JPS605558A - カラ−固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
カラ−固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS605558A JPS605558A JP59047004A JP4700484A JPS605558A JP S605558 A JPS605558 A JP S605558A JP 59047004 A JP59047004 A JP 59047004A JP 4700484 A JP4700484 A JP 4700484A JP S605558 A JPS605558 A JP S605558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- light
- color filter
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 abstract description 17
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 abstract description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000001828 Gelatine Substances 0.000 abstract 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 1
- 229920002454 poly(glycidyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 15
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 12
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 12
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000001044 red dye Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000001043 yellow dye Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical group [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- MCPLVIGCWWTHFH-UHFFFAOYSA-L methyl blue Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C1NC1=CC=C(C(=C2C=CC(C=C2)=[NH+]C=2C=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)C=2C=CC(NC=3C=CC(=CC=3)S([O-])(=O)=O)=CC=2)C=C1 MCPLVIGCWWTHFH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-dioxoanthracen-1-yl)-4-[4-[[4-[4-[(9,10-dioxoanthracen-1-yl)carbamoyl]phenyl]phenyl]diazenyl]phenyl]benzamide Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2NC(=O)C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1N=NC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、カラー固体撮像素子に関し、さらに詳述すれ
ば1色フィルターを備えたカラー固体撮像素子の製造方
法に関するものである。
ば1色フィルターを備えたカラー固体撮像素子の製造方
法に関するものである。
最近、工業用あるいは家庭用のVTRの普及に伴なって
、小型、軽量で使い易いテレビカメラの需要が高まって
きている。そこで、半導体集積回路(一般にIC又はL
SIと称している。)ヲ使用した固体テレビカメラが注
目されている。この固体テレビカメラは、従来の撮仰管
の面板および蓄積電荷を電気信号として取り出す手段が
IO基板に設けられ、独立した固体撮像素子1こなって
いる。これは電子ビームを使用しないため、安定性がよ
く、消費電力が少なく、取り扱いが簡便であるなどの点
で撮像管より優れており、次代のテレビカメラとして期
待されている。
、小型、軽量で使い易いテレビカメラの需要が高まって
きている。そこで、半導体集積回路(一般にIC又はL
SIと称している。)ヲ使用した固体テレビカメラが注
目されている。この固体テレビカメラは、従来の撮仰管
の面板および蓄積電荷を電気信号として取り出す手段が
IO基板に設けられ、独立した固体撮像素子1こなって
いる。これは電子ビームを使用しないため、安定性がよ
く、消費電力が少なく、取り扱いが簡便であるなどの点
で撮像管より優れており、次代のテレビカメラとして期
待されている。
本発明は光に基づく雑音が少なく、且解像度の高い鮮明
な色フィルターを具備したカラー固体撮像素子を製造す
る方法を提供する。
な色フィルターを具備したカラー固体撮像素子を製造す
る方法を提供する。
本発明の要点は、少なくとも受光領域とこの領域で発生
するキャリアをIL電気信号してJ収り出すためのスイ
ッチング素子を有する半導体基板上に少なくともこのス
イッチング素子の出力端領域に対応させて黒色フィルタ
ーに代表される光吸収層を配し、この上部に色フィルタ
ーを設ける工程を有するものである。
するキャリアをIL電気信号してJ収り出すためのスイ
ッチング素子を有する半導体基板上に少なくともこのス
イッチング素子の出力端領域に対応させて黒色フィルタ
ーに代表される光吸収層を配し、この上部に色フィルタ
ーを設ける工程を有するものである。
第1図は1本発明により製造されたカラー固体m像素子
を用いたパッケージの概略構成図である。
を用いたパッケージの概略構成図である。
所定のピン脚を持ったパッケージ枠3に、垂直走査回路
領域21.水平走査回路領域22.そして。
領域21.水平走査回路領域22.そして。
マトリックス状のレイアラ)K有した受光素子領域23
を有した半導体2がはめこまれ、さらに。
を有した半導体2がはめこまれ、さらに。
上記基体上に所定のパターンを有したカラーフィルター
1が形成されてなる。図では、カラーフィルターと半導
体基体とが別個に形成されて、のち組合わされるが妬く
描れているが、実際は半導体基体上に一体化さイ1てカ
ラーフィルターが形成される。このことは後述の説明で
明らかとなろう。
1が形成されてなる。図では、カラーフィルターと半導
体基体とが別個に形成されて、のち組合わされるが妬く
描れているが、実際は半導体基体上に一体化さイ1てカ
ラーフィルターが形成される。このことは後述の説明で
明らかとなろう。
撮像レンズ(図示せず)から入った光線は、カラーフィ
ルター1により色分離され、次いで、マトリックス状に
配置した光ダイオードを含む絵素(画素ともいう)によ
り信号は贅」気信号に変換される0基体に内蔵さnた水
平(H)と垂直(V)の走査回路により、各絵素の信号
が読み出される。
ルター1により色分離され、次いで、マトリックス状に
配置した光ダイオードを含む絵素(画素ともいう)によ
り信号は贅」気信号に変換される0基体に内蔵さnた水
平(H)と垂直(V)の走査回路により、各絵素の信号
が読み出される。
この半導体基体2は、パッケージ3に組込んで収納され
ている。
ている。
この固体撮像素子は、被写体、すなわち、空間的に検出
された光情報を1次々と時系列化して電気信号に変換す
るもので、一般に、光電変換機能(受光部とも別称)と
走査機能とを備えた回路構成を設けて形成されている。
された光情報を1次々と時系列化して電気信号に変換す
るもので、一般に、光電変換機能(受光部とも別称)と
走査機能とを備えた回路構成を設けて形成されている。
具体的fこは、これらの機能を満たすために、感光素子
(受光領域とも別称)とスイッチング素子とから成る多
数の小さな領域が絵素に対応させてマ) IJソックス
状配列されている。
(受光領域とも別称)とスイッチング素子とから成る多
数の小さな領域が絵素に対応させてマ) IJソックス
状配列されている。
この様に、固体撮像素子は絵素が個々に分離されている
ので、クロックパルスによる読み出し信号が各々どの絵
素に対応しているかを容易に判断できる。そこで、固体
撮像素子では、これら個々の絵素に対応させて色フィル
ターを配置させることが可能となる。
ので、クロックパルスによる読み出し信号が各々どの絵
素に対応しているかを容易に判断できる。そこで、固体
撮像素子では、これら個々の絵素に対応させて色フィル
ターを配置させることが可能となる。
この様な固体撮像素子は前述の様に光電変換機能と走査
機能とを備えていなければならないが。
機能とを備えていなければならないが。
これを実現させる方式として、XY(座標)指定撮像方
式と、信号転送撮像方式との2種類の方式に大別される
。普通1図に示すように上部に水平走査回路(H)、左
隅にインターレーススイッチを備えた垂直走査回路(V
)が設けられる。前者はMOS)ランシスターを適宜レ
イアウトさせて形成し、また後者はC0Diこよるレイ
アラ)V形成させて行なうことが出来る。両方とも同様
の効果および特性を示し差違は現わむず良好な画像が得
られた。勿論、MOSトランジスターとooDとを互い
に折衷させて組合せを行なった方式も同様の効果が得ら
れた。
式と、信号転送撮像方式との2種類の方式に大別される
。普通1図に示すように上部に水平走査回路(H)、左
隅にインターレーススイッチを備えた垂直走査回路(V
)が設けられる。前者はMOS)ランシスターを適宜レ
イアウトさせて形成し、また後者はC0Diこよるレイ
アラ)V形成させて行なうことが出来る。両方とも同様
の効果および特性を示し差違は現わむず良好な画像が得
られた。勿論、MOSトランジスターとooDとを互い
に折衷させて組合せを行なった方式も同様の効果が得ら
れた。
一般に光電変換機能は、上述の様に8i基板内に形成さ
れた光電変換素子のPN接合によって行なうのが普通で
ある。MOS)ランジスタラスイッチ素子とし、この一
方の不純物領域を受光領域とした固体撮像素子の例を説
明する。
れた光電変換素子のPN接合によって行なうのが普通で
ある。MOS)ランジスタラスイッチ素子とし、この一
方の不純物領域を受光領域とした固体撮像素子の例を説
明する。
第2図は1本発明に使用したカラー固体撮像装置の回路
構成の概略図である。この撮像装置は484x384g
子で全体が構成さイ1ている。中央は垂直スイッチ11
を含んだ光ダイオード(PD)12アレイであり緑(G
)用素子を市松状に並べ、その間に赤(R)、青(H)
用素子を配列し1.2本の垂直信号出力線5v(a)
13−5v(nn)14に接続されている。周辺は水平
および垂直スイッチ(15,11)の選択を行う走査回
路であり、上部に水平走査回路16.左隅は1組のイン
ターレーススイッチを備えた垂直走査回路17である。
構成の概略図である。この撮像装置は484x384g
子で全体が構成さイ1ている。中央は垂直スイッチ11
を含んだ光ダイオード(PD)12アレイであり緑(G
)用素子を市松状に並べ、その間に赤(R)、青(H)
用素子を配列し1.2本の垂直信号出力線5v(a)
13−5v(nn)14に接続されている。周辺は水平
および垂直スイッチ(15,11)の選択を行う走査回
路であり、上部に水平走査回路16.左隅は1組のイン
ターレーススイッチを備えた垂直走査回路17である。
スイッチ18.19はフィールド切換えパルスF、 、
F2により交互に導通ずる。
F2により交互に導通ずる。
この装置の動作を次に説明する。上記垂直走査回路17
は15.73KHzの周期で垂直走査パルスを出力する
。フィールドパルスは60Hzで切り換わり、パルスF
1による第1フイールドでは垂直列選択線(Lv□、L
v□)、(LV3.Lv4)。
は15.73KHzの周期で垂直走査パルスを出力する
。フィールドパルスは60Hzで切り換わり、パルスF
1による第1フイールドでは垂直列選択線(Lv□、L
v□)、(LV3.Lv4)。
・・・に、パルスF2による第2フイールドでは1列ず
れて(LV2 ・Lva ) 、(”v4.Lvs )
、−’こ走査パルス順次送り出される。一方、水平走査
回路16は384個の画素数に応じて決まる7、16M
Hzの周期で水平走査パルスを出力する。水平垂直2つ
の走査パルス列により、第1フイールドでは((483
,384)(484,384))の順に、第2フイール
ドでは(2,1)、(3゜1))、((482,384
)(483,384))の順に各画素の選択が行われる
0第2フイールドでは最初と最後の列の選択が行なわれ
ないため。
れて(LV2 ・Lva ) 、(”v4.Lvs )
、−’こ走査パルス順次送り出される。一方、水平走査
回路16は384個の画素数に応じて決まる7、16M
Hzの周期で水平走査パルスを出力する。水平垂直2つ
の走査パルス列により、第1フイールドでは((483
,384)(484,384))の順に、第2フイール
ドでは(2,1)、(3゜1))、((482,384
)(483,384))の順に各画素の選択が行われる
0第2フイールドでは最初と最後の列の選択が行なわれ
ないため。
次の第1フイールドの選択の際、この分が加算されて信
号量が不均一になるが最初および最後の列は垂直帰線期
間に収められるので支障ない。
号量が不均一になるが最初および最後の列は垂直帰線期
間に収められるので支障ない。
次に、この装置の撮像上基本となる重要な特性を述べて
みる。
みる。
(1)線用光ダイオードは赤および青用光ダイオードの
2倍配列されており、輝度信号の主成分となる緑信号を
常時得ることができる。また、光ダイオードは前述のよ
うに互いに入り組んだ市松状に配列されており、ダイオ
ードの集積度が向上する。これらの結果、限られた画素
数で高い解像度が得られる。
2倍配列されており、輝度信号の主成分となる緑信号を
常時得ることができる。また、光ダイオードは前述のよ
うに互いに入り組んだ市松状に配列されており、ダイオ
ードの集積度が向上する。これらの結果、限られた画素
数で高い解像度が得られる。
(11)緑、赤および青用信号を異なる2つの出力線よ
り取出すため混色がない、すなわち色分離特性が良い。
り取出すため混色がない、すなわち色分離特性が良い。
(iio 1個の素子で緑、赤、青の3原色信号を同時
をこ取出すことができ、信号処理が簡単となる。
をこ取出すことができ、信号処理が簡単となる。
(iVl 2列を同時に選択するインターレース走査方
式であり、いずれのフィールドにおいても全光ダイオー
ドの信号が読出されるため、残像が発生しない。
式であり、いずれのフィールドにおいても全光ダイオー
ドの信号が読出されるため、残像が発生しない。
第3図は本例の主要部平面図である。124゜125.
126,127は半導体基体に配列された不純物拡散領
域である。この不純物拡散領域の一端に、不純物拡散領
域に発生するキヤIJアを外部に導出するためのスイッ
チング素子領域が設けられている。131〜136はこ
のスイッチング領域に電気的に接続され、且垂直走査回
路に接続されるアルミニウム配線である0このアルミニ
ウム配線が所々幅が広くなっているのは、許し得る範囲
でアルミニウムで半導体基体を覆い、不必要な光が半導
体基体に入射しない様にするに有利なためである。
126,127は半導体基体に配列された不純物拡散領
域である。この不純物拡散領域の一端に、不純物拡散領
域に発生するキヤIJアを外部に導出するためのスイッ
チング素子領域が設けられている。131〜136はこ
のスイッチング領域に電気的に接続され、且垂直走査回
路に接続されるアルミニウム配線である0このアルミニ
ウム配線が所々幅が広くなっているのは、許し得る範囲
でアルミニウムで半導体基体を覆い、不必要な光が半導
体基体に入射しない様にするに有利なためである。
141〜146は本発明に係わる黒色フィルターである
。たとえば黒色フィルター142は絶縁膜150をはさ
んで隣り合うアルミニウム配線133および134の隣
接間隙部分130を跨座し、且前記スイッチング素子領
域の少なくとも出力端の一部および垂直、水平走査回路
部分(図示せず)をおおって設けられている。このアル
ミニウム等の金属配線は一般に図示した如くストライプ
状に形成されている。抵抗を小さくする為には広帯のは
うが望ましいが、一般に受光面積の割合を減少させ、集
積度の低下を招いたり、寄生容量も増加し、かえって画
質を損うので、1〜6μm程度が望ましい。
。たとえば黒色フィルター142は絶縁膜150をはさ
んで隣り合うアルミニウム配線133および134の隣
接間隙部分130を跨座し、且前記スイッチング素子領
域の少なくとも出力端の一部および垂直、水平走査回路
部分(図示せず)をおおって設けられている。このアル
ミニウム等の金属配線は一般に図示した如くストライプ
状に形成されている。抵抗を小さくする為には広帯のは
うが望ましいが、一般に受光面積の割合を減少させ、集
積度の低下を招いたり、寄生容量も増加し、かえって画
質を損うので、1〜6μm程度が望ましい。
このストライプ状の金属電極は一般に上記スイッチング
素子の出力端領域を覆って形成されている。
素子の出力端領域を覆って形成されている。
第4図は9本発明のカラー固体撮像素子の受光部の概略
断面図、第3図のx−x’の部分断面図である。
断面図、第3図のx−x’の部分断面図である。
半導体基板としてN型シリコン基板41を用い。
こ(7)N研シリコン基板41内に不純物拡散等によっ
てP導電型領域42がウェル状に形成される。
てP導電型領域42がウェル状に形成される。
なお1図ではウェル全体を示していない。そしてこのP
導電型領域42内に第1.第2.第3の受光領域が配列
される0それらは、たとえば黄色用の受光領域、緑色用
の受光領域、シアン用の受光領域に対応する。勿論、赤
色、青色、緑色の三原色用の受光領域としても良い0 第3図124はたとえば黄色用の受光領域で第4図43
に対応する。また125はたとえば緑色用の受光領域で
第4図44に対応する。受光領域43および44の周縁
に、上記受光領域をドレイン領域として共用し、ソース
領域45との間に多結晶81ゲート電極46を備えたM
OSトランジスタがスイッチング素子として形成されて
いる0上記受光領域43.44およびP導電型領域42
上に酸化膜105が形成されている。前述の如く非受光
領域又は上記スイッチング素子の一部面上にAJ配線が
形成されており、上記酸化膜105およびA71配線は
シラン膜(8i02)からなる絶縁保護膜107によっ
て覆われて構成されてなる。
導電型領域42内に第1.第2.第3の受光領域が配列
される0それらは、たとえば黄色用の受光領域、緑色用
の受光領域、シアン用の受光領域に対応する。勿論、赤
色、青色、緑色の三原色用の受光領域としても良い0 第3図124はたとえば黄色用の受光領域で第4図43
に対応する。また125はたとえば緑色用の受光領域で
第4図44に対応する。受光領域43および44の周縁
に、上記受光領域をドレイン領域として共用し、ソース
領域45との間に多結晶81ゲート電極46を備えたM
OSトランジスタがスイッチング素子として形成されて
いる0上記受光領域43.44およびP導電型領域42
上に酸化膜105が形成されている。前述の如く非受光
領域又は上記スイッチング素子の一部面上にAJ配線が
形成されており、上記酸化膜105およびA71配線は
シラン膜(8i02)からなる絶縁保護膜107によっ
て覆われて構成されてなる。
この様に、受光領域43のn+拡散層は、光ダイオード
用のn+層として、上記n型基板41上に形成したP型
導電層内に集積化されている。このn+−P−n構造に
より分光感度が増し、ブルーミングなどの画像不良原因
の発生が解消さイ1でいる。
用のn+層として、上記n型基板41上に形成したP型
導電層内に集積化されている。このn+−P−n構造に
より分光感度が増し、ブルーミングなどの画像不良原因
の発生が解消さイ1でいる。
本発明のカラー固体倣像装置は光吸収層が前記半導体基
体上に次の如く配置される点に特徴がある。
体上に次の如く配置される点に特徴がある。
(1)受光領域を含む半導体集積回路が形成された半導
体基体上に光吸収層が配され1.この上部に所望の色フ
ィルターが配される。
体基体上に光吸収層が配され1.この上部に所望の色フ
ィルターが配される。
(2)光吸収層は少なくとも第1の感光領域と隣り合う
第2の感光領域の間隙を覆うことが肝要である。
第2の感光領域の間隙を覆うことが肝要である。
更に次の如き構成とすることに実用上火きな利点がある
。前述の光吸収層は光不要部分に光を通さないので、シ
リコン基板内で不必要なフォトキャリアの発生を防止す
る。特に前述のスイッチング素子の出力端領域督こおけ
る不必要なフォトキャリアの発生は雑音として出力に含
まれることとなり、特性への影響が極めて大きい。従っ
て、光吸収層は、第1の感光領域と隣り合う第2の感光
領域の間隙を覆い、且前記スイッチング素子の出力端領
域に対応させて仁の領域上に設けるのが良い。
。前述の光吸収層は光不要部分に光を通さないので、シ
リコン基板内で不必要なフォトキャリアの発生を防止す
る。特に前述のスイッチング素子の出力端領域督こおけ
る不必要なフォトキャリアの発生は雑音として出力に含
まれることとなり、特性への影響が極めて大きい。従っ
て、光吸収層は、第1の感光領域と隣り合う第2の感光
領域の間隙を覆い、且前記スイッチング素子の出力端領
域に対応させて仁の領域上に設けるのが良い。
従って第3図に例示した如く小面積の光吸収層として配
置することで一応の目的を達し得る。
置することで一応の目的を達し得る。
たとえば第5図(1))にBIVとして示した如くスト
ライプ状に光吸収層を設けることも可能である。
ライプ状に光吸収層を設けることも可能である。
しかし、第3図に例示した光吸収層の配列は第5図(a
)にBJとして示した如き配列である。才た、設計に対
応して種々変形した光吸収層の配置があることはいうま
でもない。
)にBJとして示した如き配列である。才た、設計に対
応して種々変形した光吸収層の配置があることはいうま
でもない。
一般に光吸収層としてはゼラチン等の有機材料を用いる
のが一般的である。この場合、光吸収層はたとえば幅3
〜6μm、長さは約6〜7mmと極めて細いストライブ
状1こ設けることとなる。この様な光吸収層はゼラチン
の収縮性をこよりストライプが破損しやすい欠点がある
。従って、第5図(a)の如く、小面積に分断した形状
に光吸収層を配することによって上記の欠点をなくすこ
とができる0 実施例 所定の受光領域および所定の回路構成に形成された半導
体集積回路を有する半導体基体を準備する。この受光領
域および半導体集積回路部は通常の半導体装置の製造方
法に従がえば良い。
のが一般的である。この場合、光吸収層はたとえば幅3
〜6μm、長さは約6〜7mmと極めて細いストライブ
状1こ設けることとなる。この様な光吸収層はゼラチン
の収縮性をこよりストライプが破損しやすい欠点がある
。従って、第5図(a)の如く、小面積に分断した形状
に光吸収層を配することによって上記の欠点をなくすこ
とができる0 実施例 所定の受光領域および所定の回路構成に形成された半導
体集積回路を有する半導体基体を準備する。この受光領
域および半導体集積回路部は通常の半導体装置の製造方
法に従がえば良い。
第4図に示すごとく半導体基体には、Si基板41に設
けられたウェル42内に、受光素子としての受光領域4
3が形成され、さらに、上記基体および上記受光領域4
3および44上に酸化膜105が形成され、非受光領域
(受光領域43および44以外のSi基板に該当する)
上に厚さ1μ1幅3μ他のAE配線との間隔が4μ程度
の形状を持った2本のAJI配線層433および434
が形成され、上記酸化膜105およびAjl配線層43
3および434上にパッシベーション膜トシてのシラン
膜(Sin2)からなる絶縁保護膜107が形成されて
なる。
けられたウェル42内に、受光素子としての受光領域4
3が形成され、さらに、上記基体および上記受光領域4
3および44上に酸化膜105が形成され、非受光領域
(受光領域43および44以外のSi基板に該当する)
上に厚さ1μ1幅3μ他のAE配線との間隔が4μ程度
の形状を持った2本のAJI配線層433および434
が形成され、上記酸化膜105およびAjl配線層43
3および434上にパッシベーション膜トシてのシラン
膜(Sin2)からなる絶縁保護膜107が形成されて
なる。
この半導体基体上に、ゼラチンを回転塗布法で塗布する
。ここで硬化剤としては重クロム酸アンモニウム(NH
40r207、一般にADOと略称)の5%、40℃の
温水溶液が用いらイする。このゼラチン塗布層の厚さは
約1μとする。次に、Orマスクを使用して紫外線露光
を行ない上記ゼラチン層を重合硬化させ、現像処理する
ことにより染色可能なゼラチンパターン442を形成す
る。ゼラチン層は幅は3μmないし6μm程度、長さは
約13〜14μmである。次に、赤色、黄色、および青
色の各染料を混合して得られる黒色染色液を約70゛C
に加熱し、この中へ上記素子を浸漬することにより、ゼ
ラチン層を黒色に染色する。上記赤色染料としては、ダ
イアシト11(商品名)の2係水溶液、上記黄色染料と
しては、カヤノールイエロー(商品名)の0.7%水溶
液、そして。
。ここで硬化剤としては重クロム酸アンモニウム(NH
40r207、一般にADOと略称)の5%、40℃の
温水溶液が用いらイする。このゼラチン塗布層の厚さは
約1μとする。次に、Orマスクを使用して紫外線露光
を行ない上記ゼラチン層を重合硬化させ、現像処理する
ことにより染色可能なゼラチンパターン442を形成す
る。ゼラチン層は幅は3μmないし6μm程度、長さは
約13〜14μmである。次に、赤色、黄色、および青
色の各染料を混合して得られる黒色染色液を約70゛C
に加熱し、この中へ上記素子を浸漬することにより、ゼ
ラチン層を黒色に染色する。上記赤色染料としては、ダ
イアシト11(商品名)の2係水溶液、上記黄色染料と
しては、カヤノールイエロー(商品名)の0.7%水溶
液、そして。
上記青色染料としては、メチルブルー(商品名)の2係
水溶液を用いる。
水溶液を用いる。
本発明では黒色染料を、一般に有彩色の色染料を混合さ
せて形成させたが、赤、黄、青に限らず赤、緑、青でも
よく、また3色に限らず2色の染料の混合であっても、
組合せることにより透過(り率が大幅に低下するような
ものであわばよい。
せて形成させたが、赤、黄、青に限らず赤、緑、青でも
よく、また3色に限らず2色の染料の混合であっても、
組合せることにより透過(り率が大幅に低下するような
ものであわばよい。
また、順次各色染料毎に染めていってもよい。なお、ス
ミノール・ミリング・ブラック(商品名)の1%水溶液
などのように固有の黒色染料であってもよいことは云う
までもない。
ミノール・ミリング・ブラック(商品名)の1%水溶液
などのように固有の黒色染料であってもよいことは云う
までもない。
次いで、上記フィルター442および絶縁保護膜107
上にポリグリシジメタクリレート(略称PGMA)から
なる混色防止保護膜112を形成し、上記受光領域43
又は44に対応した領域に所定のパターンで厚さ1μm
のゼラチンからなる色フィルターlQ94−形成する。
上にポリグリシジメタクリレート(略称PGMA)から
なる混色防止保護膜112を形成し、上記受光領域43
又は44に対応した領域に所定のパターンで厚さ1μm
のゼラチンからなる色フィルターlQ94−形成する。
この色フイルタ−109は、ゼラチンζこ感光性を付与
した感光液を回転塗布法などで均一に塗布し、乾燥させ
、感ブC膜を形成した後、マスク露光法で所定の受光領
域43および440部分たけ光硬化させ、現像し、該受
光領域部分以外の感光膜を除去する。所定の分光特性を
有する染料で、該受光領域を含む所定部分を染色し、黄
色フィルター1.09i形成する。その後、透明な混色
防止保護a!、!(中間層とも別称) 113%被覆す
る。この色フィルターの材料として、上述のゼラチンの
他に、ポリビニールアルコールあるいはグリユーなども
差違なく使用できる。勿論、上記光吸収層の材料として
も、ポリビニールアルコールアルイハグリューなども使
用できることは言うまでもない。
した感光液を回転塗布法などで均一に塗布し、乾燥させ
、感ブC膜を形成した後、マスク露光法で所定の受光領
域43および440部分たけ光硬化させ、現像し、該受
光領域部分以外の感光膜を除去する。所定の分光特性を
有する染料で、該受光領域を含む所定部分を染色し、黄
色フィルター1.09i形成する。その後、透明な混色
防止保護a!、!(中間層とも別称) 113%被覆す
る。この色フィルターの材料として、上述のゼラチンの
他に、ポリビニールアルコールあるいはグリユーなども
差違なく使用できる。勿論、上記光吸収層の材料として
も、ポリビニールアルコールアルイハグリューなども使
用できることは言うまでもない。
次いで再び混色防止保護層を上記黄色フィルター109
の厚さ程度に塗布し、固化後、緑色の受光領域44に対
応した上記混色防止保護層上に所定のパターンのゼラチ
ンからなるシアン色のカラーフィルター110を形成し
1次いで再正、保護層114を上記シアン色フィルター
110の厚さ程度に塗布し固化させる。必要ならば、上
記保護層114上に反射防止膜を形成し受光効率を上昇
せしめることも可能である。
の厚さ程度に塗布し、固化後、緑色の受光領域44に対
応した上記混色防止保護層上に所定のパターンのゼラチ
ンからなるシアン色のカラーフィルター110を形成し
1次いで再正、保護層114を上記シアン色フィルター
110の厚さ程度に塗布し固化させる。必要ならば、上
記保護層114上に反射防止膜を形成し受光効率を上昇
せしめることも可能である。
この実施例では、第1色目に黄色、第2色目にシアン色
フィルターを配置せしめたが、この順序は必ずしもこの
実施例に限定されないことはいう才でもない。なお1本
実施例において補色系の3原色としてアの、残るマゼン
ダ色は、上記黄色およびシアン色フィルターを重ね合わ
せて形成さイまた緑色のカラー信号を、電気回路的に反
転させて形成される。色フィルターの数が少なくて済む
のでこの方が経済的に有利である。勿論1本発明は初め
から補色系の黄色、マゼンダ、シアンの3色が揃ったも
のも、あるいは、光の3原色についても全く同様に良好
なカラー固体撮像素子が葡られた0 この様に、黒色フィルターにより、複数のカラーフィル
ターfN光時の回折およびAjl配線からの反射光の影
響を受けることなく、正確にパターンを形成することが
でき、電気的特性の良好な撮像素子を提供できた。
フィルターを配置せしめたが、この順序は必ずしもこの
実施例に限定されないことはいう才でもない。なお1本
実施例において補色系の3原色としてアの、残るマゼン
ダ色は、上記黄色およびシアン色フィルターを重ね合わ
せて形成さイまた緑色のカラー信号を、電気回路的に反
転させて形成される。色フィルターの数が少なくて済む
のでこの方が経済的に有利である。勿論1本発明は初め
から補色系の黄色、マゼンダ、シアンの3色が揃ったも
のも、あるいは、光の3原色についても全く同様に良好
なカラー固体撮像素子が葡られた0 この様に、黒色フィルターにより、複数のカラーフィル
ターfN光時の回折およびAjl配線からの反射光の影
響を受けることなく、正確にパターンを形成することが
でき、電気的特性の良好な撮像素子を提供できた。
上述のように写真蝕刻の際の露光は、マスクパターンを
介して行なわれる。一方、所定の色フィルターと基板と
の間には、普通一定の間隔がある。
介して行なわれる。一方、所定の色フィルターと基板と
の間には、普通一定の間隔がある。
しかし、この色フィルターと基板の間に黒色フィルター
が形成されであるので、露光時の光は1%に問題の多か
ったこの間隔の間隙を通して回折し。
が形成されであるので、露光時の光は1%に問題の多か
ったこの間隔の間隙を通して回折し。
表
凹凸ある基板居て不規則に反射しても、黒色フィルター
によって吸収されてしまうのでホトマスク背面ホトレジ
スト層の不要な領域までも感光させることかなくなり、
正確なパターン形成が行なえる。この様に、”かぶり現
象”の大きな装置となっていたA/配線433および4
34部分、すなわち、AJ配線が最も普通に形成されて
いる色フィルター周辺部分が上記黒色フィルター442
によって蓋われて遮蔽されているため1回折し基板面か
ら反射してきてもホトマスクの不要部分を露光すること
がなくなりとくに周縁形状が明瞭な正確なパターンの色
フィルターを形成することかできるようになったもので
ある。
によって吸収されてしまうのでホトマスク背面ホトレジ
スト層の不要な領域までも感光させることかなくなり、
正確なパターン形成が行なえる。この様に、”かぶり現
象”の大きな装置となっていたA/配線433および4
34部分、すなわち、AJ配線が最も普通に形成されて
いる色フィルター周辺部分が上記黒色フィルター442
によって蓋われて遮蔽されているため1回折し基板面か
ら反射してきてもホトマスクの不要部分を露光すること
がなくなりとくに周縁形状が明瞭な正確なパターンの色
フィルターを形成することかできるようになったもので
ある。
上記黒色フィルターは受光領域以外の垂直走査回路(V
)および水平走査回路(工()などに必要に応じて設け
ても良く、光検知部以外の光不畳部分に光を通さないの
で、Si基緻内で不必扱な正孔−電子対を発生すること
がなくなる。そのため。
)および水平走査回路(工()などに必要に応じて設け
ても良く、光検知部以外の光不畳部分に光を通さないの
で、Si基緻内で不必扱な正孔−電子対を発生すること
がなくなる。そのため。
リーク電流の発生が無くなり、良質な画像を提供し、ま
た回路構成素子の動作が劣化するのを防止することがで
きた。
た回路構成素子の動作が劣化するのを防止することがで
きた。
第1図は本発明のカラー固体撮像素ゴの実装形態を説明
する図、第2図(オカラ−固体撮像素子に用いた回路構
成の概略図、第3図は本カラー固体撮像素子の主要部の
平面図、第4図はその要部断面図、第5図は光吸収層の
平面配置を説明する図である。 101・・・84基板、102・・・受光領域、105
酸化膜、106・・・AI配線、107・・・絶縁保護
膜、108・・・光吸収層、109・・・色フイルタ−
。 112・・・混色防止保護膜、1・・・カラーフィルタ
ー配列、2・・・半導体基板、3・・・パッケージ。 し 範/図 ヘ ( つy 第」頁の続き 0発 明 者 橋本通晰 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 金子忠勇 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 泉章也 茂原市早野3300番地株式会社日 立製作所茂原工場内
する図、第2図(オカラ−固体撮像素子に用いた回路構
成の概略図、第3図は本カラー固体撮像素子の主要部の
平面図、第4図はその要部断面図、第5図は光吸収層の
平面配置を説明する図である。 101・・・84基板、102・・・受光領域、105
酸化膜、106・・・AI配線、107・・・絶縁保護
膜、108・・・光吸収層、109・・・色フイルタ−
。 112・・・混色防止保護膜、1・・・カラーフィルタ
ー配列、2・・・半導体基板、3・・・パッケージ。 し 範/図 ヘ ( つy 第」頁の続き 0発 明 者 橋本通晰 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 金子忠勇 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 泉章也 茂原市早野3300番地株式会社日 立製作所茂原工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基体上に光電変換素子を設ける工程と。 上記光電変換素子上に絶縁層を設ける工程と、上記絶縁
層上に第1の色フィルタを設ける工程と。 上記第1の色フィルタ上に混色防止膜を介して第2の色
フィルタを設ける工程とを有することを特徴とするカラ
ー固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59047004A JPS605558A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59047004A JPS605558A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12684479A Division JPS5651183A (en) | 1979-08-24 | 1979-10-03 | Color solid image pickup element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605558A true JPS605558A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=12763025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59047004A Pending JPS605558A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605558A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991004505A1 (fr) * | 1989-09-18 | 1991-04-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede de production d'un filtre de couleur et reserve pour film d'ecran antilumiere utilise par ce procede |
US6981648B1 (en) | 1999-02-25 | 2006-01-03 | Natec Incorporated | Information carrier medium and reader for reading the information carrier medium |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5124120A (ja) * | 1974-08-22 | 1976-02-26 | Sony Corp |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP59047004A patent/JPS605558A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5124120A (ja) * | 1974-08-22 | 1976-02-26 | Sony Corp |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991004505A1 (fr) * | 1989-09-18 | 1991-04-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede de production d'un filtre de couleur et reserve pour film d'ecran antilumiere utilise par ce procede |
US5248576A (en) * | 1989-09-18 | 1993-09-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method of producing color filter using a micellar disruption method |
US6981648B1 (en) | 1999-02-25 | 2006-01-03 | Natec Incorporated | Information carrier medium and reader for reading the information carrier medium |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4721999A (en) | Color imaging device having white, cyan and yellow convex lens filter portions | |
EP1152472B1 (en) | Image sensor pixel layout to reduce fixed pattern noise | |
US4412236A (en) | Color solid-state imager | |
Furumiya et al. | High-sensitivity and no-crosstalk pixel technology for embedded CMOS image sensor | |
EP0030476B1 (en) | Solid state color imager and method of manufacturing the same | |
US20040100570A1 (en) | Image sensor and digital camera | |
JPS60137059A (ja) | 3層4段構造固体撮像装置 | |
US11824074B2 (en) | Imaging element and imaging apparatus including incident light attenuating section between color filters | |
KR100560309B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 광 칼라 감도 감지 방법 | |
JP2020150267A (ja) | 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法 | |
JP4264249B2 (ja) | Mos型イメージセンサ及びデジタルカメラ | |
JPS605558A (ja) | カラ−固体撮像素子の製造方法 | |
JPS5972164A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH026273B2 (ja) | ||
JPH05328233A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2002107531A (ja) | カラーフィルタおよびカラー撮像素子 | |
JPH05226624A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2956115B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0472664A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH03276676A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20060076430A (ko) | 시모스 이미지 센서의 광차폐막 및 그의 형성방법 | |
WO2024024335A1 (ja) | 光検出装置 | |
JP2007199386A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 | |
KR840002082B1 (ko) | 고체 칼러 촬상소자 | |
JP3487069B2 (ja) | 半導体受光素子 |