JPS6056433B2 - 酸化亜鉛スパツタリング膜の除去方法 - Google Patents
酸化亜鉛スパツタリング膜の除去方法Info
- Publication number
- JPS6056433B2 JPS6056433B2 JP13022380A JP13022380A JPS6056433B2 JP S6056433 B2 JPS6056433 B2 JP S6056433B2 JP 13022380 A JP13022380 A JP 13022380A JP 13022380 A JP13022380 A JP 13022380A JP S6056433 B2 JPS6056433 B2 JP S6056433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- film
- hydrogen peroxide
- sputtering film
- oxide sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は酸化亜鉛スパッタリング膜の除去方法に関す
るものである。
るものである。
酸化亜鉛スパッタリング膜はそれ自体圧電特性を示し、
表面波フィルタ、音叉振動子などの圧電体として用いら
れている。
表面波フィルタ、音叉振動子などの圧電体として用いら
れている。
たとえば、表面波フィルタはガラス基板などの絶縁基板
の上にトランスデューサ電極、さらにこの上にスパッタ
リング法により酸化亜鉛膜を形成したものである。この
ように表面波フィルタの構造は、絶縁基板、トランスデ
ューサ電極、および酸化亜鉛膜からなる多層状になつて
おり、完成品の特性を測定したとき故障を発見すると、
その故障原因を究明するために、各層をそれぞれ抽出し
てやる必要が生じる。
の上にトランスデューサ電極、さらにこの上にスパッタ
リング法により酸化亜鉛膜を形成したものである。この
ように表面波フィルタの構造は、絶縁基板、トランスデ
ューサ電極、および酸化亜鉛膜からなる多層状になつて
おり、完成品の特性を測定したとき故障を発見すると、
その故障原因を究明するために、各層をそれぞれ抽出し
てやる必要が生じる。
このうちトランスデューサ電極のみを抽出したいときは
酸化亜鉛膜を除去すればよい。
酸化亜鉛膜を除去すればよい。
たとえばトランスデューサ電極の材料がアルミニウムよ
りなる場合、酸化亜鉛とアルミニウムを比較すると、ア
ルミニウムのほうがイオン化傾向が大きく、酸アルカリ
に対する溶解性はアルミニウムのほうが酸化亜鉛より大
きいため、アルミニウムからなるトランスデューサ電極
のみを抽出することが困難であつた。特に、酸化亜鉛膜
の膜抵抗や膜質を改善するために、膜中に０．０１〜２
０．０原子％の範囲でマンガンを含有させたものは、マ
ンガンを含有させていない酸化亜鉛膜にくらべて、ＨＣ
ｌなどの酸やＮａＯＨなどのアルカリに侵されにくかつ
た。そこで、トランスデューサ電極を除去せずに、酸化
亜鉛膜を除去できる方法の出現が望まれていた。
りなる場合、酸化亜鉛とアルミニウムを比較すると、ア
ルミニウムのほうがイオン化傾向が大きく、酸アルカリ
に対する溶解性はアルミニウムのほうが酸化亜鉛より大
きいため、アルミニウムからなるトランスデューサ電極
のみを抽出することが困難であつた。特に、酸化亜鉛膜
の膜抵抗や膜質を改善するために、膜中に０．０１〜２
０．０原子％の範囲でマンガンを含有させたものは、マ
ンガンを含有させていない酸化亜鉛膜にくらべて、ＨＣ
ｌなどの酸やＮａＯＨなどのアルカリに侵されにくかつ
た。そこで、トランスデューサ電極を除去せずに、酸化
亜鉛膜を除去できる方法の出現が望まれていた。
したがつて、この発明は酸化亜鉛スパッタリング膜のみ
を選択的に除去てきる方法を提供することを目的とする
。
を選択的に除去てきる方法を提供することを目的とする
。
すなわち、この発明の要旨とするところは、過酸化水素
水に酸を加えた溶液を過酸化水素水を分’解促進する触
媒作用を有する元素を含む酸化亜鉛スパッタリング膜に
接触させることを特徴とするものである。
水に酸を加えた溶液を過酸化水素水を分’解促進する触
媒作用を有する元素を含む酸化亜鉛スパッタリング膜に
接触させることを特徴とするものである。
過酸化水素水に加える酸としては、ＨＣｌ、ＨＮＯａ、
Ｈ。
Ｈ。
ＳＯ。、Ｈ。ＰＯ。などがあり、過酸化水素水との混合
比は、除去時間、除去程度などを考慮して適宜選択すれ
ばよい。また、過酸化水素水を分解促進する触媒作用を
有する元素としては、たとえはＭｎなどがある。
比は、除去時間、除去程度などを考慮して適宜選択すれ
ばよい。また、過酸化水素水を分解促進する触媒作用を
有する元素としては、たとえはＭｎなどがある。
この発明方法を実施すると、過酸化水素水に酸を加えた
溶液に接触した酸化亜鉛スパッタリング膜は、このスパ
ッタリング膜に含まれている、たとえばＭｎのような触
媒作用を有する元素により過酸化水素水の分解が促進さ
れ、このとき酸化亜鉛スパッタリング膜から酸素の気泡
の発生が認められ、この酸化亜鉛スパッタリング膜のみ
が除去される。一方、たとえばアルミニウムからなるト
ランスデューサ電極は過酸化水素の分解がなく、トラン
スデューサ電極の分解は認められず、酸化亜鉛スパッタ
リング膜のみ除去することができる。以下この発明を実
施列に従つて説明する。
溶液に接触した酸化亜鉛スパッタリング膜は、このスパ
ッタリング膜に含まれている、たとえばＭｎのような触
媒作用を有する元素により過酸化水素水の分解が促進さ
れ、このとき酸化亜鉛スパッタリング膜から酸素の気泡
の発生が認められ、この酸化亜鉛スパッタリング膜のみ
が除去される。一方、たとえばアルミニウムからなるト
ランスデューサ電極は過酸化水素の分解がなく、トラン
スデューサ電極の分解は認められず、酸化亜鉛スパッタ
リング膜のみ除去することができる。以下この発明を実
施列に従つて説明する。
実施列１
ガラス基板の上にアルミニウムからなるインターデジタ
ル電極を蒸着法にて形成し、さらにスパッタリング法に
てマンガンを含有する酸化亜鉛スパッタリング膜を形成
して表面波フィルターを作成した。
ル電極を蒸着法にて形成し、さらにスパッタリング法に
てマンガンを含有する酸化亜鉛スパッタリング膜を形成
して表面波フィルターを作成した。
このようにして得られた試料を次に示すエッチング液を
用い、酸化亜鉛スパッタリング膜に付着，せしめたとこ
ろ、２０８′程度でこのスパッタリング膜は除去され、
アルミニウム電極を抽出することができた。
用い、酸化亜鉛スパッタリング膜に付着，せしめたとこ
ろ、２０８′程度でこのスパッタリング膜は除去され、
アルミニウム電極を抽出することができた。
実施列２
金属製音叉の脚部側面にマンガンを含む酸化亜鉛スパッ
タリング膜を形成し、その上にアルミニウムからなる駆
動電極、抽出電極をそれぞれ形成し、音叉型振動子を作
成した。
タリング膜を形成し、その上にアルミニウムからなる駆
動電極、抽出電極をそれぞれ形成し、音叉型振動子を作
成した。
このように準備できた試料を次に示すエッチング液に浸
漬したところ、酸化亜鉛スパッタリング膜は実施列１と
同様約２＠程度で除去でき、アルミニウムの各駆動電極
、抽出電極を抽出することができた。
漬したところ、酸化亜鉛スパッタリング膜は実施列１と
同様約２＠程度で除去でき、アルミニウムの各駆動電極
、抽出電極を抽出することができた。
上記したようにこの発明によれば、表面波フィルターな
どにおいて、電極の故障解析を行うために酸化亜鉛スパ
ッタリング膜を選択的にエッチング除去することや、そ
の他不要な酸化亜鉛スパッタリング膜の除去が行え、し
かも下地表面を何ら腐食させることがないという利点を
有し、さらには短時間て除去できるという効果を有する
。
どにおいて、電極の故障解析を行うために酸化亜鉛スパ
ッタリング膜を選択的にエッチング除去することや、そ
の他不要な酸化亜鉛スパッタリング膜の除去が行え、し
かも下地表面を何ら腐食させることがないという利点を
有し、さらには短時間て除去できるという効果を有する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 過酸化水素水に酸を加えた溶液を、過酸化水素水を
分解促進する触媒作用を有する元素を含む酸化亜鉛スパ
ッタリング膜に接触させることを特徴とする酸化亜鉛ス
パッタリング膜の除去方法。 ２ 前記酸はＨＣｌ、ＨＮＯａ、Ｈ＿２ＳＯ＿４、Ｈ＿
３ＰＯ＿４、よりなる特許請求の範囲第１項記載の酸化
亜鉛スパッタリング膜の除去方法。 ３ 過酸化水素水を分解促進する触媒作用を有する元素
はＭｎである特許請求の範囲第１項記載の酸化亜鉛スパ
ッタリング膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13022380A JPS6056433B2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 | 酸化亜鉛スパツタリング膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13022380A JPS6056433B2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 | 酸化亜鉛スパツタリング膜の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5754276A JPS5754276A (ja) | 1982-03-31 |
| JPS6056433B2 true JPS6056433B2 (ja) | 1985-12-10 |
Family
ID=15029026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13022380A Expired JPS6056433B2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 | 酸化亜鉛スパツタリング膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056433B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1209886A (en) * | 1982-01-11 | 1986-08-19 | Thomas W. Bleeks | Peroxide selective stripping compositions and method |
| CN1294294C (zh) * | 2005-01-26 | 2007-01-10 | 中国科学院物理研究所 | 一种氧化锌材料的化学刻蚀方法 |
-
1980
- 1980-09-18 JP JP13022380A patent/JPS6056433B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5754276A (ja) | 1982-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7605523B2 (en) | Piezoelectric device, its manufacturing method, and touch panel device | |
| JPS6056433B2 (ja) | 酸化亜鉛スパツタリング膜の除去方法 | |
| US4002489A (en) | Method of pickling metallic material | |
| JPH11330583A (ja) | 電子部品の製造方法および水処理装置 | |
| JPH07113155B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| WO2020083552A1 (en) | Method for manufacturing an electro-acoustic resonator and electro-acoustic resonator device | |
| JPH09321564A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH10276055A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
| CA1042773A (en) | Method of etching a surface of a substrate comprising linbo3 | |
| JPH0568553B2 (ja) | ||
| JPS5857731B2 (ja) | プラズマエッチング用レジスト組成物 | |
| JPS59121987A (ja) | 硼酸リチウム結晶を用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH09256184A (ja) | 電解用電極の再生処理液及び再生処理方法 | |
| JPS6351566B2 (ja) | ||
| JPH08232083A (ja) | 表面弾性波デバイスの製造方法 | |
| JPH0766802B2 (ja) | リチウム電極の製造方法 | |
| JP2745520B2 (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JP3025576B2 (ja) | 酸洗液の循環使用方法 | |
| JPH08157902A (ja) | 活性表面層を有する水素吸蔵性合金ならびに金属間化合物バルクおよび粉末の製造 | |
| SU624955A1 (ru) | Раствор дл химического травлени тугоплавких металлов | |
| JPS63176480A (ja) | 電解コンデンサ用電極箔の化成方法 | |
| JPS6110288A (ja) | 圧電磁器の製造方法 | |
| JPH0245711B2 (ja) | Kinhakumakunoetsuchinguhoho | |
| JPH02194713A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| DE2237825B2 (de) | Verfahren zum Reinigen von gesägten Halbleiterscheiben und dessen Verwendung zum Reinigen von Siliciumscheiben |