JPS6055338A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
- Publication number
- JPS6055338A JPS6055338A JP58163456A JP16345683A JPS6055338A JP S6055338 A JPS6055338 A JP S6055338A JP 58163456 A JP58163456 A JP 58163456A JP 16345683 A JP16345683 A JP 16345683A JP S6055338 A JPS6055338 A JP S6055338A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- layer
- ray
- resist
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１μｍ以下の微細パターンの複写に威力を発揮
するＸ線リングラフィの分野におけるＸ線露光方法に関
する。
するＸ線リングラフィの分野におけるＸ線露光方法に関
する。
軟Ｘｍを用いたＸ線リングラフィが高解像度パターンの
複写技術として有望であることが、エレクトｏ＝クス・
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２〜１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究、開発が精
力的に進められ、近年実用段階にかなり近けいている。
複写技術として有望であることが、エレクトｏ＝クス・
レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第８巻第４号第１０２〜１０４頁（１９７２年）に発表
されて以来、Ｘ線リングラフィに関する研究、開発が精
力的に進められ、近年実用段階にかなり近けいている。
本発明者は、長年Ｘ線リングラフィの研究、開発の過程
で一つの重要な問題点に気が相いた。それは、Ｘ線マス
ク、特にマスク上のＸ線吸収体である勤パターンから放
出される光電子・オージェ電子の効果に関するものであ
る。もつとも、光電子・オージェ電子放出に関する指摘
は、１９７５年に発行された刊行物ジャーナル・オブ・
バキュウム会サイエンスーアンド・テクノロジー（Ｊｏ
ｕｒｎａ １ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａ
ｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１２巻第６号第１３２
９〜１３３１頁になされている。しかし、この論文では
、助ターゲット（跪線の波長は４．６１）、■ターゲラ
） ＣＬａ線の波長は４．３７＾）等を使用する場合に
おいて、より多く放射される高エネルギー成分である連
続Ｘ線による効果の観点において前記光電子・オージェ
電子の効果が指摘されている。
で一つの重要な問題点に気が相いた。それは、Ｘ線マス
ク、特にマスク上のＸ線吸収体である勤パターンから放
出される光電子・オージェ電子の効果に関するものであ
る。もつとも、光電子・オージェ電子放出に関する指摘
は、１９７５年に発行された刊行物ジャーナル・オブ・
バキュウム会サイエンスーアンド・テクノロジー（Ｊｏ
ｕｒｎａ １ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａ
ｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１２巻第６号第１３２
９〜１３３１頁になされている。しかし、この論文では
、助ターゲット（跪線の波長は４．６１）、■ターゲラ
） ＣＬａ線の波長は４．３７＾）等を使用する場合に
おいて、より多く放射される高エネルギー成分である連
続Ｘ線による効果の観点において前記光電子・オージェ
電子の効果が指摘されている。
本発明者は、Ｍターゲットαα綜の波長は８，３４ター
ゲツト（臣線の波長は５．４１＾）、及び■ターゲット
等を用いて、巾広くよシ詳細にＸ線マスクから放出され
る光電子会オージェ電子の効果を研究する過程において
、新たな問題点と思われる実験小実を見出した。第１図
に、問題点の内容を説明するためのポジ形レジストの感
度特性が示されている。第１図では、Ｘ線マスクを用い
た転写において、Ｘ線吸収体であるんパターンの直下の
レジストへのＸｍドース量はＤ□（ＩＡ膜率ｉｏｏ ％
）に、またんパターン無しの部分直下のレジストへの
Ｘ線ドース量はＤＸ （残膜率０チ）になるように露光
条件を設定した場合を考えている。
ゲツト（臣線の波長は５．４１＾）、及び■ターゲット
等を用いて、巾広くよシ詳細にＸ線マスクから放出され
る光電子会オージェ電子の効果を研究する過程において
、新たな問題点と思われる実験小実を見出した。第１図
に、問題点の内容を説明するためのポジ形レジストの感
度特性が示されている。第１図では、Ｘ線マスクを用い
た転写において、Ｘ線吸収体であるんパターンの直下の
レジストへのＸｍドース量はＤ□（ＩＡ膜率ｉｏｏ ％
）に、またんパターン無しの部分直下のレジストへの
Ｘ線ドース量はＤＸ （残膜率０チ）になるように露光
条件を設定した場合を考えている。
Ｓｉターゲットを用い、使用されたＸ線マスクのＡｌｌ
ｌｌ−ンのに４に対するマスクコントラストは第１図の
Ｄ□対Ｄ２を得るのに十分な場合における転写実験を行
っているうちに、計算から得られる前記コントラスト比
が実際の転写においてはほとんど実現されないことを発
見した。すなわち、第１図で設定した露光条件に従がい
、Ｍパターンがない部分の直下に位置するレジストへの
Ｘ線ドース量をＤ！に設定すると、盾パターンの真下で
は計算上Ｘ線ドース量はり、であるべきである。ところ
が残膜から逆算すると、んパターンの裏下のレジスト層
へのＸ線ドース量はＤｌよシはるかに多いり、となり、
このＸ線ドース量り、がレジストに与えられていたので
ある。このことはＸ線吸収体パターンであるんパターン
から光電子・オージェ電子が放出され、余剰露光がＭパ
ターン直下のレジストに与えられることに基因している
。
ｌｌ−ンのに４に対するマスクコントラストは第１図の
Ｄ□対Ｄ２を得るのに十分な場合における転写実験を行
っているうちに、計算から得られる前記コントラスト比
が実際の転写においてはほとんど実現されないことを発
見した。すなわち、第１図で設定した露光条件に従がい
、Ｍパターンがない部分の直下に位置するレジストへの
Ｘ線ドース量をＤ！に設定すると、盾パターンの真下で
は計算上Ｘ線ドース量はり、であるべきである。ところ
が残膜から逆算すると、んパターンの裏下のレジスト層
へのＸ線ドース量はＤｌよシはるかに多いり、となり、
このＸ線ドース量り、がレジストに与えられていたので
ある。このことはＸ線吸収体パターンであるんパターン
から光電子・オージェ電子が放出され、余剰露光がＭパ
ターン直下のレジストに与えられることに基因している
。
本発明者は、真空中（＜４ ＸＩＯ′Ｔｏｒｒ ）で転
写実験を行ったが、真空中では、勤パターンから放出さ
れる光電子・オージェ電子の飛程が大きく、レジストへ
の影響がより顕著であると考えられる。
写実験を行ったが、真空中では、勤パターンから放出さ
れる光電子・オージェ電子の飛程が大きく、レジストへ
の影響がより顕著であると考えられる。
Ａｎハターンから発生する光電子−オージェ電子（二次
電子）の量を正確に評価することは難しいが、本発明者
は実験結果から第２図に示すようなＰｄ線源を用いた場
合における、ネガレジス） ＰＧＭＡの残存膜厚特性図
を得た全てのデータ点におけるＰｄＬａ線のＰＧＭＡに
対するドース量は１３０ ｍＪ／ｄに設定した。Ｘ線マ
スクがない場合（旧印で示すデータ）、すなわち、Ｘ線
が直接ＰＧＭＡに照射される場合、ＰＧＭＡの残存膜は
露光雰囲気の圧力増加に伴って次第に減少する。一方、
会面に薄い油膜（１７ｎｍ厚）を有するＸ線マスクを通
してＰω仏レジストにＸ線が照射された場合（目印で示
すデータ）、ＰＧＭＡの残存膜厚は圧力によらス＃１は
一定の値を示し、しかも極めて高い残膜率（９０チ以上
）を有する。これは、前述のように、盾表面から多量の
光電子・オージェが放出され、ＰＧＭＡレジストへの余
剰露光が生じるためと考えられる。
電子）の量を正確に評価することは難しいが、本発明者
は実験結果から第２図に示すようなＰｄ線源を用いた場
合における、ネガレジス） ＰＧＭＡの残存膜厚特性図
を得た全てのデータ点におけるＰｄＬａ線のＰＧＭＡに
対するドース量は１３０ ｍＪ／ｄに設定した。Ｘ線マ
スクがない場合（旧印で示すデータ）、すなわち、Ｘ線
が直接ＰＧＭＡに照射される場合、ＰＧＭＡの残存膜は
露光雰囲気の圧力増加に伴って次第に減少する。一方、
会面に薄い油膜（１７ｎｍ厚）を有するＸ線マスクを通
してＰω仏レジストにＸ線が照射された場合（目印で示
すデータ）、ＰＧＭＡの残存膜厚は圧力によらス＃１は
一定の値を示し、しかも極めて高い残膜率（９０チ以上
）を有する。これは、前述のように、盾表面から多量の
光電子・オージェが放出され、ＰＧＭＡレジストへの余
剰露光が生じるためと考えられる。
以上述べたような如パターンから放出される光ｉｔ子・
オージェ電子によるレジストへの余剰露光は、微細パタ
ーンの正確な複写を実現するという観点においては、重
大な問題点である、すなわち、実際のＸ線露光転写にお
いて、高残膜を得るようなＸ線ドースを設定できないこ
と、及び残存膜膜厚の大巾な増加等は、微細レジストパ
ターン（％にサブミクロ幅パターン）の形成において大
きな障吾である。
オージェ電子によるレジストへの余剰露光は、微細パタ
ーンの正確な複写を実現するという観点においては、重
大な問題点である、すなわち、実際のＸ線露光転写にお
いて、高残膜を得るようなＸ線ドースを設定できないこ
と、及び残存膜膜厚の大巾な増加等は、微細レジストパ
ターン（％にサブミクロ幅パターン）の形成において大
きな障吾である。
本発明の目的は、従来の問題点を解消するもので、Ｘ線
マスクから発生する光電子・オージェ電子による悪影響
を回避し、Ｘ線リングラフィにおける微細パターン膜厚
を、より４９度よく行うことのできるＸ線露光方法を提
供することにある。すなわち、本発明はＸ線眩収体パタ
ーンを備えたＸ線マスクに透過させて被加工物に塗布し
たレジストにＸ線源よりのＸｍ束を照射させ、Ｘ線マス
クのパターンをレジストに転写するＸ線ｊ８光方法にお
いて、高感度のポジ形レジスト層を下層に、低感度のネ
ガ形レジスト層を上層として被加工物にレジスト層を上
下二段に塗布し、上部ネガ形レジスト層の膜厚を、前記
Ｘ線吸収体パターンより放出される二次電子の咳レジス
ト層内での飛程より少し厚くして、該上部ネガ形レジス
ト層を二次電子に対するバッファ層として用い、下部ポ
ジ形レジスト層の膜厚を基準とした適正な露光量でＸ線
を照射し、上部レジスト層を透過して下部レジスト層に
Ｘ線マスクのパターンを転写するとともに、二次電子を
上部レジストに吸収させることを特徴とするＸ線露光方
法である。
マスクから発生する光電子・オージェ電子による悪影響
を回避し、Ｘ線リングラフィにおける微細パターン膜厚
を、より４９度よく行うことのできるＸ線露光方法を提
供することにある。すなわち、本発明はＸ線眩収体パタ
ーンを備えたＸ線マスクに透過させて被加工物に塗布し
たレジストにＸ線源よりのＸｍ束を照射させ、Ｘ線マス
クのパターンをレジストに転写するＸ線ｊ８光方法にお
いて、高感度のポジ形レジスト層を下層に、低感度のネ
ガ形レジスト層を上層として被加工物にレジスト層を上
下二段に塗布し、上部ネガ形レジスト層の膜厚を、前記
Ｘ線吸収体パターンより放出される二次電子の咳レジス
ト層内での飛程より少し厚くして、該上部ネガ形レジス
ト層を二次電子に対するバッファ層として用い、下部ポ
ジ形レジスト層の膜厚を基準とした適正な露光量でＸ線
を照射し、上部レジスト層を透過して下部レジスト層に
Ｘ線マスクのパターンを転写するとともに、二次電子を
上部レジストに吸収させることを特徴とするＸ線露光方
法である。
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第３図は、本発明に係るＸ線露光方法の一実施例を示す
概略図である。本発明に係るＸ線露光方法において、Ｘ
線源１のＸ線取出し窓２からＸ線束３を放射させ、該Ｘ
線束３をＸ線マスク４を通過させて、レジストを塗布さ
れた被加工物（ウェハー）５に照射することは従来と同
様である。本発明におけるＸ線マスク４は、Ｘ線束に対
して透過度の高いマスク基板６と、前記マスク基板上に
形成されたＸ線吸収体（Ａｕ）パターン７とから構成さ
れる。以上の構成は従来と同じである。本発明において
被加工物（ウェハー）５には高感度のポジ形レジスト層
９を下に、低感度のネガ形レジストＷｊ８を上にして上
下二段に塗布する。ここで、上部の低感度のネガ形レジ
スト層８の膜厚について言及する。Ｘ線吸収体パターン
７から放出される光電子・オージェ電子の飛程はＡＩＫ
Ｃｔ線（１，４９Ｋｅｙ ） ７％らＰｄＬα線（２，
８４Ｋｅｙ ）のエネルギー範囲において、レジスト層
８内でおよそ数千人であると考えられる。なお、電子の
飛程に関する実験式等が例えば１９７４年に発刊された
フイジカ、スティタス、ソリディ（Ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ５ｏｌ（ａ） ）第２６巻第５２５−Ｊ１１３５
頁に示されている。したがって、上部ネガ形レジスト層
８の膜厚は光電子・オージェ電子（二次電子）の飛程数
千λよシ少し厚い程度に設定し、該上部ネガ形レジスト
層８を二次電子に対するバッファ層として用いる。また
、上部ネガ形レジスト層８と下部ポジ形レジストＭ９と
に使用するレジストの感度差は上部ネガ形レジスト層８
の感度を１００ミルジユールオーダとし、また下部レジ
スト層９の感度を１０ミリジユールオーダとし、１桁の
オーダとすることが望ましいが、使用するレジストの立
上り感度によっては上述した上、下部レジスト層の感度
差が小ユくなったとしても支障はない。また低感度の上
部ネガ形レジスト層８には商品名ＣＭＳ（東洋曹達工業
ａ陽製）、商品名ＪＳＲＭ ｍ５−Ｂ （日本合成ゴム
＠製）などのレジストを使用でき、−刃高感度の下部ポ
ジ形レジスト層９には商品名ＦＢＭ （ダイキン工業（
働製）などのレジストを使用できる。
概略図である。本発明に係るＸ線露光方法において、Ｘ
線源１のＸ線取出し窓２からＸ線束３を放射させ、該Ｘ
線束３をＸ線マスク４を通過させて、レジストを塗布さ
れた被加工物（ウェハー）５に照射することは従来と同
様である。本発明におけるＸ線マスク４は、Ｘ線束に対
して透過度の高いマスク基板６と、前記マスク基板上に
形成されたＸ線吸収体（Ａｕ）パターン７とから構成さ
れる。以上の構成は従来と同じである。本発明において
被加工物（ウェハー）５には高感度のポジ形レジスト層
９を下に、低感度のネガ形レジストＷｊ８を上にして上
下二段に塗布する。ここで、上部の低感度のネガ形レジ
スト層８の膜厚について言及する。Ｘ線吸収体パターン
７から放出される光電子・オージェ電子の飛程はＡＩＫ
Ｃｔ線（１，４９Ｋｅｙ ） ７％らＰｄＬα線（２，
８４Ｋｅｙ ）のエネルギー範囲において、レジスト層
８内でおよそ数千人であると考えられる。なお、電子の
飛程に関する実験式等が例えば１９７４年に発刊された
フイジカ、スティタス、ソリディ（Ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ５ｏｌ（ａ） ）第２６巻第５２５−Ｊ１１３５
頁に示されている。したがって、上部ネガ形レジスト層
８の膜厚は光電子・オージェ電子（二次電子）の飛程数
千λよシ少し厚い程度に設定し、該上部ネガ形レジスト
層８を二次電子に対するバッファ層として用いる。また
、上部ネガ形レジスト層８と下部ポジ形レジストＭ９と
に使用するレジストの感度差は上部ネガ形レジスト層８
の感度を１００ミルジユールオーダとし、また下部レジ
スト層９の感度を１０ミリジユールオーダとし、１桁の
オーダとすることが望ましいが、使用するレジストの立
上り感度によっては上述した上、下部レジスト層の感度
差が小ユくなったとしても支障はない。また低感度の上
部ネガ形レジスト層８には商品名ＣＭＳ（東洋曹達工業
ａ陽製）、商品名ＪＳＲＭ ｍ５−Ｂ （日本合成ゴム
＠製）などのレジストを使用でき、−刃高感度の下部ポ
ジ形レジスト層９には商品名ＦＢＭ （ダイキン工業（
働製）などのレジストを使用できる。
さらに、本発明においては下部レジスト層９の膜厚を基
準とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部レジスト層
８を透過して下部レジスト層９にＸ線マスク４のパター
ン７を転写するとともに、二次電子１０を上部レジスト
層８に吸収させる。ＸＩｉ！ｉ！露光転写によって、ん
パターン７が転写されるわけであるが、このとき前述の
ようにとパターン７から多数の光電子・オージェ電子１
ｏが放出される。これら光電子・オージェ電子は、上部
ネガレジスト層８を露光するが、この上部ネガレジスト
層８は低感度であるため、感電子反応（架橋）が生じな
い。ヒの点が本発明の特徴であり、この点をさらに詳し
く説明する。第４図はＸ線マスク及び上、下部レジスト
層の詳細図である。上部ネガ形レジスト層８を良、下部
ポジ形レジスト層９をＲ１、ＡｎハＩ’−ン７直下部を
領域１１．Ａｕパターンがないとζろの直下部分を領域
Ｉとする。第５図に、領域■、■における、レジストＪ
ｖＪＲｘ、Ｒ４の露光状態を示す感度特性を示す。第５
図（Ｉ）におｈて領域■の下部ポジ形レジスト層Ｒ１に
おいてはＸ線ドース量はＤｌで、残膜率はＯであシ、上
部ネガ形しジスト層島においてはＸ線ドース量はり、で
、残膜率は０である。上部ネガ形しジス） Ｎ＆のドー
ス量Ｄ！は如パターン７から放出される光電子＝オージ
ェ電子のため、下部ポジ形しジスト層ルへのＸ線ドース
量Ｄ１よシはるかに増力日している。第５図（！ｌ）に
示すように領域Ｈの下部ポジ形レジスト層Ｒ１において
は、Ｘ線ドース量はＤｌで、残膜率は工、ｏであシ、上
部ネガ形しジスト層鳥においてはＸ線ド−ス量はり、で
、残膜率は０である。従って、このような設定における
一回のＸ線転写が行われると、上部ネガ形しジスト層鳥
が二次電子に対するバッファ層として作用するため、下
部ポジ形しジストｊ裔Ｒ１については残膜率１００％の
パターンが得られる。このとき、上部ネガ形レジスト層
Ｒ２は残膜率０チであり残らない。すなわち、現像工程
において、上部ネガレジストは全て溶解し、下部ポジ形
レジスト層Ｒ１の残膜率１００チの収部のみが残る。
準とした適正な露光量でＸ線を照射し、上部レジスト層
８を透過して下部レジスト層９にＸ線マスク４のパター
ン７を転写するとともに、二次電子１０を上部レジスト
層８に吸収させる。ＸＩｉ！ｉ！露光転写によって、ん
パターン７が転写されるわけであるが、このとき前述の
ようにとパターン７から多数の光電子・オージェ電子１
ｏが放出される。これら光電子・オージェ電子は、上部
ネガレジスト層８を露光するが、この上部ネガレジスト
層８は低感度であるため、感電子反応（架橋）が生じな
い。ヒの点が本発明の特徴であり、この点をさらに詳し
く説明する。第４図はＸ線マスク及び上、下部レジスト
層の詳細図である。上部ネガ形レジスト層８を良、下部
ポジ形レジスト層９をＲ１、ＡｎハＩ’−ン７直下部を
領域１１．Ａｕパターンがないとζろの直下部分を領域
Ｉとする。第５図に、領域■、■における、レジストＪ
ｖＪＲｘ、Ｒ４の露光状態を示す感度特性を示す。第５
図（Ｉ）におｈて領域■の下部ポジ形レジスト層Ｒ１に
おいてはＸ線ドース量はＤｌで、残膜率はＯであシ、上
部ネガ形しジスト層島においてはＸ線ドース量はり、で
、残膜率は０である。上部ネガ形しジス） Ｎ＆のドー
ス量Ｄ！は如パターン７から放出される光電子＝オージ
ェ電子のため、下部ポジ形しジスト層ルへのＸ線ドース
量Ｄ１よシはるかに増力日している。第５図（！ｌ）に
示すように領域Ｈの下部ポジ形レジスト層Ｒ１において
は、Ｘ線ドース量はＤｌで、残膜率は工、ｏであシ、上
部ネガ形しジスト層鳥においてはＸ線ド−ス量はり、で
、残膜率は０である。従って、このような設定における
一回のＸ線転写が行われると、上部ネガ形しジスト層鳥
が二次電子に対するバッファ層として作用するため、下
部ポジ形しジストｊ裔Ｒ１については残膜率１００％の
パターンが得られる。このとき、上部ネガ形レジスト層
Ｒ２は残膜率０チであり残らない。すなわち、現像工程
において、上部ネガレジストは全て溶解し、下部ポジ形
レジスト層Ｒ１の残膜率１００チの収部のみが残る。
なお、本発明の２層厚膜レジスト構成は、Ｘ線リングラ
フィにおいて可能なものでらり、例えば電子ビーム露光
法では近接効果等のため不可能となる。
フィにおいて可能なものでらり、例えば電子ビーム露光
法では近接効果等のため不可能となる。
以上説明したように本発明によれば、第１にＸ線リソグ
ラフィにおけるサブミクロン幅の高解像度複写をより確
実にできる。、第２にＸ線マスクより二次電子が放出さ
れるーままにし、二次電子の影響をレジスト側で除去す
るため、Ｘ線マスクの設計に制約を与えることがなく、
その設計に自由度を与えることができ、第３にＸ線露光
の露光雰囲気等のシステム設計に自由度を力えることが
できる効果を有するものである。
ラフィにおけるサブミクロン幅の高解像度複写をより確
実にできる。、第２にＸ線マスクより二次電子が放出さ
れるーままにし、二次電子の影響をレジスト側で除去す
るため、Ｘ線マスクの設計に制約を与えることがなく、
その設計に自由度を与えることができ、第３にＸ線露光
の露光雰囲気等のシステム設計に自由度を力えることが
できる効果を有するものである。
第１図は、従来技術の問題点であるネガ形レジストでの
二次電子による余剰露光効果を示した感度特性図、第２
図は同じ（ＰＧＭＡの残膜特性を示した図、第３図は木
兄り」にかかる一実施例であるＸ線・露光方法の概絡図
、泥４図はＸ線マスク及びレジメ） ＭＷ成の詳細図、
第５図（１） 、 （Ｉｆ）は本発明の原理ケ説つ」し
たポジ形ネガ形２層４ｖ、７造における感度％注口であ
る。 １・・・Ｘ線シ、２・・・Ｘ線取出し窓、３・・・Ｘ線
采、４・・・Ｘ線マスク、５・・・被加工物、６・・・
マスク基板、７・・・Ｘ線吸収体パターン、８・・・ネ
ガ形レジスト層、９・・・ネガ形しジスト胎、１０・・
・光電子・オージェを子 特許出願人 日本電気株式会社 第５図 Ｘ線「゛−ス量 × 糸泉 Ｆ？−ス 領μ
二次電子による余剰露光効果を示した感度特性図、第２
図は同じ（ＰＧＭＡの残膜特性を示した図、第３図は木
兄り」にかかる一実施例であるＸ線・露光方法の概絡図
、泥４図はＸ線マスク及びレジメ） ＭＷ成の詳細図、
第５図（１） 、 （Ｉｆ）は本発明の原理ケ説つ」し
たポジ形ネガ形２層４ｖ、７造における感度％注口であ
る。 １・・・Ｘ線シ、２・・・Ｘ線取出し窓、３・・・Ｘ線
采、４・・・Ｘ線マスク、５・・・被加工物、６・・・
マスク基板、７・・・Ｘ線吸収体パターン、８・・・ネ
ガ形レジスト層、９・・・ネガ形しジスト胎、１０・・
・光電子・オージェを子 特許出願人 日本電気株式会社 第５図 Ｘ線「゛−ス量 × 糸泉 Ｆ？−ス 領μ
Claims (1)
- （１）Ｘ線吸収体パターンを備えたＸ線マスクに透過さ
せて、被加工物に塗布したレジストにＸ線源よりのＸ線
束を照射し、Ｘ線マスクのパターンをレジストに転写す
るＸ線露光方法において、高感度のポジ形レジスト層を
下層に、低感度のネガ形レジスト層を上層とし℃被加工
物にレジスト層を上下二段に塗布し、上部ネガ形レジス
ト層の膜厚を、前記Ｘ線吸収体パターンより放出される
二次電子の該レジスト層内での飛程よシ少し厚くして該
上部ネガ形レジスト層を二次電子に対するバッファ層と
して用い、下部ポジ形レジスト層の膜厚を基準とした適
正な露光量でＸ線を照射し、上部レジスト層を透過して
下部ポジ形レジスト層にＸ線マスクのパターンを転写す
るとともに二次電子を上部レジスト層に吸収させること
を特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163456A JPS6055338A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163456A JPS6055338A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055338A true JPS6055338A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15774225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163456A Pending JPS6055338A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055338A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1275031A1 (en) * | 2000-04-18 | 2003-01-15 | Obducat Aktiebolag | A substrate for and a process in connection with the product of structures |
| EP1489460A2 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive sheet comprising support, first light-sensitive layer and second light-sensitive layer |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58163456A patent/JPS6055338A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1275031A1 (en) * | 2000-04-18 | 2003-01-15 | Obducat Aktiebolag | A substrate for and a process in connection with the product of structures |
| JP2004513504A (ja) * | 2000-04-18 | 2004-04-30 | オブドゥカト アクティエボラーグ | 構造体に関連する基板及びその製造方法 |
| EP1489460A2 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive sheet comprising support, first light-sensitive layer and second light-sensitive layer |
| EP1489460A3 (en) * | 2003-06-20 | 2008-07-09 | FUJIFILM Corporation | Light-sensitive sheet comprising support, first light-sensitive layer and second light-sensitive layer |
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