JPS6058624A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6058624A JPS6058624A JP16776083A JP16776083A JPS6058624A JP S6058624 A JPS6058624 A JP S6058624A JP 16776083 A JP16776083 A JP 16776083A JP 16776083 A JP16776083 A JP 16776083A JP S6058624 A JPS6058624 A JP S6058624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- mixing
- gases
- anisotropic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマ装置による多結晶シリコンのドライ
エツチングにおいて、エツチング時間を早め、異方性エ
ツチングを高めることに関する。
エツチングにおいて、エツチング時間を早め、異方性エ
ツチングを高めることに関する。
従来のドライエツチングにおいては、単一のエツチング
ガスのみ用いており、第1図に示す如く等方性エツチン
グのため・サイドエッチ量も大きく、寸法精度の悪いも
のであった◇その後、寸法精度をあげるため、異方性エ
ツチングができるガスを単一、または、混合したものを
用いるようになってきた〇 エツチング混合ガスとして、エツチング時間を早めるこ
とを特徴とするガス(以下ガス1とする)と1異方性エ
ツチングを特徴とするガス(以下ガス2とする)の2種
類によるものを使用してきたOところが、ガス1.ガス
2による混合ガスは、反面、次に挙げるような欠点をも
っている。
ガスのみ用いており、第1図に示す如く等方性エツチン
グのため・サイドエッチ量も大きく、寸法精度の悪いも
のであった◇その後、寸法精度をあげるため、異方性エ
ツチングができるガスを単一、または、混合したものを
用いるようになってきた〇 エツチング混合ガスとして、エツチング時間を早めるこ
とを特徴とするガス(以下ガス1とする)と1異方性エ
ツチングを特徴とするガス(以下ガス2とする)の2種
類によるものを使用してきたOところが、ガス1.ガス
2による混合ガスは、反面、次に挙げるような欠点をも
っている。
ガス1の影響で、等方性の強いエツチングとなり、サイ
ドエッチ量が大きくなる。また、ガス2の影響で、エツ
チング時間が遅くなり、熱によりレジストを著しく変質
させる0 本発明は、かかる欠点を除去したもので、本発明の目的
は、エツチング時間を遅くすることなく、熱によるレジ
ストの変質を防ぎ、第2図に示す如く、より異方性の高
いエツチングを行なうことである。
ドエッチ量が大きくなる。また、ガス2の影響で、エツ
チング時間が遅くなり、熱によりレジストを著しく変質
させる0 本発明は、かかる欠点を除去したもので、本発明の目的
は、エツチング時間を遅くすることなく、熱によるレジ
ストの変質を防ぎ、第2図に示す如く、より異方性の高
いエツチングを行なうことである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明するOガス1
、ガス2による混合ガスにおいて、エツチング時間を遅
くすることなく、より異方性の高いエツチングを行ない
、さらに1熱によるレジストの変質を防ぐために、冷却
効果のあるガス(以下ガス3とする)を混合することを
提案する。ガス3によりガス2の異方性エツチングの特
徴を大きく引き出すことができる。また、ガス2のエツ
チング時間の遅い性質を、ガス1を適量混合することに
より、早めることができる。なお、ガス1、ガス2.ガ
ス3の混合比は、 (ガス1):(ガス2)=(ガス3) =10:60:1 が最適であった。また具体的なガスの例として、0ガス
ト・・・・・六フッ化硫黄(SIF6)0ガス2・・・
・・・7レオン115 (0,0nFII)0ガス3・
・・・・・ヘリウム(He )が挙げられる。
、ガス2による混合ガスにおいて、エツチング時間を遅
くすることなく、より異方性の高いエツチングを行ない
、さらに1熱によるレジストの変質を防ぐために、冷却
効果のあるガス(以下ガス3とする)を混合することを
提案する。ガス3によりガス2の異方性エツチングの特
徴を大きく引き出すことができる。また、ガス2のエツ
チング時間の遅い性質を、ガス1を適量混合することに
より、早めることができる。なお、ガス1、ガス2.ガ
ス3の混合比は、 (ガス1):(ガス2)=(ガス3) =10:60:1 が最適であった。また具体的なガスの例として、0ガス
ト・・・・・六フッ化硫黄(SIF6)0ガス2・・・
・・・7レオン115 (0,0nFII)0ガス3・
・・・・・ヘリウム(He )が挙げられる。
第1図は、従来の方法でエツチングした場合の断面図。
第2図は、本発明の方法でエツチングした場合の断面図
。 第1図、第2図ともKS(lはレジストパターン1bは
多結晶シリコン、Cは半導体基板、である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
。 第1図、第2図ともKS(lはレジストパターン1bは
多結晶シリコン、Cは半導体基板、である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 多結晶シリコンのドライエツチングにプラズマ装置を用
いた半導体装置の製造方法において、該プラズマ装置に
導入するエツチング混合ガスに、少なくとも3種類以上
を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16776083A JPS6058624A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16776083A JPS6058624A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6058624A true JPS6058624A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15855580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16776083A Pending JPS6058624A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6058624A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
JPS57145328A (en) * | 1981-01-30 | 1982-09-08 | Siemens Ag | Method of producing polysilicon structure |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP16776083A patent/JPS6058624A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
JPS56144541A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Fujitsu Ltd | Etching method |
JPS57145328A (en) * | 1981-01-30 | 1982-09-08 | Siemens Ag | Method of producing polysilicon structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62263638A (ja) | 傾斜側面接触孔の形成方法 | |
JPS5269587A (en) | Device and manufacture for high voltage resisting semiconductor | |
GB1377769A (en) | Methods of preparing shadow masks | |
JPS6058624A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS53110374A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5243370A (en) | Method of forming depression in semiconductor substrate | |
JPH03141640A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW362259B (en) | Method for forming an isolation region in a semiconductor device and resulting structure | |
JPS51136289A (en) | Semi-conductor producing | |
JPS5490032A (en) | Plasma etching method | |
JPS63299343A (ja) | エッチング方法 | |
JP2723384B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5512754A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
JP2578092B2 (ja) | エツチング方法 | |
JPH03222417A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5478970A (en) | Diffusion method for impurity | |
JPH04290429A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5911630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6144430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60220936A (ja) | 単結晶シリコン基板のエツチング方法 | |
JPS5245290A (en) | Integrated circuit of semiconductor and method for its fabrication | |
JPH02278821A (ja) | 多結晶シリコンのパターニング方法 | |
JPS5951531A (ja) | ドライエツチング方法 | |
JPS52141574A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS5513964A (en) | Method of manufacturing semiconductor device |