JP2723384B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
法に関する。さらに詳しくは、ドライエッチング工程で
使用される反応性ガスに関する。
するドライエッチングに使用される反応性ガスは、CF
4 +H2 、CF4 +CHF3 、CHF3 、CHF3+O2
あるいはCH2 F2 が知られている。
グ工程で用いられる反応性ガスは、Hがフッ化炭素化合
物からのFの引抜き反応を起こし、引抜き反応が進むこ
とにより酸化膜と基板に対するエッチングの選択比を高
めることができる。一方、次のような問題を生じてい
る。
基板11上に酸化シリコン膜12を形成し、この上に形成さ
れたフォトレジストパターン13をマスクにしてドライエ
ッチング法によってエッチングすると、図2(b) 及び
(c) に示すように、CHF+ ,CHF2 + によりC, F
の高密度欠陥層14とHによる深い結晶欠陥層15が形成さ
れる。また、上述の結晶欠陥層が形成されるとコンタク
ト抵抗が高くなるか、あるいは、非オーミックとなる。
イエッチング)17によりコンタクト抵抗は下がるが超L
SIではXj(接合深さ)が浅くなるため欠陥層が深け
ればリークが発性する。また図2(d) に示すようにXj
を超えないとしても欠陥層の除去の際にアンダーカット
16が発生し次工程の配線の形成が難しい。この発明は上
記問題を解決するためになされたものであって、酸化膜
と基板に対するエッチングの選択比が高く、基板に結晶
欠陥を起こすことなく酸化膜をエッチングして半導体装
置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供
しようとするものである。
コン基板上に形成されたシリコン酸化膜のエッチングを
行う際に、式:Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)
のフッ化炭素ガスとCOガス又はNOガスとを使用する
シリコン酸化膜のエッチング方法が提供される。
2n(n=2〜4)のフッ化炭素ガスが用いられる。フッ
化炭素ガスは、シリコン基板上に形成された酸化シリコ
ン膜をドライエッチングするプラズマの原料であって、
対応するプラズマが酸化シリコンに対して高いエッチン
グ性を有しシリコンに対して低いエッチング性を有する
(エッチング選択性)と共にシリコン基板面に照射され
てもシリコン単結晶内に進入しても結晶欠陥を誘発しな
いものがよく、Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)
で示されるものを用いることができる。
6)で示されるフッ化炭素ガスは、C2F6、C
3F8、C4F10、C5F12、C6F14、C2F
4、C3F6、C4F8、C5F10及びC6F12が
あり、この中でもC2F6、C3F8 、C 2F4、C3
F6及びC4F6は、常温において気体であり、気化装
置が不要で取扱いが容易なので好ましい。
独で用いてもよいがフッ化炭素ガスとπ結合を有するC
OもしくはNOガスとを使用してもよい。π結合を有す
るCOもしくはNOガスは、シリコン基板上に形成され
た酸化シリコン膜をエッチングせず、フッ化炭素ガスと
混合して用いることによりドライエッチングを行なうプ
ラズマのエッチング選択性(酸化シリコンに対し高いエ
ッチング性を有しシリコンに対して低いエッチング性を
有する)を高めることができる。
スは、シリコン基板面に照射されてもシリコン単結晶内
に進入しないプラズマを形成することができる。フッ化
炭素ガスとπ結合を有するCOもしくはNOガスの使用
量の比は、使用するフッ化炭素ガスにもよるが、通常1
対3以上が必要であり高選択比を得るためには1対50
程度の容量比が必要である。
から発生したイオンは、サイズが大きくシリコン基板の
結晶内に入らない。またπ結合を持つCOもしくはNO
ガスは、酸化膜エッチング時はSiO2よりOが放出さ
れるためCOはCO2となりSiO2エッチングは進行す
るが、SiエッチではOがないためCOはデポガスとな
り選択比を高める。
示すように、シリコン基板1の上に膜厚0.5〜1.5
μmの酸化シリコン膜2を形成し、この上にレジストパ
ターン3を形成する。
を、磁気強化反応性イオンエッチング(MERIT)装
置に配置し、反応性ガスとしてCOガスとC2F6ガス
を1/4の容量比で混合したガスを用いてレジストパタ
ーン3をマスクにして酸化シリコン膜2をエッチングす
る。酸化シリコン膜2のエッチングによってシリコン基
板1も若干エッチングされるが、このシリコン基板内へ
拡散したC及びFは、その濃度と深さの関係を図1
(c)に示すように、少ない。
晶欠陥層の形成は認められない。 実施例2 実施例1において、C2 F6 ガスを用いる代わりにC4
F8 ガスを用いこの他は実施例1と同様にして酸化シリ
コン膜のエッチングを行った。得られたシリコン基板
は、TEM観察により結晶欠陥層の形成は認められな
い。
晶欠陥層を発生させることなく酸化膜をエッチングして
半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方
法を提供することができる。
工程説明図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸
化膜のエッチングを行う際に、 式:Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)のフッ化炭
素ガスとCOガス又はNOガスとを使用することを特徴
とするシリコン酸化膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3159044A JP2723384B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3159044A JP2723384B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513376A JPH0513376A (ja) | 1993-01-22 |
JP2723384B2 true JP2723384B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=15685006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3159044A Expired - Lifetime JP2723384B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2723384B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001027987A1 (fr) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Daikin Industries, Ltd. | Gaz de gravure a sec |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0489407A3 (en) * | 1990-12-03 | 1992-07-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using uhf/vhf resonant antenna source, and processes |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3159044A patent/JP2723384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0513376A (ja) | 1993-01-22 |
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