JPS6049896B2 - フォトマスクパタ−ンの修正装置 - Google Patents
フォトマスクパタ−ンの修正装置Info
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- JPS6049896B2 JPS6049896B2 JP56102901A JP10290181A JPS6049896B2 JP S6049896 B2 JPS6049896 B2 JP S6049896B2 JP 56102901 A JP56102901 A JP 56102901A JP 10290181 A JP10290181 A JP 10290181A JP S6049896 B2 JPS6049896 B2 JP S6049896B2
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- JP
- Japan
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- pattern
- photomask
- substrate
- workpiece
- metal
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトマスクパターンの修正装置に係り、特
にガラス板等の基板に加工された金属パターン中の剥離
部分を加工するためのフォトマスクパターンの修正装置
に関する。
にガラス板等の基板に加工された金属パターン中の剥離
部分を加工するためのフォトマスクパターンの修正装置
に関する。
従来からガラス板等の基板上に金属又は金属酸化をパ
ターニングするフォトマスク或はレテイクルパターンを
修正する方法として第１図に示すように基板１に所定形
状のパターン２をパターニングした際上記パターン２外
の不用のパターン３が形成された場合には該不用パター
ン３部分にレーザ等の熱線４を照射することよつて不用
パターン３は簡単に除去することが出来る。
ターニングするフォトマスク或はレテイクルパターンを
修正する方法として第１図に示すように基板１に所定形
状のパターン２をパターニングした際上記パターン２外
の不用のパターン３が形成された場合には該不用パター
ン３部分にレーザ等の熱線４を照射することよつて不用
パターン３は簡単に除去することが出来る。
然し第２図Ａ、Ｂに示すように基板１上に金属等のパ
ターン２を形成した中に欠落部５を含むような場合には
この欠落部を修正するためには工程的にはかなり複雑な
修正を必要とした。
ターン２を形成した中に欠落部５を含むような場合には
この欠落部を修正するためには工程的にはかなり複雑な
修正を必要とした。
即ち第３図Ａ−Ｄに示すよう欠落部５を有する金属パ
ターン２上にレジスト材６を塗布したのち、欠落部５部
分のレジスト６を光線７で現像処理させて（第２図Ｂ）
光線７を当てた部分のレジスト材を取り去つて金属８を
レジスト６の上面に蒸着させて（第３図Ｃ）次にレジス
ト６を剥離すると欠落部５には金属Ｂａが残つて基板１
上の金属又は金属酸化物の欠落部が補充されて修正が完
了する。
ターン２上にレジスト材６を塗布したのち、欠落部５部
分のレジスト６を光線７で現像処理させて（第２図Ｂ）
光線７を当てた部分のレジスト材を取り去つて金属８を
レジスト６の上面に蒸着させて（第３図Ｃ）次にレジス
ト６を剥離すると欠落部５には金属Ｂａが残つて基板１
上の金属又は金属酸化物の欠落部が補充されて修正が完
了する。
然し、このような工程での被加工物の修正は多くの時
間と工数を要する欠点があつた。
間と工数を要する欠点があつた。
本発明は上述の欠点を解消したフォトマスクパターン
の修正装置を提供するものであり、その特徴とするとこ
ろは、パターンの形成されたフォトマスク基板を載置す
る載置台と、該フォトマスク基板のパターン形成面に対
向して配置された蒸着源と、該フォトマスク基板と該蒸
着源との間に配置された可動シャッタとを収容した真空
容器と、該蒸着源を加熱する加熱源とを具備し、該可動
シャッタはその開口部の大きさをフォトマスク基板上の
パターンの欠落部の大きさに応じて調整可能に構成され
、該開口部を通して該パターンの欠落部に対して選択的
に蒸着をしうる様にしたことを特徴とする。
の修正装置を提供するものであり、その特徴とするとこ
ろは、パターンの形成されたフォトマスク基板を載置す
る載置台と、該フォトマスク基板のパターン形成面に対
向して配置された蒸着源と、該フォトマスク基板と該蒸
着源との間に配置された可動シャッタとを収容した真空
容器と、該蒸着源を加熱する加熱源とを具備し、該可動
シャッタはその開口部の大きさをフォトマスク基板上の
パターンの欠落部の大きさに応じて調整可能に構成され
、該開口部を通して該パターンの欠落部に対して選択的
に蒸着をしうる様にしたことを特徴とする。
以下本発明の１実施例を図面について詳記する。
第４図は本発明のフォトマスクパターンの修正装置の路
線的側断面図を示すものであり、真空容器９内にフォト
マスク又はレデイクル等の被加工物１０が配され該被加
工物はガラス等の基板１に金属又は金属酸化物等により
なるパターン２が形成されている、被加工物１０には欠
落部５のあるパターンがパターニングされている。
線的側断面図を示すものであり、真空容器９内にフォト
マスク又はレデイクル等の被加工物１０が配され該被加
工物はガラス等の基板１に金属又は金属酸化物等により
なるパターン２が形成されている、被加工物１０には欠
落部５のあるパターンがパターニングされている。
被加工物１０は加工載置台１２上に被加工物挿入口９ｂ
より挿入する。被加工物１０と対向する位置に顕微鏡な
どよりなる観察系１１が容器９上部に固定され、上記被
加工物１０のパターン２がガラス基板１を通じて観察さ
れる。
より挿入する。被加工物１０と対向する位置に顕微鏡な
どよりなる観察系１１が容器９上部に固定され、上記被
加工物１０のパターン２がガラス基板１を通じて観察さ
れる。
９ａは容器９内のエアを排気させるための排気口であり
、９ｃは排気弁である。
、９ｃは排気弁である。
１３はシャッタであり真空容器９の外部に排出された調
整摘み１５によつて該シャッタ１３は操作レバー１４を
通じて開口調整がなされる。
整摘み１５によつて該シャッタ１３は操作レバー１４を
通じて開口調整がなされる。
１６は金属酸化物等の蒸着物て蒸着物保持台１７に蒸着
物が保持されている。
物が保持されている。
蒸着物保持台は溝１８に沿つてＡ−Ａ方向に摺動される
。１９はスプリングであり、容器９の外側に排出した螺
子２０が母線の形成された螺子受２２と螺合され、容器
外に排出した螺子２０に摘み２１が固定されている。
。１９はスプリングであり、容器９の外側に排出した螺
子２０が母線の形成された螺子受２２と螺合され、容器
外に排出した螺子２０に摘み２１が固定されている。
螺子２０の先端は蒸着物保持台１７にスプリング１９に
抗して対接されている。
抗して対接されている。
２３は容器９の底部に固定したガラス等の透明板であり
、レーザ装置２４は容器９外にガラス等の透明板２３と
対向して配されている。
、レーザ装置２４は容器９外にガラス等の透明板２３と
対向して配されている。
シャッタ１３は例えば第５図に示す如く４つのシャッタ
板１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを組み合せて互にシ
ャッタ板１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄがＢ−Ｂ及び
Ｃ−Ｃ方向に摘み１５の回動によつて摺動するようにさ
れシャッタ開口部２５の大きさをＰオーダで微調整出来
る構成である。
板１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを組み合せて互にシ
ャッタ板１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄがＢ−Ｂ及び
Ｃ−Ｃ方向に摘み１５の回動によつて摺動するようにさ
れシャッタ開口部２５の大きさをＰオーダで微調整出来
る構成である。
本発明のパターン加工装置は上述の如く構成されている
ので、炭酸ガス又はヤグレーザ装置２４より放出された
レーザ２４ａは透明板２３を通じて金属酸化物又は金属
等の蒸着物１６を熔融して金属酸化物を飛散させる。
ので、炭酸ガス又はヤグレーザ装置２４より放出された
レーザ２４ａは透明板２３を通じて金属酸化物又は金属
等の蒸着物１６を熔融して金属酸化物を飛散させる。
飛散した金属酸化物はシャッタ１３の開口２５を通じて
被加工物１０のパターン２の欠落部に充填されるように
蒸着される。
被加工物１０のパターン２の欠落部に充填されるように
蒸着される。
被加工物１０は観察系によつて載置台の所定位置に正し
く配置される。
く配置される。
又摘み１５，２１によつてシャッタ１３の開口部の大き
さの制御ならびに蒸着物１６がレーザ光によつて正しく
照射されるような制御がなされ、且つ容器９内は排気口
を通じてエアを抜き真空状態で欠落部への蒸着がなされ
ることは勿論である。本発明は上述の如く構成しせ、且
つ動作させたので、第３図に示したうな多くの工程を必
要とする化学的な修正方法に比べて極めて短時間に欠落
部５の修正を何回も行うことが出来る特徴を有するもの
である。
さの制御ならびに蒸着物１６がレーザ光によつて正しく
照射されるような制御がなされ、且つ容器９内は排気口
を通じてエアを抜き真空状態で欠落部への蒸着がなされ
ることは勿論である。本発明は上述の如く構成しせ、且
つ動作させたので、第３図に示したうな多くの工程を必
要とする化学的な修正方法に比べて極めて短時間に欠落
部５の修正を何回も行うことが出来る特徴を有するもの
である。
第１図は従来の不用パターン除去方法を説明するための
基板平面図、第２図Ａ，Ｂは従来のパターン中に欠落部
を生じた場合の基板の平面図と側断面図、第３図Ａ−Ｄ
は従来のパターン中の欠落部を修正する工程を説明する
基板側断面図、第４図は本発明のパターン加工装置の路
線的側断面図、第５図は第４図に示すシャッタの構造を
示す路線的斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・パターン、３・・
・不用パターン、４・・・・・・熱線、５・・・・・・
欠落部、６・・・・・ルジスト材、８・・・・・・金属
、９・・・・・・真空容器、１０・・・・・・被加工物
、１１・・・・・・観察系、１３・・・・・・シャッタ
、１６・・・・・蒸着物、２４・・・・・ルーザ。
基板平面図、第２図Ａ，Ｂは従来のパターン中に欠落部
を生じた場合の基板の平面図と側断面図、第３図Ａ−Ｄ
は従来のパターン中の欠落部を修正する工程を説明する
基板側断面図、第４図は本発明のパターン加工装置の路
線的側断面図、第５図は第４図に示すシャッタの構造を
示す路線的斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・パターン、３・・
・不用パターン、４・・・・・・熱線、５・・・・・・
欠落部、６・・・・・ルジスト材、８・・・・・・金属
、９・・・・・・真空容器、１０・・・・・・被加工物
、１１・・・・・・観察系、１３・・・・・・シャッタ
、１６・・・・・蒸着物、２４・・・・・ルーザ。
Claims (1)
- １ パターンの形成されたフォトマスク基板を載置する
載置台と、該フォトマスク基板のパターン形成面に対向
して配置された蒸着源と、該フォトマスク基板と該蒸着
源との間に配置された可動シャッタとを収容した真空容
器と、該蒸着源を加熱する加熱源とを具備し、該可動シ
ャッタはその開口部の大きさをフォトマスク基板上のパ
ターンの欠落部の大きさに応じて調整可能に構成され、
該開口部を通して該パターンの欠落部に対して選択的に
蒸着をしうる様にしたことを特徴とするフォトマスクパ
ターンの修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102901A JPS6049896B2 (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | フォトマスクパタ−ンの修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102901A JPS6049896B2 (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | フォトマスクパタ−ンの修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583972A JPS583972A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS6049896B2 true JPS6049896B2 (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=14339758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102901A Expired JPS6049896B2 (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | フォトマスクパタ−ンの修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049896B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242895U (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-14 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0018389D0 (en) | 2000-07-26 | 2000-09-13 | Boc Group Plc | Quenching method |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56102901A patent/JPS6049896B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242895U (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS583972A (ja) | 1983-01-10 |
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