JPS6048936A - 酸への脱エステル化方法 - Google Patents

酸への脱エステル化方法

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JPS6048936A
JPS6048936A JP59151119A JP15111984A JPS6048936A JP S6048936 A JPS6048936 A JP S6048936A JP 59151119 A JP59151119 A JP 59151119A JP 15111984 A JP15111984 A JP 15111984A JP S6048936 A JPS6048936 A JP S6048936A
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methyl
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ジヤツク・ダブリユ・フイツシヤー
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Eli Lilly and Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発を巨Σ町的 ペニシリン系およびセファロスポリン系抗生物質なとの
化合物ならびにそれらの骨格類似体は、一般に1つ以上
の官能基を有する複雑な有機分子である。このような化
合物を合成するには、通常、保護しなげれば不要の副反
応を起こして所望でない生成物を生む官能基に対して保
護基を用いる必要が生じる。ペニシリンおよびセファロ
スポリンなどの化合物に存在する最も一般的な官能基は
カルボン酸基である。反応の間カルボン酸基を保護する
代表的方法は、カルボン酸基をエステルに変換すること
である。分子のどこか他の部位において所望の反応が起
こったのちはこのエステルをカルボン酸基に戻さなけれ
ばならない。これらの化合物は一般的に生物学的活性を
示すためにはカルボン酸基が必要であるからである。ペ
ニシリンおよびセファロスポリンなどの化合物ならびに
その骨格類似体は強酸または強塩基などの通常の脱エス
テル化条件に非常に感受性を有するので、脱エステル化
法は非常に穏和でなければならな3− い。
本発明により、常法と違って穏和で効率的である有機カ
ルボン酸エステルの脱エステル化方法を提供する。
発明の構成および効果 詳しくは、本発明は低級アルキルチオールおよびルイス
酸を式(I[)で表わされるエステルと反応させること
を特徴とする式(I)で表わされる化合物の製造方法を
提供する。
R’−COOH(I) R’−COOR貿■)[式中、
R゛は有機の基であり、R2は安定したカルボニウムイ
オンを形成し得る有機エステル形成基である。] 好ましい具体例としては、R2がジフェニルメチルまた
は2,4.6−ドリメチルベンジルである。他の好まし
い具体例としては、R1がペニシリン、セファロスポリ
ン、カルバペニシリン、カルバセファロスポリンまたは
オキサセファロスポリン骨格基である。
本発明で提供する方法は、カルボン酸ノエステ4− ルを低級アルキルチオールおよびルイス酸と反応さゼる
ことにより実施する。「低級アルキルチオール」とは、
メタンチオール、エタンチオール、n−プロパンチオー
ル、n−ブタンチオールおよびイソヘキサンチオールな
どの化合物を意味する。好ましい低級アルキルチオール
はエタンチオールである。′ルイス酸」とは、電子対を
受入れて共有結合を形成し得る物質という当分野で公知
の意味を有する。三フッ化ホウ素は広く知られたルイス
酸であり、本発明の好ましいルイス酸である。これは一
般に、市販されているジエチルニーテレ−1・複合体と
して用いられる。本方法に用い得る他のルイス酸には塩
化第二スズ、塩化亜鉛などが包含される。
本方法の脱エステル化方法は一般におよそ等モル量のカ
ルボン酸エステル、ルイス酸および低級アルキルチオー
ルを混合することにより実施する。要ずれは、少過剰量
、例えば約0.01〜約1.0モル過剰のルイス酸およ
び/または低級アルキルチオールを用いて確実にエステ
ルの脱エステル化を完了させてもよい。また、要すれば
、本反応を非反応性有機溶媒中で実施してもよい。汎用
される溶媒にはクロロホルム、ジクロロメタン、1,2
−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素、ベンゼン
、トルエン、キシレンなどの芳香族溶媒およびアセトン
、メチルエチルケトンなどのケトンが包含される。好ま
しい反応溶媒はジクロロメタンなどのハロゲン化度化水
素である。
本発明方法は約−20〜約50°Cで実施した場合、約
30分〜約8時間後に完了する。好ましい具体例におい
ては、本方法を約20〜約30°Cで実施する。脱エス
テル化反応が実質的に完了したのちは、必要に応じてカ
ルボン酸生成物は単に生成物を濾過するか反応溶媒を除
去するだけで容易に単離し得る。また、本生成物は、要
すれば、標準的抽出方法、クロマトグラフィー、結晶化
、塩形成または他の既知の精製方法により精製し得る。
本発明方法は広範に応用でき、エステル形成基が安定し
たカルボニウムイオンを形成し得るようなイスれのカル
ボン酸エステルに対しても実施し得る。カルボニウムイ
オンは幾つかの有機反応における公知の中間体であり、
中心の羨素原子に正電荷を有する有機基(organi
c 5pecies)で、普通は非常に短期間しか存在
しない。安定したカルボニウムイオンは、t−ブチルカ
ルボニウムイオンの共鳴−1−ネルギーである約8 4
 Kcal/ mo1以上の共鳴′.l二たは超共役エ
ネルギーを有する。安定したカルボニウムイオンを形成
し、本方法の基質に用い得る代表的エステル形成基とし
ては、t−ブチル、ジフェニルメチルなどの嵩の大きな
アルキルX、2,4.6−ドリメチルベンジル、ペンタ
メチルヘンシルなどのアルキル化ベンジル基、p−メト
キシベンジルなどのアルコキシベンジル基および9−ア
ントリルメチルなどの多環性メチル基などが挙げられる
前述したように、本発明の脱エステル化法は広範に応用
でき、」二人のR1が基本的に有機の基であるエステル
に対して実施し得る。本方法は穏やかであるのでペニシ
リン類、セファロスポリン類7− およびそれらの骨格類似体などの感受性の高い化合物に
特に適用できる。上式のR1の好ましい具体例は式(I
II)で表わされるペニシリン基または式(IV)で表
わされるセファロスポリン基である。
[式中、R3はアシル残基 R aは水素、アルコキシ
またはアルキルチオ、XはS,OまたはC H *。
R6は水素、ハロゲンまたはセファロスポリン化合物で
通常みられる有機の基である。]R6の代表的な基とし
ては、メチル、クロロおよびアセトキシメチルなどが挙
げられるが、他の多種類の製薬上許容される基が知られ
ており、それらを用いることができる。
本方法はカルボン酸エステル基にのみ作用するので、上
式中のR′で表わされる基の性状は本発8− 明方法にとって重要ではない。ジフェニルメチルコース
チルなとのカルボン酸エステル基が分子中の他の部位、
例えば、R8基の部分に存在する場合は、そのエステル
基においても脱エステル化が幾らか起こる。要すれば、
R”またはR6基の部分にカルボン酸が存在するときは
それを例えば、2。
2 、 2 − 1−リクロロエチル基またはp−ニト
ロベンジル基などの安定なカルボニウムイオンを形成し
ないエステル形成基で保護するとよい。このようなコー
スチル類は本方法の影響を受けない。
本発明方法で脱エステル化し得る有機カルボン酸エステ
ル類の例としては、グリシン、アラニン、ロイシン、ス
レオニン、アスパラギン、クルクミン、リジン、アルギ
ニン、チロシン、ドリフトファン、プロリンなどのアミ
ノ酸およびペプチドなどの合成に有用なその他のアミノ
酸のジフェニルメチルコースデル類が挙げられる。本発
明方法の基質として利用し得る代表的ペニシリンエステ
ル類には、ペニシリンV、ペニシリンG、ペニシリンに
および上式のR3がメトキシベンジル力ルボニル、ペン
シルオキシヘンシルカルボニル、メチレンジオキシヘン
シルカルボニル、α−メトキンカルボニル ル、オキサシリルアセチル、ナフブルオキシアセチルま
たはヘンゾチアゾリルオキシアセチルである同様なペニ
シリン類のシフコーニルメチル、2。
4、6−)リメチルヘンンル、4−メトキンヘンシルお
よびt−ブチルニスデルなどが挙げられる。
本発明方法の基質として利用し得るカルバベナム類およ
びカルバペネム類の例としては、チェナマイシンおよび
その関連化合物ならびに上式においてXがCH.であり
、R3がフェニルアセチル、フェノキシアセチル、α−
アミノフェニルアセチル、α−ヒドロキシフェニルアセ
チル、フリルアセチル、チアゾリルアセチル、テトラゾ
リルアセチル、チェニルプロピオニルなどであるカルバ
ペネム類のジフェニルメチルエステルが挙げられる。
基質として用い得る代表的セファロスポリン類としては
、セファ[IスポリンC1セファレキシン、セノラシン
、セファドロキシル、セファトリジン、セフアク側1ル
、セファロチン、セファビリン、セフアセドリル、セフ
ァロリジン、セファロチン、セノアソリン、セノアマン
ドール、セフロキシム、七)」キンチン、セフオペラゾ
ン、七フ」クキ/ム、(トノタシタイム、セフテソール
のジノエールメチルおよび4−メトキンヘンシルエステ
ルならひにその他の関連したセファロスポリンエステル
類が挙げられる。
カルバセファ11スポリン類およびモキサラクタムなと
の1−オキザブチアセファロスボリン類のシフコーニル
メチルおよび2,4.6−ドリメチルペンシルエステル
も用い得る。このような基質で代表的なものは、式(I
V)においてXがCH,またはOであり、R3が低級ア
ルカノイル、低級アルコキシカルボニル、シクロアルカ
ンカルボニル、ア1]イル(ヘンソイル、トリオイリル
、キジロイルなと)およびフェニルアセチル、フェノキ
シアセチル、チアゾリルアセチル、ブエニルプロピオ1
1− ニル、α−アミノ−α−フェニルアセチルなどの基なら
びにその他の関連基である化合物である。
本発明のエステル開裂方法は広範に応用でき、エステル
形成基が安定なカルボニウムイオンを形成し得るカルボ
ン酸のエステルにはいずれにも作用するのは理解される
ところである。前記に列挙した基質の例は、単に例を示
したに過ぎず、如何なる意味においても本発明を限定す
るものではない。
以下に限定を意図としない実施例を提供して本発明を更
に例示する。
火貫贋ユ 2、4.6−!ーリメテルベンジル基の除去7−フェノ
キシアセトアミド−3−メチル−3=セフェム−4−カ
ルボン酸2,4.6−)リメチルペンシル1.20g(
2.5mM)を、エタンチオール0 、 2 0ml(
 2 、 6mM)および三フッ化ホウ素・ジエチルニ
ーテレート0 、 3 4ml(2.8mM)を含有す
るジクロロメタン17mlに溶解し、25℃で30分間
攪拌した。薄層クロマトグラフ12− イー分析により7−フェノキシアセ1ヘアミドー3ーメ
ブルー3−(7)J−ムー4ーカルボン酸カ存在してい
ることが分かった。この化合物は以下のNMRスペクト
ルを有している。
NMR(DMSO−d. ) : S 2. 10(s
. 3H)、 3. 55(br s, 28)。
4、 72(s. 2H )、 5. 18(d, I
H)、 5. 73(dd, IH)、 6. 87−
7、 70(m, 58)、 9. 30(d,1旧。
実施例2 ジフェニルメチル基の除去 7−[α−アミノ−α−(4−ヒドロキシ)アセトアミ
トコ−3−クロロ−3−セフェム−4−カルボン酸ジフ
ェニルメチル g(2.8mM)を、エタンチオール0.23ml(3
.1mM)および三フフ化ホウ素・ジエチルニーテレ−
)− 0 、 3 8ml( 3 、 1mM)を含有
するジグ1jロメタン20mlに溶解し、25℃で2時
間攪拌した。これを濾過し、濾過ケークを新たなジクロ
1」メタンで洗浄し、40℃で2時間真空乾燥して7−
[α−アミノ−α−(4−ヒドロキシフェニル)アセト
アミド]−3−クロロ−3−セフエムー4−カルボン酸
1.63gを得た。
実施例3 7−[α−アミノ−α−(4−ヒドロキシフェニル)ア
セトアミド]−3−クロロー3−セフェム−4−カルボ
ン酸の製造 7−アミノ−3−クロロ−3−セフェム−4−カルボン
酸ジフェニルメチル20g(50mM)を、クロロキ酸
メチル4.15m1をα−N−(メトキシカルボニルイ
ソプロペニル (4−ヒドロキシフェニル)酢酸ナトリウム154g(
53.6mM)と反応させて製造した混合酸無水物と反
応させてアシル化して7−[α−N−メトキシカルボニ
ルイソプロベニル)アミノ−α−(4−ヒドロキシフェ
ニル)アセトアミド−3=クロロ−3−セフェム−4−
カルボン酸ジフェニルメチル40gを得た。これをp−
hルエンスル*>m・−水a物10.20g(53.6
mM)を含有するジクロロメタン3 8 7 mlニm
解り,、15分間25℃で攪拌したのち10″Cまで冷
却した。
反応液を10″C″c′攪拌しながらエタンチオール3
、89mlを加え、次いで三フッ化ホウ素・ジエチル1
−プレート7、69mlを5分間を要して滴加した。こ
れを10〜15°Cで2.5時間攪拌する間に三フッ化
ポウ素・ジエチルニープレートを史に0.62ml加え
T攪拌を更に90分間継続した。反応液を濾過し、濾過
ケークを新たなジクロl−1メタンて゛洗序し〔水10
0mlおよびアセトン100mlに溶解した。この水性
混液をpH4.5になるまでトリエチルアミンを加えて
希釈し、生成Jる結晶化生成物を濾取し、乾燥して7−
[α−アミノ−α−(4−ヒドロキシフェニル)アセト
アミ+? ] − 3−りtJ [J− 3−セフェム
−4−カルボン酸11.98gを得た。
NMR (DMSO−d 、 ):δ3.3−4.1(
m,28)、4.8−5.3(m.2N>、 5. 8
(dd, Ill)、 6 65−7. 2(2d, 
4B)、 8. 5(巾広, 3H )。
9、 4(d, IH)。
火基忽1 4−メトキシヘンシル基の除去 7−(すオフコーン−2−アセトアミド)−3−71!
l・キンメチル−3−1=フエムー4−カルボン15− 酸4ーメトキシペンシル2.58g(5mM)を、エタ
ンチオール0 、 3 9ml( 5 、 3mM)お
よび三フッ化ホウ素・ジエチルニープレート0.68m
l(5.5mM)を含有するジクロロメタン33mlに
溶解して20°Cで2時間15分攪拌した。薄層クロマ
トグラフィー分析により出発物質が7−(チオフェン−
2−アセトアミド)−3−アセトキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸に完全に変換したことが分かった
次にこの反応液を2−エチルヘキサン酸ナトリウム0.
83g(5mM)を加えて希釈し、攪拌を90分間継続
した。これを水25mlに加え、炭酸ナトリウム飽和水
溶液の添加によりpHを6.4に調整した。水層を分取
してジクロロメタン10mlずつで2回洗浄し、酢酸イ
ソプロピル55mlを積層し、20%(v/v)硫酸を
加えてp)12の酸性とした。有機層を分取して乾燥し
、酢酸ナトリウム0、41g(5mM)を含有するメタ
ノール5m1を加えて希釈した。生成した結晶性生成物
を濾取し、風乾して7−(チオフェン−2−アセトアミ
16ー ド)−3−アセトキンメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ナトリウム640mgを得た。
NMR(DMSO−d.+TFA−d,>: 8 2.
03(s,3H)、3.8(br s。
2+1>、 4. 5−5. 25<m, 3H >、
 5. 50−5. 59(m, 18)、 6. 9
5(d 、2+I)、 7. 33(m, Ill)。
火U魚−債j 7β−[α−ヒドロキシフェニル−α−(p−7トキン
ヘ〉シルオキシカルボニル トコ−7α−メトキシ−3−(1−メチル−5ーブ1−
ラソリル)チオメチル−1−才キサデテアー3−セフ」
−ムー4ーカルボン酸ジフェニルメチル4、03g(5
mM)を、エタンチオール0.72ml( 1 0 、
 5mM)および三フッ化ホウ素・ジエチルニープレー
ト1 、 3 6ml( 1 1mM)を含有するジク
ロロメタン33mlに溶解して25℃で2.5時間攪拌
した。反応の進行度はガラス板に塗布したシリカゲル上
で酢酸エチル/トルエン/酢酸(1:1:1,v/v/
v)を溶出液とした薄層クロマトグラフィー分析により
追跡した。薄層り1−J71−グラムは約2時間後に両
方のエステル基が完全に除去されたことを示した。この
反応液を濾過し、濾過ケークを乾燥して7β−(α−p
−ヒドロキシフェニル−α−カルボキシアセトアミド)
−7α−メトキシ−3−(1−メチル−5−テトラゾリ
ル)チオメチル−1−才キサデチア−3−セフェム−4
−カルボン酸3.43gを得た。mp、117〜122
℃(分解)。IR(KBr) :1780.1719お
よび1632cm−’。NMRは標品のNMRと一致し
た。
前記の一般的方法に従っ工、エタンチオールおよび三フ
フ化ホウ素・ジエチルエーテレートを下記のエステルと
反応させ1対応する有機酸を得る。
セファレキシンのジフェニルメチルエステルからセファ
レキシン、 アンピシリンの2.4.6−)リメチルベンジルエステ
ルからアンピシリン、 セフラジンのt−ブチルエステルからセフラジン、 チェナマイシンのジフェニルメチルエステルからチェナ
マイシン、 セファ1゛ロキシルのペンタメチルヘンシルエステルか
らセファドロキシル セフクジダイムの4−メトキシベンジルエステルからセ
フタジダイム セフオキシチンの9−アントリルメチルエステルからセ
フオキシチン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)低級アルキルチオールおよびルイス酸を式(II
    )で表わされるエステルと反応させることを特徴とする
    式(I)で表わされる化合物の製造方法。 R’−COOH(1) R’−GOOR” (I[)[
    式中、R1は有機の基であり、R2は安定したカルボニ
    ウムイオンを形成し得る有機エステル形成基である。コ (り 低級アルキルチオールがエタンチオールである特
    許請求の範囲(1)記載の方法。 (3) ルイス酸が三フッ化ホウ素である特許請求の範
    囲(1)または(2)記載の方法。 (4)R”がジフェニルメチル、2,4.6−ドリメチ
    ルベンジルまたはp−メトキシベンジルである特許請求
    の範囲(1) 、 (2)または(3)記載の方法。 (5)R’が式(IV)で表わされる基である特許請求
    の範囲(1) 、 (2) 、 (3)または(4)記
    載の方法。 [式中、R3はアシル残基、R1は水素、アルコキシま
    たはアルキルチオ、R6は製薬上許容される有機の基、
    XはOlSまたは−CH3−である。](6)R6がメ
    チル、ハロまたはアセトキシメチルである特許請求の範
    囲(5)記載の方法。 (7)RSがフェノキシアセチルである特許請求の範囲
    (5)または(6)記載の方法。 (8)R”がα−アミノ−α−(4−ヒドロキシフェニ
    ル)アセグルである特許請求の範囲(5)または(6)
    記載の方法。 (9’l R1がα−カルボキシ−α−(4−ヒドロキ
    シフェニル)アセチル R4がメトキシ、R6が(1−
    メチル−5−テトラゾリル)チオメチルである特許請求
    の範囲(5)記載の方法。 G[D Xが−CHl−である特許請求の範囲(9記載
    の方法。 (11) R’が式(1)で表わされる基である特許請
    求の範囲(1) 、 (2) 、 (3)または(4)
    記載の方法。 [式中、R3はアシル残基、R4は水素、アルコキシま
    たはアルキルチオ、XはSまたは−CH*−である。] (12) Xが−CH2−である特許請求の範囲(11
    )記載の方法。 (13)カルバペネムエステルを用いる特if 請求ノ
    範囲(1) 、 (2) 、 (3)または(4)記載
    の方法。 (14)チェナマイシンエステルを用いる特許請求の範
    囲(13)記載の方法。
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