JPS6062179A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS6062179A JPS6062179A JP17075383A JP17075383A JPS6062179A JP S6062179 A JPS6062179 A JP S6062179A JP 17075383 A JP17075383 A JP 17075383A JP 17075383 A JP17075383 A JP 17075383A JP S6062179 A JPS6062179 A JP S6062179A
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- Japan
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- layer
- semiconductor
- active layer
- semiconductor layer
- crystal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザの構造に関し、とくに共振器の反
射面劣化を防止する構造に関する。
射面劣化を防止する構造に関する。
半導体レーザの劣化はレーザ共振器の反射面を構成する
結晶表面の劣化や、共振器内部の非発光領域の拡大、電
極の劣化などいろいろの原因がある。半導体レーザの光
出力が大きくなると特に反射面の劣化が大きな問題とな
る。
結晶表面の劣化や、共振器内部の非発光領域の拡大、電
極の劣化などいろいろの原因がある。半導体レーザの光
出力が大きくなると特に反射面の劣化が大きな問題とな
る。
この反射面の劣化を防止する方法として、第１に結晶表
面を１ｄ２２０３．ＢＨＯ）、等の絶縁膜によって保護
し、結晶表面を外気よシしゃ断して安定化させる方法。
面を１ｄ２２０３．ＢＨＯ）、等の絶縁膜によって保護
し、結晶表面を外気よシしゃ断して安定化させる方法。
第２に不純物を結晶表面を除く活性層中に高濃度にドー
ピングし、この部分の実効的なバンドギャップを小さく
することＫよって、レーザの発振波長を長くし、反射面
付近のレーザ光の吸収をなくして、これによる結晶表面
の物理・化学的反応を抑制する方法（特願昭５２−７２
４４１）等が知られている。
ピングし、この部分の実効的なバンドギャップを小さく
することＫよって、レーザの発振波長を長くし、反射面
付近のレーザ光の吸収をなくして、これによる結晶表面
の物理・化学的反応を抑制する方法（特願昭５２−７２
４４１）等が知られている。
特に第２の方法は実効的なバンドギャップ差が数十ｍｅ
Ｖ ｌ！でちるが反射面の劣化防止に顕著な効果が得ら
れることが知られている。
Ｖ ｌ！でちるが反射面の劣化防止に顕著な効果が得ら
れることが知られている。
しかし従来のこの方法ではｓ １ｘｌＯ”３−”以上の
高濃度の不純物の拡散フロントをわずかに０．１−０，
２μｍ程の衡めて薄い活性層とその下の第１のクラッド
層との界面付近に止める技術が非常にむずかしく、また
、拡散すべき層構造のクエへに膜厚不均一性があると、
レーザの歩留りが悪くなるという欠点があった。
高濃度の不純物の拡散フロントをわずかに０．１−０，
２μｍ程の衡めて薄い活性層とその下の第１のクラッド
層との界面付近に止める技術が非常にむずかしく、また
、拡散すべき層構造のクエへに膜厚不均一性があると、
レーザの歩留りが悪くなるという欠点があった。
また、活性層を例えばＵ ｘＧａ １− ｘＡ ８とし
て、Ｇ ａ Ａ ｓよりバンドギャップを大きくすると
、反射面の劣化が急速に進行しやすくなるので、上記第
２の方法より大きなバンドギャップ差を活性層の発光領
域と反射面を含む非発光領域の間に設ける必要が生ずる
。
て、Ｇ ａ Ａ ｓよりバンドギャップを大きくすると
、反射面の劣化が急速に進行しやすくなるので、上記第
２の方法より大きなバンドギャップ差を活性層の発光領
域と反射面を含む非発光領域の間に設ける必要が生ずる
。
本発明の目的は上記従来法の欠点を除去することのでき
る半導体レーザの構造を提供することＫある。
る半導体レーザの構造を提供することＫある。
本発明によれｉ−１’、基板結晶の上に第１の導電型の
第１のクラッド層と活性層と第２の４電型の第２のクラ
ッド贋金順次形成した構造の半導体レーザにおいて、活
性層のうち反射面を含まない部分においては該活性層が
電子波長以下の厚さを有する第１の半導体層と第１の半
導体層より電子親和力が小さくしかも第１の半導体層中
の電子がトンネル可能な厚さを有する第２の半導体層と
を交互Ｋｍ層した積層構造を持ち、前記活性層の反射面
を含む残余の部分においては前記活性層構造の平均原子
組成に等しい混晶よシなることを特徴とする半導体レー
ザが得られる。
第１のクラッド層と活性層と第２の４電型の第２のクラ
ッド贋金順次形成した構造の半導体レーザにおいて、活
性層のうち反射面を含まない部分においては該活性層が
電子波長以下の厚さを有する第１の半導体層と第１の半
導体層より電子親和力が小さくしかも第１の半導体層中
の電子がトンネル可能な厚さを有する第２の半導体層と
を交互Ｋｍ層した積層構造を持ち、前記活性層の反射面
を含む残余の部分においては前記活性層構造の平均原子
組成に等しい混晶よシなることを特徴とする半導体レー
ザが得られる。
次に、本発明によって得られる半導体レーザの構造につ
いて図面を用いて説明する。第１図は本発明によって得
られる半導体レーザの構造を説明するための図で、発振
光の射光方向に平行に切断した断面図である。基板結晶
１の上に積層された第１の導電型の第１のり２ノド層２
と、活性層３と、第２の導電型の第２のり２ノド層４よ
シなりている。活性ＷＩ３は反射面５を含まない中央部
分３１が電子波長以下の厚さの第１の半導体３２と第１
の半導体より電子親和力が小さく第１の半導体中の電子
がトンネル可能な厚さの第２の半導体３３とが交互にＭ
Ｎしており、反射面を含む活性層の両端部分３４は中央
部分の積層構造の平均原子組成に等しい混晶半導体であ
る。活性層の積層構造には積層構造によって量子化準位
が作られる。
いて図面を用いて説明する。第１図は本発明によって得
られる半導体レーザの構造を説明するための図で、発振
光の射光方向に平行に切断した断面図である。基板結晶
１の上に積層された第１の導電型の第１のり２ノド層２
と、活性層３と、第２の導電型の第２のり２ノド層４よ
シなりている。活性ＷＩ３は反射面５を含まない中央部
分３１が電子波長以下の厚さの第１の半導体３２と第１
の半導体より電子親和力が小さく第１の半導体中の電子
がトンネル可能な厚さの第２の半導体３３とが交互にＭ
Ｎしており、反射面を含む活性層の両端部分３４は中央
部分の積層構造の平均原子組成に等しい混晶半導体であ
る。活性層の積層構造には積層構造によって量子化準位
が作られる。
本発明の半導体レーザに通電すると、この電子の量子化
準位と正孔の量子化準位のエネルギー差に対応した光が
発光する。活性層の両端部分は積層構造の平均的原子組
成を持つ混晶になっているので、積層構造中の等制約な
バンドギャップ（電子と正孔の量子化単位のエネルギー
差）より大きな値のバンドギャップを持つ。そのため、
積層構造で発生した光は、活性層の両端部分では吸収さ
れることがない。
準位と正孔の量子化準位のエネルギー差に対応した光が
発光する。活性層の両端部分は積層構造の平均的原子組
成を持つ混晶になっているので、積層構造中の等制約な
バンドギャップ（電子と正孔の量子化単位のエネルギー
差）より大きな値のバンドギャップを持つ。そのため、
積層構造で発生した光は、活性層の両端部分では吸収さ
れることがない。
以上述べたように、本発明は従来の第２の方法と同じ原
理によって活性層が＃凸表面に露出した部分における反
射面劣化を防止することを目的とするものである。しか
も、従来の第２の方法が実効的なバンドギャップ差とし
て数１０ｍｅＶ程度しか得られなかったが、本発明の構
造では、１００ｍｅＶ以上の実効的バンドギャップ差を
与えることも容易である。
理によって活性層が＃凸表面に露出した部分における反
射面劣化を防止することを目的とするものである。しか
も、従来の第２の方法が実効的なバンドギャップ差とし
て数１０ｍｅＶ程度しか得られなかったが、本発明の構
造では、１００ｍｅＶ以上の実効的バンドギャップ差を
与えることも容易である。
本発明の活性層の構造は、まず基板結晶上に全面にわた
って上記積層構造を作シ、反射面となるべき部分の積層
構造を選択的に消滅せしめることによって得られる、 その第１の方法は積層構造への不純物拡散である。例え
ば第１の半導体層としてＧａＡｓ、第２の半導体層とし
てａｈＡｓを用いて作った積層構造に例えばＣｄ ＋Ｚ
ｎを拡散すると、積層構造を構成する原子の相互作用が
促進されて、不純物を拡散した部分だけが選択的に積層
構造を失なう。
って上記積層構造を作シ、反射面となるべき部分の積層
構造を選択的に消滅せしめることによって得られる、 その第１の方法は積層構造への不純物拡散である。例え
ば第１の半導体層としてＧａＡｓ、第２の半導体層とし
てａｈＡｓを用いて作った積層構造に例えばＣｄ ＋Ｚ
ｎを拡散すると、積層構造を構成する原子の相互作用が
促進されて、不純物を拡散した部分だけが選択的に積層
構造を失なう。
その第２の方法は積層構造へのイオン打込みでちる。上
で述べたＪＡｓとＧ ａ Ａ ｓの積層構造を再び例に
とる。この積層構造に例えばＨｅＡｓ 、 Ｇａ 、
Ｂ ｅ ＊等のイオンを打込むと結晶格子が破壊される
。原子の相互拡散によって積層構造が消滅しない程度に
昇温し、アニーリングすることによって、イオン打込み
した部分の格子構造を回復させると、この回復過程で原
子の相互拡散が促進され、積層構造が失なわれて、積層
構造の平均原子組成と等しい組成の混晶が得られる。
で述べたＪＡｓとＧ ａ Ａ ｓの積層構造を再び例に
とる。この積層構造に例えばＨｅＡｓ 、 Ｇａ 、
Ｂ ｅ ＊等のイオンを打込むと結晶格子が破壊される
。原子の相互拡散によって積層構造が消滅しない程度に
昇温し、アニーリングすることによって、イオン打込み
した部分の格子構造を回復させると、この回復過程で原
子の相互拡散が促進され、積層構造が失なわれて、積層
構造の平均原子組成と等しい組成の混晶が得られる。
上で説明したように、積層構造を消滅せしめる方法は消
滅を希望する積層構造に拡散やイオンの打込みを行なう
もので、拡散やイオンの打込みが積層構造に達していれ
ば、積層構造を突抜けても良い。従って、本発明の半導
体レーザでは積層構造を形成した基板結晶に膜厚不均一
性があっても。
滅を希望する積層構造に拡散やイオンの打込みを行なう
もので、拡散やイオンの打込みが積層構造に達していれ
ば、積層構造を突抜けても良い。従って、本発明の半導
体レーザでは積層構造を形成した基板結晶に膜厚不均一
性があっても。
歩留りが悪くなることがないという長所がおる。
次に本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第２図は本発明の第１の実施例の説明図で、積層構造を
消滅せしめるのにＺｎの拡散を行なった場合のものであ
る。ｎ＝２ｘｌＯ”ｃＷｌ−”ｃＤ （１００） 面方
位を持つＧ ａＡ ｓ基板結晶１の上に分子線結晶成長
法により、８ｉをドープしたｎ ＝Ｉ Ｘ １０”ｃｒ
ｎ−”のん〜Ｇａ （１−Ｘ）Ａｓ （ｘ＝０．４ ）
’ｆ ２を厚さ２ｐｍ、厚さ１５λのＡｉｙＧａ （
１−ｙ）Ａｓ （ｙ ＝Ｏ−３６）と厚さ２５ＸのＧａ
Ａｓを１周期とする２５周期の積層構造３＋Ｂｅをドー
グしたｐ＝５ Ｘ １０１７ｆｆｉ−”の）Ｊ！−ｘＧ
ａ （１−、）Ａｓ層４を厚さ２μｍ、ｐ＝５×１０１
７ｍ−３のＧａＡｓ ＠ ６を厚さ０．２μｍ次々に成
長する。
消滅せしめるのにＺｎの拡散を行なった場合のものであ
る。ｎ＝２ｘｌＯ”ｃＷｌ−”ｃＤ （１００） 面方
位を持つＧ ａＡ ｓ基板結晶１の上に分子線結晶成長
法により、８ｉをドープしたｎ ＝Ｉ Ｘ １０”ｃｒ
ｎ−”のん〜Ｇａ （１−Ｘ）Ａｓ （ｘ＝０．４ ）
’ｆ ２を厚さ２ｐｍ、厚さ１５λのＡｉｙＧａ （
１−ｙ）Ａｓ （ｙ ＝Ｏ−３６）と厚さ２５ＸのＧａ
Ａｓを１周期とする２５周期の積層構造３＋Ｂｅをドー
グしたｐ＝５ Ｘ １０１７ｆｆｉ−”の）Ｊ！−ｘＧ
ａ （１−、）Ａｓ層４を厚さ２μｍ、ｐ＝５×１０１
７ｍ−３のＧａＡｓ ＠ ６を厚さ０．２μｍ次々に成
長する。
次にその表面にＳ ｉ ０２膜を堆積させ、その上にフ
ォトレジスト膜を形成し、リングラフィ技術ヲ用いて第
３図のように２５０μｍ間隔で幅５０μｍ。
ォトレジスト膜を形成し、リングラフィ技術ヲ用いて第
３図のように２５０μｍ間隔で幅５０μｍ。
長さ５０Ｘｍの窓１０１ｒ：開け、この窓を通してＺｎ
を６５０℃で３μｍの深さまで拡散する。この過程でＺ
ｎの拡散された領域７の活性層は積層構造を失ない、そ
の平均原子組成に等しい混晶層となる。次にＳｉｎ、膜
を取除き、新して５ｉｎ２膜を堆積させる。
を６５０℃で３μｍの深さまで拡散する。この過程でＺ
ｎの拡散された領域７の活性層は積層構造を失ない、そ
の平均原子組成に等しい混晶層となる。次にＳｉｎ、膜
を取除き、新して５ｉｎ２膜を堆積させる。
それに第４図のようにＺｎの拡散領域上を通る幅１５μ
ｍのストライプ状の窓１１を開けｐ星のオーミック電極
８を作って電極ストライプ構造とした。
ｍのストライプ状の窓１１を開けｐ星のオーミック電極
８を作って電極ストライプ構造とした。
ｎ＋基板側にはｎｆｆ１オーミツク電極９をつけた。
最後にストライプ状の電極に垂直にＺｎ拡散領域を通る
ように襞間して反射面５を形成し、半導体レーザチップ
とした。
ように襞間して反射面５を形成し、半導体レーザチップ
とした。
本実施例では第１のクラッド層２までＺｎを拡散するこ
とによって、第１のクラッド層内ｐｎ接合ができ、順方
向に電圧が印加されるが、積層構造の等制約なバンドギ
ャップ（電子と正孔の量子単位のエネルギー差）よシ大
きな値のバンドギャップを持っているので、第１のクラ
ッド層内のｐ−ｎ接合を通じて電流が流れ出す前に１積
層構造における発光過程を通じて電流が流れるので、電
流のリーク量は少ない。本実施例で得られた半導体レー
ザは波長７６００Ａで発振し、３０ｍＷで室温連続発振
させても１０００時間の寿命試験後も反射面に何等の劣
化も認められなかった。
とによって、第１のクラッド層内ｐｎ接合ができ、順方
向に電圧が印加されるが、積層構造の等制約なバンドギ
ャップ（電子と正孔の量子単位のエネルギー差）よシ大
きな値のバンドギャップを持っているので、第１のクラ
ッド層内のｐ−ｎ接合を通じて電流が流れ出す前に１積
層構造における発光過程を通じて電流が流れるので、電
流のリーク量は少ない。本実施例で得られた半導体レー
ザは波長７６００Ａで発振し、３０ｍＷで室温連続発振
させても１０００時間の寿命試験後も反射面に何等の劣
化も認められなかった。
更に反射面にＡｌ２Ｏ５膜をスパッタ法で付着させ、反
射面劣化の防止を更に計った場合には５０ｍＷで室温連
続発振させても１０００時間の寿命試験後反射面に何等
の劣化も認められず、本発明の効果は顕著であった◎ 次に第２の実施例について説明する。
射面劣化の防止を更に計った場合には５０ｍＷで室温連
続発振させても１０００時間の寿命試験後反射面に何等
の劣化も認められず、本発明の効果は顕著であった◎ 次に第２の実施例について説明する。
ｎ＝２ Ｘ １０１８（ｙＢ−”の（１００）面方位を
持つＧ ａ Ａ ｓ基板結晶に分子線結晶成長法によＪ
ＪＳｉをドープしたｎ ＝Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−”の
μ”ａ（１−ｚ ）Ａｓ層（ｘ＝０．４）ＧａＡｓを１
周期とする２５周期の積層構造とＥｅをドーグしたｐ＝
５Ｘ１０Ｉ７ｃｍ−”のｋｌ、Ｇａ （１−、）Ａｓ層
（ｘ＝０．４ ）を厚さ” １１” ｒ Ｄ ”５ Ｘ
１０′７ｃｒｎ−”のＧａＡ＠層を厚さ０．２μｍを
次々に成長した。
持つＧ ａ Ａ ｓ基板結晶に分子線結晶成長法によＪ
ＪＳｉをドープしたｎ ＝Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−”の
μ”ａ（１−ｚ ）Ａｓ層（ｘ＝０．４）ＧａＡｓを１
周期とする２５周期の積層構造とＥｅをドーグしたｐ＝
５Ｘ１０Ｉ７ｃｍ−”のｋｌ、Ｇａ （１−、）Ａｓ層
（ｘ＝０．４ ）を厚さ” １１” ｒ Ｄ ”５ Ｘ
１０′７ｃｒｎ−”のＧａＡ＠層を厚さ０．２μｍを
次々に成長した。
次に、Ｕを２μｍの厚さに蒸着し、ホトリソグラフィ技
術で幅１５μｍ長さ２５０１１ｍの矩形に残して残シを
エツチングする。八！のエツチングは例えば温度６０℃
のＨｓ Ｐ ０４液を用いれば良い。この残されたへβ
膜をストッパーとして１７０ＫｅＶに加速されたプロト
ンをＩ Ｘ １０” ｃｌｌｌ−”の打込み密度で打込
む。
術で幅１５μｍ長さ２５０１１ｍの矩形に残して残シを
エツチングする。八！のエツチングは例えば温度６０℃
のＨｓ Ｐ ０４液を用いれば良い。この残されたへβ
膜をストッパーとして１７０ＫｅＶに加速されたプロト
ンをＩ Ｘ １０” ｃｌｌｌ−”の打込み密度で打込
む。
この時、ストライプ状のｖ慣の下にはプロトンが打込ま
れず、残シの部分は約１．５μｍまでプロトンが打込ま
れて高抵抗化する。次に、ａを６０℃のＮ３ ＰＯ４液
で除去し、ＳｉＨ４とＮ２ガスを用いたグ２ズマＣＶＤ
法でＳｉ３Ｎ４膜を堆積させる。これを６５０℃で１５
分間アニールすればプロトンの打込まれた領域の結晶構
造は回復し、この回復過程で積層構造の原子の相互拡散
が促進されて、この領域の積層構造は消滅し、積層構造
と等しい原子組成を持りたＡＪ２６．３ Ｇａｏ、 ７
Ａ８が得られた。Ｐ型、ｎ型のオーミック電極を形成
し、ストライプの長尺方向にストライプから２５１ｍ離
して骨開面を形成し、反射面とした。
れず、残シの部分は約１．５μｍまでプロトンが打込ま
れて高抵抗化する。次に、ａを６０℃のＮ３ ＰＯ４液
で除去し、ＳｉＨ４とＮ２ガスを用いたグ２ズマＣＶＤ
法でＳｉ３Ｎ４膜を堆積させる。これを６５０℃で１５
分間アニールすればプロトンの打込まれた領域の結晶構
造は回復し、この回復過程で積層構造の原子の相互拡散
が促進されて、この領域の積層構造は消滅し、積層構造
と等しい原子組成を持りたＡＪ２６．３ Ｇａｏ、 ７
Ａ８が得られた。Ｐ型、ｎ型のオーミック電極を形成
し、ストライプの長尺方向にストライプから２５１ｍ離
して骨開面を形成し、反射面とした。
本実施例で得られた半導体レーザに通電したところ、７
７００Ａで発振し、３０ｍＷで室温連続発振させて寿命
試験をしたところ、１０００時間後にも反射面には何ら
の劣化も認−められす、また、反射面をＡＬ２０ｓのス
パッタ膜で保瞳した場合には６０ｍＷの室温蓮〜続発振
２０００時間後も反射面には劣化が認められず本発明の
効果は顕著であった。
７００Ａで発振し、３０ｍＷで室温連続発振させて寿命
試験をしたところ、１０００時間後にも反射面には何ら
の劣化も認−められす、また、反射面をＡＬ２０ｓのス
パッタ膜で保瞳した場合には６０ｍＷの室温蓮〜続発振
２０００時間後も反射面には劣化が認められず本発明の
効果は顕著であった。
本実施例ではＧａＡｓ基板上のＡ乙ｉとＧａＡｓの積層
構造１．Ｕｙ Ｇａ （１−ｙ ）ＡａとＧａＡｓの積
層構造について説明したが、本発明の原理から明らかな
ように本発明はこの材料に限られる訳ではなく、活性層
を構成する積層構造としてＧ ａ Ａ ａとＩ ｎ Ｇ
ａ Ｐ ｎＧａＡｓとＩｎＧａＡｆＰ 等でもよく、ま
た、混晶同志の積層構造でもよい。また、ＩｎＰ基板上
のＩｎ ＧａＡｓとＩｎＰ ＊ ＩｎＧａＡｓとＩ ｎ
ＧａＡｓＰ ｍ Ｉ ｎＧａＡｓとＩ ｎ）ｖｅＡｓ等
の混晶の積層構造でもよい。
構造１．Ｕｙ Ｇａ （１−ｙ ）ＡａとＧａＡｓの積
層構造について説明したが、本発明の原理から明らかな
ように本発明はこの材料に限られる訳ではなく、活性層
を構成する積層構造としてＧ ａ Ａ ａとＩ ｎ Ｇ
ａ Ｐ ｎＧａＡｓとＩｎＧａＡｆＰ 等でもよく、ま
た、混晶同志の積層構造でもよい。また、ＩｎＰ基板上
のＩｎ ＧａＡｓとＩｎＰ ＊ ＩｎＧａＡｓとＩ ｎ
ＧａＡｓＰ ｍ Ｉ ｎＧａＡｓとＩ ｎ）ｖｅＡｓ等
の混晶の積層構造でもよい。
第１図は本発明の半導体レーザの構造を説明するための
断面図、第２図は本発明の第１の実施例の断面図、第３
図と第４図は第１の実施例の工程を説明するための斜視
図で、図において、１・・・基板結晶、２・・・第、１
のり２ラド層、３・・・活性層、４・・・第２のクラッ
ド層、５・・・反射面、３２・・・第１の半導体層、３
３・・・第２の半導体層、７・・・Ｚｎの拡散された領
域、８・・・ｐｍオーミック電他、９・・・ｎ屋オーミ
ック電極。 ７１−１ 図 片 ２ 図 ７１−４ 図 １
断面図、第２図は本発明の第１の実施例の断面図、第３
図と第４図は第１の実施例の工程を説明するための斜視
図で、図において、１・・・基板結晶、２・・・第、１
のり２ラド層、３・・・活性層、４・・・第２のクラッ
ド層、５・・・反射面、３２・・・第１の半導体層、３
３・・・第２の半導体層、７・・・Ｚｎの拡散された領
域、８・・・ｐｍオーミック電他、９・・・ｎ屋オーミ
ック電極。 ７１−１ 図 片 ２ 図 ７１−４ 図 １
Claims (1)
- 基板結晶の上に第１の導電型の第１のクラッド層と活性
層と第２の導電型の第２のクランド層を順次形成した構
造の半導体レーザにおいて、活性層のうち反射面を含ま
ない部分においては該活性層が電子波長以下の厚さを有
する第１の半導体層と、第１の半導体層より電子親和力
が小さくしかも第１の半導体層中の電子がトンネル可能
な厚さを有する第２の半導体層とを交互に積層した積層
構造を持ち、前記活性層の反射面を含む残余の部分にお
いては前記積層構造の平均原子組成に等しい混晶よりな
ることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17075383A JPS6062179A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17075383A JPS6062179A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062179A true JPS6062179A (ja) | 1985-04-10 |
Family
ID=15910746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17075383A Pending JPS6062179A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6062179A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5333754A (en) * | 1992-08-19 | 1994-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Shelf for housing products in an automatic frozen-product vending machine |
| JPH07249827A (ja) * | 1994-01-24 | 1995-09-26 | Nec Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| FR2788172A1 (fr) * | 1998-12-30 | 2000-07-07 | Thomson Csf | Procede de realisation de structures laser de puissance a miroirs non absorbants et structures ainsi obtenues |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518078A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-07 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emission device |
| JPS58225677A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 高出力半導体レ−ザ装置 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17075383A patent/JPS6062179A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518078A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-07 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emission device |
| JPS58225677A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 高出力半導体レ−ザ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5333754A (en) * | 1992-08-19 | 1994-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Shelf for housing products in an automatic frozen-product vending machine |
| JPH07249827A (ja) * | 1994-01-24 | 1995-09-26 | Nec Corp | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| FR2788172A1 (fr) * | 1998-12-30 | 2000-07-07 | Thomson Csf | Procede de realisation de structures laser de puissance a miroirs non absorbants et structures ainsi obtenues |
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