JPS6057517B2 - 部分メツキ方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は異方導電性コムを用いて絶縁基板上に形成さ
れた複数個の互いに独立分離した導体パターン上に部分
的にメッキする部分メッキ方法に関するものである。

一般に、部分メッキ方法において、集積回路用リード
フレームの一部分に金メッキする例のように、被メッキ
材料が金属の場合には、弾力性を有する金属をリードフ
レームの一部に圧接するようにすれば、電気メッキ装置
の陰極と容易に電気的導通をとることができ、また非メ
ッキ部分にはシリコーンゴム等のシール材を押圧してお
けばよく、簡単に部分メッキを行なうことができる。

’ ところが、最近サーマルヘッドにおいて、メッキに
より電極の一部を形成することが考えられるようになつ
てきたが、このサーマルヘッドのようなものにおいては
、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ基板等の絶縁
基板上に互いに独立分離した複数個の微細な導体パター
ンが形成されているため、前述のリードフレームの場合
のような方法での部分メッキは不可能であつた。 この
ため、従来このような絶縁基板上に形成された導体パタ
ーンに部分メッキをする場合は、次の３つの方法が用い
られていた。

第１の方法は、無電解メッキ方法であり、非メッキ部
分をレジスト膜で被覆した後、無電解メッキ液に浸漬す
る方法であるが、レジスト膜を必要とするとともに、一
般に無電解メッキは工業的に見て不安定であるという欠
点があつた。

また、第２の方法は、全ての導体パターンを接続して
おき、非メッキ部分をレジスト膜で被覆した後、導体パ
ターンの一部に陰極接点をとる方法であるが、メッキし
た後、全ての導体パターンを接続している導電領域を切
断する必要があり、作業性に難点をもつものであつた。

さらに第３の方法は、第１図に示すように等方導電性
コムを所定の形状に加工して絶縁基板表面に押圧するこ
とによりメッキ部は露出するようにし、そして前記等方
導電性ゴムを電気メッキ装置の陰極に電気的に接続して
メッキする方法である。なお、第１図において、１は絶
縁基板、２は導体パターン、３は等方導電性ゴム、４は
この等方導電性ゴム３と電気メッキ装置の陰極とを接続
する導体、５は硬質塩化ビニール等の絶縁性物質で、前
記等方導電性ゴム３と前記導体４と前記絶縁物質５とが
非メッキ部分のシールと陰極接点としての働きをする。
６は成長したメッキ膜である。ところが、このような方
法の場合、メッキ膜６と同時に等方導電性ゴム３の側面
にもメッキ膜７が成長する。

例えば、所要メッキ厚が５μの場合、この治具を２（２
）用いれば、１００μの膜厚に成長し、そして部分的に
剥離が生じてシール部分の輪部がぼけ、メッキパターン
がシャープに形成されないという問題が生じる。本発明
はこのような従来の問題点を解決するために開発したも
のであり、以下本発明の部分メッキ方法について第２図
を用いて説明する。

なお、第２図において、第１図と同一箇所については、
同一番号を付している。第２図において、８は異方導電
性ゴムで、この異方導電性ゴム８は絶縁基板１上の導体
パターン２の非メッキ部分に押圧してその部分をシール
するような形状に加工されており、異方導電性ゴム８の
上部には電気メッキ装置の陰極と電気的に接続する導体
４および硬質塩化ビニール等の絶縁性物質５が導電性接
着剤等により結合されている。

なお、この場合、異方導電性ゴム８の端面を治具のリー
ド端子とすることは、異方導電性ゴム８の性質からして
てきず、導体４は必要である。この異方導電性ゴム８に
より導体パターン２は電気メッキ装置の陰極と電気的に
接続されることとなり、異方導電性ゴム８によりシール
されていない部分がメッキされることとなる。また、複
数個の導体パターン２が同一の絶縁基板１上に形成され
ている場合でも、複数個の導体パターン２がそれぞれ異
方導電性ゴム８、導体４を通して電気メッキ装置の陰極
に接続されるので、全ての導体パターン２上に部分メッ
キを同時に行なうことができる。しかも、異方導電性ゴ
ム８が押圧された部分にはメッキ液が浸入しないのでメ
ッキされず、所定の部分メッキを行なうことができる。
９は部分メッキされたメッキ膜で、異方導電性ゴム８の
側面は導電性でないため、メッキ膜が形成されない。

これにより、第１図の従来例のように側面にメッキ膜が
成長せず、部分メッキパターンの輪部が非常にシャープ
となり、より微細な部分メッキをすることができる。こ
こで、本発明の部分メッキ方法に用いる異方導電性ゴム
としては、厚み方向には良く電気を通すが横方向では絶
縁性を゛示すもので、シリコーンゴム中に金属粒子を均
一に分散させるとともに、その金属粒子の含有率を適当
に選んだものやシリコーンゴムの厚さ方向に数珠を埋め
込んだように金属粒子を一列に並べて偏在させたものの
ような金属粒子分散型と、シリコーンゴム中にグラファ
イトの繊維や金属の細い線を埋め込んだ繊維埋め込み型
とがある。

また、本発明でいう異方導電性ゴムとしては、押圧力を
加えた部分だけが厚み方向に導電性を示す感圧型のもの
も含まれる。なお、この感圧型の異方導電性ゴムの場合
、押圧力が大きすぎると、側面にメッキ膜が成長する場
合が生じるが、押圧力を適切な範囲に調整したり、繊維
埋め込み型のものを用いることにより解決することがで
きる。以上のように本発明の部分メッキ方法によれば、
絶縁基板上に形成された導電パターンの所定の部分に、
メッキパターンの輪部が非常にシャープな部分メッキを
施すことができ、より微細な部”分メッキを行なうこと
ができるという工業的価値の高い効果を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の部分メッキ方法を実施している状態を示
す断面図、第２図は本発明による部分メッキ方法を実施
している状態を示す断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・導体パターン
、８・・・・・異方導電性コム。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上の導体パターンの所定の部分をメッキす
   る部分メッキ方法において、前記導体パターンの非メッ
   キ部分に異方導電性ゴムを押圧して前記非メッキ部分を
   シールし、かつ前記異方導電性ゴムを電気メッキ装置の
   陰極に電気的に接続して前記導体パターンの露出部分を
   メッキすることを特徴とする部分メッキ方法。 ２ 異方導電性ゴムがシリコーンゴム中にグラファイト
   の繊維や金属の細い線を埋め込んだ繊維埋め込み型であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の部分
   メッキ方法。