JPS6053037A - 半導体素子臀載用多層複合金属条 - Google Patents

半導体素子臀載用多層複合金属条

Info

Publication number
JPS6053037A
JPS6053037A JP16236783A JP16236783A JPS6053037A JP S6053037 A JPS6053037 A JP S6053037A JP 16236783 A JP16236783 A JP 16236783A JP 16236783 A JP16236783 A JP 16236783A JP S6053037 A JPS6053037 A JP S6053037A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal strip
alloy
strip
layer
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16236783A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ishibe
石部 浩
Nobuo Ogasa
小笠 伸夫
Akira Otsuka
昭 大塚
Masanori Tsujioka
正憲 辻岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP16236783A priority Critical patent/JPS6053037A/ja
Publication of JPS6053037A publication Critical patent/JPS6053037A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は侃と低熱膨張係数をイ:Tηる「0糸合舎ど
から’eEす、かつ表層がCuである半導体素子搭載用
多層複合金111A条に関するものであって、該複合金
属条の表面積の10〜50%に竣故個の透1.をfiづ
るFe系合金条を中心4イ斜どして用いることに1」、
7rC1、へ複合金11バ条の板厚方向への熱伝導rμ
’J M 、、l−μしめ、゛1′ノbi本克子から発
1l−Tlる穴きを(j−勺jにIiり父イ(しうる特
徴を有する半導体素子搭載用多層複合金属条を提供1/
υとするものである。
従来、一般に半導体素子はロウ1−」す、ま]こ(よ接
着用ペースト材を用いて是板月114:に接盾されCい
る。
このため基板IJ料に要求される特性どして半導体素子
であるSしやGaAsと熱膨張が一致することか重要な
要イ′]であったが、近年半導体系子の高密I良化や高
電力化が進むにつれて、半導体素子に発生づるジュール
熱を有効に除去Jるための放熱14竹(熱伝導特性)も
また非常に重要な因子となってきている。
このため、半う!)体素子が小型で基板井、I I+と
のだ1膨張係数の差により生ずる応力が小さい場合に(
ま、基板+J )’3+として銅または銅合金が用いら
れることが多くなってきた。
これに対して半導体素子が人ハ゛)の場合、以仮祠わ1
との熱膨張係数の差により生ずる応力か大きくなり、半
導体素子の剥離や破壊か1 U i′)りい。
そこで基板材料の熱膨張係数を工1′導体水子のそれ(
例えばSi : 4.OX 10%<i+’c 、 G
2AS : G、+X +。
c、n−4”C)に近似させ、なJ5がっ熱転導度を一
向上さ口るために、表層が銅でその内1+’Rに」バー
ル42−アL1イ(42%NL −Fe )と卦iとの
31帝以にの?シ合6ン1+1+条を用いlこ多層複合
金属条が提案され、−FXlt c利用されている。
しかしながら、この複合金属条では条の平面方向の熱転
)9率は銅の被覆比率に応じて河しく改善されるが、1
!■に熱放散1iの点で重要イi条の仮1’;Jツノ向
の熱伝導率がさほど敗色されり゛、従っでイの大川範囲
が限定されていた。
この発明は上記のような従来の複合金1j4条の欠L!
を改恵り−るためになされたしのであって、多層複合金
属条の内層に用いるFe系合金条としC,複数の透孔を
右1”るbのを用いることにJす、♀し含金属栄の板J
17方向の熱伝導特性を向上さけ、゛1′導体素子より
41−するジュール熱の放散をスノ、−ズにりることの
′T、きる半とI体素子塔載用多層ip合金属条を提供
りることを目的どするしのてあり)2゜第1図は従来よ
り用いられてきたCALlと 42−フッ0イ2からな
る多層複合金属条の断面図を示したものであって、この
ものの板厚方向の熱伝導率は第3図に示づように低く、
複合化のダj宋が一1分とはいえない。
これに対して第2図に断面図どじで示したこの発明の多
層複合金属条はQ1層11とFe系合金hη、例エバ4
2−アロイ層12の多層からなるものの、この42−ア
ロイ層12には部分的に透孔部13が設りられており、
従ってこの透孔部13の部分では42−アl」イ層12
の両面に存在するcIL層11が直接接触づることとな
り、板厚方向の熱伝導率の改善に大きく寄与するのであ
る。
第2図のこの発明の複合金属条においては、イの層(1
4成を5層としたが、これは3層以下(はNll性と熱
特性が不十分なためである1゜ またFe系合金条に設ける複数個の透孔(4条の表面積
の10〜50%が適当である。
これ(J透孔が条の表面積の10%以下ではこの発明の
効果か十分に期待できず、5した50%をこえると基板
の殿械的性質が著しく低下ηるためC′ある。
このような多層複合金属条の製法とじて(よ、践械的圧
接法、溶融めっき法などが適当である。
以下この発明を実施例により説明りる、。
実施例 この発明の多層複合金属条を熱間圧延法にJ:り製j告
した。即ち基板月利としては板厚0 、2 nun、面
積比20%の透孔をありた42−アロイ板ど板〃0.2
冊のCIL板を用いた。はじめに800°CでαL板両
面に42−7[コイを圧接し、その後この42−アロイ
 −侃−42アロイ複合材の両面に800℃で仮を圧接
した。
かくして1すられた多層複合金属条の断面を顕微鏡く観
察したところ、透孔の部分では伍が直接接触してd3す
、α化は40%であった。またこの多苦担合金1iiS
条の熱転う9率は0.23 C−,11/ SeC,c
m″Cとなり、従来の透孔のない複合金属条に比べて約
4倍はと熱伝導Itjか向上した。
同様にし’CCuクラツド比を変えた複合金属条の熱転
)8・参″を51トめたどころ第3図の如くなり、従来
の透孔のない多層複合金属条のそれに比べて熱転jQ 
’?、’か人さく向上していることか認められた。
以上のように、この発明による半導体素子搭載用複合金
属条J:りなる基板は熱伝導率が向」ニしているため、
半導体素子の高密度化、高消費電力化に十分対応できる
ことが実−[された。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の多層複合金属条の断i′i′Ij図、第
2図はこの発明の多層複合金属条の断面図、第3図はこ
の発明の多層複合金属条と従来の多層複合金属条の熱伝
導率の比較グラフである。 11・・・ω層 12・・・Fe系台金層 13・・・
透孔部持着′(出願人 住友電気工業株式会社代 1!
Ii 人 弁理士 和 1) 昭第1図 1113 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Fe系合金層を少なくとも2層以」:有し、表層
    か気である多層複合金属系において、該複合金1ijX
    条表面積の10〜50%に複数個の透孔を右づ−るFe
    系合金条を中心材料として用いることを14徴とり−る
    半導体素子11j載用多層複合金属条。
  2. (2) 熱Il+B張係数が4.0〜12.Ox 10
    cm4°CのFe系合金を用いることを1SI徴とJ−
    る特に’l請求の範囲第1項記載の半導体素子搭載用多
    層複合金属条。
JP16236783A 1983-09-01 1983-09-01 半導体素子臀載用多層複合金属条 Pending JPS6053037A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16236783A JPS6053037A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 半導体素子臀載用多層複合金属条

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16236783A JPS6053037A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 半導体素子臀載用多層複合金属条

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6053037A true JPS6053037A (ja) 1985-03-26

Family

ID=15753216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16236783A Pending JPS6053037A (ja) 1983-09-01 1983-09-01 半導体素子臀載用多層複合金属条

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6053037A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03227621A (ja) * 1989-12-12 1991-10-08 Sumitomo Special Metals Co Ltd 熱伝導複合材料
JP2010096639A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Hitachi Ltd Nmr装置用プローブ及びnmr装置
JP2012016935A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Nisshin Steel Co Ltd 異方性伝熱体およびその製造法
JP2016127275A (ja) * 2014-12-30 2016-07-11 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 回路基板、これを含む多層基板及び回路基板の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55159967A (en) * 1979-05-08 1980-12-12 Hascoe Norman Heat transmitting metallic plate unit
JPS5690546A (en) * 1979-12-24 1981-07-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Composite material for semiconductor part
JPS5812957A (ja) * 1981-07-15 1983-01-25 Matsushita Electric Works Ltd 自然循環型太陽熱温水器の湯水分離構造

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55159967A (en) * 1979-05-08 1980-12-12 Hascoe Norman Heat transmitting metallic plate unit
JPS5690546A (en) * 1979-12-24 1981-07-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Composite material for semiconductor part
JPS5812957A (ja) * 1981-07-15 1983-01-25 Matsushita Electric Works Ltd 自然循環型太陽熱温水器の湯水分離構造

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03227621A (ja) * 1989-12-12 1991-10-08 Sumitomo Special Metals Co Ltd 熱伝導複合材料
JP2010096639A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Hitachi Ltd Nmr装置用プローブ及びnmr装置
JP2012016935A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Nisshin Steel Co Ltd 異方性伝熱体およびその製造法
JP2016127275A (ja) * 2014-12-30 2016-07-11 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 回路基板、これを含む多層基板及び回路基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59145553A (ja) 複合構造体及びその形成方法
US20060030147A1 (en) Selectively coating bond pads
JPS59145552A (ja) 複合物品
JPH0313331A (ja) 熱膨張係数及び熱伝導率可変複合材料
JPH029155A (ja) 複合金属材料
JP2001152385A (ja) コーティングされた金属製品
KR910011448A (ko) 열전도성 복합재
JPS6053037A (ja) 半導体素子臀載用多層複合金属条
JP3462308B2 (ja) 熱伝導複合材料の製造方法
JPS59198790A (ja) プリント配線基板
JPH02231751A (ja) リードフレーム用材料
JPH05109947A (ja) 熱伝導材料とその製造方法
JPS63261863A (ja) 表面実装用基板
JPS6027151A (ja) 半導体素子搭載用複合金属条
JPS61295693A (ja) プリント回路用の金属基板
JPS62283647A (ja) Pga用基板
JPS59180908A (ja) 銀被覆導体とその製造方法
JPS63261733A (ja) メタル基板
JPS60206053A (ja) リ−ドフレ−ム
JP3037485B2 (ja) 熱伝導材料とその製造方法
JP3816348B2 (ja) 金属接合用皮膜
JPS589399A (ja) 金属芯印刷配線板の製造方法
JPS6229192A (ja) 電子回路用ホ−ロ−基板
JPH02111095A (ja) 表面実装用基板
JPS61260663A (ja) リ−ドフレ−ム用クラツド材