JPS5821436B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5821436B2 JPS5821436B2 JP54003566A JP356679A JPS5821436B2 JP S5821436 B2 JPS5821436 B2 JP S5821436B2 JP 54003566 A JP54003566 A JP 54003566A JP 356679 A JP356679 A JP 356679A JP S5821436 B2 JPS5821436 B2 JP S5821436B2
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- laser beam
- wavelength
- external resonator
- laser
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ装置に関する。
一般に、通常の半導体レーザな用いた半導体レーザ装置
は、これよりレーザ光を連続せるものとして得る場合は
、その半導体レーザに、大なるバイアス電流を与えなく
ても、レーザ光を単一モードレーザ光として得ることか
可能である。
は、これよりレーザ光を連続せるものとして得る場合は
、その半導体レーザに、大なるバイアス電流を与えなく
ても、レーザ光を単一モードレーザ光として得ることか
可能である。
然しなから、レーザ光を高速パルス変調信号にて変調さ
れたものとして得る場合は、その半導体レーザに、その
閾値電流の１．１〜１．２培程度のごとき犬なるバイア
ス電流を与えない限り、レーザ光を単一モードレーザ光
として得ることが困難な）ものである。
れたものとして得る場合は、その半導体レーザに、その
閾値電流の１．１〜１．２培程度のごとき犬なるバイア
ス電流を与えない限り、レーザ光を単一モードレーザ光
として得ることが困難な）ものである。
従って一般に、通常の半導体レーザを用いた半導体レー
ザ装置は、これより高速パルス変調信号にて変調された
レーザ光を、単一モードレーザ光として得んとする場合
は、その半導体レーザが、それへの犬なるバイアス電流
によって早期に劣化することにより、信頼性が低下する
という欠点を有していた。
ザ装置は、これより高速パルス変調信号にて変調された
レーザ光を、単一モードレーザ光として得んとする場合
は、その半導体レーザが、それへの犬なるバイアス電流
によって早期に劣化することにより、信頼性が低下する
という欠点を有していた。
又半導体レーザに対する犬なるバイアス電流の為に、無
変調時に於てもレーザ光か得られ、この為、レーザ光の
パルス変調信号のオン時の利得とオフ時の利得との比を
犬なるものとして得るごとが出来ない、という欠点も有
していた。
変調時に於てもレーザ光か得られ、この為、レーザ光の
パルス変調信号のオン時の利得とオフ時の利得との比を
犬なるものとして得るごとが出来ない、という欠点も有
していた。
この為、従来、分布帰還型に構成された半導体レーザ、
複共振器型に構成された半導体レーザ等の特殊な半導体
レーザを用いた半導体レーザ装置が種々提案されている
が、いずれもその特殊な半導体レーザを、歩留り良く容
易に得ることか出来なかったりする欠点を有していた。
複共振器型に構成された半導体レーザ等の特殊な半導体
レーザを用いた半導体レーザ装置が種々提案されている
が、いずれもその特殊な半導体レーザを、歩留り良く容
易に得ることか出来なかったりする欠点を有していた。
又、斯る特殊な半導体レーザを用いた半導体レーザ装置
の場合、これよりパルス変調信号によって変調されたレ
ーザ光を、単一モードレーザ光として得ることが出来る
としても、そのレーザ光の利得が、半導体レーザの湿度
変化に応じて大きく変化したりし、又これを補償せんと
しても、それが困難である等の欠点を有していた。
の場合、これよりパルス変調信号によって変調されたレ
ーザ光を、単一モードレーザ光として得ることが出来る
としても、そのレーザ光の利得が、半導体レーザの湿度
変化に応じて大きく変化したりし、又これを補償せんと
しても、それが困難である等の欠点を有していた。
依って本発明は、通常の半導体レーザを用いるも、そし
てレーザ光を高速パルス変調信号にて変調されたものと
して得る場合であっても、上述せる欠点なしに単一モー
ドレーザ光か得られ、しかも、その単一モードレーザ光
の波長か、湿度変化に応じて変化しても、単一モードレ
ーザ光の利得か低下することのない様に構成された、新
規な半導体レーザ装置を提案せんとするもので、以下詳
述する所より明らかとなるであろう。
てレーザ光を高速パルス変調信号にて変調されたものと
して得る場合であっても、上述せる欠点なしに単一モー
ドレーザ光か得られ、しかも、その単一モードレーザ光
の波長か、湿度変化に応じて変化しても、単一モードレ
ーザ光の利得か低下することのない様に構成された、新
規な半導体レーザ装置を提案せんとするもので、以下詳
述する所より明らかとなるであろう。
第１図は、本発明の基礎となる半導体レーザ装置の一例
を示し、相対向する側面１ａ及び１ｂ上に夫ｈストライ
プ状（紙面と垂直方向に延長せる）のレーザ出射面２ａ
及び２ｂを有するそれ自体は公知の、例えばダブルへテ
ロ接合型に構成された通常の半導体レーザ３を有し、そ
の半導体レーザ３に、そのレーザ光出射面２ｂとレンズ
４を介して対向せる反射鏡５を含んで構成された外部共
振器６か結合されてなる構成を有する。
を示し、相対向する側面１ａ及び１ｂ上に夫ｈストライ
プ状（紙面と垂直方向に延長せる）のレーザ出射面２ａ
及び２ｂを有するそれ自体は公知の、例えばダブルへテ
ロ接合型に構成された通常の半導体レーザ３を有し、そ
の半導体レーザ３に、そのレーザ光出射面２ｂとレンズ
４を介して対向せる反射鏡５を含んで構成された外部共
振器６か結合されてなる構成を有する。
この場合、半導体レーザ３は、これに外部共振器６が結
合されていない状態で且つ閾値電流と同程度又はそれ以
下のバイアス電流しか流していない状態で、高速パルス
変調信号にて変調されたレーザ光を得る場合に於て、そ
のレーザ光が、第２図のスペクトラム（横軸を波長λ、
縦軸を利得Ｇとしている）で示す如く、多縦モードを有
する多モードレーザ光として得られる構成を有するもの
とする。
合されていない状態で且つ閾値電流と同程度又はそれ以
下のバイアス電流しか流していない状態で、高速パルス
変調信号にて変調されたレーザ光を得る場合に於て、そ
のレーザ光が、第２図のスペクトラム（横軸を波長λ、
縦軸を利得Ｇとしている）で示す如く、多縦モードを有
する多モードレーザ光として得られる構成を有するもの
とする。
又、外部共振器６を構成せるレンズ４はその光学軸かレ
ーザ光出射面２ｂと垂直となる様に、半導体レーザ３の
レーザ光出射面２ｂと対向して配されているものである
が、半導体レーザ３のレーザ出射面２ｂ側の半円柱面７
ａと半導体レーザ３側とは反対側の平らな面７ｂとを有
し、レーザ光出射面２ｂより出射して得られるレーザ光
。
ーザ光出射面２ｂと垂直となる様に、半導体レーザ３の
レーザ光出射面２ｂと対向して配されているものである
が、半導体レーザ３のレーザ出射面２ｂ側の半円柱面７
ａと半導体レーザ３側とは反対側の平らな面７ｂとを有
し、レーザ光出射面２ｂより出射して得られるレーザ光
。
を面γｂ上でこのレンズ４の光学軸と平行ならしめるガ
ラスレンズ８を以て構成されている。
ラスレンズ８を以て構成されている。
又、反射鏡５は、レンズ４を構成せるガラスレンズ８の
平らな面７ｂ上への金属蒸着により形成された金属蒸着
膜９を以て構成されている。
平らな面７ｂ上への金属蒸着により形成された金属蒸着
膜９を以て構成されている。
更に、これ等レンズ４及び反射鏡５を以て構成せる外部
共振器６の光路長即ち半導体レーザ３のレーザ光出射面
２ｂ及び反射鏡５間の光路長（これをＬｅとする）が、
第２図のスペクトラムに於ける最大利得を呈するモード
の波長（これをλ０とする。
共振器６の光路長即ち半導体レーザ３のレーザ光出射面
２ｂ及び反射鏡５間の光路長（これをＬｅとする）が、
第２図のスペクトラムに於ける最大利得を呈するモード
の波長（これをλ０とする。
）の半。整数培即ちλｏＸ（Ｎ／２）（但しＮ＝１，２
・・・・・・・・・）に選定されでいる。
・・・・・・・・・）に選定されでいる。
以上が本発明の基礎となる半導体レーザ装置の一例構成
であるが、斯る構成によれば、その半導体レーザ３が、
それに外部共振器６が結合されていない状態で且つ閾値
電流と同程度又はそれ以下のバイアス電流しか流してい
ない状態で、高速パルス変調信号にて変調されたレーザ
光を得る場合に於て、そのレーザ光が、第２図のスペク
トラムで示す如く、多モードレーザ光として得られると
いう半導体レーザであっても、その半導体レーザ３に第
２図のスペクトラムに於ける最大利得を呈するモードの
波長λ０の半整数培に選定された光ν路長Ｌｅ（Ｌｅ＝
λｏＸ（Ｎ／２））を有する外部共振器６が結合されて
いるので、半導体レーザ装置の損失の波長依存性が、第
３図（横軸を波長λ、縦軸を損失りとしている）に示す
如く、波長λ０（λ０＋ＮＸ（λ”ｏ／Ｌ’ｅ））で極
小値を呈・するものとして得られ、依ってレーザ光を、
高速パルス変調信号にて変調されたものとして得る場合
であっても、そのレーザ光を、半導体レーザ３に、その
閾値電流の１．１〜１．２倍程度のごとき犬なるバイア
ス電流を与えることを要せずして、第４図のスペクトラ
ム（横軸を波長λ、縦軸を利得Ｇとしている）に示す如
く、実質的に波長λ０の単一モードレーザ光として得る
ことが出来るものである。
であるが、斯る構成によれば、その半導体レーザ３が、
それに外部共振器６が結合されていない状態で且つ閾値
電流と同程度又はそれ以下のバイアス電流しか流してい
ない状態で、高速パルス変調信号にて変調されたレーザ
光を得る場合に於て、そのレーザ光が、第２図のスペク
トラムで示す如く、多モードレーザ光として得られると
いう半導体レーザであっても、その半導体レーザ３に第
２図のスペクトラムに於ける最大利得を呈するモードの
波長λ０の半整数培に選定された光ν路長Ｌｅ（Ｌｅ＝
λｏＸ（Ｎ／２））を有する外部共振器６が結合されて
いるので、半導体レーザ装置の損失の波長依存性が、第
３図（横軸を波長λ、縦軸を損失りとしている）に示す
如く、波長λ０（λ０＋ＮＸ（λ”ｏ／Ｌ’ｅ））で極
小値を呈・するものとして得られ、依ってレーザ光を、
高速パルス変調信号にて変調されたものとして得る場合
であっても、そのレーザ光を、半導体レーザ３に、その
閾値電流の１．１〜１．２倍程度のごとき犬なるバイア
ス電流を与えることを要せずして、第４図のスペクトラ
ム（横軸を波長λ、縦軸を利得Ｇとしている）に示す如
く、実質的に波長λ０の単一モードレーザ光として得る
ことが出来るものである。
尚、この場合の単一モードレーザ光は、半導体レーザ３
の外部共振器６側とは反対側のレーザ光出射面２ａ側よ
り外部に導出し得るものである。
の外部共振器６側とは反対側のレーザ光出射面２ａ側よ
り外部に導出し得るものである。
依って、第１図にて上述せる本発明の基礎となる半導体
レーザ装置の一例構成によれば、通常の半導体レーザ装
置を用いるも、そしてレーザ光を高速パルス変調信号に
て変調されたものとして得る場合であっても、冒頭にて
前述せる欠点なしに、単一モードレーザ光を得ることが
出来る犬なる特徴を有するものである。
レーザ装置の一例構成によれば、通常の半導体レーザ装
置を用いるも、そしてレーザ光を高速パルス変調信号に
て変調されたものとして得る場合であっても、冒頭にて
前述せる欠点なしに、単一モードレーザ光を得ることが
出来る犬なる特徴を有するものである。
尚上述に於ては、外部共振器６を構成せるレンズ４が、
半導体レーザ３のレーザ光出射面２ｂ側の半円柱面７ａ
と半導体レーザ３側とは反対側の平らな面７ｂとを有す
るガラスレンズ８を以て構成され、又、反射鏡５が、そ
のガラスレンズ８の面７ｂ上に形成された金属蒸着膜９
を以て構成されている場合につき述べたが、第５図に示
す如く、レンズ４が、半導体レーザ３のレーザ光出射面
２ｂよりのレーザ光をコリメートする通常のガラスレン
ズ１０を以て構成され、又、反射鏡５が、そのガラスレ
ンズ１０と対向せる平面鏡１１を以て構成されている場
合であっても、又、第６図に示す如く、レンズ４が、半
導体レーザ３よりのレーザ光をコリメートする円柱レン
ズ又は球レンズ１２を以て構成され又、反射鏡５が、そ
の円柱レンズ又は球レンズ１２と対向せる第５図の場合
と同様の平面鏡１１を以て構成されている場合であって
も、更に、第７図に示す如く、レンズ４が、半導体レー
ザ３側の球面１３ａと半導体レーザ３側とは反対側の平
らな面１３ｂとを有するガラスレンズ１４を以て構成さ
れ、又、反射鏡５が、そのガラスレンズ１４ｆ）面１３
ｂ上に形成された第１図の場合と同様の金属蒸着膜９を
以て構成されている場合であっても、向夏に、第８図に
示す如く、レンズ４が、半導体レーザ３側及びそれと反
対側の平らな面１４ａ及び１４ｂを有し、半導体レーザ
３のレーザ光出射面２ｂより出射して得られる収束性ロ
ッドレンズ１５を以て構成され、又、反射鏡５が、その
収束性ロッドレンズ１５の面１４ｂに形成された第２図
の場合と同様の金属蒸着膜９を以て構成されている場合
であっても、第１図にて上述せると同様の作用効果を得
ることが出来ること明らかであろう。
半導体レーザ３のレーザ光出射面２ｂ側の半円柱面７ａ
と半導体レーザ３側とは反対側の平らな面７ｂとを有す
るガラスレンズ８を以て構成され、又、反射鏡５が、そ
のガラスレンズ８の面７ｂ上に形成された金属蒸着膜９
を以て構成されている場合につき述べたが、第５図に示
す如く、レンズ４が、半導体レーザ３のレーザ光出射面
２ｂよりのレーザ光をコリメートする通常のガラスレン
ズ１０を以て構成され、又、反射鏡５が、そのガラスレ
ンズ１０と対向せる平面鏡１１を以て構成されている場
合であっても、又、第６図に示す如く、レンズ４が、半
導体レーザ３よりのレーザ光をコリメートする円柱レン
ズ又は球レンズ１２を以て構成され又、反射鏡５が、そ
の円柱レンズ又は球レンズ１２と対向せる第５図の場合
と同様の平面鏡１１を以て構成されている場合であって
も、更に、第７図に示す如く、レンズ４が、半導体レー
ザ３側の球面１３ａと半導体レーザ３側とは反対側の平
らな面１３ｂとを有するガラスレンズ１４を以て構成さ
れ、又、反射鏡５が、そのガラスレンズ１４ｆ）面１３
ｂ上に形成された第１図の場合と同様の金属蒸着膜９を
以て構成されている場合であっても、向夏に、第８図に
示す如く、レンズ４が、半導体レーザ３側及びそれと反
対側の平らな面１４ａ及び１４ｂを有し、半導体レーザ
３のレーザ光出射面２ｂより出射して得られる収束性ロ
ッドレンズ１５を以て構成され、又、反射鏡５が、その
収束性ロッドレンズ１５の面１４ｂに形成された第２図
の場合と同様の金属蒸着膜９を以て構成されている場合
であっても、第１図にて上述せると同様の作用効果を得
ることが出来ること明らかであろう。
又、上述に於ては、外部共振器６が、レンズ４及び反射
鏡５を含んで構成されている場合につき述べたが、外部
共振器６か、第９図に示す如く、レンズを用いることな
しに、半導体レーザ３のレーザ光出射面２ｂに、上述せ
る外部共振器６の光路長Ｌｅの１／２の焦点距離を有す
る凹面鏡又は円柱面鏡１６を、光路長Ｌｅの距離を保っ
て対向せ［１，めてなる構成であっても、第１図にて上
述せると同様の作用効果を得ることが出来ること明らか
であろう。
鏡５を含んで構成されている場合につき述べたが、外部
共振器６か、第９図に示す如く、レンズを用いることな
しに、半導体レーザ３のレーザ光出射面２ｂに、上述せ
る外部共振器６の光路長Ｌｅの１／２の焦点距離を有す
る凹面鏡又は円柱面鏡１６を、光路長Ｌｅの距離を保っ
て対向せ［１，めてなる構成であっても、第１図にて上
述せると同様の作用効果を得ることが出来ること明らか
であろう。
以上にて本発明の基礎となる半導体レーザ装置の実施例
か明らかとなったか、それ等の実施例にによる場合、上
述せる如くに得られる単一モードレーザ光の波長λ０は
、温度変化に応じて変化する（通常温度が高くなればこ
れに応じて波長λ０が人となる）ものであり、この為、
その変化に応じて外部共振器６の光路長Ｌｅを変化せし
めない限り、単一モードレーザ光の利得が低下するもの
である。
か明らかとなったか、それ等の実施例にによる場合、上
述せる如くに得られる単一モードレーザ光の波長λ０は
、温度変化に応じて変化する（通常温度が高くなればこ
れに応じて波長λ０が人となる）ものであり、この為、
その変化に応じて外部共振器６の光路長Ｌｅを変化せし
めない限り、単一モードレーザ光の利得が低下するもの
である。
依って、本発明は、上述せる如くに得られる単一モード
レーザ光の波長λ０が、温度変化に応じて変化しても、
その単一モードレーザ光の利得が低下することのない様
に構成された、新規な半導体レーザ装置を提案せんとす
るもので、以下述べる所より明らかとなるであろう。
レーザ光の波長λ０が、温度変化に応じて変化しても、
その単一モードレーザ光の利得が低下することのない様
に構成された、新規な半導体レーザ装置を提案せんとす
るもので、以下述べる所より明らかとなるであろう。
第１０図は、第１図にて上述せる半導体レーザ装置を基
礎として構成された本発明による半導体レーザ装置の実
施例を示し、第１図との対応部分には同一符号を附し詳
細説明はこれを省略するも、半導体レーザ３か支持体２
１上に配設され、一方その支持体２１か外部共振器６側
に延長され、然１してその延長遊端面２２上に、他の支
持体２３が半導体レーザ３側に向って延長して支持され
、そしてその延長遊端面２５上に、外部共振器６を構成
せる反射鏡５かレンズ４と共に配設させている。
礎として構成された本発明による半導体レーザ装置の実
施例を示し、第１図との対応部分には同一符号を附し詳
細説明はこれを省略するも、半導体レーザ３か支持体２
１上に配設され、一方その支持体２１か外部共振器６側
に延長され、然１してその延長遊端面２２上に、他の支
持体２３が半導体レーザ３側に向って延長して支持され
、そしてその延長遊端面２５上に、外部共振器６を構成
せる反射鏡５かレンズ４と共に配設させている。
この場合、支持体２１及び２３の外部共振器６の光路長
Ｌｅをとる方向の熱膨張係数を夫ｈα及びβ、支持体２
１の半導体レーザ３のレーザ光出射面２ｂに対応する位
置と支持体２１の遊端面２２に対応する位置との間の支
持体２１の外部共振器６の光路長Ｌｅをとる方向の長さ
をＬａ、支持体２１の遊端面２２に対応する位置と支持
体２３の遊端面２５に対応する位置との間の支持体２３
と同様の方向の長さをＬｂとし、一方、第１図にて上述
せる如くに得られる単一モードレーザ光の波長λ０が温
度変化に応じて△λ（Ａ／度）だけ変化するものとした
場合、熱膨張係数α及びβ、及び長さＬａ及びＬａが、 △Ｌ＝ｌβＬｂ−αＬａ１ ・・・・・・・・・・・
・（１）λｏ×（△Ｌ／Ｌｅ）二△λ ・・・・・・・
・・・・・（２）なる関係を満足すべく選定されている
ものである。
Ｌｅをとる方向の熱膨張係数を夫ｈα及びβ、支持体２
１の半導体レーザ３のレーザ光出射面２ｂに対応する位
置と支持体２１の遊端面２２に対応する位置との間の支
持体２１の外部共振器６の光路長Ｌｅをとる方向の長さ
をＬａ、支持体２１の遊端面２２に対応する位置と支持
体２３の遊端面２５に対応する位置との間の支持体２３
と同様の方向の長さをＬｂとし、一方、第１図にて上述
せる如くに得られる単一モードレーザ光の波長λ０が温
度変化に応じて△λ（Ａ／度）だけ変化するものとした
場合、熱膨張係数α及びβ、及び長さＬａ及びＬａが、 △Ｌ＝ｌβＬｂ−αＬａ１ ・・・・・・・・・・・
・（１）λｏ×（△Ｌ／Ｌｅ）二△λ ・・・・・・・
・・・・・（２）なる関係を満足すべく選定されている
ものである。
但し、この場合、外部共振器６が不必要に機械的に振動
することなからしめる為、Ｌｂの値を出来る丈げ小とし
、１β１〉〉１α１なる関係とするとき、βくＯなる関
係を有するものである。
することなからしめる為、Ｌｂの値を出来る丈げ小とし
、１β１〉〉１α１なる関係とするとき、βくＯなる関
係を有するものである。
斯る構成によれば、第１図にて上述せる如くに得られる
単一モードレーザ光の波長λ０が、温度の変化に応じて
△λ（Ａ／度）だけ変化するとしても、半導体レーザ３
を配設せる支持体２１及び外部共振器６を構成せる反射
鏡５を配設せる支持体２３の、外部共振器６の光路長Ｌ
ｅをとる方向の熱膨張係数α及びβ；及び長さＬａ及び
Ｌｂが上述せる（１）及び（２）式なる関係を満足すべ
く即ち得んとする単一モードレーザ光の波長の温度変化
に応じて外部共振器６の光路長が温度変化すべく選定さ
れているので、得られる単一モードレーザ光を常に最大
利得を以って得ることが出来るものである。
単一モードレーザ光の波長λ０が、温度の変化に応じて
△λ（Ａ／度）だけ変化するとしても、半導体レーザ３
を配設せる支持体２１及び外部共振器６を構成せる反射
鏡５を配設せる支持体２３の、外部共振器６の光路長Ｌ
ｅをとる方向の熱膨張係数α及びβ；及び長さＬａ及び
Ｌｂが上述せる（１）及び（２）式なる関係を満足すべ
く即ち得んとする単一モードレーザ光の波長の温度変化
に応じて外部共振器６の光路長が温度変化すべく選定さ
れているので、得られる単一モードレーザ光を常に最大
利得を以って得ることが出来るものである。
尚、第１０図は、支持体２３のβが、β〈Ｏなる関係を
有する場合の実施例を示したものであるか、支持体２３
のβが、β〉０なる関係を有する場合は、第１１図に示
す如く、第１０図との対応部分に同一符号を附して詳細
説明はこれを省略するも、第１０図にて上述せる構成に
於いて、支持体２１及び２３を、第１０図とは逆方向に
延長せしめたことを除いては第１０図の場合と同様とす
れば良いものである。
有する場合の実施例を示したものであるか、支持体２３
のβが、β〉０なる関係を有する場合は、第１１図に示
す如く、第１０図との対応部分に同一符号を附して詳細
説明はこれを省略するも、第１０図にて上述せる構成に
於いて、支持体２１及び２３を、第１０図とは逆方向に
延長せしめたことを除いては第１０図の場合と同様とす
れば良いものである。
又第１０図及び第１１図は、第１図にて上述せる半導体
レーザ装置を基礎として構成された本発明の実施例を示
したものであるが、図示せざるも、第５図〜第８図にて
上述せる半導体レーザ装置を基礎として構成された実施
例を得ることも出来、又、勿論、第１０図及び第１１図
にて上述せる実施例に夫々対応するものとして、示され
ている第１２図及び第１３図に示す如く、第９図にて上
述せる半導体レーザ装置を基礎として構成された実施例
を得ることも出来、その他車発明の精神を脱することな
しに種々の変型変更をなし得るであろう。
レーザ装置を基礎として構成された本発明の実施例を示
したものであるが、図示せざるも、第５図〜第８図にて
上述せる半導体レーザ装置を基礎として構成された実施
例を得ることも出来、又、勿論、第１０図及び第１１図
にて上述せる実施例に夫々対応するものとして、示され
ている第１２図及び第１３図に示す如く、第９図にて上
述せる半導体レーザ装置を基礎として構成された実施例
を得ることも出来、その他車発明の精神を脱することな
しに種々の変型変更をなし得るであろう。
第１図は本発明の基礎となる半導体レーザ装置の一例を
示す路線図、第２図はその半導体レーザ装置にて得られ
るレーザ光のスペクトラム、第３図は第１図に示す半導
体レーザ装置の損失の波長依存性を示す図、第４図は第
１図に示す半導体レーザ装置にて得られるレーザ光のス
ペクトラムである。 第５図、第６図、第７図、第８図及び第９図は本発明の
基礎となる半導体レーザ装置の他の例を示す路線図であ
る。 第１０図及び第１１図は夫々第１図に示す半導体レーザ
装置を基礎として構成された本発明による半導体レーザ
装置の実施例を示す路線図である。 第１２図及び第１３図は夫々第９図に示す半導体レーザ
装置を基礎として構成された本発明による半導体レーザ
装置の他の実施例を示す路線図である。 図中、２ａ及び２ｂはレーザ光出射面、３は半導体レー
ザ、４はレンズ、５は反射鏡、６は外部共振器、２１及
び２３は支持体を夫々示す。
示す路線図、第２図はその半導体レーザ装置にて得られ
るレーザ光のスペクトラム、第３図は第１図に示す半導
体レーザ装置の損失の波長依存性を示す図、第４図は第
１図に示す半導体レーザ装置にて得られるレーザ光のス
ペクトラムである。 第５図、第６図、第７図、第８図及び第９図は本発明の
基礎となる半導体レーザ装置の他の例を示す路線図であ
る。 第１０図及び第１１図は夫々第１図に示す半導体レーザ
装置を基礎として構成された本発明による半導体レーザ
装置の実施例を示す路線図である。 第１２図及び第１３図は夫々第９図に示す半導体レーザ
装置を基礎として構成された本発明による半導体レーザ
装置の他の実施例を示す路線図である。 図中、２ａ及び２ｂはレーザ光出射面、３は半導体レー
ザ、４はレンズ、５は反射鏡、６は外部共振器、２１及
び２３は支持体を夫々示す。
Claims (1)
- １ 半導体レーザに、そのレーザ光出射面とレンズ系を
介して又は介することなしに対向せる反射鏡を含んで構
成され且つ得んとする単一モードレーザ光の波長の半整
数陪の光路長を有する外部共振器が結合され、上記半導
体レーザ及び上記反射鏡か格別の支持体上に夫々配設さ
れ、該支持体の上記外部共振器の光路長をとる方向の熱
膨張係数及び長さか、上記単一モードレーザ光の波長の
湿度変化に応じて上記外部共振器の光路長が、上記単一
モードレーザ光が湿度変化に応じて変化せる波長に於い
て最大利得が得られるように、湿度変化すべく選定され
てなる事を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54003566A JPS5821436B2 (ja) | 1979-01-16 | 1979-01-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54003566A JPS5821436B2 (ja) | 1979-01-16 | 1979-01-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5595389A JPS5595389A (en) | 1980-07-19 |
| JPS5821436B2 true JPS5821436B2 (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=11560977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54003566A Expired JPS5821436B2 (ja) | 1979-01-16 | 1979-01-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821436B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2115217B (en) * | 1982-02-09 | 1986-04-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor lasers |
| EP0108562A1 (en) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | British Telecommunications | Controlling lasers |
| US4528670A (en) * | 1983-02-25 | 1985-07-09 | At&T Bell Laboratories | Short coupled cavity laser |
| US4583226A (en) * | 1983-07-28 | 1986-04-15 | At&T Bell Laboratories | Coupled cavity injection laser |
| JPS60136276A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106696A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Nec Corp | Basic transverse mode oscillating semiconductor razar unit |
| JPS5358788A (en) * | 1976-11-06 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Injection type laser device |
-
1979
- 1979-01-16 JP JP54003566A patent/JPS5821436B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106696A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-07 | Nec Corp | Basic transverse mode oscillating semiconductor razar unit |
| JPS5358788A (en) * | 1976-11-06 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Injection type laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5595389A (en) | 1980-07-19 |
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