JPS6051131A - 重合用ブテン−１の回収法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 −１（以下、重合用ブテン−１という）を回収する方法
に係わる。

ブテン−Ｊは、各種の割合でブテン−１、イノブタン、
イソブテン、ｎ−ブタン、ブテン−２及び飽和及びオレ
フィン系ｃ３　及びｃ５炭化水素、フリジエン、アセチ
レン誘導体ヲ＠有するｃ４　炭化水素フラクション中に
含まれる。

本発明により原料として使用されるｃ４炭化水素フラク
ションは、フリジエン及びアセチレン誘導体の含量が低
いものであり、かがる１ヴ科が水蒸気クラッキングから
のものである場合には、溶媒又は他の方法により、その
中に含有される多瞬のブタジェンを除去しなければなら
ない。

本発明により使用されるｃ４　炭化水素フラクションの
組成は以下の範囲内である。

Ｃ５０，２−１，５（重量％〕 １　０４　］　３０ ｉ−Ｃ−１，０−６０ −０３２０ １−０−１０−４’０ ２−ｃ　−８−３０ Ｃｓ　Ｏ，１，−１，０ ブタジ工ン士アセチレン系０．１−６ 現在直面している問題点は、ブタジェン及びアセチレン
誘導体の送択的水素化工程におけるブテン−ｊのブテン
−２への転化を、いかにしてできるかぎり低率に抑制し
、ブテン−１の回収を行なうかにある。

公知の方法では、ブタジェン及びアセチレン系炭化水素
の選択的水素化を、ブテン−１からの各種成分の分離前
に行なわなければならない旨教示している。しかし、か
かる公知の方法によシ操作する場合には、水素化と共に
、ブテン−１のブテン−２への異性化が生ずる。

タジエンの敏に左右、される。ブテン−］の組成中に許
容されるブタジェンの最大含量が低ければ低いほど、水
素化後におけるＣ４　流中の残留ブタジェンの量も低く
なければならず、ブテン−２への異性化のためブテン−
１の損失も大きくなる。

たとえば、水素化工程へ供給されるフラクション中のブ
タジェン含意が約２係のもの全使用するとすれば、ブテ
ン−１についての組成中における許容最大ブタジェン含
量が２００　ｐｐｍであれば、異性化によるブテン−１
の損失は約２重量係であり、ブテン−１についての組成
中における許容最大ブタジェン含量が５０　ｐｐｍであ
れは、ブテン−１の異性化による損失は５電量チ以上で
ある。

発明者らは、ブタジェン及びアセチレン誘導体の選択的
水素化をプラントの適切な部位で行なうことにより、従
来法による欠点全低減できることを見出し、本発明に至
った。

捷ず、Ｃ４フラクションについて従来法によりイソブチ
ン除去を行なう。すなわち、スチレン−ジビニベンゼン
マトリックス上にスルホンｅ官能基をもつ不均一触媒（
特にＡｍｂｅｒＬｙｓｔ　１５　）　の存在下、脂肪族
アルコールとの反応によりイソフ゛テンをアルキル−第
３ブチルエーテルに変化させる。

この反応により、実質的にすべてのインブテンがアルキ
ル−第３ブチルエーテルに変化し、その後、公知の蒸留
法により除去する。

本発明による方法では、上述の成分を含有すると共に、
完全に又は実質的にイソブチンを除去し対 たＣ　フラクションを、圧力５ないし２０絶体気田で作
動する第１蒸貿塔で蒸留して、主としてイソブチンでな
る塔頂留分及び残りの成分でなる塔底留分を得る。つい
で、後者の留分全第２蒸留塔り”」 において、圧力３ないし１０絶〜気圧で蒸留して、８０
ないし９５％の純度レベルをもつブテン−”■でなる塔
頂留分（ブテン−１に力０えて、基本的にブタン及びブ
タジェン士アセチレン誘導体を含有する）及び高沸点化
合物、ｎ−ブタン及びシス−及びトランス−ブテン−２
を含有する塔底留分を（与る。

第２蒸留塔からの塔頂留分を、ブタジェン及びアセチレ
ン誘導体の選択水素化装置に供給して、これら化合物の
濃度を、重合用ブテン−１の組成に適合するものとする
ため、３０ないし２　Ｑ　Ｏ，ｐｐｍの範囲の値まで低
減させる。

この水素化装置は、入口温度３５ないし５０　’Ｃ。

対 操作圧力４ないし２０絶浅気圧で作動する。

ジエン及びアセチレン系化合物を除去した選択的水素化
装置からの留分子ｉ［留塔に供給し、正方対 ３ないし１０ｆｅ％気田で蒸留して、塔の頂部に近いだ
な段から重合用ブテン−１孕鴫ると共に、塔底留分とし
て、ｎ−ブタン及びブテン−２及び少量のブテン−１を
得る。

本発明による方法では、原料の０４　フラクションに添
加したブチ／−１からブテン−２への結合異性化抑制剤
の存在下において選択的水素化を行なう場合にも、反応
条件として温和な条件−ｉ　′：ｆｌＪ用できる利点を
保持している。

さらに、本発明による方法では、いかなる場合にも、選
択的水素化に必要な装置の寸法を低減でき、したがって
投下資本を低減できる利点を有する。

各種原料流の成分の種類については、以下の実施例に参
照するが、各留分中の各種成分の濃度及び各工程におけ
る操作圧力については本発明を制限するものとして示し
たものではない。

実施例 本発明の″）５法の実姉に好適な１具体例を示す添付ノ
フローチャートに従って、本実篩例を行なった。図中、
符号１は、ブテン−１、イソブチン、ブタジェン及びア
セチレン誘導体等を含有するＣ４流を示す。２はイソブ
チンのエーテル化装置１６に供給されるアルコールであ
り、３は生成したメチル−第３−ブチルエーテルでちり
、４は実質的にイソブチンが除去されたＣ４　流を示す
。１８は対 約１４絶捧気干で作動する第１蒸留塔であり、５は王と
してインブタンでなる塔頂留分てあり、６給される。７
は主としてブテン−１でなる留分であり、８は重質生成
物を含有する留分である。留分７は水素化装置１７に供
給され、この水素化装置１７にはライン１９により水素
が供給される。

この装置から、主として過剰の水素及びブテン−１でな
る留分１１が排出される。１０は水素化留対 分であって、モカ約７絶体気田で作動される分別塔（蒸
留塔）２０に供給され、この塔の頂部から非凝縮性物質
及びブテン−１でなる留分１２が、頂部から１０番目の
だな段から嘱合用ブテノ−１でなる留分１３が、塔底か
らｎ−ブタン及びブテン−２でなる残渣１４が碍られる
。

流れ１５は留分５．８旋び１４の合わされたものである
。

かかる方法の物質収支を以下の表に示す。なお位置番号
は添付図面中の符号である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明方法の実施に好適な１具体例のフローチャ
ー１・である。 １６・・エーテル化装置、】７・・水素化装置、１８・
・第１蒸留塔、１９拳・第２蒸留塔、２０・・分別塔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 イソブチンを完全に又は実質的に除去したブテン−１含
   有Ｃ４フラクションから重合用ブテン−１を回収する方
   法において、該Ｃ４フラクション対 全第１蒸留塔において圧力５ないし２０絶＼気田で蒸留
   して、主としてイノブタンを含有する塔頂留分及び残り
   の成分でなる塔底留分を寿、該残シし９５妬のブテン−
   １でなる塔頂留分及び高ｄト点化合物、ｎ−ブタン及び
   シス−及びトランス−ブテン−２でなる塔底留分を優る
   と共に、前記第２蒸留塔からの塔頂留分をブタジェン及
   びアセチレン誘導体の選択水素化装置に供給して、これ
   らの化合物ので震度を３０ないし２００　ｐｐｍに低減
   し、該選択水素イヒ装置からの流出物を蒸留塔に供給し
   て、圧力３ないし１０絶に気圧で蒸留し、塔頂に近いだ
   な段から重合用ブテン−１を市ることを特徴とする、取
   合用ブテン−１の回収法。