JPS6052073A - 波長安定化半導体レ−ザ - Google Patents
波長安定化半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6052073A JPS6052073A JP15952383A JP15952383A JPS6052073A JP S6052073 A JPS6052073 A JP S6052073A JP 15952383 A JP15952383 A JP 15952383A JP 15952383 A JP15952383 A JP 15952383A JP S6052073 A JPS6052073 A JP S6052073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- wavelength
- refractive index
- medium
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、温度安定化ケしなくとも発振波長が高安定な
波長安定化半導体レーザに関する。
波長安定化半導体レーザに関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
彼米の半導体レーザの発振波長は、活性媒質の屈折率が
温度依存性を持つことから、発振波長を安定化するには
、半導体レーザの温度全厳密に制御する必要かある。こ
の点を以下説明する。
温度依存性を持つことから、発振波長を安定化するには
、半導体レーザの温度全厳密に制御する必要かある。こ
の点を以下説明する。
り図である。
処１図の半導体レーザの発振波長λは次式で示される。
但しｍは縦モード次数會示す整数
例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ 半４陣レーザでは屈０
．８Ａ／に程度となる。
．８Ａ／に程度となる。
但しＫは絶対温度
ない。この為発振波長を安定化するのには、半導体Ｖ−
ザの温度を厳密に制御しなけれはならない欠点かある、 （ｃ） 発明の目的 本発明の目的は上記の欠点に鑑与、温匿安定化會しなく
とも発振波擾が高安定な波長安定化半導（ｄ） 発明の
構成 本発明は上記の目的を達成するために、半導体レーザの
活性媒質の屈折率の温度係数と逆符号の温度係数の屈折
率を有する媒質金、該半導体レーザと光学的に結合し、
両端にｅを設は光共振器を形成し、該媒質の長さ′ｆｆ
：温度変化による該共振器の発振波長変化が小さくなる
ようにしたことを特徴とする。
ザの温度を厳密に制御しなけれはならない欠点かある、 （ｃ） 発明の目的 本発明の目的は上記の欠点に鑑与、温匿安定化會しなく
とも発振波擾が高安定な波長安定化半導（ｄ） 発明の
構成 本発明は上記の目的を達成するために、半導体レーザの
活性媒質の屈折率の温度係数と逆符号の温度係数の屈折
率を有する媒質金、該半導体レーザと光学的に結合し、
両端にｅを設は光共振器を形成し、該媒質の長さ′ｆｆ
：温度変化による該共振器の発振波長変化が小さくなる
ようにしたことを特徴とする。
ｔｅｌ 発明の実施例
以１本発明の実施例につき図に従って説明する。
第２図（Ｊ本発明の実施例の波長安定化半導体レーザの
要部のブロック図、第３図は不発明の第２の８＝柿１＆
１１で中間に空間會有する波長安定化半導体レーザの四
部／７）ブロック図、め４図は本発明の第３の実施１タ
リの媒質が長く光が発散している１４８合レンズで収束
した波長安定化半導体レーザの四部のフロック１１４、
第５図は本発明の第４の夾施伊Ｉの純金球面に１−７た
場合の波長安定化半導体レーザの９部のフロック図であ
る。
要部のブロック図、第３図は不発明の第２の８＝柿１＆
１１で中間に空間會有する波長安定化半導体レーザの四
部／７）ブロック図、め４図は本発明の第３の実施１タ
リの媒質が長く光が発散している１４８合レンズで収束
した波長安定化半導体レーザの四部のフロック１１４、
第５図は本発明の第４の夾施伊Ｉの純金球面に１−７た
場合の波長安定化半導体レーザの９部のフロック図であ
る。
（ン：中第１図と同一機能のものは同−記名で示す。
４．５．７．９は屈折率ｎｂの媒質で長さは各々Ｌ ｂ
、 Ｌｂ’、 Ｌｂ”、 Ｉ、ｂ”’で、Ｌｂ″′は鏡
１０の曲率半径である。６は空間で長さはＬｌで示し、
８（Ｊレンズで媒質７と１との間の空間の有効長をＬ！
で示している。１０は球面の鏡ヲ示す。
、 Ｌｂ’、 Ｌｂ”、 Ｉ、ｂ”’で、Ｌｂ″′は鏡
１０の曲率半径である。６は空間で長さはＬｌで示し、
８（Ｊレンズで媒質７と１との間の空間の有効長をＬ！
で示している。１０は球面の鏡ヲ示す。
本発明の波長安定化半導体レーザを形成する為に、活性
媒質の屈折率ｎａの半導体レーザ１と逆符号の屈折率ｎ
ｂの媒質４； ５，７．９を光学的に結合し光共振器を
形成するのには第２図〜第５図に示す方法がある。第２
図の場合Ｃゴ半導体し−サ１と媒質４の接合部全屈折率
の違いによる反射を無反射にするようコーティングをほ
どこし接合ろのでレンズ８を用いた元を収束１−で光学
的に結付し両端に鏡２，３を設けている。
媒質の屈折率ｎａの半導体レーザ１と逆符号の屈折率ｎ
ｂの媒質４； ５，７．９を光学的に結合し光共振器を
形成するのには第２図〜第５図に示す方法がある。第２
図の場合Ｃゴ半導体し−サ１と媒質４の接合部全屈折率
の違いによる反射を無反射にするようコーティングをほ
どこし接合ろのでレンズ８を用いた元を収束１−で光学
的に結付し両端に鏡２，３を設けている。
３−
第５図の場合は半導体レーザーと円椎形の媒質９を接合
し一端の鏡１０全球面にしている。
し一端の鏡１０全球面にしている。
給２図〜第５図の発振波長変化すと各々次式の如くなる
。
。
λ
］トｍ＝ ｎ ａ Ｌａ ＋ｎ ｂ Ｌｂ −−−自・
−−ｆ２１屈折率ｎｂの温度係数が負符号の（２）質と
しては下表に示す如きものがある。尚長ざの温度係数も
共に示しである。
−−ｆ２１屈折率ｎｂの温度係数が負符号の（２）質と
しては下表に示す如きものがある。尚長ざの温度係数も
共に示しである。
４−
（２）〜（５）式において温度が変化した時の波長の変
化をめると夫々れ（２）′〜（５）７式となる。
化をめると夫々れ（２）′〜（５）７式となる。
従って媒質４，５，７．９ｉ例えは上表の中より選び右
辺をＯにするよう媒質４，５，７．９の長さＬ ｂ 、
Ｌ ｂ ／ 、 Ｌ ｂ／ｌ 、Ｌ ｂ／／／をきめ
れば波長の温度による変化全熱くすることが出来る。
辺をＯにするよう媒質４，５，７．９の長さＬ ｂ 、
Ｌ ｂ ／ 、 Ｌ ｂ／ｌ 、Ｌ ｂ／／／をきめ
れば波長の温度による変化全熱くすることが出来る。
（ｆ） 発明の効果
以上詳細に説明ゼる如く本発明によれば、温贋安定化紫
１〜なくとも発振波長が高安定な半導体レーザが侍られ
る効果がある。
１〜なくとも発振波長が高安定な半導体レーザが侍られ
る効果がある。
第１図は従来例の半導体レーザの要部のプロ。
り図、第２図〜第５図は不発明の実施例の腋長安定化半
導体レーザの要部のブロック図である。 図中１は半導体レーザ、２，３．１０は鏡、４゜５．７
．９は媒質、６は空間、８はレンズを示す。 を１ 目 ； 」 −ＬＬＬ１ ７− 編−
導体レーザの要部のブロック図である。 図中１は半導体レーザ、２，３．１０は鏡、４゜５．７
．９は媒質、６は空間、８はレンズを示す。 を１ 目 ； 」 −ＬＬＬ１ ７− 編−
Claims (1)
- 半導体レーザの活性媒質の屈折率の温度係数と逆符号の
温度係数の屈折率を有する媒質を、該半導体レーザと光
学的に結合し両端に優ヲ設は元共振器を形成し、該媒質
の長さ會、温度変化による該元共振器の発振波長変化が
小さくなるようにしたことを特徴とする波長安定化半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15952383A JPS6052073A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 波長安定化半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15952383A JPS6052073A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 波長安定化半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052073A true JPS6052073A (ja) | 1985-03-23 |
Family
ID=15695623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15952383A Pending JPS6052073A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 波長安定化半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013522625A (ja) * | 2010-03-15 | 2013-06-13 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 光ファイバ適合音響センサ |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15952383A patent/JPS6052073A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013522625A (ja) * | 2010-03-15 | 2013-06-13 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 光ファイバ適合音響センサ |
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