JPS6058624A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6058624A JPS6058624A JP16776083A JP16776083A JPS6058624A JP S6058624 A JPS6058624 A JP S6058624A JP 16776083 A JP16776083 A JP 16776083A JP 16776083 A JP16776083 A JP 16776083A JP S6058624 A JPS6058624 A JP S6058624A
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- JP
- Japan
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- gas
- etching
- mixing
- gases
- anisotropic
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマ装置による多結晶シリコンのドライ
エツチングにおいて、エツチング時間を早め、異方性エ
ツチングを高めることに関する。
エツチングにおいて、エツチング時間を早め、異方性エ
ツチングを高めることに関する。
従来のドライエツチングにおいては、単一のエツチング
ガスのみ用いており、第１図に示す如く等方性エツチン
グのため・サイドエッチ量も大きく、寸法精度の悪いも
のであった◇その後、寸法精度をあげるため、異方性エ
ツチングができるガスを単一、または、混合したものを
用いるようになってきた〇 エツチング混合ガスとして、エツチング時間を早めるこ
とを特徴とするガス（以下ガス１とする）と１異方性エ
ツチングを特徴とするガス（以下ガス２とする）の２種
類によるものを使用してきたＯところが、ガス１．ガス
２による混合ガスは、反面、次に挙げるような欠点をも
っている。
ガスのみ用いており、第１図に示す如く等方性エツチン
グのため・サイドエッチ量も大きく、寸法精度の悪いも
のであった◇その後、寸法精度をあげるため、異方性エ
ツチングができるガスを単一、または、混合したものを
用いるようになってきた〇 エツチング混合ガスとして、エツチング時間を早めるこ
とを特徴とするガス（以下ガス１とする）と１異方性エ
ツチングを特徴とするガス（以下ガス２とする）の２種
類によるものを使用してきたＯところが、ガス１．ガス
２による混合ガスは、反面、次に挙げるような欠点をも
っている。
ガス１の影響で、等方性の強いエツチングとなり、サイ
ドエッチ量が大きくなる。また、ガス２の影響で、エツ
チング時間が遅くなり、熱によりレジストを著しく変質
させる０ 本発明は、かかる欠点を除去したもので、本発明の目的
は、エツチング時間を遅くすることなく、熱によるレジ
ストの変質を防ぎ、第２図に示す如く、より異方性の高
いエツチングを行なうことである。
ドエッチ量が大きくなる。また、ガス２の影響で、エツ
チング時間が遅くなり、熱によりレジストを著しく変質
させる０ 本発明は、かかる欠点を除去したもので、本発明の目的
は、エツチング時間を遅くすることなく、熱によるレジ
ストの変質を防ぎ、第２図に示す如く、より異方性の高
いエツチングを行なうことである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明するＯガス１
、ガス２による混合ガスにおいて、エツチング時間を遅
くすることなく、より異方性の高いエツチングを行ない
、さらに１熱によるレジストの変質を防ぐために、冷却
効果のあるガス（以下ガス３とする）を混合することを
提案する。ガス３によりガス２の異方性エツチングの特
徴を大きく引き出すことができる。また、ガス２のエツ
チング時間の遅い性質を、ガス１を適量混合することに
より、早めることができる。なお、ガス１、ガス２．ガ
ス３の混合比は、 （ガス１）：（ガス２）＝（ガス３） ＝１０：６０：１ が最適であった。また具体的なガスの例として、０ガス
ト・・・・・六フッ化硫黄（ＳＩＦ６）０ガス２・・・
・・・７レオン１１５ （０，０ｎＦＩＩ）０ガス３・
・・・・・ヘリウム（Ｈｅ ）が挙げられる。
、ガス２による混合ガスにおいて、エツチング時間を遅
くすることなく、より異方性の高いエツチングを行ない
、さらに１熱によるレジストの変質を防ぐために、冷却
効果のあるガス（以下ガス３とする）を混合することを
提案する。ガス３によりガス２の異方性エツチングの特
徴を大きく引き出すことができる。また、ガス２のエツ
チング時間の遅い性質を、ガス１を適量混合することに
より、早めることができる。なお、ガス１、ガス２．ガ
ス３の混合比は、 （ガス１）：（ガス２）＝（ガス３） ＝１０：６０：１ が最適であった。また具体的なガスの例として、０ガス
ト・・・・・六フッ化硫黄（ＳＩＦ６）０ガス２・・・
・・・７レオン１１５ （０，０ｎＦＩＩ）０ガス３・
・・・・・ヘリウム（Ｈｅ ）が挙げられる。
第１図は、従来の方法でエツチングした場合の断面図。
第２図は、本発明の方法でエツチングした場合の断面図
。 第１図、第２図ともＫＳ（ｌはレジストパターン１ｂは
多結晶シリコン、Ｃは半導体基板、である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
。 第１図、第２図ともＫＳ（ｌはレジストパターン１ｂは
多結晶シリコン、Ｃは半導体基板、である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 多結晶シリコンのドライエツチングにプラズマ装置を用
いた半導体装置の製造方法において、該プラズマ装置に
導入するエツチング混合ガスに、少なくとも３種類以上
を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16776083A JPS6058624A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16776083A JPS6058624A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058624A true JPS6058624A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15855580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16776083A Pending JPS6058624A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058624A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
| JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS57145328A (en) * | 1981-01-30 | 1982-09-08 | Siemens Ag | Method of producing polysilicon structure |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP16776083A patent/JPS6058624A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
| JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS57145328A (en) * | 1981-01-30 | 1982-09-08 | Siemens Ag | Method of producing polysilicon structure |
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