物である。
【００２０】
【化３】
【００２１】で表されるポリエーテルとの混合溶媒が用
いられる。前記一般式〔Ｉ〕におけるＲ1 及びＲ3 は、
それぞれ水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であ
り、それらは同一であってもよいし、たがいに異なって
いてもよい。該アルキル基としてはメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔ−ブチル基が挙
げられる。Ｒ2 は炭素数２〜４のアルキレン基であり、
直鎖状のものであってもよいし、分枝鎖を有するもので
あってもよい。該アルキレン基としてはエチレン基、直
鎖状若しくは分枝鎖を有するプロピレン基及び直鎖状若
しくは分枝鎖を有するブチレン基が挙げられる。また、
このポリエーテルは、１分子中に２種以上のアルキレン
基を有していてもよい。さらにｎは１〜１００の範囲の
整数である。
いられる。前記一般式〔Ｉ〕におけるＲ1 及びＲ3 は、
それぞれ水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であ
り、それらは同一であってもよいし、たがいに異なって
いてもよい。該アルキル基としてはメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔ−ブチル基が挙
げられる。Ｒ2 は炭素数２〜４のアルキレン基であり、
直鎖状のものであってもよいし、分枝鎖を有するもので
あってもよい。該アルキレン基としてはエチレン基、直
鎖状若しくは分枝鎖を有するプロピレン基及び直鎖状若
しくは分枝鎖を有するブチレン基が挙げられる。また、
このポリエーテルは、１分子中に２種以上のアルキレン
基を有していてもよい。さらにｎは１〜１００の範囲の
整数である。
【００２２】このようなポリエーテルとしては、例えば
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリブチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキ
シプロピレングリコール、ポリオキシエチレンモノメチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンジメチルエーテル、ポ
リオキシエチレンモノエチルエーテル、ポリオキシエチ
レンジエチルエーテル、ポリオキシエチレンモノプロピ
ル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリオキシエチレンジプ
ロピル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリオキシプロピレ
ンモノメチルエーテル、ポリオキシプロピレンジメチル
エーテル、ポリオキシプロピレンモノエチルエーテル、
ポリオキシプロピレンジエチルエーテル、ポリオキシプ
ロピレンモノプロピル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリ
オキシプロピレンジプロピル（ｎ−又はイソ）エーテ
ル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンモノメチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
ジメチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロ
ピレンモノエチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオ
キシプロピレンジエチルエーテル、ポリオキシエチレン
ポリオキシプロピレンモノプロピル（ｎ−又はイソ）エ
ーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンジプ
ロピル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリオキシエチレン
モノブチル（ｎ−、イソ、ｓｅｃ−又はｔ−）エーテ
ル、ポリオキシエチレンジブチル（ｎ−、イソ、ｓｅｃ
−又はｔ−）エーテル、ポリオキシブチレンモノメチル
エーテル、ポリオキシブチレンジメチルエーテルなどが
挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではな
い。これらのポリエーテルは１種用いてもよいし、２種
以上を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で、特
にポリオキシエチレンジメチルエーテル、ポリオキシプ
ロピレンジメチルエーテルなどが好適である。
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、
ポリブチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキ
シプロピレングリコール、ポリオキシエチレンモノメチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンジメチルエーテル、ポ
リオキシエチレンモノエチルエーテル、ポリオキシエチ
レンジエチルエーテル、ポリオキシエチレンモノプロピ
ル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリオキシエチレンジプ
ロピル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリオキシプロピレ
ンモノメチルエーテル、ポリオキシプロピレンジメチル
エーテル、ポリオキシプロピレンモノエチルエーテル、
ポリオキシプロピレンジエチルエーテル、ポリオキシプ
ロピレンモノプロピル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリ
オキシプロピレンジプロピル（ｎ−又はイソ）エーテ
ル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンモノメチ
ルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
ジメチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロ
ピレンモノエチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオ
キシプロピレンジエチルエーテル、ポリオキシエチレン
ポリオキシプロピレンモノプロピル（ｎ−又はイソ）エ
ーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンジプ
ロピル（ｎ−又はイソ）エーテル、ポリオキシエチレン
モノブチル（ｎ−、イソ、ｓｅｃ−又はｔ−）エーテ
ル、ポリオキシエチレンジブチル（ｎ−、イソ、ｓｅｃ
−又はｔ−）エーテル、ポリオキシブチレンモノメチル
エーテル、ポリオキシブチレンジメチルエーテルなどが
挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではな
い。これらのポリエーテルは１種用いてもよいし、２種
以上を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で、特
にポリオキシエチレンジメチルエーテル、ポリオキシプ
ロピレンジメチルエーテルなどが好適である。
【００２３】ポリアルキレングリコール又はそのエーテ
ル化合物の平均分子量は１００〜８００が適当である。
平均分子量が１００より低い場合はエレクトロクロミッ
ク層のサイクル試験が良好でない。また平均分子量が８
００より大きい場合は電解質溶液の低温でのイオン伝導
性が良好でないため、素子の応答性が特に低温で遅くな
いこと及び低温保存下での溶液の塩溶解性が低下するた
め溶質の析出が生ずる。
ル化合物の平均分子量は１００〜８００が適当である。
平均分子量が１００より低い場合はエレクトロクロミッ
ク層のサイクル試験が良好でない。また平均分子量が８
００より大きい場合は電解質溶液の低温でのイオン伝導
性が良好でないため、素子の応答性が特に低温で遅くな
いこと及び低温保存下での溶液の塩溶解性が低下するた
め溶質の析出が生ずる。
【００２４】これらの成分の混合量としては、成分
（Ａ）は２０〜９０重量％、成分（Ｂ）は１〜３０重量
％、成分（Ｃ）は２０〜６５重量％の範囲内が好まし
い。成分（Ａ）が２０重量％より少ないとイオン伝導率
が低くなり、９０重量％より多いと屈折率が低くなりヘ
イズ率が増大する。成分（Ｂ）が１重量％より少ないと
リチウム塩等の電解質物質が融解しにくく、３０重量％
より多いと屈折率が小さすぎる。成分（Ｃ）が２０重量
％より少ないと屈折率が小さく、６５重量％より多いと
イオン伝導率が小さく、また電解質が融解しにくい。
（Ａ）は２０〜９０重量％、成分（Ｂ）は１〜３０重量
％、成分（Ｃ）は２０〜６５重量％の範囲内が好まし
い。成分（Ａ）が２０重量％より少ないとイオン伝導率
が低くなり、９０重量％より多いと屈折率が低くなりヘ
イズ率が増大する。成分（Ｂ）が１重量％より少ないと
リチウム塩等の電解質物質が融解しにくく、３０重量％
より多いと屈折率が小さすぎる。成分（Ｃ）が２０重量
％より少ないと屈折率が小さく、６５重量％より多いと
イオン伝導率が小さく、また電解質が融解しにくい。
【００２５】なお、本発明の混合溶媒において、本発明
の目的を損なわない範囲で他の溶媒を混合してもよい。
そのような溶媒としては、例えば、プロピレンカーポネ
ート、ビメトキシエタン、γ−プチロラクトン、アセト
ニトリル、ベンゾニトリル、ベンズアルデヒド、サリチ
ル酸メチル、ベンズアルコール、３−クロロベンズニト
リル、α−トリニトリルなどを１種又は２種以上用いる
ことができる。
の目的を損なわない範囲で他の溶媒を混合してもよい。
そのような溶媒としては、例えば、プロピレンカーポネ
ート、ビメトキシエタン、γ−プチロラクトン、アセト
ニトリル、ベンゾニトリル、ベンズアルデヒド、サリチ
ル酸メチル、ベンズアルコール、３−クロロベンズニト
リル、α−トリニトリルなどを１種又は２種以上用いる
ことができる。
【００２６】本発明で用いられるイオン導電体の溶質に
ついては、前記溶媒に可溶な電解質であればよく、特に
制限されず、例えばアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、プロトン酸などが用いられる。これらの溶質の陰イ
オンとしては、例えばハロゲンイオン、硫酸イオン、リ
ン酸イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、ト
リフッ化メタンスルホン酸イオン、ホウフッ化イオンな
どが挙げられる。該溶質の具体例としては、フッ化リチ
ウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、過塩素酸リ
チウム、チオシアン酸ナトリウム、トリフッ化メタンス
ルホン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、ヘキサフッ化
リン酸リチウム、リン酸、硫酸、トリフッ化メタンスル
ホン酸、テトラフッ化エチレンスルホン酸、ヘキサフッ
化ブタンスルホン酸などが挙げられ、これらは１種用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ついては、前記溶媒に可溶な電解質であればよく、特に
制限されず、例えばアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、プロトン酸などが用いられる。これらの溶質の陰イ
オンとしては、例えばハロゲンイオン、硫酸イオン、リ
ン酸イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、ト
リフッ化メタンスルホン酸イオン、ホウフッ化イオンな
どが挙げられる。該溶質の具体例としては、フッ化リチ
ウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、過塩素酸リ
チウム、チオシアン酸ナトリウム、トリフッ化メタンス
ルホン酸リチウム、ホウフッ化リチウム、ヘキサフッ化
リン酸リチウム、リン酸、硫酸、トリフッ化メタンスル
ホン酸、テトラフッ化エチレンスルホン酸、ヘキサフッ
化ブタンスルホン酸などが挙げられ、これらは１種用い
てもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２７】イオン導電体の溶質は２〜１８重量％の範
囲内が好ましい。イオン導電体の溶質が２重量％より少
ないとイオン伝導率が小さくなり、１８重量％より多い
と塩が溶解しにくく、かつ膜への含浸がしにくい。高分
子多孔性薄膜の空孔に、前記イオン導電体を充填する方
法については、特に制限はなく、例えば浸漬、塗布、ス
プレーなどの方法の中から任意の方法を選択して用いる
ことができる。
囲内が好ましい。イオン導電体の溶質が２重量％より少
ないとイオン伝導率が小さくなり、１８重量％より多い
と塩が溶解しにくく、かつ膜への含浸がしにくい。高分
子多孔性薄膜の空孔に、前記イオン導電体を充填する方
法については、特に制限はなく、例えば浸漬、塗布、ス
プレーなどの方法の中から任意の方法を選択して用いる
ことができる。
【００２８】本発明のＥＣ素子はこのようにして得られ
た空孔中にイオン導電体を充填して成る高分子多孔性薄
膜を、ＥＣ電極と対向電極との間に介在させたものであ
って、該ＥＣ電極は、透明電極基板上にＥＣ層を設ける
ことにより製造することができる。また、透明電極基板
としては、通常ガラス板や透明フィルムなどの透明基板
上に、酸化インジウムスズや酸化スズなどの透明導電膜
を有するものが用いられる。
た空孔中にイオン導電体を充填して成る高分子多孔性薄
膜を、ＥＣ電極と対向電極との間に介在させたものであ
って、該ＥＣ電極は、透明電極基板上にＥＣ層を設ける
ことにより製造することができる。また、透明電極基板
としては、通常ガラス板や透明フィルムなどの透明基板
上に、酸化インジウムスズや酸化スズなどの透明導電膜
を有するものが用いられる。
【００２９】次に、本発明ＥＣ素子の１例について添付
図面に従って説明すると、図１は反射型表示素子として
用いる場合の本発明ＥＣ素子の１例の断面図であって、
基板１上に、対向電極２、背景板３、高分子電解質薄膜
４、ＥＣ電極を構成するＥＣ層５と透明導電膜６、及び
透明基板７が順次積層された構造を示す。この表示素子
は反射モードであるので、基板１は必ずしも透明体であ
る必要がなく、不透明板であってもよい。
図面に従って説明すると、図１は反射型表示素子として
用いる場合の本発明ＥＣ素子の１例の断面図であって、
基板１上に、対向電極２、背景板３、高分子電解質薄膜
４、ＥＣ電極を構成するＥＣ層５と透明導電膜６、及び
透明基板７が順次積層された構造を示す。この表示素子
は反射モードであるので、基板１は必ずしも透明体であ
る必要がなく、不透明板であってもよい。
【００３０】対向電極２は水素や酸素の発生が少なく、
かつ電気化学的酸化還元反応に対して可逆性の良い電気
容量の大きな材料が用いられる。このような材料として
は、例えばカーボン、遷移金属化合物とカーボンとの複
合材、金属酸化物とカーボンとの複合材などが挙げられ
る。この対向電極２の厚さは、通常1000Åないし10μｍ
の範囲で選ばれる。
かつ電気化学的酸化還元反応に対して可逆性の良い電気
容量の大きな材料が用いられる。このような材料として
は、例えばカーボン、遷移金属化合物とカーボンとの複
合材、金属酸化物とカーボンとの複合材などが挙げられ
る。この対向電極２の厚さは、通常1000Åないし10μｍ
の範囲で選ばれる。
【００３１】背景板３は、通常白色背景材、例えばアル
ミナ粉末をバインダーとともに混練してシート成形した
ものなどが用いられるが、対向電極２が兼ねることも可
能である。高分子電解質薄膜４としては、前記のように
して調製された空孔中にイオン導電体を充填して成る高
分子多孔性薄膜が用いられる。ＥＣ層５に用いられるＥ
Ｃ材料は、還元着色するカソーディック材料と酸化着色
するアノーディック材料の２種類に大別することができ
るが、ここでは代表的な還元着色材であるWO3 を用い
る。このWO3 は、例えば電解質からＨ+ ，Ｌi +などイ
オン半径の小さなカチオンと電源から電子が注入される
と青色に着色してくる。プロトン酸及びリチウム塩を電
解質として用いた場合を例にすると、それぞれ ＷＯ3 （無色）＋ｘＨ+ ＋ｘｅ- ＝ ＨＷＯ3 （青色） ＷＯ3 （無色）＋ｘＬｉ+ ＋ｘｅ- ＝ Ｌｉx ＷＯ
3 （青色） で示される反応を行う。この反応は可逆的であるが Hx
WO3 又はLix WO3 の状で電源回路を開放すると、青色
（還元状態）は長時間保持される。このような還元着色
剤としては、該WO3 のほか、例えばMoO3，MoS3，V2O5，
MgWO4 ，TiO2，W4O6(C2O4)xなどを用いることができ
る。
ミナ粉末をバインダーとともに混練してシート成形した
ものなどが用いられるが、対向電極２が兼ねることも可
能である。高分子電解質薄膜４としては、前記のように
して調製された空孔中にイオン導電体を充填して成る高
分子多孔性薄膜が用いられる。ＥＣ層５に用いられるＥ
Ｃ材料は、還元着色するカソーディック材料と酸化着色
するアノーディック材料の２種類に大別することができ
るが、ここでは代表的な還元着色材であるWO3 を用い
る。このWO3 は、例えば電解質からＨ+ ，Ｌi +などイ
オン半径の小さなカチオンと電源から電子が注入される
と青色に着色してくる。プロトン酸及びリチウム塩を電
解質として用いた場合を例にすると、それぞれ ＷＯ3 （無色）＋ｘＨ+ ＋ｘｅ- ＝ ＨＷＯ3 （青色） ＷＯ3 （無色）＋ｘＬｉ+ ＋ｘｅ- ＝ Ｌｉx ＷＯ
3 （青色） で示される反応を行う。この反応は可逆的であるが Hx
WO3 又はLix WO3 の状で電源回路を開放すると、青色
（還元状態）は長時間保持される。このような還元着色
剤としては、該WO3 のほか、例えばMoO3，MoS3，V2O5，
MgWO4 ，TiO2，W4O6(C2O4)xなどを用いることができ
る。
【００３２】このＥＣ層５は 500〜1500Å程度の厚さで
あり、透明導電膜６上に形成される。透明導電膜６は集
電電極であり、通常酸化インジウムスズや酸化スズなど
で形成され、その厚さは一般的に1000〜5000Å程度であ
る。この透明導電膜６は透明基板７上に形成されるが、
基板７は反射モードであるので透明でなければならな
い。
あり、透明導電膜６上に形成される。透明導電膜６は集
電電極であり、通常酸化インジウムスズや酸化スズなど
で形成され、その厚さは一般的に1000〜5000Å程度であ
る。この透明導電膜６は透明基板７上に形成されるが、
基板７は反射モードであるので透明でなければならな
い。
【００３３】ＥＣ層５と透明導電膜とで構成されるＥＣ
電極と対向電極２との間に電圧を印加するが、WO3 の還
元時には負の電圧を通常1.３〜1.９Ｖ程度印加すればよ
い。本発明のエレクトロクロミック素子は図１の反射型
表示素子のほか、透過型調光素子等としても応用でき
る。
電極と対向電極２との間に電圧を印加するが、WO3 の還
元時には負の電圧を通常1.３〜1.９Ｖ程度印加すればよ
い。本発明のエレクトロクロミック素子は図１の反射型
表示素子のほか、透過型調光素子等としても応用でき
る。
【００３４】
（例１）高分子多孔性薄膜の製造 重量平均分子量（Ｍw)２×106 のポリエチレン4.０重量
％を含む流動パラフィン（64cSt ／40℃）混合液 100重
量部に２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール 0.125
重量部とテトラキス（メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオネー
ト）メタン0.25重量部を、酸化防止剤として加えて混合
した。この混合液を攪拌機付のオートクレーブに充填
し、 200℃まで加熱して90分間攪拌し均一な溶液とし
た。
％を含む流動パラフィン（64cSt ／40℃）混合液 100重
量部に２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール 0.125
重量部とテトラキス（メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオネー
ト）メタン0.25重量部を、酸化防止剤として加えて混合
した。この混合液を攪拌機付のオートクレーブに充填
し、 200℃まで加熱して90分間攪拌し均一な溶液とし
た。
【００３５】この溶液を加熱した金型に充填し、50℃ま
で急冷してゲル状シートを得た。このゲル状シートを塩
化メチレン中に60分間浸漬したのち、平滑板にはり付け
た状態で塩化メチレンを蒸発乾燥し、原反シートを得
た。得られた原反シートそれぞれを 115〜 130℃の温度
で同時二軸延伸を行い、得られた延伸膜を塩化メチレン
で洗浄して残留する流動パラフィンを抽出除去した後、
乾燥して多孔性薄膜を得た。
で急冷してゲル状シートを得た。このゲル状シートを塩
化メチレン中に60分間浸漬したのち、平滑板にはり付け
た状態で塩化メチレンを蒸発乾燥し、原反シートを得
た。得られた原反シートそれぞれを 115〜 130℃の温度
で同時二軸延伸を行い、得られた延伸膜を塩化メチレン
で洗浄して残留する流動パラフィンを抽出除去した後、
乾燥して多孔性薄膜を得た。
【００３６】ポリエチレン多孔性薄膜の膜厚20μｍ、空
孔率60％、平均孔径 200Å及び屈折率1.540 であった。エレクトロクロミック素子の製造 イオンプレーティングでＩＴＯ（酸化インジウム／酸化
錫）を1600Å厚製膜した100 mm角、1.1mm 厚のノンアル
カリガラス上にNiアルコキシドNi(OC2H4OEt)2のトルエ
ン溶液 0.9mol/kgを１次回転数700 回／分、２次回転数
1600回／分でスピンコートし、昇温速度１℃／分で350
℃まで加熱後、３保持し、１℃で降温し、3500Å厚の酸
化ニッケルエレクトロクロミック電極を得た。
孔率60％、平均孔径 200Å及び屈折率1.540 であった。エレクトロクロミック素子の製造 イオンプレーティングでＩＴＯ（酸化インジウム／酸化
錫）を1600Å厚製膜した100 mm角、1.1mm 厚のノンアル
カリガラス上にNiアルコキシドNi(OC2H4OEt)2のトルエ
ン溶液 0.9mol/kgを１次回転数700 回／分、２次回転数
1600回／分でスピンコートし、昇温速度１℃／分で350
℃まで加熱後、３保持し、１℃で降温し、3500Å厚の酸
化ニッケルエレクトロクロミック電極を得た。
【００３７】イオンプレーティングでＩＴＯを1600Å厚
製膜した100 mm角、1.1mm 厚のノンアルカリガラス上に
酸化タングステン（高純度化学製）を3600Å厚にイオン
プレッティングして、酸化タングステン電極を得た。二
軸延伸して得た25μm 厚のポリエチレン微多孔膜（空孔
率56％）にＤＬ−２−フェニルブチロニトリル38重量
％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル38重量％、ポ
リエチレングリコールジメチルエーテル19重量％、過塩
素酸リチウム５重量％からなる電解質溶液（電解質溶液
Ａ）を真空含浸させて固体高分子電解質薄膜を作製し
た。
製膜した100 mm角、1.1mm 厚のノンアルカリガラス上に
酸化タングステン（高純度化学製）を3600Å厚にイオン
プレッティングして、酸化タングステン電極を得た。二
軸延伸して得た25μm 厚のポリエチレン微多孔膜（空孔
率56％）にＤＬ−２−フェニルブチロニトリル38重量
％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル38重量％、ポ
リエチレングリコールジメチルエーテル19重量％、過塩
素酸リチウム５重量％からなる電解質溶液（電解質溶液
Ａ）を真空含浸させて固体高分子電解質薄膜を作製し
た。
【００３８】電極Ｉと電極IIの間に上記固体高分子電解
質薄膜を挟み、エポキシ接着剤でシールしてエレクトロ
クロミック素子を製作した。酸化タングステン電極／酸
化ニッケル間に−1.2 Ｖ及び＋1.2 Ｖのステップ電圧
（各10秒間）を印加するステップサイクルを100 回行っ
た後、測定した注入電荷量は2.7mC/cmであった。
質薄膜を挟み、エポキシ接着剤でシールしてエレクトロ
クロミック素子を製作した。酸化タングステン電極／酸
化ニッケル間に−1.2 Ｖ及び＋1.2 Ｖのステップ電圧
（各10秒間）を印加するステップサイクルを100 回行っ
た後、測定した注入電荷量は2.7mC/cmであった。
【００３９】また、このエレクトロクロミック素子の２
極式サイクリックポルタモグラムを−1.2 Ｖ及び＋1.2
Ｖの電圧（各20秒間）で測定した結果、電流量は消色サ
イドで最大 567μA が得られ、酸化ニッケル側に0.2 Ｖ
印加することで注入した電荷量は完全に放出可能であっ
た。電解質溶液の特性測定 上記と同じ組成のＤＬ−２−フェニルブチロニトリル38
重量％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル38重量
％、ポリエチレングリコールジメチルエーテル19重量
％、過塩素酸リチウム５重量％からなる電解質溶液（電
解質溶液Ａ）と、ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル28
重量％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル48重量
％、ポリエチレングリコールジメチルエーテル19重量
％、過塩素酸リチウム５重量％からなる電解質溶液（電
解質溶液Ｂ）について、屈折率とイオン伝導率を測定し
た。
極式サイクリックポルタモグラムを−1.2 Ｖ及び＋1.2
Ｖの電圧（各20秒間）で測定した結果、電流量は消色サ
イドで最大 567μA が得られ、酸化ニッケル側に0.2 Ｖ
印加することで注入した電荷量は完全に放出可能であっ
た。電解質溶液の特性測定 上記と同じ組成のＤＬ−２−フェニルブチロニトリル38
重量％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル38重量
％、ポリエチレングリコールジメチルエーテル19重量
％、過塩素酸リチウム５重量％からなる電解質溶液（電
解質溶液Ａ）と、ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル28
重量％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル48重量
％、ポリエチレングリコールジメチルエーテル19重量
％、過塩素酸リチウム５重量％からなる電解質溶液（電
解質溶液Ｂ）について、屈折率とイオン伝導率を測定し
た。
【００４０】イオン伝導率の測定は複素インピーダンス
法（掃引周波数0.1 〜100kHz) で２枚の平行白金黒電極
よりなる伝導度セルを用いたコールコールプロットから
評価した。その結果を表１に示す。イオン伝導度のレベ
ルは４〜６×10-4S/cmであった。 透明性測定 ２枚のガラス板（厚さ 1.1mm）を重ねて光透過率及びヘ
イズ率を測定したところ、それぞれ 92.60％及び1.17％
であった。
法（掃引周波数0.1 〜100kHz) で２枚の平行白金黒電極
よりなる伝導度セルを用いたコールコールプロットから
評価した。その結果を表１に示す。イオン伝導度のレベ
ルは４〜６×10-4S/cmであった。 透明性測定 ２枚のガラス板（厚さ 1.1mm）を重ねて光透過率及びヘ
イズ率を測定したところ、それぞれ 92.60％及び1.17％
であった。
【００４１】上記と同じ組成の電解液をポリエチレン微
多孔膜（空孔率54％、厚さ25μｍ）の空孔中に含浸した
固体高分子電解質膜を作成し、この電解質膜を上記のガ
ラス板の間に挾持して透過率及びヘイズ率を測定したと
ころ、それぞれ92.11 ％及び2.83％であった。 （例２）例１と同様にして、４−フェニルブチロニトリ
ル57重量％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル19重
量％、ポリエチレングリコールジメチルエーテル（分子
量 250）19重量％、過塩素酸リチウム５重量％からなる
電解質溶液を作成し、屈折率及びイオン伝導度を測定し
た。結果は下記の通りであった。
多孔膜（空孔率54％、厚さ25μｍ）の空孔中に含浸した
固体高分子電解質膜を作成し、この電解質膜を上記のガ
ラス板の間に挾持して透過率及びヘイズ率を測定したと
ころ、それぞれ92.11 ％及び2.83％であった。 （例２）例１と同様にして、４−フェニルブチロニトリ
ル57重量％、２，２−ジフェニルプロピオニトリル19重
量％、ポリエチレングリコールジメチルエーテル（分子
量 250）19重量％、過塩素酸リチウム５重量％からなる
電解質溶液を作成し、屈折率及びイオン伝導度を測定し
た。結果は下記の通りであった。
【００４２】屈折率（20℃） 1.5143 屈折率（25℃） 1.5166 イオン伝導度 1.17mS／cm （例３）例１と同様にして、４−フェニルブチロニトリ
ル85.5重量％、ポリエチレングリコールメチルエーテル
9.5重量％及び過塩素酸リチウム５重量％からなる電解
質溶液を作成し、屈折率とイオン伝導度を測定した。結
果は下記の通りであった。
ル85.5重量％、ポリエチレングリコールメチルエーテル
9.5重量％及び過塩素酸リチウム５重量％からなる電解
質溶液を作成し、屈折率とイオン伝導度を測定した。結
果は下記の通りであった。
【００４３】屈折率（20℃） 1.5088 屈折率（25℃） 1.5103 イオン伝導度 0.99mS／cm
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、電解質の溶媒として
（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル及び／又は４
−フェニルブチロニトリル、及び（Ｂ）ポリアルキレン
グリコール又はそのエーテル化合物、好ましくは更に
（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオニトリルを用いるこ
とにより、屈折率が高分子多孔性薄膜の屈折率に近く、
さらに微調整も可能であり、またイオン伝導性が高くで
き、透明性も高く、常温常圧で蒸気圧が低い電解質溶媒
を用いたエレクトロクロミック素子を提供することがで
きる。
（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニトリル及び／又は４
−フェニルブチロニトリル、及び（Ｂ）ポリアルキレン
グリコール又はそのエーテル化合物、好ましくは更に
（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオニトリルを用いるこ
とにより、屈折率が高分子多孔性薄膜の屈折率に近く、
さらに微調整も可能であり、またイオン伝導性が高くで
き、透明性も高く、常温常圧で蒸気圧が低い電解質溶媒
を用いたエレクトロクロミック素子を提供することがで
きる。
【図１】図１は、反射型表示素子として用いる場合の本
発明ＥＣ素子の１例の断面図である。
発明ＥＣ素子の１例の断面図である。
１…基板 ２…対向電極 ３…背景板 ４…高分子電解質薄膜 ５…ＥＣ層 ６…透明導電膜 ７…透明基板
フロントページの続き (72)発明者 櫻田 智 埼玉県入間郡大井町西鶴ヶ岡１丁目３番１ 号 東燃株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 エレクトロクロミック電極と対向電極と
の間に電解質を介在させて成るエレクトロクロミック素
子において、該電解質として高分子多孔性薄膜の空孔中
にイオン導電体を充填した電解質薄膜を用い、該イオン
導電体が溶媒として（Ａ）ＤＬ−２−フェニルブチロニ
トリル及び／又は４−フェニルブチロニトリル及び
（Ｂ）ポリアルキレングリコール又はそのエーテル化合
物を含むことを特徴とするエレクトロクロミック素子。 - 【請求項２】 前記イオン導電体が溶媒として更に
（Ｃ）２，２−ジフェニルプロピオニトリルを含む請求
項１記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2570293A JPH06242473A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | エレクトロクロミック素子 |
| EP94903103A EP0628848A4 (en) | 1992-12-28 | 1993-12-28 | ELECTROCHROME DEVICE. |
| PCT/JP1993/001931 WO1994015245A1 (en) | 1992-12-28 | 1993-12-28 | Electrochromic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2570293A JPH06242473A (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242473A true JPH06242473A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12173125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2570293A Pending JPH06242473A (ja) | 1992-12-28 | 1993-02-15 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242473A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526801A (ja) * | 1998-10-06 | 2002-08-20 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | プロトンによりエレクトロクロミック的に切り替わるポリ−（３，４−ジオキシチオフェン）誘導体に基く装置 |
| KR100765120B1 (ko) * | 2005-01-13 | 2007-10-08 | 주식회사 엘지화학 | 광산란이 감소된 전기변색 장치 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP2570293A patent/JPH06242473A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526801A (ja) * | 1998-10-06 | 2002-08-20 | バイエル アクチェンゲゼルシャフト | プロトンによりエレクトロクロミック的に切り替わるポリ−（３，４−ジオキシチオフェン）誘導体に基く装置 |
| JP4759139B2 (ja) * | 1998-10-06 | 2011-08-31 | エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシュレンクテル・ハフツング | プロトンによりエレクトロクロミック的に切り替わるポリ−（３，４−ジオキシチオフェン）誘導体に基く装置 |
| KR100765120B1 (ko) * | 2005-01-13 | 2007-10-08 | 주식회사 엘지화학 | 광산란이 감소된 전기변색 장치 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3009725B2 (ja) | エレクトロクロミック素子、この素子に使用する物質、この素子の製造方法及びエレクトロクロミックガラス装置におけるこの素子の使用 | |
| US6420071B1 (en) | Method for improving the durability of ion insertion materials | |
| TWI288982B (en) | Electrolyte comprising eutectic mixture and electrochromic device using the same | |
| US7455935B2 (en) | Ion-conductive electrolyte and cell employing the same | |
| US10954351B2 (en) | Aprotic polymer-molten salt-solvent ternary composition, method for the preparation and use thereof in electrochemical systems | |
| KR101731301B1 (ko) | 다공성 고분자막을 이용한 전기변색소자 및 이를 포함하는 스마트 창호 | |
| JPH03504050A (ja) | エレクトロクロミックデバイスおよびその製造方法 | |
| CN102386356A (zh) | 无成膜剂的电解质分隔物系统及其在电化学能量储存中的应用 | |
| Wang et al. | A large-area, flexible, high contrast and long-life stable solid-state electrochromic device driven by an anion-assisted method | |
| Xiao et al. | Electro-optical performance of inorganic monolithic electrochromic device with a pulsed DC sputtered Li x Mg y N ion conductor | |
| EP0461685B1 (en) | Electrochromic window, based on a polymeric polyepoxy electrolyte | |
| JP3623050B2 (ja) | 高分子電解質および電気化学デバイス | |
| JPH06242473A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| US6246508B1 (en) | High voltage electrochromic device | |
| JPH05107566A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
| JPH05203998A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| KR100229987B1 (ko) | 비닐 아세테이트계 고체 고분자 전해질 | |
| JPH06250231A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| EP0628848A1 (en) | Electrochromic device | |
| JPH0534732A (ja) | 電解質薄膜 | |
| JPH06202167A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| JPH04324841A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| JPH06202165A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| EP0682284A2 (en) | Electrochromic device | |
| JPH04204521A (ja) | 可撓性エレクトロクロミック素子 |