JPS6058584B2 - 半導体内部接続装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路の組立てに際し、接続線を半
導体素子と、外部端子などに接続する場合に使用する装
置に関するものである。

上記目的て使用される従来の半導体内部接続装置は、
集積回路のアイランド部に対応する部分を沈めたリード
フレームが用いられている。

この接続装置の接続用凹部を加工するには第１図に示す
ようにカートリッジヒーター１を内装したベース２の表
面に、主加熱部３、にげ部４、副加熱部５などの接続用
凹部を機械加工によつて一個ずつ製造を行なつていた。
ここに副加熱部５は半導体集積回路の組立てを行なう
前に半導体素子をプレヒートを行なうための凹部であり
、また主加熱部３は、半導体素子を副加熱部５内で加熱
した後、これを受入れ、半導体素子と、接続線とを主加
熱部３内で加熱して接続を行ない、またにげ部４は半導
体素子のアイランドに接続されたリードを収容するため
に設けられているものである。

ところで、これ等の凹部の形状は微小で精密加工を必要
とし、また半導体素子の形状やリードとの接続構造によ
つて多種類のものを準備しなければならず機械加工によ
つて製造するときにはその加工に非常な手数と時間を必
要とし、接続装置の製造費が非常なコスト高となる欠点
があつた。 本発明は半導体素子の接続用凹部を設けた
表面層のみをヒーター内蔵ベースより分離し、表面層に
は主加熱部、副加熱部などの接続用凹部のパターンをハ
ーフエッチング加工により形成し、この表面層をベース
と組合せるもので、特に表面層を形成する表面層材料の
表面を区画して形状が異なる種々の接続用凹部パターン
をエッチング加工により同時に多数個形成し、この表面
層材料を個々の区画ごとに切離してこれをベースと組合
わせて半導体集積回路内部接続装置を構成することを特
徴とするものである。

以下本発明の実施例を図面によつて説明する。

半導体集積回路内部接続装置は、第１図に示したように
カートリッジヒーター１を内装したベース２の表面に、
主加熱部３、該主加熱部３に連続してベース２の両側縁
に開口するにげ部４、その側方に設けた副加熱部５など
の加熱接続用凹部を設けるものであるが、本発明ではこ
の主加熱部５などの接続用凹部を形成する表面層２Ａの
部分をべース２から分離し、この表面層２Ａに別途接続
用凹部を加工し、これをヒーター内蔵ベース２と結合し
て使用するものである。表面層２Ａを加工するときには
、まず種々のパターンの加熱接続用凹部（主加熱部、に
げ部、副加熱部）をそれぞれの区画内に形成するエッチ
ング用マスクを使用して第２図に示すように表面層２Ａ
となる一定の大きさの表面層材料６に対してハーフエッ
チング加工を行ない、該表面層材料６の表面に、マスク
の形状にしたがつて形状の異なる各種の加熱接続用凹部
パターン７，７・・・・・・を各区画内に形成する。

なお各区画線８，８・・・・・・も同時にエッチング加
工により表面層材料６に形成する。この加熱接続用凹部
パターンの成形の際には、２枚のエッチング用マスクを
用い、エッチング深さを制御することにより任意の三次
元加工を行なうことができる。

第３図イ，口は第２図の一区画であるが、本例において
は、主加熱部３および副加熱部５の凹部を同一深さとし
、にげ部４の凹部をさらに深く形成した場合の例を示し
ている。

又３枚以上のエッチング用マスクを使用することにより
エッチング深さを多様化できることはいうまでもない。
エッチング加工により得られた表面層材料６を各区画ご
とに区画線８でそれぞれ個々の表面層２Ａに切り離し、
第４図に示すように各表面層２Ａの下面に２以上の孔９
を設け、ヒーター内蔵ベース２上に突設された位置決め
ピン１０をこの孔９内に嵌入してベース２と、表面層２
Ａとを定位置に保持して着脱可能に結合することにより
半導体内部接続装置を構成するものである。本発明は以
上のようにエッチング加工により多様な加熱接続用凹部
パターンを多数個同時に形成した表面層材料６を個々の
区画ごとに切離し、得られた各表面層２Ａをベース２と
組合せるために接続用凹部の加工に従来の機械加工によ
るような厄介な手数を必要とせず、エッチング加工の特
徴を十分に生して精密な形状のパターンを同時に多数個
形成でき、所望のパターンを有する表面層を選定し、こ
れをベースと組合せて確実に半導体の接続作業を行なう
ことができる。

したがつて本発明によれば、半導体内部接続装置の製作
が非常に容易となり、しかも多種類の加熱接続用凹部パ
ターンを同時に得られるため、その製造コストを従来装
置に比してきわめて低減できる効果を有するものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図イは従来の半導体内部接続装置を示す平面図、明
ま側面図、第２図は表面層材料に形成する加熱接続用凹
部のパターンの平面図、第３図イは第２図の一部拡大図
、口は同縦断面図、第４図はヒーター内蔵ベースに表面
層を組み合わせた状態を示す縦断面図である。 １・・・・・・カートリッジヒーター、２・・・・・・
ベース、３・・・・・・主加熱部、４・・・・・・にげ
部、５・・・・・・副加熱部、２Ａ・・・・・・表面層
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ エッチング加工によつて主加熱部、副加熱部、にげ
   部などを含む半導体素子の接続用凹部を表面に形成した
   表面層と、該表面層に着脱可能に組み合わせる加熱用ベ
   ースとからなる半導体内部接続装置。 ２ エッチング加工により表面層材料の表面を区画して
   各区画内にそれぞれエッチング加工により種々の半導体
   素子接続用凹部パターンを形成し、表面層材料を各区画
   毎に切離して得られた各表面層を加熱用ベースと組み合
   わせることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
   導体内部接続装置。